惠普将联合Hynix在2013年制造忆阻器产品
忆阻器
• 2008年（距蔡教授提出忆阻器已经37年过去了）
才出现了转机，另一个由 Stanley Williams 领 军的 HP 团队在研究二氧化钛的时候，意外地发 现了二氧化钛在某些情况的电子特性比较奇特。最 终由此制出了第四电子元件。
4
Company Logo
忆阻器构成及原理
一块极薄的二氧化钛被夹在两个电极 中间，这些二氧化钛又被分成两个部 份，一半是正常的（图二中undoped 部分）二氧化钛，另一半进行了“掺 杂”（图二中doped部分），少了几 个氧原子。当“掺杂”的那一半带正 电，因此电流通过时电阻比较小，而 且当电流从“掺杂”的一边通向正常 的一边时，在电场的影响之下缺氧的 “掺杂物”会逐渐往正常的一侧游移 ，使得以整块材料来言，“掺杂”的 部份会占比较高的比重，整体的电阻 也就会降低。反之，当电流从正常的 一侧流向“掺杂”的一侧时，电场会 把缺氧的“掺杂物”从回推，电阻就 5 会跟着增加。
companylogo忆阻器最简单的应用就是作为非易失性阻抗存储器rram今天的动态随机存储器所面临的最大问题是当你关闭pc电源时动态随机存储器就忘记了那里曾有过什么所以下次打开计算机电源你就必须坐在那儿等到所有需要运行计算机的东西都从硬盘装入到动态随机存储器
1.发展历史介绍 2.原理介绍 3.特性 4.应用
Company Logo
忆阻器的特性
• 忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制
电流的变化可改变其阻值，如果把高阻值定义为 “1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻就可以实现 存储数据的功能。 • 忆阻器器件的特征是它可以记忆流经它的电荷数量。 忆阻器的电阻取决于多少电荷经过了这个器件。即 使断电它的电阻也会保持不变，记住断电那一刻的 状态。 • 由于忆阻器的电阻值是随流过的电流来决定，所以 它也能定义除1和0以外的其他状态。
高等电路分析4 非线性电路例
2、锁相分频：
在锁相环路中插入倍频器就可构成锁相分频电路。如下 图所示：
vi(t)
PD
LF
ωi(t)
Nωo(t) N
VCO
当环路锁定时：
i
N o
o
i
N
式中N为倍频器的倍频次数。
vo(t) ωo(t)
3、锁相混频器
vi(t)
PD
LF
ωi(t) |ωL(t)-ωo(t)|
VCO
差频放大
于调制信号的频率。
fΩ(t)调制信号
fi(t)晶振 PD
LF +
VCO fo(t)调频波
调制信号作为VCO控制电压的一部分使其频率产生相应的 变化，由此在输出端得到已调频信号。
当调制信号为锯齿波时，可输出扫频信号。当调制信号为 数字脉冲时，可产生移频键控调制（FSK信号）
单片集成锁相环电路
模拟锁相环路： NE56、NE561、562、565 L562 、 L564 、 SL565 、 KD801 、 KD802、KD8041等。
原子力显微镜下的一个有17个忆阻器排列成一排简单电 路的图像。
每个忆阻器有一个底部的导线与器件的一边接触，一个 顶部的导线与另一边接触。这些导线宽50nm。
•2008 年HP公司发明的电流控制型 忆阻器
u>0, u<0，
掺杂物移动速度
掺杂物向右移动
w增加
R变小 R变大
如果D由μm尺度变为nm尺度， ������ M的数值增大106倍，效果明显； ������ 纳米电子学时代催生了忆阻器。
MCV14A数据手册
在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。
© 2007, Microchip Technology Inc. 版权所有。
DS41338A_CN 第 ii 页
Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 与位于俄勒冈州 Gresham 的全球总部、设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和 印度的设计中心均通过了 ISO/TS-16949:2002 认证。公司在 PIC® MCU 与 dsPIC® DSC、 KEELOQ® 跳码器件、串行 EEPROM、单片机外 设、非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS16949:2002。此外， Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体 系也已通过了 ISO 9001:2000 认证。
11
RB2/C1OUT/AN2
10
RC0/C2IN+
9
RC1/C2IN-
8
RC2/CVREF
DS41338A_CN 第2 页
初稿
2007 Microchip Technology Inc.
MCV14A
目录
1.0 概述 .............................................................................................................................................................................................. 5 2.0 架构概述 ...................................................................................................................................................................................... 9 3.0 存储器构成 ................................................................................................................................................................................ 11 4.0 闪存数据存储器 .......................................................................................................................................................................... 19 5.0 I/O 端口 ...................................................................................................................................................................................... 23 6.0 Timer0 模块和 TMR0 寄存器 ...................................................................................................................................................... 29 7.0 CPU 的特殊功能......................................................................................................................................................................... 35 8.0 模数 （A/D）转换器 ................................................................................................................................................................... 49 9.0 比较器........................................................................................................................................................................................ 53 10.0 比较器参考电压模块 ................................................................................................................................................................... 59 11.0 电气特性 ..................................................................................................................................................................................... 61 12.0 封装信息 ..................................................................................................................................................................................... 75 产品标识体系 ....................................................................................................................................................................................... 81
后摩尔时代半导体产业发展方向及启示
超越“摩尔定律”的提出 “超越摩尔定律”（More than Moore） 2005 年国际半导体技术路线图（ITRS）提出
后摩尔时代发展方向
发展方向之一-新材料 可替代硅的材料 要求：计算速度不亚于硅，但发热量要显著低于硅，并可提供足够的电子迁移率 碳基材料：石墨烯和碳纳米管
石墨烯： 2004 年由英国曼彻斯特大学首次发现。 呈二维蜂窝网格形状，厚度只有 1 个碳原子直径大小。 具有良好的电学性能和力学性能：电阻率比硅低，电子迁移率可达光速的 1/300，比在硅中快近 100 倍。 碳纳米管： 1991 年由日本筑波 NEC 实验室首次发现。 单壁碳纳米管的载流子能力高达 109A/cm2，是铜导线的 1000 倍。 卓越的电气特性和直径仅为 1 至 2 纳米的超小体积，在极短的沟道长度内也能保持对电流的闸门控 制。 发展方向之一-新材料 碳基材料：石墨烯和碳纳米管 最大制约因素：大规模精确排列。 碳纳米管已先于石墨烯发展。 2013 年，斯坦福大学采用同硅 CMOS 完全兼容的工艺实现研制出世界首个碳纳米管场效应晶体管计算 机原型芯片，面积仅为 6.5mm2，由 178 个碳纳米管场效应晶体管构成。
后摩尔时代半导体产业发展方向及启示
概要 “摩尔定律”即将终结 ·2016 年 3 月《自然》杂志： ·受经济和技术两大因素影响，“摩尔定律”即将终结 ·2016 年 4 月，美国英特尔公司： ·无力继续遵循“摩尔定律”，特征尺寸节点的更替将由两年变为三年一代 后摩尔时代半导体产业发展方向 ·新器件 ·新集成 ·新范式 “摩尔定律”即将终结 摩尔定律 1948 年晶体管发明。 1958 年集成电路诞生。 1965 年美国英特尔公司联合创始人之一的戈登·摩尔提出“摩尔定律”。 在价格不变的情况下，集成电路上可容纳的元器件数目每隔约 18～24 个月便会增加一倍，性能也提 升一倍。 一直引领和推动着全球半导体产业的发展。
Pantum P2500系列维修手册
V
目录
第1章
产品概述 ................................................................................................................... 1–1
在维修本手册中规定的产品或零部件时用户必须承担人身伤害和损坏本产品的风险因此在进行维修工作之前须仔细阅读本维修手册以便能够正确的操作和维护本产品
维修手册
P2500 系列 黑白激光打印机
法律说明
商标
Pantum 和 Pantum 标识是珠海赛纳打印科技股份有限公司注册的商标。 Microsoft、Windows、Windows server 和 Windows Vista 是微软公司在美国和/或其他 国家注册的商标和注册商标。 对于本手册涉及的软件名称，其所有权根据相应的许可协议由所属公司拥有。 本手册涉及的其他产品和品牌名称为其相应所有者的注册商标、商标或服务标志。 版权 本手册版权归珠海赛纳打印科技股份有限公司所有。 未经珠海赛纳打印科技股份有限公司事先书面同意，禁止以任何手段或形式对本手册进行复 印、翻译、修改和传送。 版本：V 1.0
1.1.4 指示灯...............................................................................................................1–5
1.1.4.1 LED1 指示灯状态显示............................................................................1–5
DSC100 中文手册
2.2.2 报警逻辑...............................................................................................................................11
2.2.3 故障逻辑...............................................................................................................................13
2.2
停车，报警和故障逻辑 ....................................................................................11
2.2.1 停车逻辑...............................................................................................................................11
文档号 No. 001 中国 北京 印制
目录
目录......................................................................................................................................................................... i
产品和培训信息 .............................................................................................................................................v
惠普展示首个忆阻器半导体混合电路
ａ ｄ Ｓａ ｄｒｉ ｔ ｎ ［ 】 ． Ｉｔ ｎ ｔｎ ｌＪｕｎ ｏ Ｔ ｎ ｔ ａｄｚ ｉ ｎ ａｏ Ｊ ｎｅ ａ ｏａ ｏ ｒａ ｆ Ｉ ｒ ｉ ｌ
鹱 ８ ８ 厂 厂， 骥 、、
ｌ 豳ｉ 嘣
惠普展示首个忆阻器半导体混合 电路
室 在会 上展示 了首 个忆 阻器 半导体 混合 电路 他 们 将一 块 Ｆ Ｇ Ｐ Ａ芯 片 中的部分 半导 体 电路摘 除 ．用忆 阻器 替 代 由于单 个忆 阻器 就能够 实现 一组 闪存 电 路 的功 能 ． 同时 比闪存 速 度 更 快 ．能 效 更 高 。因 此 ．这 样 的 混合 电路 能 够 降低 芯 片 中 的 晶 体 管 数 量 ．大 幅度降低 成本 ．甚 至有 望靠 这一新 技术 来延
参 考献 ：
［ １ ］毛 丰 付 ． 准 竞 争 与 竞 争 政 策 ： 以 ＩＴ产 业 为 例 ． 海 标 Ｃ 上
Ｅｉ ｉｅ ｎ ｇ Ｅｃ ｗ ｒ Ｆ ｒ ｉ Ｂ ｎ ｅ ｒ ｐ ｂ ｉ Ｄｅ ｔｃ ｌ ｎ ｋ ｅｔ ｅ ｕ Ｄ ｅ ｕ ｄ ｓｅ ｕ ｌ ｋ ｕｓｈａ ｄ
【 Ｄ Ｎ Ｍｉｅ ｕ ｇｎ ９ ０ ９ ９ — ９ ． Ｊ ］． Ｉ — ｔ ｉ ｎ ｅ ，１９ ，６ ：４ ０ ４ １ ｔｌ
Ｄｅｒ Ｎｏ ｕｎ Ａｕ Ｄｅ ｍ ｒ ｇ ｆ ｍ Ｇｅ ｅ Ｄｅ Ｉ ｆ ｒ ａｉｎｓｅ ｈ ｋ： ｂｉｔ ｒ ｎｏ ｍ ｔｏ ｔ ｃ ｎｉ
域对 标准化 的态 度不 是很积 极 另外 ．出 口率是 领 域标 准产 出 的一 个正 向解释 因 素 ．但 不显著 ，这 一
IEC60601-1第三版(中文版)
MEDICAL ELECTRICAL EQUIPMENT – Part 1: General requirements for basic safety and essential performance
1
1 范围、目标和相关标准 ........................................................................................................................8 1.1 范围 ........................................................................................................................................8 1.2 目标 ........................................................................................................................................8 1.3 * 并列标准 ................................................................................................................................8 1.4 * 专用标准 ................................................................................................................................8
新型存储器件与电子器件技术考核试卷
3.阐述3D XPoint技术的基本概念及其在存储技术发展中的重要性。
4.请讨论纳米线晶体管和碳纳米管晶体管在新型电子器件中的潜力与挑战，并对比它们的技术特点。
标准答案
一、单项选择题
1. D
2. D
7.量子计算机能够同时处理多个计算任务，这是由于量子比特的叠加原理。（√）
8. TTL逻辑门是新型电子器件的一种。（×）
9. 3D XPoint技术的存储速度比NAND闪存慢。（×）
10.新型存储器件的发展趋势是功耗更低、速度更快、存储密度更高。（√）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请描述相变存储器（PCM）的工作原理及其相对于传统存储器件的主要优势。
A.非易失性
B.读写速度快
C.抗辐射性强
D.功耗高
8.以下哪些是铁电随机存取存储器（FRAM）的特点？()
A.非易失性
B.读写速度快
C.功耗低
D.成本低
9.以下哪些技术涉及到量子计算？()
A.量子比特叠加
B.量子比特纠缠
C.量子比特旋转
D.量子比特存储
10.以下哪些材料用于新型电子器件的制造？()
A.硅
1.新型存储器件包括以下哪些？()
A. PCM
B. MRAM
C. FRAM
D. TTL逻辑门
2.以下哪些是相变存储器（PCM）的特点？()
A.非易失性
B.读写速度快
C.功耗低
D.存储密度高
3.以下哪些存储器属于非易失性存储器？()
A. NAND闪存
B. NOR闪存
828D简明调试手册_2019 4.8 SP4
常压储罐事故分析及建议
RISK Engineering Position Paper
Atmospheric Storage Tanks
February 2011
Contents
Section 1. 2. 3. 4. 5. 5.1 6. 6.1 7. 7.1 7.2 8. 9. 10. 10.1 10.2 11. 11.1 11.2 11.3 12. 13. 14. Title..............................................................................................................................Page Background...................................................................................................................................... 3 Objective.......................................................................................................................................... 3 Scope. .............................................................................................................................................. 3 Selection of Atmospheric Storage Tanks............................................................................................ 4 Layout and Spacing........................................................................................................................... 5 Bunds (Dykes)................................................................................................................................... 6 Primary Containment........................................................................................................................ 7 Tank Design & Operation. ................................................................................................................. 7 Secondary Containment................................................................................................................. 10 Bund Integrity (leak tightness)........................................................................................................ 10 Tertiary Containment...................................................................................................................... 11 Overfill Protection........................................................................................................................... 12 Maintenance and Inspection........................................................................................................... 13 Leakage and Fire Detection............................................................................................................. 14 Leak Detection................................................................................................................................ 14 Fire Prevention and Protection........................................................................................................ 14 Fire Fighting Systems...................................................................................................................... 16 Water Systems................................................................................................................................ 16 Foam Fire Fighting Systems............................................................................................................ 16 Application Rates............................................................................................................................ 18 References to Industry Losses......................................................................................................... 19 References to Industry Standards.................................................................................................... 19 Appendices..................................................................................................................................... 20 Appendix A - Assessment Checklist................................................................................................. 20 Appendix B - Mechanical Component Checklist for Floating Roof Tank Inspections......................... 21 Appendix C - Loss Incidents. ........................................................................................................... 22
HP工作站产品介绍说明书
Sales guide | Why a Workstation?
Workstations are designed for the demands of users who work with professional and technical applications, large and complex datasets or intricate 3D models.
Intel® Xeon® Processor technology.................................................................................................................................. 4 Storage even a server would envy.................................................................................................................................... 4 Leading-edge professional graphics................................................................................................................................ 4 HP Performance Advisor..................................................................................................................................................... 4 HP Remote Graphics Software.......................................................................................................................................... 4 Performance on display...................................................................................................................................................... 4 Mission-critical reliability........................................................................................................................................................ 5 A strenuous design standard............................................................................................................................................. 5 Independent Software Vendor (ISV) certification........................................................................................................... 5 Tested beyond industry standards................................................................................................................................... 5 Engineered BIOS................................................................................................................................................................... 5 ECC memory for data integrity........................................................................................................................................... 5 Expandable by design............................................................................................................................................................. 6 Tool-less chassis.................................................................................................................................................................. 6 Ultimate processing power................................................................................................................................................. 6 More memory, less waiting................................................................................................................................................ 6 Memory, storage and graphics that grow with your needs.............................................................................................. 6 Why an HP Workstation........................................................................................................................................................... 7
惠普SWOT案例分析
惠普SWOT案例分析目录一、内容概览 (2)1.1 分析背景与目的 (3)1.2 分析范围与方法 (3)二、惠普概况 (4)2.1 公司简介 (5)2.2 业务范围 (6)三、惠普优势 (7)3.1 技术创新 (9)3.2 品牌影响力 (10)3.3 全球市场布局 (11)四、惠普劣势 (12)4.1 高度依赖技术创新 (13)4.2 竞争激烈 (15)4.3 高运营成本 (16)五、惠普机会 (17)5.1 新兴市场增长 (18)5.2 云计算发展 (19)5.3 企业数字化转型 (21)六、惠普威胁 (23)6.1 激烈的市场竞争 (24)6.2 法规政策变化 (25)6.3 技术变革风险 (26)七、结论与建议 (28)7.1 结论总结 (29)7.2 发展战略建议 (30)一、内容概览本文档旨在深入剖析惠普（HP）公司的SWOT分析，全面评估其优势、劣势、机会与威胁。
通过这一分析框架，我们将揭示惠普在当前市场环境下的竞争地位和未来发展的潜力。
我们概述了惠普的概况，包括其历史背景、主要业务领域以及在全球经济中的影响力。
我们从产品与服务、技术创新能力、市场领导地位等方面对惠普的优势进行了详细阐述。
这些优势为惠普在多个行业中提供了强大的竞争力，并为其带来了稳定的收益来源。
我们也指出了惠普所面临的一系列劣势，随着市场的发展和技术的进步，部分传统业务开始逐渐失去优势，而新兴领域的竞争也日益激烈。
这些劣势限制了惠普的发展速度，并对其未来的盈利能力构成了挑战。
在机会方面，我们重点关注了惠普在云计算、人工智能等新兴技术领域的布局和发展潜力。
随着数字化转型的加速推进，这些新兴领域为惠普提供了巨大的市场空间和增长机会。
我们也看到了惠普在可持续发展和环保方面的努力，这不仅有助于提升公司形象，还可能带来新的业务增长点。
在威胁方面，我们分析了来自竞争对手、法规政策以及市场变化的潜在风险。
面对这些威胁，惠普需要不断调整战略，加强创新能力和风险管理，以确保在激烈的市场竞争中保持领先地位。
IPC-7351B & PCBL Land Pattern Naming Convention
I P C-7351B N a m i n g C o n v e n t i o n f o r S t a n d a r d S M T L a n d P a t t e r n sSurface Mount Land PatternsComponent, Category Land Pattern Name Ball Grid Array’s...............................BGA + Pin Qty + C or N + Pitch P + Ball Columns X Ball Rows _ Body Length X Body Width X Height BGA w/Dual Pitch.BGA + Pin Qty + C or N + Col Pitch X Row Pitch P + Ball Columns X Ball Rows _ Body Length X Body Width X Height BGA w/Staggered Pins..................BGAS + Pin Qty + C or N + Pitch P + Ball Columns X Ball Rows _ Body Length X Body Width X Height BGA Note: The C or N = Collapsing or Non-collapsing BallsCapacitors, Chip, Array, Concave..........................................................CAPCAV + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Capacitors, Chip, Array, Flat..................................................................CAPCAF + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Capacitors, Chip, Non-polarized.................................................................................................CAPC + Body Length + Body Width X Height Capacitors, Chip, Polarized.....................................................................................................CAPCP + Body Length + Body Width X Height Capacitors, Chip, Wire Rectangle........................................................................................CAPCWR + Body Length + Body Width X Height Capacitors, Molded, Non-polarized...........................................................................................CAPM + Body Length + Body Width X Height Capacitors, Molded, Polarized.................................................................................................CAPMP + Body Length + Body Width X Height Capacitors, Aluminum Electrolytic ............................................................................................................CAPAE + Base Body Size X Height Ceramic Flat Packages.....................................................................................................CFP127P + Lead Span Nominal X Height - Pin Qty Column Grid Array’s.....................................................CGA + Pitch P + Number of Pin Columns X Number of Pin Rows X Height - Pin Qty Crystals (2 leads)........................................................................................................................XTAL + Body Length X Body Width X Height Dual Flat No-lead..........................................................................................................DFN + Body Length X Body Width X Height – Pin Qty Diodes, Chip................................................................................................................................DIOC + Body Length + Body Width X Height Diodes, Molded...........................................................................................................................DIOM + Body Length + Body Width X Height Diodes, MELF................................................................................................................................DIOMELF + Body Length + Body Diameter Fuses, Molded............................................................................................................................FUSM + Body Length + Body Width X Height Inductors, Chip.............................................................................................................................INDC + Body Length + Body Width X Height Inductors, Molded........................................................................................................................INDM + Body Length + Body Width X Height Inductors, Precision Wire Wound................................................................................................INDP + Body Length + Body Width X Height Inductors, Chip, Array, Concave..............................................................INDCAV + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Inductors, Chip, Array, Flat......................................................................INDCAF + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Land Grid Array, Round Lead............................LGA + Pin Qty - Pitch P + Pin Columns X Pin Rows _ Body Length X Body Width X Height Land Grid Array, Square Lead........................LGAS + Pin Qty - Pitch P + Pin Columns X Pin Rows _ Body Length X Body Width X Height LED’s, Molded............................................................................................................................LEDM + Body Length + Body Width X Height Oscillators, Side Concave........................................................................OSCSC + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Oscillators, J-Lead.......................................................................................OSCJ + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Oscillators, L-Bend Lead.............................................................................OSCL + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Oscillators, Corner Concave....................................................................................................OSCCC + Body Length X Body Width X Height Plastic Leaded Chip Carriers..................................................PLCC + Pitch P + Lead Span L1 X Lead Span L2 Nominal X Height - Pin Qty Plastic Leaded Chip Carrier Sockets Square.......................PLCCS + Pitch P + Lead Span L1 X Lead Span L2 Nominal X Height - Pin Qty Quad Flat Packages..................................................................QFP + Pitch P + Lead Span L1 X Lead Span L2 Nominal X Height - Pin Qty Ceramic Quad Flat Packages.................................................CQFP + Pitch P + Lead Span L1 X Lead Span L2 Nominal X Height - Pin Qty Quad Flat No-lead................................................................QFN + Pitch P + Body Width X Body Length X Height - Pin Qty + Thermal Pad Pull-back Quad Flat No-lead..............................................PQFN + Pitch P + Body Width X Body Length X Height - Pin Qty + Thermal Pad Quad Leadless Ceramic Chip Carriers..........................................................LCC + Pitch P + Body Width X Body Length X Height - Pin Qty Quad Leadless Ceramic Chip Carriers (Pin 1 on Side)...............................LCCS + Pitch P + Body Width X Body Length X Height - Pin Qty Resistors, Chip...........................................................................................................................RESC + Body Length + Body Width X Height Resistors, Molded......................................................................................................................RESM + Body Length + Body Width X Height Resistors, MELF...........................................................................................................................RESMELF + Body Length + Body Diameter Resistors, Chip, Array, Concave............................................................RESCAV + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Resistors, Chip, Array, Convex, E-Version (Even Pin Size)...............RESCAXE + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Resistors, Chip, Array, Convex, S-Version (Side Pins Diff)................RESCAXS + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Resistors, Chip, Array, Flat.....................................................................RESCAF + Pitch P + Body Length X Body Width X Height - Pin Qty Small Outline Diodes, Flat Lead...................................................................................SODFL + Lead Span Nominal + Body Width X Height Small Outline IC, J-Leaded........................................................................................SOJ + Pitch P +Lead Span Nominal X Height - Pin Qty Small Outline Integrated Circuit, (50 mil Pitch SOIC)......................................................SOIC127P +Lead Span Nominal X Height - Pin Qty Small Outline Packages............................................................................................SOP + Pitch P +Lead Span Nominal X Height - Pin Qty Small Outline No-lead...........................................................SON + Pitch P + Body Width X Body Length X Height - Pin Qty + Thermal Pad Pull-back Small Outline No-lead.........................................PSON + Pitch P + Body Width X Body Length X Height - Pin Qty + Thermal Pad Small Outline Transistors, Flat Lead....................................................................SOTFL + Pitch P + Lead Span Nominal X Height - Pin Qty SOD (Example: SOD3717X135 = JEDEC SOD123)........................................................SOD + Lead Span Nominal + Body Width X Height SOT89 (JEDEC Standard Package).......................................................................................................................................................SOT89 SOT143 & SOT343 (JEDEC Standard Package)..............................................................................................................SOT143 & SOT343 SOT143 & SOT343 Reverse (JEDEC Standard Package)...........................................................................................SOT143R & SOT343R SOT23 & SOT223 Packages (Example: SOT230P700X180-4)...............................SOT + Pitch P + Lead Span Nominal X Height - Pin Qty TO (Generic DPAK - Example: TO228P970X238-3).................................................................TO + Pitch P + Lead Span X Height - Pin QtyI P C-7351B L a n d P a t t e r n N a m i n g C o n v e n t i o n N o t e s•All dimensions are in Metric Units•All Lead Span and Height numbers go two places past the decimal point and “include” trailing Zeros•All Lead Span and Body Sizes go two place before the decimal point and “remove” leading Zeros•All Chip Component Body Sizes are one place to each side of the decimal point•Pitch Values are two places to the right & left of decimal point with no leading Zeros but include trailing zeros N a m i n g C o n v e n t i o n S p e c i a l C h a r a c t e r U s e f o r L a n d P a t t e r n sThe _ (underscore) is the separator between pin Qty in Hidden & Deleted pin componentsThe – (dash) is used to separate the pin qty.The X (capital letter X) is used instead of the word “by” to separate two numbers such as height X width like “Quad Packages”.P C B L i b r a r i e s S u f f i x N a m i n g C o n v e n t i o n f o r L a n d P a t t e r n sCommon SMT Land Pattern to Describe Environment Use (This is the last character in every name)Note: This excludes the BGA component family as they only come in the Nominal Environment Condition •M.................Most Material Condition (Level A)•N..................Nominal Material Condition (Level B)•L.................Least Material Condition (Level C)Alternate Components that do not follow the JEDEC, EIA or IEC Standard•A..................Alternate Component (used primarily for SOP & QFP when Component Tolerance or Height is different) •B..................Second Alternate ComponentReverse Pin Order•-20RN..........20 pin part, Reverse Pin Order, Nominal EnvironmentHidden Pins•-20_24N......20 pin part in a 24 pin package. The pins are numbered 1 – 24 the hidden pins are skipped. The schematic symbol displays up to 24 pins.Deleted Pins•-24_20N......20 pin part in a 24 pin package. The pins are numbered 1 – 20. The schematic symbol displays 20 pins. JEDEC and EIA Standard parts that have several alternate packages•AA, AB, AC.JEDEC or EIA Component IdentifierGENERAL SUFFIXES_HS.........................HS = Land Pattern with Heat Sink attachment requiring additional holes or padsExample: TO254P1055X160_HS-6N_BEC......................BEC = Base, Emitter and Collector (Pin assignments used for three pin Transistors)Example: SOT95P280X160_BEC-3N_SGD......................SGD = Source, Gate and Drain (Pin assignments used for three pin Transistors)Example: SOT95P280X160_SGD-3N_213........................213 = Alternate pin assignments used for three pin TransistorsExample: SOT95P280X160_213-3NP C B L i b r a r i e s N a m i n g C o n v e n t i o n f o r N o n-S t a n d a r d S M T L a n d P a t t e r n s Surface Mount Land PatternsComponent, Category Land Pattern Name Amplifiers....................................................................................................................................................AMP_ Mfr.’s Part Number Batteries......................................................................................................................................................BAT_ Mfr.’s Part Number Capacitors, Variable..................................................................................................................................CAPV_Mfr.’s Part Number Capacitors, Chip, Array, Concave (Pins on 2 or 4 sides)..............................................................CAPCAV_Mfr Series No. - Pin Qty Capacitors, Chip, Array, Flat (Pins on 2 sides)..............................................................................CAPCAF_Mfr Series No. - Pin Qty Capacitors, Miscellaneous............................................................................................................................CAP_Mfr.’s Part Number Crystals......................................................................................................................................................XTAL_Mfr.’s Part Number Diodes, Miscellaneous...................................................................................................................................DIO_Mfr.’s Part Number Diodes, Bridge Rectifiers............................................................................................................................DIOB_Mfr.’s Part Number Ferrite Beads..................................................................................................................................................FB_Mfr.’s Part Number Fiducials......................................................................................................................................FID + Pad Size X Solder Mask Size Filters..............................................................................................................................................................FIL_Mfr.’s Part Number Fuses..........................................................................................................................................................FUSE_Mfr.’s Part Number Fuse, Resettable.....................................................................................................................................FUSER_Mfr.’s Part Number Inductors, Miscellaneous...............................................................................................................................IND_Mfr.’s Part Number Inductors, Chip, Array, Concave (Pins on 2 or 4 sides)..................................................................INDCAV_Mfr Series No. - Pin Qty Inductors, Chip, Array, Flat (Pins on 2 sides).................................................................................INDCAF_Mfr Series No. - Pin Qty Keypad.................................................................................................................................................KEYPAD_Mfr.’s Part Number LEDS............................................................................................................................................................LED_Mfr.’s Part Number LEDS, Chip...................................................................................................................................................LED_Mfr.’s Part Number Liquid Crystal Display...................................................................................................................................LCD_Mfr.’s Part Number Microphones..................................................................................................................................................MIC_Mfr.’s Part Number Opto Isolators............................................................................................................................................OPTO_Mfr.’s Part Number Oscillators......................................................................................................................................OSC_Mfr.’s Part Number - Pin Qty Quad Flat Packages w/Bumper Corners, Pin 1 Side.............BQFP + Pitch P + Lead Span L1 X Lead Span L2 Nominal X Height - Pin Qty Quad Flat Packages w/Bumper Corners, 1 Center..............BQFPC + Pitch P + Lead Span L1 X Lead Span L2 Nominal X Height - Pin Qty Resistors, Chip, Array, Concave (Pins on 2 or 4 sides).................................................................RESCAV_Mfr Series No. - Pin Qty Resistors, Chip, Array, Convex Type E (Pins on 2 sides)...........................................................RESCAXE_Mfr Series No. - Pin Qty Resistors, Chip, Array, Convex Type S (Pins on 2 sides)...........................................................RESCAXS_Mfr Series No. - Pin Qty Resistors, Chip, Array, Flat (Pins on 2 sides)................................................................................RESCAF_Mfr Series No. - Pin Qty Relays.....................................................................................................................................................RELAY_Mfr.’s Part Number Speakers....................................................................................................................................................SPKR_Mfr’s Part Number Switches........................................................................................................................................................SW_Mfr.’s Part Number Test Points, Round......................TP + Pad Size (1 place left of decimal and 2 places right of decimal, Example TP100 = 1.00mm) Test Points, Square...............................................................TPS + Pad Size (1 place left of decimal and 2 places right of decimal) Test Points, Rectangle....................................TP + Pad Length X Pad Width (1 place left of decimal and 2 places right of decimal) Thermistors.............................................................................................................................................THERM_Mfr.’s Part Number Transceivers.............................................................................................................................................XCVR_ Mfr.’s Part Number Transducers (IRDA’s)................................................................................................................................XDCR_Mfr.’s Part Number Transient Voltage S_Mfr.’s Part Number Transient Voltage Suppressors, SP_Mfr.’s Part Number Transistor Outlines, Custom....................................................................................................................TRANS_Mfr.’s Part Number Transformers.............................................................................................................................................XFMR_Mfr.’s Part Number Trimmers & Potentiometers........................................................................................................................TRIM_Mfr.’s Part Number Tuners.....................................................................................................................................................TUNER_Mfr.’s Part Number Varistors.......................................................................................................................................................VAR_Mfr.’s Part Number Voltage Controlled Oscillators.....................................................................................................................VCO_Mfr.’s Part Number Voltage Regulators, Custom......................................................................................................................VREG_Mfr.’s Part NumberI P C-7251N a m i n g C o n v e n t i o n f o r T h r o u g h-H o l e L a n d P a t t e r n sThe land pattern naming convention uses component dimensions to derive the land pattern name.The first 3 – 6 characters in the land pattern name describe the component family.The first number in the land pattern name refers to the Lead Spacing or hole to hole location to insert the component lead.All numbers that follow the Lead Spacing are component dimensions.These characters are used as component body identifiers that precede the value and this is the priority order of the component body identifiers –P = Pitch for components with more than two leadsW = Maximum Lead Width (or Component Lead Diameter)L = Body Length for horizontal mountingD = Body Diameter for round component bodyT = Body Thickness for rectangular component bodyH = Height for vertically mounted componentsQ = Pin Quantity for components with more than two leadsR = Number of Rows for connectorsA, B & C = the fabrication complexity level as defined in the IPC-2221 and IPC-2222Notes:All component body values are in millimeters and go two places to the right of the decimal point and no leading zeros.All Complexity Levels used in the examples are “B”.Component, Category Land Pattern Name Capacitors, Non Polarized Axial Diameter Horizontal Mounting.........CAPAD + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: CAPAD800W52L600D150BCapacitors, Non Polarized Axial Diameter; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Capacitors, Non Polarized Axial Rectangular.........CAPAR + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + T Body thickness + H Body Height Example: CAPAR800W52L600T50H70BCapacitors, Non Polarized Axial; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Thickness 0.50; Body Height 0.70Capacitors, Non Polarized Axial Diameter Vertical Mounting .........CAPADV + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: CAPADV300W52L600D150BCapacitors, Non Polarized Axial; Lead Spacing 3.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50mmCapacitors, Non Polarized Axial Rect. Vert. Mtg.CAPARV + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + T Body Thickness + H Body Height Example: CAPARV300W52L600T50H70BCapacitors, Non Polarized Axial Rect. Vertical; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Thickness 0.50; Body Height 0.70 Capacitors, Non Polarized Radial Diameter.......................................CAPRD + Lead Spacing + W Lead Width + D Body Diameter + H Body Height Example: CAPRD200W52D300H550BCapacitors, Non Polarized Radial Diameter; lead spacing 2.00; lead width 0.52; Body Diameter 3.00; Height 5.50Capacitors, Non Polarized Radial Rectangular.......CAPRR + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + T Body thickness + H Body Height Example: CAPRR200W52L50T70H550BCapacitors, Non Polarized Radial Rectangular; lead spacing 2.00; lead width 0.52; Body Length 0.50; Body thickness 0.70; Height 5.50 Capacitors, Non Polarized Radial Disk Button........CAPRB + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + T Body thickness + H Body Height Example: CAPRB200W52L50T70H550BCapacitors, Non Polarized Radial Rectangular; lead spacing 2.00; lead width 0.52; Body Length 0.50; Body thickness 0.70; Height 5.50 Capacitors, Polarized Axial Diameter Horizontal Mounting................CAPPA + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: CAPPAD800W52L600D150BCapacitors, Polarized Axial Diameter; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Capacitor, Polarized Radial Diameter.................................................CAPPR + Lead Spacing + W Lead Width + D Body Diameter + H Body Height Example: CAPPRD200W52D300H550BCapacitors, Polarized Radial Diameter; lead spacing 2.00; lead width 0.52; Body Diameter 3.00; Height 5.50Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting.......................................DIOAD + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: DIOAD800W52L600D150BCapacitors, Non Polarized Axial Diameter; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Diodes, Axial Diameter Vertical Mounting .........................................DIOADV + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: DIOADV300W52L600D150BCapacitors, Non Polarized Axial; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Dual-In-Line Packages...................................DIP + Lead Span + W Lead Width + P Pin Pitch + L Body Length + H Component Height + Q Pin Qty Example: DIP762W52P254L1905H508Q14BDual-In-Line Package: Lead Span 7.62; Lead Width 0.52; Pin Pitch 2.54; Body Length 19.05; Body Height 5.08; Pin Qty 14Component, Category Land Pattern Name Dual-In-Line Sockets....................................DIPS + Lead Span + W Lead Width + P Pin Pitch + L Body Length + H Component Height + Q Pin Qty Example: DIPS762W52P254L1905H508Q14BDual-In-Line Package Socket: Lead Span 7.62; Lead Width 0.52; Pin Pitch 2.54; Body Length 19.05; Body Height 5.08; Pin Qty 14Headers, Vertical....... HDRV + Lead Span + W Lead Width + P Pin Pitch + R Pins per Row + L Body Length + T Body Thickness + H Component HeightExample: HDRV200W52P200R2L4400T400H900BHeader, Vertical: Lead Span 2.00; Lead Width 0.52; Pin Pitch 2.00; 2 Rows; Body Length 44.00; Body Thickness 4.00; Body Height 9.00 Headers, Right Angle...............HDRRA + Lead Span + W Lead Width + P Pin Pitch + R Pins per Row + L Body Length + T Body Thickness + H Component HeightExample: HDRRA200W52P200R2L4400T400H900BHeader, Vertical: Lead Span 2.00; Lead Width 0.52; Pin Pitch 2.00; 2 Rows; Body Length 44.00; Body Thickness 4.00; Body Height 9.00 Inductors, Axial Diameter Horizontal Mounting....................................INDAD + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: INDAD800W52L600D150BInductors, Axial Diameter; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Inductors, Axial Diameter Vertical Mounting .....................................INDADV + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: INDADV300W52L600D150BInductors, Axial Diameter Vertical Mounting; Lead Spacing 3.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Jumpers, Wire...................................................................................................................................................JUMP + Lead Spacing + W Lead Width Example: JUMP500W52BJumper; Lead Spacing 5.00; Lead Width 0.52Mounting Holes Plated With Support Pad..........................................................................MTGP + Pad Size + H Hole Size + Z Inner Layer Pad Size Example: MTGP700H400Z520This is a Mounting hole for a #6-32 screw using a circular 7.00 land on the primary and secondary side of the board, a 4.00 diameter hole with the internal lands are smaller that the external and are also circular 5.20 in diameter.Mounting Holes Non-Plated With Support Pad................................................................MTGNP + Pad Size + H Hole Size + Z Inner Layer Pad Size Example: MTGNP700H400Z520This is a Mounting hole for a #6-32 screw using a circular 7.00 land on the primary and secondary side of the board, a 4.00 diameter hole with the internal lands are smaller that the external and are also circular 5.20 in diameter.Mounting Holes Non-Plated Without Support Pad.....................MTGNP + Pad Size + H Hole Size + Z Inner Layer Pad Size + K Keep-out Diameter Example: MTGNP100H400Z520K700This is a Mounting hole for a #6-32 screw using a circular 1mm land on the primary and secondary side of the board, a 4.00 diameter hole with the internal lands are smaller that the external and are also circular 5.20 in diameter and a 7.00 diameter keep-out.Mounting Holes Plated with 8 Vias .....................................................................MTGP + Pad Size + H Hole Size + Z Inner Layer Pad Size + 8 Vias Example: MTGP700H400Z520V8This is a Mounting hole for a #6-32 screw using a circular 7mm land on the primary and secondary side of the board, a 4mm diameter hole with the internal lands are smaller that the external and are also circular 5.2mm in diameter, with 8 vias.Pin Grid Array’s.............................PGA + Pin Qty + P Pitch + C Pin Columns + R Pin Rows + L Body Length X Body Width + H Component Height Example: PGA84P254C10R10L2500X2500H300BPin Grid Array: Pin Qty 84; Pin Pitch 2.54; Columns 10; Rows 10; Body Length 25.00 X 25.00; Component Height 3.00Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting...................................RESAD + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: RESAD800W52L600D150BResistors, Axial Diameter; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Resistors, Axial Diameter Vertical Mounting ....................................RESADV + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + D Body Diameter Example: RESADV300W52L600D150BResistors, Axial Diameter Vertical Mounting; Lead Spacing 3.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Diameter 1.50Resistors, Axial Rectangular Horizontal Mounting...RESAR + Lead Spacing + W Lead Width + L Body Length + T Body thickness + H Body Height Example: RESAR800W52L600T50H70BResistors, Axial Rectangular; Lead Spacing 8.00; Lead Width 0.52; Body Length 6.00; Body Thickness 0.50; Body Height 0.70Test Points, Round Land......................................................................................................................................................................TP + Lead Width Example: TP52Test Points, Square Land..................................................................................................................................................................TPS + Lead Width Example: TPS52Test Points, Top Land Round & Bottom Land Square.....................................................................................................................TPRS + Lead Width Example: TPRS52 Wire....................................................................................................................................................................................................PAD + Wire Width Example: PAD52。
能存储并处理数据的蜂蜜忆阻器问世
能存储并处理数据的蜂蜜忆阻器问世作者：来源：《共产党员·上半月》2022年第06期美国华盛顿州立大学工程师在《物理学杂志D》上发表论文称，他们利用蜂蜜研制出了一款忆阻器。
这是一种类似于晶体管的组件，不仅可处理数据，还可存储数据。
未来，他们或许能将数以百万计或数十亿计的蜂蜜忆阻器整合在一起，创建出一款功能与人脑非常相似的神经形态计算机系统。
传统计算机系统基于冯·诺依曼体系结构，包括输入输出设备、中央处理器以及存储器等，所有信息的输入输出和处理过程需要消耗大量能量，如日本“富岳”超级计算机的运行功率超过28兆瓦，而大脑的运行功率仅为10—20瓦。
此外，人脑拥有1000多亿个神经元，还有1000万亿个连接这些神经元的突触，每个神经元都可以处理和存储数据，这使人脑比传统计算机效率更高，神經形态计算机旨在模拟人脑，其比传统计算机运行速度更快、功耗更低，因此被誉为计算的未来。
包括英特尔和IBM在内的几家公司已经发布了神经形态芯片，尽管每款芯片拥有超过1亿个“神经元”，但与人脑中神经元的数量相比相形见绌。
此外，许多开发者仍在使用一些不可再生的有毒材料开发这样的设备。
鉴于此，本研究通讯作者、工程与计算机科学学院副教授赵峰（音译）等人一直在为这种新型计算机寻找可生物降解和可再生的解决方案，最终发现了蜂蜜的潜力。
在最新研究中，赵峰团队将蜂蜜加工成固体并夹在两个金属电极之间，制造出这款微米尺度的蜂蜜忆阻器，他们计划进一步缩小尺寸到纳米尺度，并将数百万甚至数十亿蜂蜜忆阻器整合在一起，形成一个完整的神经形态计算系统。
赵峰说：“蜂蜜不易变质，水分浓度非常低，因此细菌无法在其中生存，这意味着这些计算机芯片将在很长一段时间内保持稳定。
而且，新开发出的蜂蜜忆阻器芯片应该能耐受神经形态系统产生的较低热量。
此外，它还将减少电子垃圾——要处理用蜂蜜制成的电脑芯片设备时，将它们溶解在水中就行。
”（来源：《科技日报》）。
3D闪存将优先于RRAM技术进入市场
3D闪存将优先于RRAM技术进入市场基于金属氧化物的非挥发性存储器──电阻式RAM(RRAM)，在11nm 节点前不可能进入市场;在此之前，堆叠式浮闸NAND 闪存相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit 的独立型整合芯片发展，IMEC 研究所存储器研究专案总监Laith Altimime 说。
Altimime 揭示了闪存发展蓝图，并展示在17nm 节点采用垂直8 层堆叠，从传统浮闸闪存转换到所谓的SONOS 闪存。
他声称在14nm~11nm 节点堆叠数量还可增加到16 层。
而RRAM 要进入实际应用，也必须拥有类似的堆叠架构才能在市场上竞争。
SONOS 全名为Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon(硅-氧- 氮化硅-氧-硅)。
IMEC 已经和主要的存储器制造商，包括尔必达(Elpida)、海力士(Hynix)、美光科技(Micro)和三星(Samsung)等，就闪存和后续的存储器技术展开合作。
但这份名单中显然缺少了东芝(Toshiba)。
目前所提出的存储器晶体管堆叠均为独立芯片(monolithic)，但未来除了芯片堆叠外，也可能会在封装阶段进行。
IMEC 表示，RRAM 必须注意11nm 节点后与闪存发展蓝图的交会点针对RRAM，IMEC 主要瞄准基于铪/氧化铪的材料。
Altimime 表示，他们之前研究过这些材料，目前这些材料展现出非常精确的层状架构设计，最佳化了DC/AC 电气性能，并具备良好的R-off 到R-on 比。
IMEC 也认为它具有良好的开关机制，这与晶格中的氧空穴(oxygen vacancies)运动有关。
在今年六月的VLSI 技术研讨会中，来自IMEC 的研究团队就SiO2/HfSiO/NiSi 材料分析了RRAM 的热丝性能(filament properties)，展示如何依照可藉由量子力学传导模型而量化的热丝性质在高电阻状态实现最小电流。
惠普研发具存储和运算功能记忆电阻芯片
惠普研发具存储和运算功能记忆电阻芯片
惠普研发具存储和运算功能记忆电阻芯片
惠普今天披露了“记忆电阻”研究项目的信息。
业内分析师认为，这一技术将对计算机和个人设备产生极大影响。
尽管记忆电阻的初衷是扩大设备的存储容量，但惠普的研究人员发现，这一技术也可以用于逻辑运算。
这意味着，未来6至8年内记忆电阻器芯片可以同时处理存储和逻辑运算任务。
分析师称，这将给计算机产业带来重大变化。
加百利咨询集团分析师丹·奥兹(Dan Olds)表示，记忆电阻器可能会“颠覆”计算世界，因为采用这一技术的芯片可以同时充当存储装置和处理器，与大脑的神经节相似。
与传统计算机相比，新型计算机在执行模式识别等任务时的速度要快得多。
由于具有存储能力，新型计算机的“学习”能力要高于当前的系统。
惠普高级研究人员斯坦·威廉斯(Stan Williams)表示，记忆电阻器技术尚处于研究阶段，将被添加到芯片中。
他指出，尽管今天有媒体称记忆电阻器能够取代晶体管，但实际情况并非如此。
记忆电阻器与晶体管相辅相成。
威廉斯在接受采访时说，“记忆电阻器是晶体管电路的增压器，我们目前开发的电路混合使用了记忆电阻器和晶体管。
”。
HP创造出第四种电路元件 PC启动毋须加载.
HP创造出第四种电路元件 PC启动毋须加载5月2日消息，HP Labs（惠普实验室）的研究者制造了一种重要的新电子组件概念的第一个可工作的原形，这种电子组件可能使即开型PC （instant-on PCs）成为可能，即PC开机时不再需要“系统加载”的等待过程。
据国外媒体报道，HP Labs的研究者已经制造了一种重要的新电子组件的第一个可以工作的原形，这种新组件被叫做“忆阻器”，或记忆电阻器（memory resistor）。
在此之前，这种电路元件还只是被加州大学伯克莱分校的Leon Chua在1970年代写的一组数学方程式所描述理论原型，Leon Chua当时是一个研究非线性电路的工程学生。
Chua知道这种电路元件应该存在——他甚至精确地描述了它的特性和它如何工作。
不幸的是，他以及其他的工程团体都未能搞出符合他的数学表达的物理实现。
37年后，HP Labs的一组科学家最终造出了真正的可以工作的忆阻器，因此把第四种基本电路元件加入了电子电路理论，另外三个广为所知的是：电容器，电阻器和电感器。
在斯丹利·威廉姆斯领导下，HP Labs信息与量子系统实验室搞出了这一概念的实现模式，根据他们的描述，忆阻器器件的最有趣特征是它可以记忆流经它的电荷数量。
研究者相信这个发现将为即开型PC、更高能效的计算机和以人类大脑类似方式处理和联系信息的模拟式计算机铺平道路。
相较于过去，威廉姆斯说科学家现在可以考虑构造新型的非易失性随机存取存储器（RAM）——或当计算机关闭后不会忘记它们曾经所处的能量状态的存储芯片。
那是今天的DRAM所面临的大问题，他说。
“当你关闭你的PC电源，DRAM 就忘记了那里曾有过什么。
所以下次打开计算机电源你就必须坐在那儿等到所有需要运行计算机的东西都从硬盘装入到DRAM。
”有了非易失性RAM，那个过程将是瞬间的并且你的PC会回到你关闭时的相同状态。
HP Labs团队发现的结果将被公布在知名的《自然》杂志中。
惠普新内存技术或将取代闪存和DRAM
惠普新内存技术或将取代闪存和DRAM
佚名
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2011(000)006
【摘要】据国外媒体报道，惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破，一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。
【总页数】1页(P10-10)
【正文语种】中文
【中图分类】TP333
【相关文献】
1.新CPU、新内存，惠普新款家用台式机 [J],
2.晶圆厂陆续上线2008年闪存产能将超DRAM内存 [J],
3.奇梦达公布DRAM内存技术发展路线图 [J],
4.飞索面向检索服务器开发出可取代DRAM的闪存“EcoRAM” [J],
5.IBM、Infineon推新内存可望取代当前手机闪存 [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
个忆阻器并不像其理论般涉及磁通量 ， 或如 电容器般储
存 电荷 ， 而是以化学技术来达至电阻随电流历史改变的
性质。
三星集团却有一项正 申请专利的忆阻器， 采用了类 似 惠普公 司的技 术。故此谁是忆阻器的创始人则有待
澄清。
ｉｈ ｎ Ｓ元件成本 不到售价 Ｐ ｏｅ４
３ ％ Ｏ
科技信息
惠普将联合 Ｈ ｎ 在 ２ １ ｙｉ ｘ ０ ３年 制造忆 阻器产 品
惠普今 天宣布将在 ２ １ 年左右联合 Ｈ ｎ 共同生 ０３ ｙｉ ｘ
产 以 忆 阻器技 术为基 础 的 非 易失性 内存 Ｒ Ｒ Ｍ 产 品 ， ｅＡ
Ｉｔ 发言人克劳丁 ・ ｎｌ ｅ 曼格 ．（ ａｄｎ ａｇｎ） ， ￣ Ｃ ｕ ｉ Ｍ ｎａｏ￣ ｌｌ ｅ ＇ 该公 司计划将相关资源调配给一个专注于平板 电脑芯 片的业务部 门，我们做 出了一个商业决策 ，将这些资 “
于预 期 。 （ 搜狐 Ｉ ） 文／ Ｔ
器 一 是 由 一 片 双 层 的 二 氧 化 钛 ｆｉ ｌ ｅ ｔａｉｍ 它 ｂ— ｅ ｌｉ ｎｕ ｖ ｔ
ｄ ｘ ｅ薄膜所形成 ， ｉｉ ） ｏｄ 当电流通过 时 ， 电阻值就会 改 其
变。固 态的忆 阻器的制 造 需要 涉及 物料 的纳 米技 术。这
源 用 于公 司优 先 发展 的 项 目”该 公 司 决定 ， 字 家庭 ， 数 集 团的 工程 师应 当更 多地 专 注 于智 能手机 、 平板 电脑 ， 以及超 极本（ｌａｏｋ）Ｉｔ 将 继 续向机顶 盒厂 商供应 Ｕｔ ｂｏｓ。ｎｅ ｒ ｌ
芯片 。
它带来了比闪存更为低功耗 以及更 高的性能。高级研
的 Ａｏ ｔ ｍ芯片并未在非计算市场上获得重大成功。威廉
斯金 融集 团分析师科迪 ・ 阿克￣（ｏｙＡ ｒ ） ，Ａｏ Ｃ ｄ ｃ ｅ￣ “ ｔ ｅ＇ ｍ 业务规模过小， ｔ 甚至在财报 中都不提 它。” Ｉｅ ｎｌ 阿克利表示 ， ｔ 没有能提供 不 同于对手的 电视 Ｉｅ ｎｌ 芯片， 没有能说服三星、 索尼等公 司其芯片。 配置 Ｉｔ 芯片的 Ｇ ｏｌ Ｔ ｎｌ ｅ ｏｇ ｖ设备在 美国的销 售低 ｅ
究 员 Ｒ ｔｎｅ ｌａ ｓ 露 了这 一 消息 ， ．ＳａｌｙＷｉｉｍ 披 ｌ 并称 “ 以 数
百计的晶圆” 已经诞生 ， 最初版本将 带来较慢的速度级
Ｉｔｌ ｎｅ 当初 开发 电视 芯 片 的 目的是 降低 对 Ｐ Ｃ的依
别， 可以取代手机上的闪存产品 ， 之后还有更快的东西
出现 。
没有能在 电视 芯片市场上获得立足之地 ， ｔ 放 弃 了 Ｉｅ ｎｌ
将 其芯 片打进 电视 市场 的努 力。
万方数据
惠普将联合Hynix在2013年制造忆阻器产品
刊名： 英文刊名： 年，卷(期)： 黑龙江科技信息 Heilongjiang Science and Technology Information 2011(32)
德 意 志 银 行 分 析 师 克 里 斯 ・ 特 莫 （ｈｉ 惠 Ｃ ｒ ｓ
Ｉｔｌ 弃 电视芯片 市场 将 专注 ｎｅ 放
Ｗｈ ｍ ｒ 周一在一份研 究报告 中指 出， ｈｎ Ｓ的推 ｉ ｏｅ ｔ ） ｉ ｏｅ４ Ｐ
于手机平板
北京时间 １ ０月 １ ２日消息， 超过 ８％。但 Ｉｔ ０ ｎｌ ｅ
２０ ０７年 惠 普 公 司 资 讯 与 量 子 系 统 实 验 室
（ ｆ ｍ ｔ ｎ ａｄ Ｑ ａｔ ｙｔ ｓＬｂ的研 究人员， Ｉ ｏ ａｏ ｎ ｕｎ ｍ Ｓｓ ｍ ａ） ｎｒ ｉ ｕ ｅ 在
Ｒ ｔｎｅ ｌａ ｓ的领 导 下 ， 功研 制 了固态 的忆 阻 ．Ｓａ ｌ Ｗｉｉｍ ｙ ｌ 成
出 将有助于苹果提升毛利率，这一新款手机 的元件成
本不到手机价格的 ３％。 ０
惠特莫估计 ，６ Ｂ和 ３Ｇ １Ｇ ２ Ｂ版 ｉｈｎ Ｓ的元件 Ｐ ｏｅ４ 成本分 别为 １０美元和 ２０美元。而苹 果新推 出的 ７ ２
８ Ｂ版 ｉｈｎ Ｇ Ｐ ｏｅ４元件成本约为 １０美元。惠特莫在报 ４
本文链接：/Periodical_hljkjxx201132001.aspx
赖程度 。Ｉ ｅ 的机顶盒芯片获得 了美国第一大有线电 ｎｌ ｔ
视 公 司 Ｃ ｍ ａｔ ｏ ｃｓ和数 家 欧洲 电视 服务 商 的合 同， 为 索 并 尼、 罗技 生产 的 Ｇ ｏｌ Ｔ ｏｇ Ｖ设 备供 应芯 片。 ｅ
不过惠普也指 出， 三星也有一个更强大的忆阻器设
计团队。 因此公 司的相 关业务 面 临挑 战 。