模拟电子技术2-4
模拟电子技术练习题(专升本)
《模拟电子技术》练习题一、填空题1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。
2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。
（a ）（b ）图1-13．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。
4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。
5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。
6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。
7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。
8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。
9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。
10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运I O放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。
11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。
图1-3二、单项选择题（每小题3分，共15分）1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。
A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通D ．D 1和D 2均截止2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。
2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。
5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。
6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。
10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
模拟电子技术第二章
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表 示，如图：
ui
Au
uo
放大电路放大的本质是能量的控制和转换。
放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下 放大才有意义。
2021/4/11
3
2.1.2.放大电路的性能指标
放大电路示意图
图2.1.2放大电路示意图
2021/4/11
4
一、放大倍数
表示放大器的放大能力
VCC
U BEQ Rb
(12 0.7 )mA 40 μA 280
做直流负载线，确定 Q 点
根据 UCEQ = VCC – ICQ Rc iC = 0，uCE = 12 V ； uCE = 0，iC = 4 mA .
2021/4/11
T
22
iC /mA
4 3 2 1 0
80 µA
60 µA
静态工作点 40 µA
U i →△uBE →△iB
→△iC（b△iB）
VBB
→△uCE（-△iC×Rc）
UI
→
•
Uo
+VCC （ +12V）
RC
IC +△IC
IB
B Rb 1
+△I B
3C ET2
U CE
U BE +△UBE
+△U CE
+
UO
-
电压放大倍数：
•
•
Au
Uo
•
Ui
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13
+VCC （+12V）
iC / mA
4
交流负载线 80
60
IC
Q
iC 2
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。
A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。
GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。
A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。
A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。
A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
模拟电子技术基础(学习指导及习题详解
0.5kΩ
+ + UO -
0.5kΩ
（a）例 1-6 电路
（b）稳压管模型
（c）等效电路
（d）戴维南等效后电路
图 1-6 例 1-6 图 解： （1）由以知条件可知，稳压管考虑动态电阻 rZ 且反向击穿时的模型可用如图 1-6（b）所示 电路等效。因为
外电路用戴维南定理等效为图 1-6（d）所示，可得其输出电压
UO U Z 0
8 UZ 0 8 6.7 rZ 6.7 0.02 6.76V 0.4 rZ 0.4 0.02
0.5 5V 6.7V 0.5 0.5 ，稳压管截止，输出电压 0.5 5V 0.5 0.5
管截止，输出电压 uo1=ui。传输特性如图 1-3（a）所示，输出电压波形如图 1-3（b）所示。
图 1-3 （2）在图 1-2（b）所示电路中，当二极管断开时，二极管两端电压 uD=ui-U2=ui+5V。当
u 5V 时，二极管截止， uD>0，即 ui>5V 时，二极管导通，输出电压 uo2=ui； 当 u D 0 ，即 i
U Z U Z 0 I Z rZ ，所以 U Z 0 U Z I Z rZ 6.8 0.005 20 6.7V
将图 1-6（a）中的稳压管用其模型代替，得等效电路如图 1-6（c）所示。 当负载开路时，在标称电压+10V 条件下的输出电压
UO U Z 0
VCC U Z 0 10 6.7 rZ 6.7 0.02 6.83V R rZ 0.5 0.02
东师《模拟电子技术》20春在线作业2答案4
(单选题)1: 射随器适合做多级放大电路的中间隔离级，是因为射随器的（）
A: 输入电阻高
B: 输出电阻低
C: 输入电阻高，输出电阻低
正确答案: C
(单选题)2: 放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）
A: 强
B: 弱
C: 一般
正确答案: A
(单选题)3: 用一只稳压二极管和一只普通二极管串联，可得到的稳压值有（）
A: 两种
B: 三种
C: 四种
D: 五种
正确答案: A
(单选题)4: 在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）
A: 2U2
B: 3U2
C: 4U2
D: 5U2
正确答案: A
(单选题)5: 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大（）。
A: 交流功率
B: 直流功率
C: 平均功率
正确答案: A
(单选题)6: 差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。
A: 1
B: 2
C: 3
正确答案: C
(单选题)7: 通用型集成运放的输入级多采用()
A: 共基接法
B: 共集接法
C: 共射接法
D: 差分接法。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术习题2及答案
习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。
（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。
在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。
A ．1B ．10C ．1.414D ．0.707（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。
A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图2.1.5所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。
A ．R 1 B ．（1+β）R 1 C ．R 1/ 1+β D ．R 1/ β E ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A .差 B .和 C .平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）ACo s V2.2 将正确答案填入空内。
（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益A p 等于 。
模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案
习题2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？ 解：a 放大状态。
b 饱和状态。
c 截止状态。
d 放大状态。
2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ； （2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。
解：（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。
（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。
2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？（1）I C =15m A ，U CE =8V ； （2）I C =19mA ，U CE =3V ； （3）I C =30mA ，U CE =4V 。
解：（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常工作。
（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。
（3）U CE =4V ＜U （BR ）CEO ，但I C =30mA ＞I CM ，所以不能正常工作。
2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用，简单说明理由。
图2-51 习题2-1图abcd2V解：a 无放大作用。
电源极性与三极管不符。
b 无放大作用。
I B =0。
c 无放大作用。
交流通路输入短路。
d 无放大作用。
模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章 半导体器件习题答案(大题)
习题：一．填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。
3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二．选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子技术》试题（1卷）一、填空题（每空1分，共20分）1。
PN结中内电场阻止的扩散，推动的漂移运动.2. BJT工作在放大区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。
3。
射极输出器的输入信号从极间输入，而输出是从极间取出。
因此，射极输出器是一个共极放大器。
4。
甲类功放BJT的导通角为；乙类功放BJT的导通角为；甲乙类功放BJT的导通角为；5。
若两个输入信号电压的大小，极性，就称为差模输入信号.6。
为了稳定放大器的工作点，应引入负反馈；为了稳定放大器的性能，应引入负反馈。
7.自激振荡电路主要由和两部分组成,前者要求有足够的放大倍数，后者要求反馈信号与输入信号。
8.在电感反馈三点式振荡器中，BJT c-e极间的回路元件是；b-e极间的回路元件是；c—b极间的回路元件是 .二、判断题（每小题1分，共10分）1.P型半导体中的多数载流子是空穴,因此，P型半导体带正电。
（ )2.发射结处于反偏的BJT,它一定工作在截止区。
( ）3.BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使用.( ）4.BJT的输入电阻r be是对交流而言的一个动态电阻,在小信号情况下为常数。
5。
射极输出器的输入信号加在BJT的基极,输出取自发射极。
因此，输出电压的大小可用公式V E=V B—V BE进行计算。
（ )6。
乙类功放中的两个BJT交替工作,各导通半个周期。
( )7。
与接入反馈前相比较，接入负反馈后,净输入量增大了.( )8。
在运放电路中，闭环增益Àf是指广义的放大倍数.（）9。
凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。
（）10.由LC元件组成的并联谐振回路谐振时的阻抗呈纯电阻性，且为最小值.（ )三、选择题（每小题1分，共10分)1。
PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）.a。
不变 b.变宽 c.变窄2。
测得BJT各电极对地电压为：V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V，则该BJT工作在（ )状态。
模拟电子技术(西电第三版)第4章 差动放大电路与集成运算放大器
4
实图4.1 LM741的管脚排列及序号 (a) 外引脚排列顺序；(b) 符号
5
2. 负反馈的引入 由第3章可知，放大器引入负反馈后，可以改善很多性 能。集成运放若不接负反馈或接正反馈，只要有一定的输入 信号(即使是微小的输入信号)，输出端就会达到最大输出值 (即饱和值)，运放的这种工作状态称为非线性工作状态。非 线性工作状态常用在电压比较器和波形发生器等电路中，这 里暂不考虑。集成运放引入负反馈后，就可工作于线性状态。 线性状态时，输出电压Uo与输入电压Ui之间的运算关系仅取 决于外接反馈网络与输入端的外接阻抗，而与运算放大器本 身参数无关。这一点大家在实训中要充分体会。
6
3. 反相比例运算电路 依外接元件连接的不同，集成运放可以构成比例放大、 加减法、微分、积分等多种数学运算电路。本实训只进行其 中一种运算——反相比例运算的练习。 反相比例运算电路如实图4.2所示。输入信号Ui从反相 输入端输入，同相输入端经电阻接地。这个电路的输出与输 入之间有如下关系：
7
即输出电压与输入电压成比例，比例系数仅与外接电阻Rf、 R1有关，与运放本身的参数无关。同相端所接R2、R3称为平 衡电阻，其作用是避免由于电路的不平衡而产生误差。
43
图 4.1.9 加调零电位器的差动放大器 (a) 射极调零；(b) 集电极调零
44
例4.1.2 图4.1.10(a)为带恒流源及调零电位器的差动 放大器，二极管VD的作用是温度补偿，它使恒流源IC3基本 不受温度变化的影响。设UCC=UEE=12 V，Rc=100 kΩ， RP=200 Ω，R1=6.8 kΩ，R2=2.2 kΩ，R3=33 kΩ，Rb= 10 kΩ，UBE3=UVD=0.7 V，各管的β值均为72，求静态时的 UC1，差模电压放大倍数及输入、输出电阻。
模拟电子技术试卷
模拟电子技术试卷（第2套）一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？（1）希望提高从b1端看进去的输入电阻，接Rf从_______到________；（2）希望输出端接上负载RL后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf从_______到________；（用A～F的字符表示连接点）。
5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_ __________，______________和_______________。
6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，U BE=0.7V。
求（1）I CQ1=I CQ2=__________mA；（2分）（2）U CQ1=U CQ2=__________V（对地）；（2分）（3）Ro = __________KΩ。
（2分）二、OCL 电路如图3所示，已知Vcc=12V ，R L = 8Ω ，vi 为正弦电压。
（10分） 1．求在Vces = 0的情况下，电路的最大输出功率Pmax 、效率η和管耗P T 。
2．求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少？三、某放大电路的频率响应如图4所示。
（12分） 1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为Uom = 10V ，当输入信号)()10502sin(2)105.12sin(1.032V t t Ui ⨯⨯+⨯⨯=ππ时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。
模拟电子技术期末试卷答案
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。
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算法一：
I EQ
U SB U BE Rd RE (1 )
算法总结
算法二：I CQ I EQ 当
U B U BE U B RE RE
Rd RE ,即（1 ) RE Rd时 1
二者计算结果一致
+VCC
I CQ
RB1
I1
IB
RC
UB RE
Ii
Ib
Ic
I b
RL RC
Ii
U i RB rbe
Uo
Ui ri Ii RB // rbe
rbe
电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越 小，因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。
输出电阻的计算 对于负载而言，放大电路相当于信号源， 可以将它进行戴维南等效，戴维南等效电路的 内阻就是输出电阻。
代入参数，用相量形式表示为：
U be h11e I b h12eU ce
I c h21e I b h22eU ce
可得模型：
输入特 性 输出特 性
参数的物理意义：
h11e
uBE |U CE i B
电阻量纲：rbe
h12e
uBE |I B uCE
b c
结论：去掉CE后，放大倍数减小、输入电 阻增大、 输出电阻不变。
问题2：如果电路如下图所示，如何分析？
+EC
RB1
C1
RC
C2 T RL
ui
RB2 RE2
RE1
uo
CE
例2.4.1 四版P108
本节作业：
• 四版 2.4， 2.7，2.9，2.11 • 练习：自测题（四）
计算输出电阻的方法： (1) 所有电源置零，然后计算电阻（对有受控
源的电路不适用）。 (2) 所有独立电源置零，保留受控源，负载开
路，加压求流法。（注意：如有信号源内
阻，要保留）
用加压求流法求输出电阻：
Ii
RS
0
Ib
rbe
Ic
I b
0
Io Uo
RC
RB
Uo RC 所以： ro Io
分析法在使用中应注意的问题：
（1）模型中的参数都是针对变化量的，只能用作交流分析， 不能用作静态分析。 （2）H参数都是在静态工作点附近的微小变化范围内定义 的，与静态工作点有关。
（3）模型中的受控电流源代表三极管的电流控制作用，其 大小和方向从属于基极电流。
（4）H参数是根据变化量定义的，所以，NPN和PNP管具 有相同的H参数小信号模型。 （5）小信号模型分析法只有在交流小信号条件下，或三极 管工作在特性曲线的线性度较好的区域时，才能保证可以 使用这种方法。
I 2 I BQ
I1 I 2
IBQ
B
U BQ
T
RE
RB 2 VCC RB1 RB 2
RB2
I2
I CQ I EQ
U B U BE U B RE RE
直流通路
U CEQ VCC I CQ RC I EQ RE VCC I CQ ( RC RE )
ic
uce
根据晶体管特性：
ib
ube
uBE f ( iB , uCE )
iC f ( iB , uCE )
求全微分：
duBE
uBE uBE |UCE diB |I B duCE i B uCE
iC iC diC |UCE diB |I B duCE i B uCE
+EC RB1 C1 RL ui RB2
算法一的结果：
I BQ 0.0435mA I CQ I BQ 2.175mA U CEQ EC I CQ RC I EQ RE
5.43V
RC
C2
算法二的结果：
uo
RE
CE
RB 2 VB EC 3V RB1 RB 2 I EQ 2.3mA U CEQ 5.1V
结论：二种算法的结果近似相等，但算法二的计算 过程要简单得多。
2、动态分析
+EC RB1 RC C2
RB1 ui RB2
RL RC uo
C1
交流通路
Ii
Ib
R'B rbe
Ic
RL
ui
RB2
RE CE
uo
Ui
Ib
RL RC
Uo
微变等效电路
R' L Au rbe
Ri R'B || rbe rbe
输出电阻：用加压求流法求解。 Ii Ib Ic rbe
R'B RE
RC
Ib
rbe
Ic
I
Ui
Ib
RL
Uo
Ib
U
RC
RS
R'B
RE
(1 ) Ib
I b ( RS // RB1 // RB 2 rbe ) (1 ) I b RE 0 Ro RC I 0 I 0
例：分压式偏置电路 +VCC RB1 C1 RC C2
1、静态分析
+VCC RB1
I1 IB
RL
T uo RB2
ui
RB2
RE CE
CE 交流旁 路电容
I2
RE
直流通路
一. 求静态工作点 +VCC
+VCC RC
算法一：
方框中部分用戴 维南定理等效为：
Rd
RB1
I1
IBQ T RB2
RdI2
USB
rbe
Ic
I b
RL RC
Ui Ib rbe Uo I b R'L Uo
R'L Au R'L RC // RL rbe
负载电阻越小，放大倍数越小。
输入电阻的计算
对于为放大电路提供信号的信号源来说，放大电路是负 Ui 输入电阻的定义：ri 载，这个负载的大小可以用输入电阻来表示。 是动态电阻。
200Ω。
rbe的数量级从几百欧到几千欧。UT =26mV。
本节作业：
• 四版 P138 2.4
三、共射放大电路动态参数的分析
将交流通道中的三极管用微变等效电路代替: uo ui RB
RC
RL ii ib ic
ib
交流通路
RL uo
ui RB
rbe
RC
电压放大倍数的计算
Ii
Ui
RB
Ib
IB
UBE
直流通道
（2）根据直流通道估算IC 、 UCE
RB
RC
IC UCE
I C I B I CEO I B
U CE EC I C RC
直流通道
例：用估算法计算静态工作点。 已知：EC=12V，RC=4k，RB=300k， =37.5。
解：
EC 12 0.7 IB 0.037 mA 37 A RB 300
无量纲：受控电压源（很小）
h21e
iC |U CE i B
无量纲：受控电流源（β）
h22e
iC |I B uCE
电导量纲：1/rce（很小）
简化的h参数等效模型
rbe的近似表达式
对于小功率三极管：
rbb '
UT UT rbe rbb ' (1 ) rbb ' I EQ I CQ
IC I B 37.5 0.037 1.4 mA
UCE UCC IC RC 12 1.4 4 6.4 V
请注意电路中IB 和IC 的数量级。
二、晶体管共射h参数等效模型
虽然BJT是非线性器件，但是它在小范围内的 特性曲线却可以近似的看作直线。 当放大电路输入交流小信号时，我们可以把 BJT这个非线性元件线性化，用它的线性的交流小 信号来代替，这个模型也成为微变等效电路。 在交流小信号输入的前提下，BJT的线性化使 放大电路线性化。可以方便地利用电路理论来分析 电路的交流性能，这即是小信号模拟分析法的基本 思路。
可以认为与温度无关。 T 似乎 I2 越大于 IBQ 越好，但是RB1、RB2 太小，将增加损耗， 降低输入电阻。因此 一般阻值取几十k。
RB2
I2
RE
直流通路
例：已知：=50， EC=12V， RB1=7.5k， RB2=2.5k， RC=2k， RE=1k， 求该电路的静态工作点。
2.3.4 等效电路法（β已知）
★★★★★***
一、晶体管的直流模型及静态工作点的估算
直流模型：
iB
iC
IBQ
b
Uon
IBQ
c
Uon
uBE
uCE
e
估算法：
+EC （1）根据直流通道估算IB
RB RC
EC U BE IB RB
EC 0.7 EC RB RB
RB称为偏置电阻，IB称为偏 置电流。
的电流源。
uCE (2) 考虑 u 对 i 的影响，输出 CE C 端还要并联一个大电阻rce。 uCE rce的含义
uCE rce iC
微变等效电路
ib
ic
ib
c
ic ube rbe uce
ib
b
rce
uce
ube
e
ib
b
rbe
ib
c
rce很大， 一般忽略。
e
数 学 推 导