元器件命名规则
国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：
常用元器件的型号命名方法
一、常用元器件的型号命名方法1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定¸电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成:(1)第一部份用一字母表示产品的主称(2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料¸电容器的介质材料)(3)第三部份一般用数字表示分类¸个别类型用字母表示(4)第四部份用数字表示序号¸以区分外形尺寸和性能指针(5)举例R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4)注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号2.敏感电阻器型号命名方法根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定¸热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器¸这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。
产品型号由下列四部份组成:第一部份: 主称(用字母表示)第二部份: 类别(用字母表示)第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示)第四部份: 序号(用数字表示)第五部份：应用举例M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器1) 2) 3) 4) 区别代号注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号3.电感器型号命名方法这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法¸仅供参考●电感线圈的型号命名方法电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下:第一部份: 主称¸用字母表示(其中L表示线圈¸ZL表示高频或低频阻流圈)第二部份: 特征¸用字母表示(其中G表示高频)第三部份: 型式¸用字母表示(其中X表示小型)第四部份: 区别代号¸用字母表示●变压器型号的命名方法它由三部份组成:第一部份: 主称¸用字母表示第二部份: 功率¸用数字表示¸计量单位用VA或W标志¸但RB型变压器除外第三部份: 序号¸用数字表示例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器一、 固定电阻器、电容器的标志方法1. 直标法是指在阻容组件表面直接标出它的主要参数和技术性能的一种标志方法。
通用电子元器件命名规则
引脚（端子） 4：4 8：8 H：16
单独的
5.1.2 插件电阻
5.1.2.1 跨接线
Z
－
W6NL
－
标称值（Ω） 前两位:有效数字 第三位:有效数字 后零的个数. R表示小数点，有 R时，所有数字都 为有效数字
精度 J:±5% G:±2%
包装方式 Nil:标准散装,仅限 于S8V V:穿孔卡片 4mm X:穿孔卡片 2mm
Min. -0.27 -0.54 -1.13
—
Max. 0.39 0.78 1.63 2.28
85℃
温度系数ppm/℃
X7R(50VDC,25VDC,16VD:≤2.2uF) X5R(10VDC,6.3VDC,16VD:＞2.2uF) Y5V
容值变化
±15% ±15% +22,-82%
温度测量范围
-55 ~ 125 ℃ -55 ~ 85 ℃ -30 ~ 85 ℃
EXB 3
8
V
标称值（Ω） 前三位:有效数 字 第四位:有效数 字后零的个数. R表示小数点， 有R时，所有数 字都为有效数字
包装方式 V:编带. U:细纹纸编带.仅
限于14，12.. B:散装.3E,6E.
472
J
V
贴片排阻 尺寸 产品代码 1:0201×2
2:0402×2,0402×4 0402×8
3
通用元器件命名规则
上海忠成天野轻工有限公司
1.目的 为了使上海忠成天野轻工有限公司与深圳研发部产品所使用的元器件品番统一化和规范化，使员工对元器
件的品番进一步了解和掌握，从而方便设计、采购和生产，以及对今后推行ERP系统作好基础，提高工作效 率，特编制此规则。
(整理)常用电子元器件命名
常用电子元器件型号命名法一．电阻器1．电阻器型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。
四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。
例如，色环为棕绿橙金表示15⨯103＝15kΩ±5%的电阻器。
五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。
例如，色环为红紫绿黄棕表示275⨯104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。
较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。
有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
常见电子元器件命名规则
电子元器件命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围：C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插国外IC芯片命名规则（二）2010-10-9 7:46:00MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季 /振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块 200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线 V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ，U 50KΩ， T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。
元器件命名标注规则
使用有效数字位标注时要求如下：电阻≤1ohm 以小数表示，而不以毫欧表示0RXX,例如0R47 、0R033≤999ohm 整数表示为 XXR，例如100R、470R，包含小数表示为XRX，例如4R7、4R99、49R9≤999K 整数表示为 XXK，例如100K、470K，包含小数表示为XKX，例如4K7、4K99、49K9≤1M 整数表示为 XXM，例如1M、10M，包含小数表示为XMX，例如4M7、2M2电阻如只标数值，则代表其功率低于1/4W。
如果其功率大于1/4W，则需要标明实际功率。
为区别电阻各类可在其后标明：CF碳膜、MF金属膜、PF氧化膜、FS熔断、CE瓷壳。
电容≤1pF 以小数加p表示，例如0p47≤999pF 整数表示为XXp，例如100p、470p包含小数表示为XpX，例如4p7、6p8≤999nF 整数表示为XXn，例如100n、470n包含小数表示为XnX，例如4n7、6n8习惯上，接近1uF的电容应以0.XXu表示，例如0.1u、0.22u≥1uF 整数表示为XXu，例如100u、470u、1000u包含小数表示为XuX，例如4u7、6u8习惯上，大于1000uF的也可以用Xm表示，1m=1000u容值后标明耐压，以“/”与容值隔开。
电解电容必须标明耐压，其它介质电容，如不标明耐压，则缺省定义为“耐压16V”。
电感电感量标法同电容容量标法其它二、三极管、集成电路以及继电器等标实际型号即可，如“EP1C3T144C8”、“SN65LVDS31”等。
接插件标明孔(S)、针(P)、引脚数即可，如“DB25P”，“DB9S”等。
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！1.电阻器举例：RJ76表示精密金属膜电阻器R——电阻器（第一部分）J——金属膜（第二部分）7——精密（第三部分）6——序号（第四部分）2.电容器国外电容器命名规则不一，国外部分知名厂家命名规则如下：•(1)日本村田(muRata)•(2)日本TDK•(3)日本京瓷(Kyocera)•(4)日本罗姆(ROHM)•(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)(6)韩国三星(SAMSUNG)•(7)美国基美(KEMET)•(8)英国Syfer•(9)中国台湾国巨(YAGEO)•(10)中国台湾华新科技(WALSIN)3.电感器4.变压器5.二极管6.三极管7.发光二极管8.扬声器9.电声器件10晶闸管11.继电器国外：1.国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：•1)这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
•2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
•3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
•4)第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
•5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
•6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
元器件封装库命名规则
7） 继电器： RELAY
8） 开关： SWITCH
9） 电平转换： VTRAN
10） 电源管理： POWER
11） 电压转换芯片： LDO
7)三极管类
三极管器件命名格式如下：
TRAN/封装形式/长宽高/管脚定义
例如：TRAN/SM/1.5*1.7*0.75/CBE
8)时钟类
时钟器件命名格式如下：
XTAL/型号/封装形式/管脚数/长宽高
例如：
XTAL/26M/SM/4/5*3*1.5
9)键盘
键盘器件命名格式如下：
4)电感类
电感类器件命名格式如下：
元件分类/封装形式/封装类型/高
例如：
LCHIP/SM/0402/0.5
5)CONNECTOR类
连接器类器件命名格式如下：
CONN/类型/封装形式/管脚数/长宽高/孔定位孔数目/PTH
例如：
CONN/IOCON/SM/18PIN/4.4*7*1.3/N/N
2)电容类
电容类器件命名格式如下：
元件分类/封装形式/封装类型/高
例如：
CCHIP/SM/0805/1.3 陶瓷电容
CTANT/SM/1206/1.25 钽电容
3)电阻类
电阻类器件命名格式如下：
元件分类/封装形式/封装类型/高
例如：
RCHIP/SM/0402/0.3
功能类型定义如下：
1） 处理器： CPU
2） 内存 ： RAM/FLASH
3） 滤波器： FILTER
4） 放大器： AMPlIFIER
元器件命名规则
元器件命名规则
元器件命名规则通常包括以下几个方面：
1. 器件类型：例如，二极管、三极管、电容器等。
2. 材料：例如，硅、锗、氧化铝等。
3. 功能：例如，整流、放大、滤波等。
4. 极性：例如，正负极、源极、漏极等。
5. 封装形式：例如，贴片式、插针式、芯片式等。
6. 规格参数：例如，电压、电流、容量、频率等。
以二极管为例，其命名规则可表示为"D+材料+器件类型+极性+封装形式+规格参数"。
其中，D表示二极管。
例如，硅材料、整流功能、负极在左侧、贴片式、最高反向电压为50伏的二极管可命名为"D硅整流左负贴片50V"。
总之，元器件的命名规则需要全面考虑其各个方面的属性及功能特性，以确保命名的准确性和规范性。
常用电子元器件命名
常用电子元器件型号命名法一．电阻器1．电阻器型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。
四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。
例如，色环为棕绿橙金表示15⨯103＝15kΩ±5%的电阻器。
五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。
例如，色环为红紫绿黄棕表示275⨯104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。
较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。
有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。
电子元器件命名规则
G=10V
E=16V
H=20V
A=25V
F=35V
B=50V
I=63V
P=75V
D=100V
Q=160V
R=200V
L=250V
O=275V
S=315V
T=350V
Y=400V
X=450V
M=500V
Z=630V
C=1KV
Kபைடு நூலகம்2KV
U=3KV
W=6.3KV
⑧：表误差
C=±0.25PF
D=±0.5PF
L=DIP18
M=DIP20
N=DIP24
O=DIP28
P=DIP40
Q=DIP42
Y=SO-4
V=TO-220
W=TO-92
S=SSOP5-P
X=P-DSO-6
Z=SOT89
⑦：表型号
光电晶体类（受光管、投光管）
①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑾
①：表原材料类
②：表光电晶体类
③：表规格
D=投光管
T=受光电晶体
C=1KV
K=2KV
U=3KV
W=6.3KV
⑦：表误差
C=±0.25PF
D=±0.5PF
F=±1PF
J=±5%
K=±10%
M=±20%
Z=+80%，-20%
⑧：表包装
B=BULK散装（塑胶袋装）
C=BULKCASE盒装
E=塑胶带卷装7"
U=塑胶带卷装13"
T=纸带卷装7"
K=纸带卷装13"
⑨：表容量
如M05，M08，M12，M18，M30，M40，M50，M60，M70等
元器件封装命名规则ds
路漫漫其修远兮，吾将上下而求索- 百度文库111印制板设计元器件封装命名规则目次1 范围 (1)2 规范性引用文件 (1)3制订规则 (1)3.1以B开头的封装 (1)3.2以C开头的封装 (1)3.3以D开头的封装 (2)3.4以E开头的封装 (2)3.5以F开头的封装 (2)3.6以G开头的封装 (2)3.7以H开头的封装 (2)3.8以K开头的封装 (2)3.9以L开头的封装 (2)3.10以R开头的封装 (2)3.11以S开头的封装 (3)3.12以T开头的封装 (3)3.13以U开头的封装 (3)3.14以V开头的封装 (3)3.15以X开头的封装 (4)3.16以Z开头的封装 (4)III印制板设计元器件封装命名规则1 范围本部分适用于印刷电路板元器件封装的命名。
2 规范性引用文件3制订规则按照《项目代号》的分类方法，对标准封装库中贴片及插装元器件的命名做了以下规定。
3.1以B开头的封装3.1.1蜂鸣器3.1.1.1用Ba/b/c表示。
B: 蜂鸣器、驻极话筒；a：两脚间距（mm）；b：直径（mm）；c：管脚直径（mm）。
一些特殊的蜂鸣器、驻极话筒封装用B加型号表示，例如：OBO-27CO的封装用B27CO 表示。
3.1.2气敏传感器3.1.2.1用Ba表示。
B：气敏传感器。
a：元器件型号。
例如：TGS822、TGS813的封装用BTGS822和BTGS813表示。
3.2以C开头的封装3.2.1插装类电容器3.2.1.1铝电解电容器用CEa/b/c表示。
CE：铝电解电容器；a：两管脚间距（mm）；b：直径（mm）；c：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。
3.2.1.2钽电解电容器用CTa/b表示。
CT：钽电解电容器；a：两管脚间距（mm）；b：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。
3.2.1.3其它类的电容器用Ca/b/c或Ca/c表示。
C：电容器；a：两管脚间距（mm）；b：外型，长×宽（mm）；c：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。
电路图及PCB设计规范之元件命名原则
新产品开发时的电路原理图和PCB设计2.0原理图元器件编号规则2.1规则：关键字+ 3位数字2.2关键字命名规则：a固定电阻：R b排阻：RRc可变电阻：VR d电容、可变电容：Ce普通二极体：D f发光二极体：LEDg稳压二极体：DZ h三极体、MOS?: Qi光敏三极管：IR j电感、滤波器：Lk IC : U l压敏电阻：ZNRm插片:P n插线：Wo插座：CN主板为A, 小板为B o 例如：CN 101A 则小板对应为CN101Bp保险丝：FUSE q突波吸收器：DSAr蜂鸣器：BZ s振荡器：XTt变压器：T u按键：Kv跳线：J w继电器：RYx IPM模块：IPM y 桥式整流：BRz液晶显示器：LCD2.3 3位数字命名规则：A互感器模块：以0命名。
B 电源模块：以1 命名。
eg : D101, R101,C101;C传感器模块：以2命名。
eg：R201,C201;D遥控模块及通信：以3命名。
eg：Q301,R301,C301;E存储单元及主MCU莫块、测试模块：以4命名。
例如：C401（如：M38223）;F 继电器模块、PG电机及其反馈模块、过零检测、风机控制、溶液泵及其反馈模块:以5命名。
例如：RY501G IPM 模块及显示模块：以6命名。
eg：R601;H Modem 模块及PC机模块：以7命名。
I 预留：以8命名。
J 预留：以9命名。
2.4说明241 主板与小板之元件排序规则为：先主板，后小板依次排序。
242 接插件的命名在客户有要求时，以客户要求为准，反之，以命名规则为准。
3.1绘制原理图时，须采用原理图样板格式（具体格式见附页一）。
3.2连线均匀美观，元件排布均匀，接插件尽量靠外，并对齐。
3.3每一模块区分要清楚，强电与弱电要用虚线标记分开，强电部分“飞”线要标志清楚，包括颜色。
3.4电源以+5V +12V -5V、-30V、GND标记，符号为：+5V: 、GND电源地）: ;大地以EARTH标记，符号为：「；若原理图中有多个地及电源，则地以GND1 GND2 •…标记，电源以+5V1, +5V2••…标记，符号尽量保持不同，以便识别。
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PCB 封装命名规则(试行) 1、BGA命名规则
2、片式电阻、电容、电感命名规则
RESC /CAPC/ INDC 2012
3、片式排阻，排容、排感命名规则RESAF / CAPAF / INDAF 320X250X110厚度1.25MM
长宽2.0*1.2MM
集成电阻/电容/电感
料号
12*12*1.2MM
17行17列
PINCH 0.65mm
BALL数量264
封装形式
PIN 个数
3.2*2.5X1.0MM
(电阻/电容/电感) 排
4、 QFN 命名规则
5、
晶振器件命名规则
6、
钼电容类命名规则
料号
29脚个数4×7+1 5.0x5.0x1.0mm Pinch 0.5mm 封装类别
1.1mm 原 Normal 3.2×
2.5mm Concave corner
器件类别/振荡器
1.25厚度 3.2×1.6mm 带极性 Mold 钽电容
7、 SOT 封装命名规则
8、
SOD 封装命名规则
PIN 数3
长宽高3.04×2.64×1.12mm 0.95mm pinch 封装类型
长宽高2.6×1.4×1.16mm 封装类型
结构件封装命名规则 9、
USB
10、
T-card
11、
Sim card 命名规则
长宽高5.0×4.0×2.5mm 0.95mm pinch 5pin
器件封装类型
长宽高8.0×6.0×2.0mm 2.5mm pinch 12pin 器件封装类型
长宽高11.0×7.0×2.0mm 2.5mm pinch 6pin
器件封装类型
12、BTB/BTF命名规则
13、LCM命名规则
使用料号命名
14、侧键
使用料号命名
15、DC JACK /SPK /REC/MOTO/MIC封装如下：
充电接口: PAD_DCJAK
SPEAKER: PAD_SPK
RECIEVER: PAD_REC
MOTO: PAD_MOTO
MICPHONE: PAD_MIC
16、SPARK
封装为SPARK
17、TEST PAD
用如下封装:
TP50MI代表Φ1.25mm TESTPAD
TP30MI代表Φ0.8mm TESTPAD 长宽5.0×4.0×1.5mm (BTB配合高度) 0.4mm pinch
34pin
器件封装类型
.
.
18、QFP命名规则
40pin
长宽高8.0×8.0×1.2mm
0.5mm pinch
器件封装类型。