童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详模拟电子电路读图)【圣才出品】
模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第二章
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1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图T2.2解：图(a)不能。
VBB将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G-S间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T截止。
三．在图T2.3 所示电路中，已知, 晶体管β=100，。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当时，测得，若要基极电流, 则和之和=( )≈( 565 )；而若测得，则=( )≈( 3 )。
(2)若测得输入电压有效值时，输出电压有效值，则电压放大倍数( )≈( -120 )。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)名校考研真题(波形的发生器和信号的转换)
第8章波形的发生器和信号的转换一、判断题1．单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强。
（）[北京科技大学2011研]【答案】×【解析】单限比较器很灵敏，但是抗干扰能力差，而滞回比较器具有滞回特性，也即具有较好的抗干扰能力。
2．只要电路中引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（）[北京科技大学2011研]【答案】×【解析】正弦波振荡电路中需要两个条件：①电路中必须引入正反馈；②要有外加的选频网络，用以确定振荡频率。
二、选择题1．已知图8-1（a）所示方框图各点的波形如图8-1（b）所示，则电路2应为（）。
[北京科技大学2011研]A．正弦波振荡电路B．同相输入过零比较器C．反相输入积分运算电路D．同相输入滞回比较器图8-1【答案】B【解析】由U o1的波形对应U o2波形看出，当U o1 ＞0时，U o2 输出高电平，当U o1 ＜0时，U o2 输出低电平，所以电路2是过零比较器，且是同相输入的。
2．构成基本三角波发生电路，应选用( )。
[北京邮电大学2010研]A．窗口比较器B．积分运算电路C．微分运算电路D．滞回比较器【答案】BD【解析】滞回比较器可以产生矩形波，将矩形波进行积分，可以得到线性度比较好的三角波。
三、填空题滞回比较器引入正反馈，可以带来的好处是( )、( )。
[北京邮电大学2010研] 【答案】提高输出电压的转换速度；提高抗干扰能力。
【解析】滞回比较器具有滞回特性，即具有惯性，因而有一定的抗干扰能力。
同时滞回比较器中引入了正反馈，所以加快Uo的转换速度。
二、计算分析题1．设电路如图8-2所示。
R＝10kΩ，C＝0.01μF。
(1)试求振荡器的振荡频率；(2)为保证电路起振，对R f／R i的比值有何要求?(3)试提出稳幅措施。
[浙江大学2004研]图8-2解：该电路为文氏桥路振荡电路，RCf π21=，31=F(1)振荡器的振荡频率为：(2)若要能自激振荡则1>AF ，为保证起振(3)为了进一步改善输出电压幅度的稳定问题，可以在放大电路的负反馈回路里采用非线性元件来自动调整反馈的强弱，以维持输出电压的恒定。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)课后习题(模拟电子电路读图)
第11章模拟电子电路读图11.1 电路如图11-1所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
（1）求出微分方程；（2）简述电路原理。
图11-1解：（1）设A1、A2的输出电压分别为u o1、u o3。
由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断”和“虚短”可得下列关系式及微分方程：（2）当参数选择合适时，输入合适u i，便可在输出得到模拟解u o。
11.2 图11-2所示为反馈式稳幅电路，其功能是：当输入电压变化时输出电压基本不变。
主要技术指标为（1）输入电压波动20%时，输出电压波动小于0.1%；（2）输入信号频率从50～2000Hz变化时，输出电庄波动小于0.1%；（3）负载电阻从10 kΩ，变为5 kΩ，时，输出电压波动小于0.1%。
要求：（1）以每个集成运放为核心器件，说明各部分电路的功能；（2）用方框图表明各部分电路之间的相互关系；（3）简述电路的工作原理。
提示：场效应管工作在可变电阻区，电路通过集成运放A3的输出控制场效应管的工作电流，来达到调整输出电压的目的。
图11-2解：（1）A1：反相比例运算电路；A2：半波精密整流电路；A3：二阶低通滤波器；场效应管T：等效成可变电阻。
（2）图11-2所示电路的方框图，如图11-3所示。
图11-3（3）当参数选择合适时，若u i幅值增大导致u O增大，则r ds减小，使得u O3、u O2减小，从而使u O减小，趋于原来数值。
过程简述如下：若u i幅值减小，则各物理量的变化与上述过程相反。
11.3 在图11-2所示电路中，参数如图中所标注。
设场效应管D-S之间的等效电阻为r DS。
（1）求出输出电压u O与输入电压u I、r DS的运算关系式，说明当u I增大时，r DS应如何变化才能使u O稳幅?（2）当u I为1kHz的正弦波时，定性画出u O和u O2的波形。
（3）u O3是直流信号，还是交流信号，为什么?为使u O稳幅，当u I因某种原因增大时，u O3的幅值应当增大，还是减小，为什么?（4）电位器R w的作用是什么?解：（1）列A I反相输入端的节点电流方程，可得为了在u I 变化时u o 基本不变，u I 增大时r DS 应减小。
模拟电子技术基础习题解答第四版童诗白华成英第一部分
第一部分模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS 大的特点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详波形的发生器和信号的转换)【圣才出
第8章 波形的发生器和信号的转换8.1 复习笔记一、正弦波振荡电路1．产生正弦波振荡的条件（1）振幅平衡条件：（2）相位平衡条件：（3）起振条件：2．正弦波振荡电路的组成（1）放大电路：保证电路有从起振到动态平衡的过程，使电路获得一定幅值的输出量，实现能量的控制。
（2）选频网络：确定电路的振荡频率，使电路产生单一频率的振荡，即保证电路产生正弦波振荡。
（3）正反馈网络：引入正反馈，使放大电路的输入信号等于反馈信号。
（4）稳幅环节：也是非线性环节，使输出信号幅值稳定。
在不少实用电路中，常将选频网络和正反馈网络“合二而一”，且对于分立元件放大电路，也不再另加稳幅环节，而依靠晶体管特性的非线性来起到稳幅作用。
3．判断电路能否震荡的方法（1）观察电路是否包含了放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅环节四个组成部分。
（2）判断电路是否有合适的静态工作点且动态信号是否能够输入、输出和放大。
（3）判断电路是否满足振荡的相位条件、幅值条件。
3．RC 正弦波振荡电路（1）振荡条件：反馈系数，电压放大倍数。
（2）起振条件：，即。
12f R R （3）振荡频率：。
（4）典型的RC 正弦波振荡电路：文氏电桥正弦波振荡电路，如图8.1所示。
图8.1 RC 文氏电桥正弦波振荡电路4．LC正弦波振荡电路（1）谐振时，回路等效阻抗为纯阻性，阻值最大，值为：其中，为品质因数；为谐振频率。
（2）如图8.2所示，LC并联谐振回路等效阻抗为：图8.2 LC 并联网络（3）变压器反馈式振荡电路的振荡频率为：（4）三点式LC 正弦波振荡器（1MHz 以上频率），典型电路如图8.3所示。
(a)电感三点式振荡器(b)电容三点式振荡器图8.3 典型三点式LC正弦波振荡器①组成原则：与晶体管发射极相联的电抗是相反性质的，不与发射极相联的另一电抗是相同性质的。
②振荡频率：计算振荡频率时，只需分离出LC总回路求谐振频率即可。
电容式：电感式：5．石英晶体振荡器（1）石英晶体等效电路：R、C、L串联后与Co并联，如图8.4所示。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章
B 。
C.前者正偏、后者也正偏第1章 常用半导体器件自测题、判断下列说法是否正确，用灵”和V”表示判断结果填入空内。
(1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。
(V )(2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(X )(3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(V )(4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(X )(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R GS 大的特点。
(V )⑹若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
(X )、选择正确答案填入空内(1) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏⑷U GS =OV 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写岀图TI.3所示各电路的输岀电压值，设二极管导通电压U D =0.7V图 T1.3解：U OI = 1.3V, U O 2=0V, U O 3=-1.3V, U O 4=2V, U O 5=1.3V, U O 6= -2V四、已知稳压管的稳压值 U z =6V ，稳定电流的最小值l zmin = 5mA 。
求图TI.4所示电路中U oi 和U °2各为多少伏(a)(b)图 T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1 = 6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O 2=5V 。
五、电路如 图 T1.5 所示，V cc =15V ， =100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k 时，Uo=? ⑵若T 临界饱和，贝U R b =? 解：⑴ I B =VBB—U B E =26，R bI C = ： I B = 2.6mA , U O =V CC -I C R C =2V 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第二章.
第2章基本放大电路自测题一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图T2.2解：图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0i U V =时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时，输出电压有效值'0.6o U V =，则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详放大电路的频率响应)【圣才出品】
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2．场效应管的高频等效模型
（a）场效应管的高频等效模型
（b）简化模型 图 5.6 场效应管的高频等效模型
三、单管放大电路的频率响应 1．单管共射放大电路的频率响应 （1）中频电压放大倍数：
其中，
。
（2）低频电压放大倍数：
其中，fL 为下限频率，
fbw fH fL
3．波特图 （1）横坐标取频率，幅频纵轴取 20 lg | Au | dB ，相频纵轴取度数（°）。 （2）高通电路波特图，如图 5.3 所示。
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对数幅频特性：
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相频特性：f ? fL 时， =0°；f=fL 时， =+45°；f = fL 时， =+90°。
f fL
为 A&u 的相频特性。可知，当 f ?
fL 时，
| A&u | ，≈00；当 f=fL 时， | A&u | ，≈450；当 f = fL 时，| A&u | f / fL ，表示
f 每下降 10 倍， | A&u | 降低 10 倍；当 f 趋于零时， | A&u | 趋于零， 趋于+900。
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台
设一个N级放大电路各级的下限频率分别为
，上限频率分别为
，通频带分别为 率、上限频率和通频带分别为
，则该放大电路的下限频
2．截止频率的估算 （1）下限截止fL：
（2）上限截止fH：
5.2 课后习题详解
5.1 在图 5.1 所示电路中，已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案
解：(a)将-VCC 改为+VCC。
(b)在+VCC 与基极之间加 Rb。
(c)将 VBB 反接，且在输入端串联一个电阻。
(d)在 VBB 支路加 Rb，在-VCC 与集电极之间加 Rc。
2.2 画出图 P2.2 所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a)
(b)
(c)
(d)
A.83
B.91
C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm 将( A ) 。
A.增大；
B.不变；
C.减小
1.2 电路如图 P1.2 所示，已知 ui = 10sin ωt (V)，试画出 ui 与 uo 的波形。设二极管导通电
压可忽略不计。
图 P1.2
− U CES Rc
= 11.3mA ，
所以 T 处于饱和状态。
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE = 0.2V ，饱和管压降 UCES = 0.1V ；稳压
管 的 稳 定 电 压 UZ = 5V , 正 向 导 通 电压 UD = 0.5V 。 试 问 ： 当 uI = 0V 时 uO = ？ ； 当
分别求出 RL = ∞ 和 RL = 3kΩ 时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom （有效值）。
10
(a)
(b)
图 P2.4
解：空载时： IBQ = 20µ A, ICQ = 2mA,UCEQ = 6V ；
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ，有效值约为 3.75V 。
带载时： IBQ = 20µ A, ICQ = 2mA,UCEQ = 3V ；
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】
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(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
.91 C(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 电路如图 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图 解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示，已知t u iωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少 (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。
(2)并联相接可得2种：；6V 。
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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详放大电路中的反馈)【圣才出品】
第6章 放大电路中的反馈6.1 复习笔记一、反馈的基本概念及判断方法1．反馈的基本概念反馈：将电路的输出量(电压或电流)的一部分或全部通过反馈网络，用一定的方式回送到输入回路，以影响输入量(电压或电流)的过程。
反馈系数F：反馈信号与输出信号之比。
直流反馈：存在于放大电路直流通路中的反馈(将输出直流信号引回到电路输入端)。
交流反馈：存在于放大电路交流通路中的反馈(将输出交流信号引回到电路输入端)。
正反馈：反馈信号回送到输入回路中与原输入信号共同作用后，使净输入信号增强。
负反馈：反馈信号回送到输入回路中与原输入信号共同作用后，使净输入信号减小。
2．反馈的判断（1）有无反馈的判断看电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络(即反馈通路)，若存在反馈通路则存在反馈；反之则不存在反馈。
（2）反馈极性的判断瞬时极性法判断电路中反馈极性的基本方法：先假定某一瞬间输入信号的极性，然后按信号的放大过程，逐级推出输出信号的瞬间极性，最后根据反馈回路输入端的信号对原输入信号的作用，判断出反馈的极性。
如果反馈信号的瞬时极性使净输入量减小，则为负反馈，反之为正反馈。
（3）反馈组态的判断①电压反馈和电流反馈的判断判别方法：输出短路法将负载短路（R L =0）使输出电压v o =0，判断反馈信号是否还存在，若反馈信号不存在了，则说明反馈信号与输出电压成比例，是电压反馈，否则为电流反馈。
②串联负反馈与并联负反馈的判断对于三极管，若反馈信号与输入信号同时加在三极管的基极或发射极上，反馈信号以电流的形式与原输入信号相加或相减，为并联反馈；若一个加在基极，一个加在发射极，反馈信号以电压的形式与原输入信号相加或相减，则为串联反馈。
对于运放电路，若反馈信号与输入信号同时加在同相输入端或反向输入端为并联反馈；若反馈信号与输入信号一个加在同相端一个加在反相端，则为串联反馈。
二、负反馈放大电路的方框图及四种基本组态1．负反馈放大电路的方框图图6.1 负反馈放大电路的方框图如图6.1所示，X i 、X f 、、X o 分别表示输入信号、反馈信号、净输入信号和输出信i X '号。
模拟电路 童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，?=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEBbV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电路 童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
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第11章 模拟电子电路读图
11.1 复习笔记
一、读图的思路和步骤
1．了解用途：了解所读电路应用于何处及其所起作用。
2．化整为零：将所读电路分解为若干具有独立功能的部分。
3．分析功能：选择合适的方法分析每部分电路的工作原理和主要功能。
4．统观整体：将每部分电路用框图表示，根据各部分联系将框图连接起来，得到整个电路的方框图。
5．性能估算：对各部分电路进行定量估算，从而得出整个电路的性能指标。
二、基本分析方法回顾
1．小信号情况下的等效电路法
用半导体管在低频小信号作用下的等效电路取代放大电路交流通路中的管子，便可得到放大电路的交流等效电路。
2．频率响应的求解办法
:
首先画出适于信号频率0∞的等效电路，求出电路的上、下限频率，然后写出电压放大倍数的表达式，最后画出波特图。
3．反馈的判断方法
反馈的判断方法包括有无反馈、直流反馈和交流反馈、反馈极性(利用瞬时极性法)的判断，以及交流负反馈反馈组态(电压串联、电压并联、电流串联、电流并联)的判断。
5．运算电路运算关系的求解方法
以“虚短”和“虚断”为基础，利用节点电流法和叠加原理适于多个输入信号的情况．即可求出输出与输入的运算关系式。
6．电压比较器电压传输特性的分析方法
令集成运放同相输入端和反相输入端电位相等求出阈值电压，根据输入电压作用于集成运放的同相、反相输入端来确定输出电压在输入电压过阈值电压时的跃变方向。
7．波形发生器的判断方法
①正弦波振荡：需要满足正反馈和选频网络两个条件才能振荡；
②非正弦波振荡：先观察是否有RC电路或积分电路，然后观察两个输出状态是否可以自动转换，即能否起振。
8．功率放大电路最大输出功率和转换效率的分析方法
首先求出最大不失真输出电压，然后求出负载上可能获得的最大交流功率，即为最大输出功率。
输出最大输出功率时，电源提供的平均电流与电源电压相乘，即得到电源的平均功率。
最大输出功率与此时电源提供的平均功率之比为转换效率。
分别得出四个组成部分的主要参数。
11.2 课后习题详解
11.1 电路如图11.1所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
(1)求出微分方程；(2)简述电路原理。
图11.1
解：(1)设A1、A2的输出电压分别为u o1、u o3。
由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断”和“虚短”可得下列关系式及微分方程：
(2)当参数选择合适时，输入合适u i，便可在输出得到模拟解u o。
11.2 图11.2所示为反馈式稳幅电路，其功能是：当输入电压变化时输出电压基本不变。
主要技术指标为
(1)输入电压波动20%时，输出电压波动小于0.1%；
(2)输入信号频率从50～2000Hz 变化时，输出电庄波动小于0.1%；
(3)负载电阻从10 k ，变为5 k ，时，输出电压波动小于0.1%。
ΩΩ要求：
(1)
以每个集成运放为核心器件，说明各部分电路的功能；(2)用方框图表明各部分电路之间的相互关系；
(3)简述电路的工作原理。
提示：场效应管工作在可变电阻区，电路通过集成运放A 3的输出控制场效应管的工作电流，来达到调整输出电压的目的。
图11.2
解：（1）A 1：反相比例运算电路；A 2：半波精密整流电路；A 3：二阶低通滤波器；场效应管T ：等效成可变电阻。
(2)图11.2所示电路的方框图，如图11.3所示。
图11.3
（3）当参数选择合适时，若u i 幅值增大导致u O 增大，则r ds 减小，使得u
O3、u O2减小，从而使u O 减小，趋于原来数值。
过程简述如下：
若u i 幅值减小，则各物理量的变化与上述过程相反。
11.3
在图11.2所示电路中，参数如图中所标注。
设场效应管D-S 之间的等效电阻
为rDS 。
(1)求出输出电压u O 与输入电压u I 、r DS 的运算关系式，说明当u I 增大时，r DS 应如何变化才能使u O 稳幅?
(2)当u I 为1kHz 的正弦波时，定性画出u O 和u O2的波形。
(3)u O3是直流信号，还是交流信号，为什么?为使u O 稳幅，当u I 因某种原因增大时，u O3的幅值应当增大，还是减小，为什么?
(4)电位器R w 的作用是什么?
解：(1)列A I 反相输入端的节点电流方程，可得
32212////DS o I DS
R R r u u R R R r =-+g g 为了在u I 变化时u o 基本不变，u I 增大时r DS 应减小。
(2)A 2与D 1、D 2、R 6等组成半波整流电路，u O2和u O 的关系为
()
()
220o o o o o u u u u u =-⎧
⎪⎨=⎪⎩半半半半半因此，波形如图11.4所示。
图11.4
(3)u 03为直流信号，因为A 3组成了二阶低通滤波器，所以u 03是u 02的平均值。
u I 增大时u o3应增大，因为只有u o3增大r DS 才会减小。
(4)电位器R w 的作用是调零。
11.4 在图11.2所示电路中，设场效应管d-s 之间的等效电阻为rDS 。
为使得输入电压uI 波动20%时，输出电压uo 波动小于0.1%，rDS 应变化百分之多少?
解：当u I 变化20%时，u o 变化0.1%。
根据
32212////DS o I DS
R R r u u R R R r =-+g g 此时，变化0.5%，即变化0.5%。
32212////DS DS R R r R R R r +g 212////DS DS
R r R R r + 11.5 五量程电容测量电路如图11.5所示Cx 为被测电容，输出电压uo 是一定频率。