RAM分为简单双口RAM和真双口RAM

乒乓ram介绍

乒乓ram简介在现在的数据采集分析系统中，随着采集数据的速度剧增，每次都对这些庞大的数据量直接进行分析，这将会占用很多的CPU，使得CPU不能及时的去做其它的事情。

我们可以在传输这些数据的时候提供适当的通道，建立一个缓冲电路，来实现数据流的无缝缓存和处理，提高系统的处理速度和性能。

输入输出缓存电路一般有三种结构和形式：①双口ram结构：双口RAM是在一个SRAM存储器上具有两套完全独立的数据线、地址线、读写控制线、并允许两个独立的系统同时对该存储器进行随机访问。

②FIFO结构：FIFO（First In First Out）是一种先进先出的数据缓存器，可以进行双端操作，但是数据必须先进先出，不能进行随机性的访问。

从容量大小来看，双口RAM比FIFO要大一些，但总的来说，这两种缓冲结构的存储容量还是相对较小，对高速图像处理系统而言，还不是特别适合。

③乒乓ram结构：这种结构是将输入数据流通过输入数据选择单元等时地将数据流分配到两个ram缓冲区。

通过两个ram读和写的切换，来实现数据的流水式传输。

综上所述，乒乓缓存结构实际上相当于一个双口RAM，但它与普通的双口RAM又有所不同。

普通双口RAM是单个存储体构成的IC，乒乓ram结构则由包含两个相互独立存储体的多片IC构成，从而使其在结构、速度、容量等方面具有更大的灵活性；若双口在访问同一地址时，普通双口SAM指向的必定是存储体内的同一存储单元，而乒乓ram结构则分别指向属于SRAM1和SRAM2的两个不同的存储单元，更易操作。

乒乓缓存结构的上述特点决定了可以相对较便宜的高速大容量SRAM、外围逻辑器件构成比双口RAM以及高速FIFO更适合视频处理的系统所需要的缓冲存储器。

乒乓ram结构的上述特点决定了可以相对较便宜的高速大容量RAM、外围逻辑器件构成比双口RAM以及高速FIFO更适合大数据传输系统所需要的缓冲存储器。

乒乓ram控制原理"乒乓操作"是一个常用的数据流控制处理技巧。

EDA试卷及答案2

IF; 16 - 17 - 18 IS
END END PROCESS; OUTLED : PROCESS(TMP) BEGIN CASE TMP WHEN "0000" => LED7S -WHEN "0001" => LED7S -WHEN "0010" => LED7S -WHEN "0011" => LED7S -WHEN "0100" => LED7S -WHEN "0101" => LED7S -WHEN "0110" => LED7S -WHEN "0111" => LED7S -WHEN "1000" => LED7S -WHEN "1001" => LED7S -END CASE; <= 20 <= 21 <= 22 <= 23 <= 24 <= 25 <= 26 <= 27 <= 28 <= 29 -- 19
C. 器件外部特性与内部功能 D. 器件的综合约束 7. 电子系统设计优化，主要考虑提高资源利用率减少功耗（即面积优化），以及提高运行速度（即速度优化）；下列方法中 ________不属于面积优化。 A. 流水线设计 B. 资源共享 C. 逻辑优化 D. 串行化 8. 进程中的信号赋值语句，其信号更新是_________。 A. 立即完成 B. 在进程的最后完成 C. 按顺序完成 D. 都不对 9. 不完整的IF语句，其综合结果可实现________。 A. 时序逻辑电路 B. 组合逻辑电路 C. 双向电路 D. 三态控制电路 10. 状态机编码方式中，其中_________占用触发器较多，但其简单的编码方式可减少状态译码组合逻辑资源，且易于控制非法状态。 A. 一位热码编码 B. 顺序编码 C. 状态位直接输出型编码 D. 格雷码编码

XILINX之RAM使用指南(加个人总结)

XILINX之RAM使用指南（加个人总结）一、 RAM 分类XILINX 的 RAM 可分为三种，分别是：单口 RAM，简化双口 RAM 和真双口RAM。

如下图所示：图1 单口 RAM图2 简化双口 RAM A 口写入数据，B 口读数据图3 真双口 RAM A,B 任意一个口都可以读写数据，可从 A 写入，B 读数据二、选择数据位宽和深度Block RAM 的数据位宽为 1-1152bit，深度取决于所选择 FPGA 器件中block 的数量。

超出地址范围之外的写操作，写进去的数据不会与存储器件中的数据冲突。

读超出地址范围之外数据将会返回无效数据。

注意，当对超出范围的地址进行操作的时候，不能置位 set 或 reset 信号，因为这仍然会读出无效数据。

三、操作模式每个端口的操作模式决定了此端口的读和写之间关系。

端口 A 和 B 可以独立配置为以下三种模式中任一模式：写优先模式，读优先模式，不改变模式。

这些模式详解见下面。

当 A 和 B 端口地址有冲突时，操作模式就会影响 A 和B 口之间关系。

1．写优先模式(write first mode)：在写优先模式中，输入数据被自动写入存储器件中，并且出现在数据输出端口。

时序见下图。

这种传输模式增强了在同一端口写操作时使用数据输出总线的灵活性。

（即输入数据的同时自动写进存储器和驱动数据到数据输出端）图4 写优先操作模式2．读优先模式(read first mode)：在读优先模式中，预先存储在写地址中的数据会被输出，而输入数据被存入存储器件中。

这种模式见下图。

（即以前写进当前写地址的数据出现在数据输出端，此时输入的数据被保存到存储器中）图5 读优先模式3．不改变模式(no-change mode)：在不改变模式中，输出锁存在写操作时候保持不变，见下图。

在同一端口的写操作不会对数据输出端口产生影响，输出仍然是以前的读数据。

（即输出锁存器保持不改变在写操作期间。

RAM分类

RAM的分类内存（RAM，随机存储器）可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM两种，我们经常说的电脑内存条指的是DRAM，而SRAM接触的相对要少（像大部分的FPGA就是基于SRAM工艺的）。

根据RAM的功能和特性等可以将其归类如下表所示：SRAMStaticRAM——静态存储器DRAMDynamicRAM——动态存储器SDRAMSynchronousDRAM——同步动态存储器3DRAM3DimensionRAM——3维视频处理器专用存储器CDRAMCachedDRAM——高速缓存存储器CVRAMCachedVRAM——高速缓存视频存储器EDORAMExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器EDOSRAMExtendedDateOutSRAM——外扩充数据模式静态存储器EDOVRAMExtendedDateOutVRAM——外扩充数据模式视频存储器EDRAMEnhancedDRAM——增强型动态存储器FRAMFerroelectricRAM——铁电体存储器MDRAMMultiBankDRAM——多槽动态存储器SGRAMSignalRAM——单口存储器DPRAMDualPortRAM——双端口RAMSVRAMSynchronousVRAM——同步视频存储器VRAMVideoRAM——视频存储器WRAMWindowsRAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)下面对几种常见的RAM略作描述。

SRAM：静态RAMSRAM（StaticRandomAccessMemory，静态随机存储器），它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

DRAM：动态RAMDRAM（DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器）是最为常见的系统内存。

双口RAM

双口ＲＡＭ1．模块功能：双口RAM模块主要采用IDT7132等器件，它是一种特殊的数据存储芯片，它既可以用于单片机存储大容量的数据，也可以以双口RAM为共享存储器来实现两个处理器之间的通信和数据传输。

双口RAM的优点是提供了两条完全独立的端口，每个端口都有完整的地址、数据和控制总线，允许两个CPU对双端口存储器的同一单元进行同时存取；具有两套完全独立的终端逻辑来实现两个CPU 之间的握手控制信号；具有两套独立的“忙”逻辑，保证两个CPU同时对同一单元进行读/写操作的正确性。

对于单个CPU而言，双口RAM同普通RAM没有什么明显的区别。

本模块原理图见图１。

图１3．主要器件：(1)IDT7132：(a)器件功能：IDT7132是高速2k*8端口静态RAM，可提供图2.1.3 IDT7132引脚图两个拥有独立的控制总线、地址总线和I/O总线端口，允许CPU独立访问内部的任何存储单元。

当/CE 引脚出现下降沿时，选中DPRAM即可通过控制OE 或R/W来访问内部存储单元。

(b) 器件引脚：IDT7132的引脚图如图2所示。

/CE、/CER：（左、右）片选控制信号。

R/WL、R/WR：（左、右）读写控制信号。

/OEL、/OER：（左、右）使能控制信号。

/BUSYL、/BUSYR：（左、右）繁忙查询控制信号。

A0L—A9L、A0R—A9R：（左、右）地址总线。

I/O0L—I/O7L、I/O0R—I/O7R：（左、右）输入/输出总线。

VCC：电源。

(c) 工作原理：IDT7132的工作时序如图3所示。

它与RAM的读写时序非常类似。

当CPU选中DPRAM时/CE引脚出现下降沿，当控制线/OE为高且R/W为低时，CPU对内部存储单元进行写操作；而当控制线OE为低且R/W为高时，CPU对内部存储单元进行读操作。

当外部CPU通过两个端口对双口RAM内部的同一个存储单元进行操作时，系统将出现竞图 2争。

这种竞争一般有如下两种模式：（1）如果两个端口的总线访问地址相同，并先于片选信号/CE有效，则片内逻辑将在CEL与CER之间发生竞争。

双口RAM原理及应用实例

双口RAM可用于提高RAM的吞吐率，适用于实时的数据缓存。
1.CPU并行工作(双单片机系统 )方式得到广泛应用。为了使2个单片机能够快速有效交换信息，充分利用系统资源，采用双口 RAM实现存储器共享是目前较为流行的方法。
2.大容量、高速 FPGA 器件具有集成度高、体积小、
灵活可重配置、实验风险小等优点，在复杂数字系统中得到越来越广泛的应用。用 FPGA来实现双口 RAM的功能可以很好地解决并行性和速度问题，而且其灵活的可配置特性使得基于 FPGA的双口 RAM易于进行修改、测试及系统升级，可降低设计成本，缩短开发周期。
FPGA（Field－Programmable Gate Array），即现场可编程门阵列，它是在 PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上
所以，内部仲裁控制逻辑相应的提供以下功能： 1.对同一地址单元访问的时序控制； 2.存储单元数据块的访问权限分配； 3.信令交换逻辑。
当左右端口不对同一地址单元存取时， BUSY R=H， BUSY L=H，可正常存储；当左右端口对同一地址单元存储时，有一个端口的 BUSY=L，禁止数据的存取，此时，两个端口中先出现的存储请求信号对应的 BUSY=H，允许存储。后出现的存储请求信号对应的 BUSY=L，禁止存储（注意：两端口间的存储请求信号出现时间差应满足仲裁最小时间间隔 TAPS（IDT7132 为5ns），否则仲裁逻辑无法判定哪一个端口的存储请求信号在前）；在无法判定哪个端口先出现存储请求信号时，控制线BUSY L和BUSY R只有一个为低电平，不会同时为低电平，这样就避免了双端口存取出现错误。
双口RAM在数字系统中应用广泛。高速数据采集系统
中，一般的数据传输系统在大数据量情况下会造成数据堵塞现象。在一些实时控制场合，实时算法经常需要由几个 DSP串行或并行工作以提高系统的运行速度和实时性。以双口 RAM构成的数据接口可以在两个处理器之间进行高速可靠的信息传输。此外，双口 RAM可以应用在智能总线适配卡、网络适配卡中作为高速数据传输的接口。在许多宽带信号处理领域 (如无线通信、多媒体系统、卫星通信、雷达系统等 )，FPGA技术已代替DSP实现许多前端的数字信号处理算法。用 FPGA来实现数字信号处理能很好地解决并行性和速度问题，而且其灵活的可配置特性，使得 FPGA构成的数字信号处理系统易于修改、测试及系统升级，降低设计成本，缩短开发周期。任何一种自动控制系统都离不开数据采集系统，数据采集系统的质量直接影响整体系统的工作性能。数据采集系统高速、实时发展趋势，对数据的传输和控制速度提出较高要求。而采用双口 RAM可有效提高速度，解决速度匹配问题。

ram结构

RAM的基本结构RAM的基本结构如图7-30所示，可以分为三个部分：存储矩阵，地址译码器及读写电路。

•存储矩阵存储矩阵是用来存储要存放的代码，矩阵中每个存储单元都用一个二进制码给以编号，以便查询此单元。

这个二进制码称作地址。

•地址译码器译码器可以将输入地址译为电平信号，以选中存储矩阵中的响应的单元。

寻址方式分为一元寻址和二元寻址。

一元寻址又称为单向译码或字译码，其输出的译码线就是字选择线，用它来选择被访问字的所有单元；二元寻址又称为双向译码，二元寻址能够访问每一个单元，由X地址译码器输出的译码线作为行选择线进行“行选”；由Y 地址译码器输出的译码线作为列选择线进行“列选”，则行、列选择线同时选中的单元即为被访问单元，可以对它进行“写入”或“读出”。

•读写电路读写电路是RAM的控制部分，它包括片选CS，读写控制R/W以及数据输入读出放大器,片选CS的作用是只有当该端加低电平时此RAM才起作用, 才能进行读与写,读写控制R/W的作用是当R/W端加高电平时,对此RAM进行读出,当R/W端加低电平时进行写入。

输出级电路一般采用三态输出或集电极开路输出结构，以便扩展存储容量，如果是集电极开路输出（即OC输出），则应外接负载电阻。

双口RAM目录编辑本段简介双口RAM 是在一个SRAM 存储器上具有两套完全独立的数据线、地址线和读写控制线，并允许两个独立的系统同时对该存储器进行随机性的访问。

即共享式多端口存储器。

双口RAM最大的特点是存储数据共享。

一个存储器配备两套独立的地址、数据和控制线，允许两个独立的CPU或控制器同时异步地访问存储单元。

因为数据共享，就必须存在访问仲裁控制。

内部仲裁逻辑控制提供以下功能：对同一地址单元访问的时序控制；存储单元数据块的访问权限分配；信令交换逻辑（例如中断信号）等。

双口RAM可用于提高RAM的吞吐率，适用于作于实时的数据缓存。

编辑本段特点（1）对同一地址单元访问的竞争控制如果同时访问双口RAM的同一存储单元，势必造成数据访问失真。

RAM分类

RAM的分类内存（RAM，随机存储器）可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器D RAM两种，我们经常说的电脑内存条指的是DRAM，而SRAM接触的相对要少（像大部分的FPGA就是基于SRAM工艺的）。

根据RAM的功能和特性等可以将其归类如下表所示：SRAM Static RAM——静态存储器DRAM Dynamic RAM——动态存储器SDRAM Synchronous DRAM——同步动态存储器3D RAM 3 Dimension RAM——3维视频处理器专用存储器CDRAM Cached DRAM——高速缓存存储器CVRAM Cached VRAM——高速缓存视频存储器EDO RAM Extended Date Out RAM——外扩充数据模式存储器EDO SRAM Extended Date Out SRAM——外扩充数据模式静态存储器EDO VRAM Extended Date Out VRAM——外扩充数据模式视频存储器EDRAM Enhanced DRAM——增强型动态存储器FRAM Ferroelectric RAM——铁电体存储器MDRAM Multi Bank DRAM——多槽动态存储器SGRAM Signal RAM——单口存储器DPRAM Dual Port RAM——双端口RAMSVRAM Synchronous VRAM——同步视频存储器VRAM Video RAM——视频存储器WRAM Windows RAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)下面对几种常见的RAM略作描述。

SRAM：静态RAMSRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器），它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

存储器分类及功能大全

RAM/ROM存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

一、 RAM有两大类：1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地址复用的。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。

优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。

而且是行列地址复用的，许多都有页模式。

DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。

由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。

双口RAM简介

双口RAM引言由工业计算机通过PCI总线控制的前端数据采集系统在工业控制领域中得到了广泛的应用，一般的数据传送系统在大数据量的情况下会造成数据堵塞现象。

在系统设计的过程中经过多方面的比较，最后采用高数双口RAM构成的高速数据交换接口成功地解决了此问题。

CY7C026是CYPRESS公司生产的16K×16高速双口静态RAM，存取速度小于25ns。

它具有真正的双端口，可以同时进行数据存取，两个端口具有独立的控制信号线、地址线和数据线，另外通过主/从选择可以方便地扩存储容量和数据宽度。

通过芯片的信号量标志器，左、右两端口可以实现芯片资源的共享。

CY7C026芯片的内部功能框图见图1。

图1 CY7C026芯片的内部功能框图CY7C026的工作原理存取原理由CY7C026的内部结构图可以看出，该芯片的核心部分是双端口存储阵列，左右两个端口可以共用该存储阵列，并且拥有各自的控制线，在单独存取数据时，和普通的RAM相同。

同时读取不同存储空间的数据和同时读取相同数据空间的数据时，左右端口可以同时进行。

若同时对相同的数据空间做写操作，或一端口对一数据空间作读操作的同时另一端口对该数据空间作写操作，左右端口将发生冲突。

为此，CY7C026通过BUSY管脚来处理这两种情况。

当左右端口对不同存储空间进行读写操作时，可同时存取。

此时，左右端口的BUSY 信号同时置高。

若对同一存储空间同时进行存储操作时，哪一端的存储请求信号先出现，则该端的BUSY信号置高，允许存储。

哪一端的存储信号出现在后，则这一端BUSY信号置低，禁止存储。

值得注意的是，左右两端存取请求信号出现的时间差必须大于5ns，不然仲裁逻辑无法判断哪一边的存取请求信号出现在前。

如果出现两端存取请求信号出现的时间差小于5ns 的情况，仲裁逻辑将一边的BUSY信号置高，将另一边的BUSY信号置低，从而保证两个端口一个执行数据存储，另一端口进行数据读取，避免了冲突。

单口RAM、伪双口RAM、双口RAM与FIFO的区别

单口RAM、伪双口RAM、双口RAM与FIFO的区别FPGA设计中，常用到的数据缓存IP有FIFO和RAM，其中RAM又分单口RAM、伪双口RAM、双口RAM。

单口与双口的区别在于，单口只有一组数据线与地址线，因此读写不能同时进行。

而双口有两组数据线与地址线，读写可同时进行。

FIFO读写可同时进行，可以看作是双口。

双口RAM分伪双口RAM（Xilinx称为Simple two-dual RAM）与双口RAM （Xilinx称为true two-dual RAM）。

伪双口RAM，一个端口只读，另一个端口只写；而双口RAM两个端口都可以读写。

FIFO也是一个端口只读，另一个端口只写。

FIFO与伪双口RAM的区别在于，FIFO为先入先出，没有地址线，不能对存储单元寻址；而伪双口RAM 两个端口都有地址线，可以对存储单元寻址。

异步时钟域的缓存只要是双口器件都可以完成。

但FIFO不需对地址进行控制，是最方便的。

双口RAM

双口ＲＡＭ1．模块功能：双口RAM模块主要采用IDT7132等器件，它是一种特殊的数据存储芯片，它既可以用于单片机存储大容量的数据，也可以以双口RAM为共享存储器来实现两个处理器之间的通信和数据传输。

双口RAM的优点是提供了两条完全独立的端口，每个端口都有完整的地址、数据和控制总线，允许两个CPU对双端口存储器的同一单元进行同时存取；具有两套完全独立的终端逻辑来实现两个CPU 之间的握手控制信号；具有两套独立的“忙”逻辑，保证两个CPU同时对同一单元进行读/写操作的正确性。

对于单个CPU而言，双口RAM同普通RAM没有什么明显的区别。

本模块原理图见图１。

图１3．主要器件：(1)IDT7132：(a)器件功能：IDT7132是高速2k*8端口静态RAM，可提供图2.1.3 IDT7132引脚图两个拥有独立的控制总线、地址总线和I/O总线端口，允许CPU独立访问内部的任何存储单元。

当/CE 引脚出现下降沿时，选中DPRAM即可通过控制OE 或R/W来访问内部存储单元。

(b) 器件引脚：IDT7132的引脚图如图2所示。

/CE、/CER：（左、右）片选控制信号。

R/WL、R/WR：（左、右）读写控制信号。

/OEL、/OER：（左、右）使能控制信号。

/BUSYL、/BUSYR：（左、右）繁忙查询控制信号。

A0L—A9L、A0R—A9R：（左、右）地址总线。

I/O0L—I/O7L、I/O0R—I/O7R：（左、右）输入/输出总线。

VCC：电源。

(c) 工作原理：IDT7132的工作时序如图3所示。

它与RAM的读写时序非常类似。

当CPU选中DPRAM时/CE引脚出现下降沿，当控制线/OE为高且R/W为低时，CPU对内部存储单元进行写操作；而当控制线OE为低且R/W为高时，CPU对内部存储单元进行读操作。

当外部CPU通过两个端口对双口RAM内部的同一个存储单元进行操作时，系统将出现竞图 2争。

这种竞争一般有如下两种模式：（1）如果两个端口的总线访问地址相同，并先于片选信号/CE有效，则片内逻辑将在CEL与CER之间发生竞争。

内部存储器RAM和ROM使用说明

内部存储器RAM和ROM用户指南
1、介绍内部存储器模块
本用户指南介绍了实现以下内存模式的宏功能：
■RAM:1-Port—Single-port RAM 单口RAM
■RAM:2-Port—Dual-port RAM 双口RAM
■ROM:1-Port—Single-port ROM 单口ROM
■ROM:2-Port—Dual-port ROM 双口ROM
Altera公司提供了两种宏功能来实现内存模式：ALTSYNCRAM和ALTDPRAM 宏功能。

QuartusII软件会自动选择其中一个宏功能来实现内存模式。

选择那种宏功能模式取决于目标器件，存储器模式和RAM和ROM的功能。

本用户指南会让您熟悉宏功能，以及如何创建它们。

如果您不熟悉的Altera 宏功能或“the MegaWizard™ Plug-In Manager”，请参阅介绍宏功能用户指南。

内部存储器具有如下功能：
■内存模式配置
■存储模块类型
■端口宽度设置
■存储器最大深度设置
■时钟模式和时钟使能
■地址时钟使能
■字使能
■异步清零
■读使能
■同时读写
■存储器初始化
■错误校正码
2、参数设置
Altera建议您使用参数编辑器来配置来构建您的RAM和ROM内存块,以确保您所选择的选项组合是有效的。

下表是双口RAM参数设置。

IP核——RAM

IP核——RAM⼀、Quartus1.打开Quartus ii，点击Tools---MegaWizard Plug-In Manager2.弹出创建页⾯，选择Creat a new custom megafunction variation，点Next3.选择IP核，可以直接搜索ram，选择RAM：2-PORT，右上⽅选择器件型号，语⾔选成Verilog，再填写⼀下路径名字，点Next，后⾯就是参数设置了。

4.设置读写需要⼏个端⼝，深度计算按word还是bit。

Next5.设置深度，位宽，类型。

Next6.设置读写需要⼏个端⼝，深度计算按word还是bit，⼀般选word。

Next7.是否为输出添加⼀个寄存器（加了寄存器可以使RAM输出的数据更稳定）？本来ram的输出就是会慢1clk，勾选后⼜慢1clk，所以⼀般不勾选。

Next8.输出的是新数据还是⽼数据，⼀般是要新数据，所以I don't care就⾏。

Next9.是否添加初始化⽂件mif ? Next10.告诉你此IP核的编译库是什么，Next11.输出的⽂件列表，除了正常IP核，还可以选择例化⽂件，注意bb.v⽂件⽤不到，⼀般是不勾选的。

之后点finish就⽣成IP核了。

⼆、ISE1.创建ISE⼯程，IP核需要在ISE⼯程⾥⾯进⾏调⽤。

点击Tools---Core Generator...2.在新弹出来的界⾯中创建⼀个属于IP核的⼯程：file---new project，并填写⽂件存储位置和⽂件名称，⼀般为ipcore_dir⽂件夹，点击保存3.弹出的Part处填写器件的系列、型号、封装以及速度等级，Generation处设置语⾔为Verilog，点击OK4.点击⽂件夹，找到Memories & Storage Elements---RAMs & ROMs---Block Memory Generator，（也可以直接搜索）双击打开，进⾏参数设置5.设置模块名称，Next6.类型选择，⼀般选Single Dual RAM，该RAM为“a⼝负责写，b⼝负责读”，⽽对于真双⼝RAM来说，a和b都是可读可写。

block ram小结

block ram的问题：simple 和true dual ram的唯一区别是:A端口的写和B端口的读是相联系的。

伪双口的两个端口的读写模式是不可选择的，而真双口的两个端口是相互独立的，可随意选取读写模式。

Wea、web都是高有效。

双口RAM的问题？既然两套数据线和地址线都可以通过we使能对双口RAM进行读写，那么，同时对其进行写数据时，会先写谁呢？（答：同时对双口RAM进行写时，写入的是不确定数x）是先写a口的输入还是b口的呢?根据时序，b口时既输出a口的数据又输出b口的数据的，这是为什么呢？为什么会一下子写a口，一下子写b口的呢？（一般应该让a、b的写使能交替起作用，而不是同时起作用）如下图:对双口ram的读写之间的冲突:上面一段文章表明（在读写发生冲突时）：当写接口（如A口）是read first 模式时，另一个接口（B口）能够可靠的读到之前存储单元中的内容，如下图DOUTB ARF（A_read_first）。

当写的端口（A口）是write first 或no change 模式时，另一个接口（B口）的读输出数据是无效的（即X）。

在写字节的情况下，只有被更新了的字节是在读端口无效的。

假如写使能无效，则ram中的内容保持上一次写入的数据不变，知道写使能有效，并写入新数据。

在此图中，对于DOUTB AWF（A口是write first）第二个wea（b0101），因为此时当wea 为1时，且clock到达了上升沿，此时读写同时有效，根据上面的描述，此时的输出端口是不确定的，即x，故DOUTB AWF上面的数据是00XX 00XX。

但是这并不影响ram中的内容，即同时读写只影响读，而不影响写。

在下一个时钟上升沿到来时，写全部无效（wea=0000），但是读有效，所以读出的数据是此时ram中的内容00AA 00AA。

对于DOUTB ARF（A口是read first），在第一个时钟上升沿到来时，写也是无效，读出的是上个时钟周期写入的值，而这是第一个，故默认读出0000 0000，在第二个时钟上升沿，由上段文章得出，当A口是read first时，B口能有效的读出上个时钟周期的值，即0000 0000，在第三个时钟上升沿，读到的是第二个时钟上升沿写进的值00AA 00AA，以此类推。

ram的名词解释是什么

ram的名词解释是什么RAM，即Random Access Memory的缩写，中文意为“随机存取存储器”。

以计算机为例，RAM是其中一种主要的存储设备，具有临时性、易读写的特点。

与硬盘等永久性存储设备相比，RAM的数据存储速度更快，但同时容量也更有限。

一、RAM的基本原理RAM是计算机的重要组成部分，负责暂时存储数据和程序的执行结果。

它的基本原理是利用半导体材料制作芯片，并通过电子器件来完成信息的读写。

当计算机运行程序或进行数据处理时，需要将数据加载到RAM中，以便CPU 能够快速读取和处理。

因为RAM存储器结构设计为单元矩阵，每个单元都有唯一的地址，可以随机访问其中的数据，因此得名RAM。

二、RAM的分类根据存储介质和工作方式的不同，RAM可分为多种类型，其中最常见的有静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。

1. 静态RAM（SRAM）静态RAM采用触发器作为存储单元，每个存储单元由6个晶体管组成，它的读取速度非常快且稳定。

SRAM的优点在于在电源供应正常情况下，数据可以一直保持，不需要周期性刷新。

这使得SRAM常用于高速缓存（Cache）和寄存器等需要快速访问和临时存储的场景。

2. 动态RAM（DRAM）动态RAM则采用电容作为存储单元，每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。

相比SRAM，DRAM的存储单元更小，成本更低，但也更加容易受到电容漏电的干扰，因此需要不断刷新（刷新频率通常为2～4 ms）以保持数据的稳定性。

DRAM主要用于主存（Main Memory）中，以满足计算机运行程序和处理数据的需求。

三、RAM的作用和意义RAM作为存储器层次结构中的一环，对计算机的性能起到至关重要的作用。

下面从三个方面阐述RAM的作用和意义。

1. 提高运行效率RAM的快速读取和写入速度，使得计算机能够在短时间内迅速加载数据和执行程序。

相对于硬盘等永久存储设备，RAM的读写速度要快得多，大大提高了计算机的运行效率。