TI与竞争对手的芯片封装交叉参考

MAXIM和TI芯片命名规则

MAXIM和TI芯片命名规则MAXIM命名规则AXIM前缀是“MAX”。

DALLAS则是以“DS”开头。

MAX×××或MAX××××说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。

2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。

3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。

举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器三字母后缀：例如：MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围：C = 0℃至70℃（商业级）I = -20℃至+85℃（工业级）E = -40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M = -55℃至+125℃（军品级）封装类型：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92，MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀：MAXIM公司产品代号2．产品系列编号：100-199 模数转换器600-699 电源产品200-299 接口驱动器／接受器700-799 微处理器外围显示驱动器300-399 模拟开关模拟多路调制器800-899 微处理器监视器400-499 运放900-999 比较器500-599 数模转换器3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55℃至+125℃（军品级）5．封装形式：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGAJ CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列LLCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插 Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92MQUAD /D裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆6．管脚数量：A:8B:10，64C:12，192D:14E:16F:22，256G:24H:44I:28 J:32 K:5，68 L:40M:7，48N:18O:42P:20Q:2，100R:3，84 S:4，80 T:6，160U:60V:8（圆形）W:10（圆形）X:36Y:8（圆形）Z:10（圆形）DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100INDN=工业级S=表贴宽体 MCG=DIP封Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFPAD的命名规则AD常用产品型号命名规则DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。

中国大陆LED外延芯片厂商竞争对手分析

中国大陆LED外延芯片厂商竞争对手分析中国大陆是全球最大的LED外延芯片生产和消费国家之一，拥有众多的外延芯片厂商。

在这个竞争激烈的市场中，几个主要的竞争对手包括：三安光电、中电华成、云南红阳、华星光电。

三安光电是中国大陆最早进入外延芯片制造领域的公司之一，成立于1999年。

目前，三安光电已经成为全球最大的LED外延芯片制造商之一、公司采用的是自主研发和制造的发展战略，使其在产品质量和技术创新方面具有竞争优势。

此外，三安光电还有一系列的专利技术和专利产品，使其在市场上具有一定的竞争力。

中电华成是中国大陆最早的外延芯片制造商之一，成立于1999年。

公司与台湾的元隆电子合作，共同开发生产外延芯片。

中电华成在LED外延芯片制造方面积累了丰富的经验和技术，拥有先进的生产设备和工艺技术。

此外，该公司还与多家国内外大型知名企业进行技术合作，加快了技术升级与产品创新的步伐。

云南红阳是中国大陆领先的LED外延芯片制造商之一，成立于2001年。

公司致力于研发和生产高性能的LED外延芯片，产品广泛应用于照明、显示、电子等领域。

云南红阳在技术创新、产品质量和性能方面具有一定的竞争优势，并且多次获得国家自主创新产品和技术成果奖。

华星光电是中国大陆一家知名的大尺寸显示器制造商，也是LED外延芯片制造商。

公司成立于2004年，拥有国际领先的大尺寸显示器制造技术和生产设备。

华星光电通过与合作伙伴的技术合作，也进入了LED外延芯片领域，并且在研发和生产方面取得了一定的成就。

该公司还与国内外大型照明企业展开合作，开拓了更多的市场机会。

总的来说，中国大陆LED外延芯片厂商之间的竞争非常激烈，每个厂商都在不断提升技术水平和产品质量，寻求创新和突破。

在技术竞争方面，三安光电、中电华成等公司具有较强的研发实力和技术优势；在市场竞争方面，云南红阳、华星光电等公司通过与知名企业的合作，提高了产品知名度和市场份额。

随着中国大陆LED市场的不断发展，竞争对手之间的竞争也将会更加激烈。

半导体和集成电路封装热度量

图表列表
1 对于一个指定封装外形尺寸内，影响 θja的因数。 ....................................................................... 2 2 倍增因数...................................................................................................................... 5 3 针对典型 128 薄型四方扁平 (TQFP) 封装的 Ψjt......................................................................... 8
1.2 测试卡影响
最近，JEDEC 已经建立了一组标准用来测量并报告 IC 封装的散热性能。这些标准全部属于 EIA/JESD 51 项下。 EIA/Semi 也具有一组与 JEDEC 版本完全不同的热标准。由于 θja不是一个常量，所以在尝试一个比较前，确定用来计算或测量 θja的标准就变得十分关键。
在 JEDEC 技术规范内，允许两个测试板类型。一个 1s（单信号层）配置给出了一个针对适度板上组装、多层系统级 PCB 应用的典型使用值。一个 2s2p（双信号层、双隐蔽式电源层）配置给出了一个最佳情况性能估算，假定采用了具有隐蔽式电源和接地层的稀疏板上组装、高走线密度板设计。图 1显示了对于 17 中不同封装类型，针对这两个电路板的 θja差异。请注意，针对这些模型，所有材料和封装几何图形保持恒定。
内容
1 Theta-ja (θja) 结至环境和 Theta-jma (θjma) 结至流动空气 ............................................................... 2 2 Theta-jc (θjc) 结至外壳 ...................................................................................................... 5 3 封装的 Psi-jt (Ψjt) 结至顶部 ................................................................................................ 7 4 Theta-jb (θjb) 结至电路板 ................................................................................................... 9 5 Psi-jb (Ψjb)：结至电路板 .................................................................................................. 11 6 工业应用和商用温度范围 ................................................................................................. 11 7 混合定义 .................................................................................................................... 11 8 参考书目 .................................................................................................................... 12

wifi模块开发芯片选型对比

Wifi模块开发调研本文对几款主流的wifi芯片进行对比，包括TI公司的cc3200，乐鑫的esp8266，联发科的mt7681。

通过了解它们的特点和开发环境等方面的需求，选取适用于自己使用的芯片来进行物联网wifi模块的开发。

1CC32001.1芯片简介CC3200是TI无线连接SimpleLink Wi-Fi和物联网（IoT）解决方案最新推出的一款Wi-Fi MCU，是业界第一个具有内置Wi-Fi的MCU，是针对物联网应用、集成高性能ARM Cortex-M4的无线MCU。

客户能够使用单个集成电路开发整个应用，借助片上Wi-Fi、互联网和强大的安全协议，无需Wi-Fi经验即可实现快速的开发。

CC3200是一个完整平台解决方案，其中包括软件、示例应用、工具、用户和编程指南、参考设计以及TI E2E支持社区。

CC3200采用易于布局的四方扁平无引线（QFN）封装。

有人科技的USR-C322模块采用的是TI的CC3200方案，基于ARM Cortex-M4内核，运行频率高达80MHz；超低功耗：低功耗，在网待机低至3.5mA，深度休眠最低25uA；Simplelink 功能：实现一键联入Wi-Fi网络；另外支持自定义网页、websocket、httpd client等功能。

1.2特点Wi-Fi网络处理器（CC3200）包含一个Wi-Fi片上互联网和一个可完全免除应用MCU处理负担的专用ARM MCU。

Wi-Fi片上互联网包含802.11b/g/n射频、基带和具有强大加密引擎的MAC，可以实现支持256位加密的快速安全的互联网连接。

Wi-Fi片上互联网还包括嵌入式TCP/IP和TLS/SSL协议栈、HTTP服务器和多种互联网协议。

CC3200支持站点、接入点和Wi-Fi直连3种模式，支持WPA2个人和企业安全性以及WPS2。

1.3开发支持官方提供的SDK包含用于CC3200可编程MCU的驱动程序、40个以上的示例应用以及使用该解决方案所需的文档。

TI美信芯片命名规则.

AXIM前缀是“MAX”。

DALLAS则是以“DS”开头。

MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴。

2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级。

3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。

举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃至70℃(商业级I = -20℃至+85℃ (工业级E = -40℃至+85℃ (扩展工业级A = -40℃至+85℃ (航空级M = -55℃至+125℃ (军品级封装类型:A SSOP(缩小外型封装B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP J CERDIP (陶瓷双列直插K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装M MQFP (公制四方扁平封装N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装R 窄体陶瓷双列直插封装(300milS 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300milX SC-70(3脚,5脚,6脚Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆1、 MAXIM 更多资料请参考 MAXIM前缀是“MAX”。

MAXIM和TI芯片命名规则

MAXIM命名规则AXIM前缀是“MAX”。

DALLAS则是以“DS”开头。

MAX×××或MAX××××说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。

2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。

3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。

举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器三字母后缀：例如：MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围：C = 0℃至 70℃（商业级）I = -20℃至 +85℃（工业级）E = -40℃至 +85℃（扩展工业级）A = -40℃至 +85℃（航空级）M = -55℃至 +125℃（军品级）封装类型：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92，MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀：MAXIM公司产品代号2．产品系列编号：100-199 模数转换器600-699 电源产品200-299 接口驱动器／接受器700-799 微处理器外围显示驱动器300-399 模拟开关模拟多路调制器800-899 微处理器监视器400-499 运放900-999 比较器500-599 数模转换器3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至 70℃（商业级）I =-20℃至 +85℃（工业级）E =-40℃至 +85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55℃至 +125℃（军品级）5．封装形式：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGAJ CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列LLCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插 Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92MQUAD/D裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆6．管脚数量：A:8B:10，64C:12，192D:14E:16F:22，256G:24H:44I:28 J:32 K:5，68L:40M:7，48N:18O:42P:20Q:2，100R:3，84 S:4，80T:6，160U:60V:8（圆形）W:10（圆形）X:36Y:8（圆形）Z:10（圆形）DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100INDN=工业级S=表贴宽体 MCG=DIP封Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFPAD的命名规则AD常用产品型号命名规则DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。

竞争分析报告了解半导体行业中的主要竞争对手和竞争策略

竞争分析报告了解半导体行业中的主要竞争对手和竞争策略竞争分析报告：了解半导体行业中的主要竞争对手和竞争策略目录：1. 引言2. 行业概述3. 竞争对手分析4. 竞争策略分析5. 结论6. 参考文献1. 引言竞争分析在现代商业领域中扮演着重要的角色，它可以帮助企业了解市场动态、洞察竞争对手的行动，并为企业制定有效的竞争策略。

本篇报告将针对半导体行业进行竞争分析，旨在了解该行业中的主要竞争对手以及他们采取的竞争策略。

2. 行业概述半导体行业是一种高科技制造业，涉及到电子、通信、计算机等领域。

随着科技的不断进步和市场需求的增长，半导体行业成为了全球经济中的重要组成部分。

该行业的市场规模巨大，竞争激烈。

3. 竞争对手分析在半导体行业中，主要的竞争对手包括英特尔、三星电子、台积电等知名企业。

以下将对这些竞争对手进行分析：3.1 英特尔英特尔作为全球最大的半导体制造商之一，一直以来在该行业占据着重要地位。

该公司通过持续的研发和创新，不断推出先进的处理器和芯片产品。

此外，英特尔还注重与其他企业的合作，通过建立良好的合作关系来拓展市场。

3.2 三星电子三星电子是半导体行业中的重要参与者之一，同时也是全球知名的电子产品制造商。

该公司在半导体领域的优势主要体现在芯片制造和存储技术方面。

通过持续的技术研发和市场推广，三星电子不断提高产品的性能和质量，并且积极寻求与其他企业的合作，以进一步扩大市场份额。

3.3 台积电台积电作为全球领先的合约制造商，在半导体行业中具有重要地位。

该公司通过向其他半导体企业提供制造服务来实现盈利，通过规模化生产和技术持续创新，降低芯片制造成本，同时提供高品质的产品。

台积电的竞争优势主要体现在制造工艺、生产效率和卓越的质量控制上。

4. 竞争策略分析竞争对手在半导体行业中采取了不同的竞争策略，以提升自身在市场中的地位。

以下是主要的竞争策略：4.1 技术创新半导体行业对技术的依赖程度较高，因此技术创新是各竞争对手争夺市场份额的重要手段。

电子元器件的封装

电子元器件的封装1947年晶体管出现之后，其封装的设计随之展开，最早的一批晶体管封装的型号是以TO开头的。

曾经有过一种有着特定的工业或军事应用的金属壳多极管封装TO－39（见图5），有现在最常见的塑料三极管封装TO－92（见图6），还有电子爱好者常用的直插式稳压芯片LM7805所使用的TO－220封装（见图7），还有直引脚贴片式封装的TO—89（见图8），TO 系列封装几乎一统天下了。

1958年美国德州仪器公司（TI）工程师杰克.基尔比发明了集成电路，一些集成电路芯片还仍然使用TO系列封装，但随着集成电路晶片面积越来越大、引脚越来越多，TO封装已经吃不消了。

于是20世纪70年代出现了新的封装设计——双列直插封装（DP）（见图9），我花了好长时间搜索DIP封装的发明者或研发它的公司，可是什么也没找到就连DIP封装发明的准确日期也没找到。

乍看DIP封装好像是一只多脚虫，引脚间距为2.54mm，引脚数量可以从6个到64个，一般用“DIP”字样加上引脚数量表达封装形式，如“DP20”就是有20个引脚的DIP封装。

安装在带有过孔的PCB板上。

从下面这张DIP封装的图片上可以看到；封装中间是集成电路晶片，晶片周围用很细的金属导线把晶片上的接口电极导到封装外的引脚上。

DIP封装有陶瓷和塑料两种封装材料；DP封装坚固可靠，英特尔公司最早生产的4004、8008处理器均采用了DIP封装。

DIP封装一出现几乎就统治了市场，几乎所有的直插式芯片都有DIP封装的产品，直到现在我们还在使用着，你手边的40脚的51单片机就是DIP40封装的。

另外还有一种不常用的芯片封装叫SIP，意思是单列直插封装，现在几乎看不到了，大家知道一下就行了。

DIP封装好是好，可就是太大了，当用于小型手持设备时，DIP封装就显得笨拙了，于是飞利浦公司开发出了SOP小外型封装。

SOP封装（见图10）引脚间距为1.27mm，引脚数在8~44脚，SOP属于表面贴装元器件，无需过孔，可以直接焊在印制电路板表面。

半导体封装互连技术详解

1.引言任何一个电子元件，不论是一个三极管还是一个集成电路（Integrated Circuit, IC），想要使用它，都需要把它连入电路里。

一个三极管，只需要在源极、漏极、栅极引出三根线就可以了，然而对于拥有上百或上千个引脚的超大规模集成电路（Very Large Scale Integration Circuit, VLSI）来说，靠这种类似于手动把连线插到面包板的过程是不可能的。

直接把IC连接到（未经封装的集成电路本体，裸片，Die）电路中也是不可能实现的，因为裸片极容易收到外界的温度、杂质和外力的影响，非常容易遭到破坏而失效。

所以电子封装的主要目的就是提供芯片与其他电子元器件的互连以实现电信号的传输，同时提供保护，以便于将芯片安装在电路系统中。

一般的半导体封装都类似于下面的结构，将裸片安装到某个基板上，裸片的引脚通过内部连接路径与基板相连，通过塑封将内部封装好后，基板再通过封装提供的外部连接路径与外部电路相连，实现内部芯片与外界的连接，就像上面两个图一样，裸Die和封装内部复杂的连接等都埋在里面，封装好后就是对外就是一些规整的引脚了。

不论是多复杂的封装，从黑盒的角度来看其实现的基本功能都是一样的，最简单的就是封装一个分立器件，给出几个引脚；复杂一点想要封装具有多个I/O 接口的IC，以及多个IC一起封装，在封装的发展过程中也发展出了很多封装类型和很多技术，比如扇出技术、扇入技术这些。

这些概念和缩写非常多，尤其是当谈到先进封装（Advanced Packaging）的时候，为了实现高密度集成以及快速信号传输这些需求，不得不在每一个地方都发展一些新的技术，很多情况下会把它们都并入到先进封装技术里来介绍，这有时候会引起一些困惑，这里主要整理一下IC封装里的互连技术。

在IC封装种几种典型的互连技术包括引线键合（Wire Bonding，WB）、载带自动焊（Tape-automated Bonding，TAB）、倒装芯片（Flip Chip，FC）、晶圆级封装（Wafer-Level Packaging，WLP）、以及硅通孔（Through Silicon Via，TSV）。

TI芯片后缀名与封装详解

TI芯片后辍名与封装对照详解TI芯片封装详解TI的芯片众多，芯片的后辍名常引起我们的兴趣，确有点难以理解。

下面将TI的后辍名中表示封装的信息与标准封装的对比贴出来，希望对大家有用。

TI的TLxxx系列产品:后缀CP普通级 IP工业级后缀带D是表贴后缀带MJB,MJG或带/883的为军品级TLC表示普通电压 TLV低功耗电压TMS320系列归属DSP器件, MSP430F微处理器原BB产品命名规则:前缀ADS模拟器件后缀U表贴 P是DIP封装带B表示工业级前缀INA,XTR,PGA等表示高精度运放后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度芯片封装对照D, DW -- 小型集成电路 (SOIC)DB, DL -- 紧缩小型封装 (SSOP)DBB, DGV -- 薄型超小外形封装 (TVSOP)DBQ -- 四分之一小型封装 (QSOP)DBV, DCK -- 小型晶体管封装 (SOT)DGG, PW -- 薄型紧缩小型封装 (TSSOP)FK -- 陶瓷无引线芯片载体 (LCCC)FN -- 塑料引线芯片载体 (PLCC)GB -- 陶瓷针型栅阵列 (CPGA)GKE, GKF -- MicroStar? BGA 低截面球栅阵列封装 (LFBGA)GQL, GQN -- MicroStar Junior BGA 超微细球栅阵列 (VFBGA) HFP, HS, HT, HV -- 陶瓷四方扁平封装 (CQFP)J, JT -- 陶瓷双列直插式封装 (CDIP)N, NP, NT -- 塑料双列直插式封装 (PDIP)NS, PS -- 小型封装 (SOP)PAG, PAH, PCA, PCB, PM, PN, PZ -- 超薄四方扁平封装 (TQFP) PH, PQ, RC -- 四方扁平封装 (QFP)W, WA, WD -- 陶瓷扁平封装 (CFP)卷带包装（芯片在出售时，包装是不一样的，常见包装有载带、盖带、卷带，一般包装越大，单片越便宜）DB 和 PW 封装类型中的所有新增器件或更换器件的名称包括为卷带产品指定的 R。

TI公司常用芯片

功能
红外传感信号处理器十进制BCD同步加法计算器十进制计数器/脉冲分配器 12位二进制串行计数器 CMOS 单路 16 通道模拟多路复用器高速 CMOS 逻辑 8 位串行输入/并行输出移位寄存器 1:9 差动 LVPECL 时钟驱动器可编程 3-PLL 时钟合成器/乘法器/除法器双重4通道模拟多路复用器 4组独立的2输入端4与非门模拟开关低功耗低失调电压双比较器门电路多种波形输出的精密振荡器语音芯片滤波器具有双线接口线接口的 ±0.75°C、远程和本地数字温度传感器电压比较器单电压比较器(可与lm311通用) 双电压比较器集成电路 3 端子负电压稳压器 3 端子 1.5A 可调节正电压稳压器 2.5V 集成参考电路
名称
NE555 BUF634 BLSS0001模块 CD40192be CD4017 CD4040 CD4067 CD74HCT164 CDCVF111 CDCE906 CD4052 CPA228 HEF4011 HEF4066 HAL7393 HCF4511 ICL8038 ISD1820 LTC1068 LM89 LM339 LM86 LM111 LM393 LM78L05 LM317 LM336 LM311 LM7322 TL3016 TLC14 TL431 TLV1117LV33
封装
DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP 贴片贴片 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP 贴片 DIP 贴片 DIP DIP 贴片贴片贴片贴片贴片贴片贴片 8片贴片，1片DIP 贴片
贴片贴片贴片贴片贴片贴片贴片贴片 DIP 贴片贴片 DIP DIP 贴片贴片贴片贴片贴片 DIP DIP 直插 DIP

电子制造中的芯片级封装技术考核试卷

D. QFN
5.以下哪种芯片级封装技术主要用于提高散热性能？（）
A.低温共烧技术
B.热压接技术
C.焊球技术
D.倒装芯片技术
6.在芯片级封装中，下列哪种技术主要用于减小封装尺寸？（）
A.多芯片模块封装
B.系统级封装
C.基板级封装
D.三维封装
7.以下哪种材料在芯片级封装中常用作焊料？（）
A.铅
B.镍
C.铜
4.三维封装技术有助于进一步提高封装密度和集成度，但面临散热、信号完整性、工艺复杂度等挑战。其应用前景广阔，需要不断解决技术难题以实现商业化大规模应用。
5.以下哪些因素会影响芯片级封装的散热性能？（）
A.材料的热导率
B.封装设计
C.焊接质量
D.环境温度
6.以下哪些技术可以用于多芯片模块封装？（）
A.系统级封装
B.三维封装
C.基板级封装
D.单芯片封装
7.在芯片级封装中，哪些因素会影响焊球质量？（）
A.焊料成分
B.焊球直径
C.焊接温度
D.焊接时间
8.以下哪些封装类型适合高频率应用？（）
B.系统级封装
C.基板级封装
D.三维封装
15.芯片级封装中，哪些因素会影响封装的电性能？（}
A.材料的选择
B.封装设计
C.焊接质量
D.封装尺寸
16.以下哪些封装形式在空间受限的应用中具有优势？（}
A. CSP
B. BGA
C. QFP
D. SOP
17.在芯片级封装中，哪些技术有助于提高生产效率？（}
A.焊球技术
C.焊球技术
D.倒装芯片技术
11.以下哪种封装形式在芯片级封装中具有更好的热性能？（）

TI公司提供的元件

TI公司提供的元器件清单目录元器件序号型号芯片上丝印器件封装说明1 CSD17505Q5A Q5A封装，管脚间距1.27毫米N MOS管2 INA128 DIP8 仪表放大器3 INA282AIDR SOIC8管脚间距1.27毫米差分运放4 LP2950-33LPRE3 直插LP封装参考电源5 OPA2134PA和OPA2132 DIP封装运放6 OPA2227PA DIP封装运放7 TLV2372 DIP封装轨到轨运放，低功耗550uA8 TLV5638 SOIC8贴片1.27毫米间距12bit DAC 1M采样率SPI 接口9 TPS5430DDA SOIC8贴片1.27毫米间距开关电源10 TPS54331DR SOIC8贴片1.27毫米间距开关电源11 TPS60400DBVT PFK DBV SOT23-5封装管脚间距0.95毫米5管脚负压产生12 TPS61070DDCR AUH DDC SOT23-5封装管脚间距0.95毫米5管脚升压开关电源13 TPS40210 40210 MSOP10管脚间距0.5毫米boost 型开关电源大功率MOS管外置14 UCC38C43 DIP封装升压开关电源大功率，mos管外置15 UCC27324p DIP封装mos管驱动，适用于电机控制。

4A电流16 ADS7886 BNL DCK封装0.65毫米间距，6管脚12bit 1M采样ADC17 VCA810 SOIC8贴片1.27毫米间距+-40db范围压控增益放大器18 TPS7A4001 DNG封装0.65毫米间距8pins。

7到100V输入的线性稳压器输出电流50mA19 TLC372 DIP封装比较器20 TPS61040 PHOI或者PHPI DBV SOT23-5封装0.95毫米间距5管脚低功耗boost型升压开关电源21 ADS8361 DBQ封装24管脚，0.635毫米间距16bit 500K采样率2加2通道ADC。

TI美信芯片命名规则

AXIM前缀是“MAX”。

DALLAS则是以“DS”开头。

MAX×××或MAX××××说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。

2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。

3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。

举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器三字母后缀：例如：MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围：C = 0℃ 至70℃（商业级）I = -20℃ 至+85℃ （工业级）E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级）A = -40℃ 至+85℃ （航空级）M = -55℃ 至+125℃ （军品级）封装类型：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92，MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆1、 MAXIM 更多资料请参考 MAXIM前缀是“MAX”。

安可与TI共同开发出采用铜柱凸点的倒装芯片封装

４５技术质量体系．
范２００３年５月第１版．２航天专项工程电子元器件标准要求（试
ＫＫ）（１级和航天专项要求不是只针对一种或
几种特定产品的要求，而是一套关于混合集成电路高质量高可靠等级的标准要求。为持续有效地研制、产出满足Ｋ（）和航天专项要求的产生Ｋ１级
焊接帽在内的凸点整体高度为３ — ５ｘ。设想用于ＣＰ及ＰＰＰｃａｅｉＰｃａｅ。０４ｌａｎＳｏ（ａｋｇｌａｋｇ）Ｏ
《集成电路通讯编辑部摘
炼等试验条件均有加严。质量一致性检验则增加
了ｘ射线检查、热性能试验、频振动、态寿命扫稳试验装置监测、除水汽外的其它气体检测、抗辐照和热真空试验等；键合强度、Ｓ温度循环、ＥＤ、抗盐雾等试验条件亦有加严。因此，筛选和质量一致性检验要做的主要工作是按照新增的试验项目、加严的试验条件进行
５结束语
从Ｈ级向Ｋ级发展，混合集成电路技术和是可靠性发展的内在需求。客观上，是一个必然这趋势。另一方面，相关产品和市场的需求呼声也越来越பைடு நூலகம் ，天系统有关院所对在研电路已明确航提出了Ｋ（１级要求和航天专项要求。因此，Ｋ）无
论是从技术发展趋势还是从产品和市场需求来
看，时机地发展Ｋ（１级和航天高可靠电不失Ｋ）
路，十分必要的。都是参考文献

TI芯片资料

目录电源类（1-10）8.CSD19535 (18)9.INA210 (19)10.INA282 (21)1.TPS28225 (2)7.TPS4021 (16)3.TPS54340 (5)4.TPS56528 (9)5.TPS7A1601 (12)6.TPS7A4001 (14)2.UCC27211 (4)高速放大器（11-17）15.LMH6552 (31)12.LMH6703 (25)17.OPA2356 (34)13.OPA2695 (27)16.OPA842 (32)11.THS3201 (23)14.VCA821 (29)精密ADC/DAC （18-21）18.ADS1118 (36)19.DAC7811 (38)20.DAC8571 (41)21.REF3330 (43)精密放大器（22-27）22.INA333 (45)23.INA826 (46)24.OPA192 (48)25.OPA2320 (50)26.OPA2330 (52)27.OPA2376 (53)音频功放（28）28.TPA3112 (55)其他（29-33）30.SN74AUP1G07 (58)29.TLV3501 (57)33.TS12A4515 (62)31.TS5A3159 (61)32.TS5A3166 (62)零一．TPS282258引脚高频4A吸入电流同步MOSFET驱动器描述The TPS28225 and TPS28226 are high-speed drivers for N-channel complimentary driven power MOSFETs with adaptive dead-time control. These drivers are optimized for use in variety of high-current one and multi-phase dc-to-dc converters. The TPS28225/6 is a solution that provides highly efficient, small size low EMI emmissions.The performance is achieved by up to 8.8-V gate drive voltage, 14-ns adaptive dead-time control, 14-ns propagation delays and high-current 2-A source and 4-A sink drive capability. The 0.4-impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold and ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. The bootstrap capacitor charged by an internal diode allows use of N-channel MOSFETs in half-bridge configuration.The TPS28225/6 features a 3-state PWM input compatible with all multi-phase controllers employing 3-state output feature. As long as the input stays within 3-state window for the 250-ns hold-off time, the driver switches both outputs low. This shutdown mode prevents a load from the reversed- output-voltage.The other features include under voltage lockout, thermal shutdown and two-way enable/power good signal. Systems without 3-state featured controllers can use enable/power good input/output to hold both outputs low during shutting down.The TPS28225/6 is offered in an economical SOIC-8 and thermally enhanced low-size Dual Flat No-Lead (DFN-8) packages. The driver is specified in the extended temperature range of –40°C to 125°C with the absolute maximum junction temperature 150°C. The TPS28226 operates in the same manner as the TPS28225/6 other than the input under voltage lock out. Unless otherwise stated all references to the TPS28225 apply to the TPS28226 also.特性Drives Two N-Channel MOSFETs with 14-ns Adaptive Dead TimeWide Gate Drive Voltage: 4.5 V Up to 8.8 V With Best Efficiency at 7 V to 8 V Wide Power System Train Input Voltage: 3 V Up to 27 VWide Input PWM Signals: 2.0 V up to 13.2-V AmplitudeCapable Drive MOSFETs with ≥40-A Current per PhaseHigh Frequency Operation: 14-ns Propagation Delay and10-ns Rise/Fall Time Allow FSW - 2 MHzCapable Propagate <30-ns Input PWM PulsesLow-Side Driver Sink On-Resistance (0.4 ) Prevents dV/dT Related Shoot-Through Current 3-State PWM Input for Power Stage Shutdown Space Saving Enable (input) and Power Good (output) Signals on Same Pin Thermal Shutdown UVLO Protection Internal Bootstrap Diode Economical SOIC-8 and Thermally Enhanced 3-mm x 3-mm DFN-8 Packages High Performance Replacement for Popular 3-State Input Drivers APPLICATIONS Multi-Phase DC-to-DC Converters with Analog or Digital Control Desktop and Server VRMs and EVRDs Portable/Notebook Regulators Synchronous Rectification for Isolated Power Supplies参数零二.UCC27211120V 升压4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器描述UCC27210 和 UCC27211 驱动器基于常见的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但是对性能进行了几项重大改进。

半导体行业如何应对竞争对手和新进入者的挑战

半导体行业如何应对竞争对手和新进入者的挑战随着全球经济的不断发展，半导体行业成为了各国争夺先机的焦点之一。

半导体行业是一个技术密集型的产业，企业需要不断地创新、提高技术水平和降低成本才能在激烈的竞争环境中立于不败之地。

本文将针对半导体行业中竞争对手和新进入者所带来的挑战，介绍半导体行业如何应对这些挑战的策略。

一、竞争对手带来的挑战在半导体行业，竞争对手常常是同行中来自同样国家的其他公司，它们在业务领域、产品定位和服务品质等方面会给企业带来一定的挑战。

挑战一：业务范围重合竞争对手的业务范围与企业重合度高，这就需要企业提高其产品的差异化和唯一性。

应对策略：1. 优化产品品牌和服务品质，加强技术研究和开发，创新技术，使得企业产品和服务得到客户认可并建立起口碑。

2. 凭借高附加值的服务细节如技术支持、售后服务等来吸引客户。

3. 开拓新的市场区域，利用现有的产品和服务占领市场份额。

挑战二：价格竞争竞争对手低价策略的供应产品，给企业带来了经营压力。

应对策略：1. 建立品牌认同度，提供品质优越的产品和服务，争取更多的客户，提高产品壁垒。

2. 降低生产成本，提高生产效率，提高产值达到降价抗衡对手的效果。

3. 发展更为高附加值的半导体产品，使之成为行业内的领导者，以此占领市场份额，实现公司价值。

二、新进入者带来的挑战新进入者是指进入半导体行业的新公司。

这些公司可能在市场领域、产品领域、技术领域等方面对现有企业造成挑战。

挑战一：缺乏技术竞争力新进入者可能在技术领域上缺乏竞争力，仍需要花费大量时间与金钱来投入人力和物资的半导体研发领域。

应对策略：1. 积极招聘半导体领域专业人才，让这些人员为公司的研发提供技术上的部分支持。

2. 建立专业研发团队，通过投入大量投入进入半导体技术研究与升级，以提高企业品牌的交付质量。

3. 进行技术创新，产品差异化，形成独特竞争优势。

挑战二：缺乏市场和零售网络另一个可能使用的挑战是，新进入者在市场暴露和推广方面可能会面临各种挑战。

TI芯片各种封装

1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。

而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。

最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。

现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。

BGA 的问题是回流焊后的外观检查。

现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。

有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。

美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。

2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。

QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。

美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。

引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。

3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。

4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。

例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。

是在实际中经常使用的记号。

5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。

德州仪器(TI)_芯片的命名规则

说明:(A)指产品线代码产品线代码用于区分不同的产品类型，因TI产品线非常广，故同一代码有可能包含一个或多个产品线又或多种代码表示同一种产品线，如例图所示TLV包含电源管理器、运算放大器、数据转换器、比较器、音频转换器等系列产品；SN74LVC为74系列逻辑电路，因工作电平、电压、速度、功耗不同又分为74HC、74LS、74LV、74AHC、74ABT、74AS等系列。

(B)指基本型号基本型号(也称为基础型号)用于区分不同的产品类型，与封装、温度及其它参数无关。

(C)指为产品等级产品等级表示产品工作温度，为可选项。

C=商业级，工作温度范围为0°C至+70°CI或Q=工业级，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C至+85°C、-40°C至+125°C未标识等级代码，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C~+85°C，-55°C~+100°C等。

(D)指产品封装产品封装代码以1-3位数的英文代码表示（BB产品线中存在超过3位数的代码符号），详细封装信息请对照“封装代码对照表”。

(E)指产品包装方式产品包装代码为可选项，TI通用器件中包装方式代码标识为R表示以塑料卷装方式包装，未标识则表示为塑料管装方式包装。

(F)指绿色标记转换：G4绿色标记的转换：从2004 年6 月 1 日开始，当TI 器件/封装组合转换成“环保”复合成型材料时，TI 将把无铅(Pb) 涂层类别中的"e" 更改为"G"。

例如，在实施环保复合成型材料之前，TI 采用NiPdAu 涂层所制造器件的无铅(Pb) 涂层类别为"e4"。

实施后，该无铅(Pb) 涂层类别将更改为"G4"。

（在无铅(Pb) 涂层类别中将"e" 替换成"G" 目前还不属于JEDE C 标准的一部分，但会对TI 产品实施这一步。

TI与竞争对手的芯片封装交叉参考

MAXIM和TI芯片命名规则

中国大陆LED外延芯片厂商竞争对手分析

半导体和集成电路封装热度量

wifi模块开发 芯片选型对比

TI美信芯片命名规则.

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