静电场中的高斯定理
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静电场中的高斯定理
[摘要] 高斯定理是静电学的重要定理,它可以通过数学证明方法得到,同时
要注意高斯面的选择和对高斯定理的理解。
[关键字] 高斯定理 高斯面 证明 注意事项
[内容] 高斯定理是静电学中的一个重要定理,它反映了静电场的一个基本性质,即静电场是有源场,其源就是电荷。可以将其表述为:在静电场中,通过任意闭合曲面的电通量,等于该闭合曲面所包围的电荷的代数和的ε0 分之一,而与闭合曲面外的电荷无关。高斯定理的表达式如下:
⎰
⎰=
⋅=ΦV
e dq 1
d εS
S E
其中,E 表示在闭合曲面上任一dS 面处的电场强度,而EdS 则表示通过面元dS 的电场强度通量,
就表示通过整个闭合曲面S 的电场强度通量,
习惯上称闭合曲面S 为高斯面。由高斯定理可知:静电场是有源的,发散的,源头在电荷所在处,由此确定的电场线起于正电荷,终于负电荷。
下面对于静电场中的高斯定理进行证明: (a )点电荷在球面中心 点电荷q 的电场强度为
r r
q
41
30⋅⋅=πεE
球面的电通量为
2
20S
2
030q
r 4r 4q d r 4q d r r q
41
d εππεπεπε=
⋅⋅==⋅⋅⋅=⋅⎰⎰⎰S
S S E S S (1)
(b )点电荷在任意闭曲面外
闭曲面S 的电通量为
()⎰⎰⎰
⎰++=
++=⋅⋅⋅
=⋅S S
S
S S E zdxdy r
1ydxdz r 1xdydz r 14q
zdxdy ydxdz xdydz r 1
4q d r r
q
41d 3330S 3030
πεπεπε (2)
根据高斯公式
⎰⎰⎰⎰⎰++=⎪⎪⎭⎫
⎝
⎛∂∂+∂∂+∂∂S
V R Q P R Q P dxdy dzdx dydz dxdydz
z y x
(3)
并考虑到3
33r z
r y ,r x ===
R Q P ,在S 内有连续一阶的偏导数,故式(2)可以用高斯公式计算。
将式(2)代入式(3)中得
()⎰⎰⎰⎰
⎰⎰
⎰
=⎥⎥⎥⎥
⎦
⎤⎢⎢
⎢⎢⎣⎡∂⎪⎭⎫ ⎝⎛∂+∂⎪⎭⎫
⎝⎛∂+∂⎪⎭⎫ ⎝⎛∂=
++=
++=⋅⋅⋅
=⋅V 33303330
S 3030
0dxdydz z
r z y
r y x r x 4q zdxdy r
1
ydxdz r 1xdydz r 14q zdxdy ydxdz xdydz r 1
4q d r r
q
41d πεπεπεπεS
S
S
S S E
(c )点电荷在任意闭曲面内
在任意闭曲面S 内以点电荷q 为球心作一辅助球面S 1,其法向朝内,根据(1)式可知点电荷q 在闭曲面S+S 1的电通量为零,即:
q
d d d 0
d d 2
1
1
ε=
⋅-=⋅-=⋅=⋅+⋅⎰⎰⎰⎰⎰S S S
S S
S E S E S E S E S E (4)
其中式(4)中S 1和S 2的大小相等,法向相反。 (d )点电荷系在闭曲面内外
设闭曲面内的点电荷为q 1,q 2,q 3…q n ;闭曲面外的点电荷为q n+1…则根据上述讨论可得
∑∑⎰⎰∑⎰====
⋅=⋅=⋅n
1
i i
n
1
i i n
1
i i
q
1
d d d εS
S S
S
E S
E
S E
这就是高斯定理。
要说明的是,在选择高斯面时注意这几点: 1. 需求场强的场点要在高斯面上;
2. 高斯面上各部分或者与场强E 垂直,或者与场强E 平行,或者与场强E
有恒定的夹角;
3. 各部分高斯上垂直于高斯面的场强的大小应各自为一常值;
4. 高斯面的形状应比较简单。
另外,对于高斯定理还有几点注意:
1. 定理中的E 是指空间某处的总电场强度。若用E 外,E 内 分别表示高斯
面外,内的电荷在高斯面上产生的场,则在该处的总场强E=E 外+E 内; 2. 注意高斯定理表达式中E 和dS 的矢量性; 3.
是高斯面内正、负电荷电量的代数和,不能因为为零就认为闭
合曲面内没有电荷;
4. 由于高斯定理是由点电荷间的相互作用的平方反比定理(2
0r
4πεQ E =
)
得到的,所以高斯定理平方反比定律的必然结果。
高斯定理的一个重要应用,是用来计算带电体周围电场的电场强度。虽然高斯定理的适用范围很广,但用它求带电体的电场分布时有很大的局限性,只对那些电荷分布高度对称的带电体,才能使用高斯定理求场强。
[参考文献]
[1] 张丹海、宏小达,简明大学物理(第二版)[M],北京:科学出版社,2008年第2版
[2] 成都物理晚报(2002)
[3] 籍延坤,大连铁道学院学报[J],2004年9月第25卷第3期:13~15
[4] 袁艳红,新疆教育学院学报[J],2000年12月第16卷第4期:84~85