中性红染色液(0.1%, 常规染色)操作步骤及注意事项
THS4503ID,THS4503IDGN,THS4503IDGK,THS4502IDGK,THS4502CDGNR,THS4502CDGNRG4, 规格书,Datasheet 资料
V IN-V IN+V OCMV S+V OUT+PDV S-V OUT-THS4502THS4503 SLOS352E–APRIL2002–REVISED OCTOBER2011 Wideband,Low-Distortion Fully Differential AmplifiersCheck for Samples:THS4502,THS4503FEATURES DESCRIPTIONThe THS4502and THS4503are high-performance •Fully Differential Architecturefully differential amplifiers from Texas Instruments.•Bandwidth:370MHz The THS4502,featuring power-down capability,and•Slew Rate:2800V/µs the THS4503,without power-down capability,set newperformance standards for fully differential amplifiers •IMD3:-95dBc at30MHzwith unsurpassed linearity,supporting14-bit •OIP3:51dBm at30MHzoperation through40MHz.Package options include •Output Common-Mode Control the8-pin SOIC and the8-pin MSOP withPowerPAD™for a smaller footprint,enhanced ac •Wide Power Supply Voltage Range:5V,±5V,performance,and improved thermal dissipation 12V,15Vcapability.•Centered Input Common-Mode Range•Power-Down Capability(THS4502)•Evaluation Module AvailableAPPLICATIONS•High Linearity Analog-to-Digital ConverterPreamplifier•Wireless Communication Receiver ChainsRELATED DEVICES•Single-Ended to Differential ConversionDEVICE(1)DESCRIPTION •Differential Line DriverTHS4500/1370MHz,2800V/µs,V ICR Includes V S–•Active Filtering of Differential SignalsTHS4502/3370MHz,2800V/µs,Centered V ICRTHS4120/1 3.3V,100MHz,43V/µs,3.7nV√HzTHS4130/1±15V,150MHz,51V/µs,1.3nV√HzTHS4140/1±15V,160MHz,450V/µs,6.5nV√HzTHS4150/1±15V,150MHz,650V/µs,7.6nV√Hz(1)Even numbered devices feature power-down capability.WARNINGThe THS4502and THS4503may have low-level oscillation when the dietemperature(also known as the junction temperature)exceeds+60°C.Thesedevices are not recommended for new designs where the die temperature isexpected to exceed+60°C.For more information,see Maximum Die Temperatureto Prevent Oscillation section.Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of TexasInstruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.PRODUCTION DATA information is current as of publication date.Copyright©2002–2011,Texas Instruments Incorporated Products conform to specifications per the terms of the Texasf - Frequency - MHz-80-920204060- T h i r d -O r d e r I n t e r m o d u l a t i o n D i s t o r t i o n - d B c-74THIRD-ORDER INTERMODULATIONDISTORTION-6280100-68-86-9812101416I M D 3B i t sVTHS4502THS4503SLOS352E –APRIL 2002–REVISED OCTOBER 2011This integrated circuit can be damaged by ESD.Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions.Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure.Precision integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.PACKAGE/ORDERING INFORMATIONORDERABLE PACKAGE AND NUMBERPLASTIC MSOP (1)TEMPERATUREPLASTIC SMALL OUTLINEPLASTIC MSOP PowerPAD (D)(DGN)SYMBOL (DGK)SYMBOL THS4502CD THS4502CDGN BCG THS4502CDGK ATX 0°C to 70°C THS4503CD THS4503CDGN BCK THS4503CDGK ATY THS4502ID THS4502IDGN BCI THS4502IDGK ASX -40°C to 85°C THS4503IDTHS4503IDGNBCLTHS4503IDGKASY(1)All packages are available taped and reeled.The R suffix standard quatity is 2500.The T suffix standard quantity is 250(e.g.,THS4502DT).PIN ASSIGNMENTS2Submit Documentation Feedback Copyright ©2002–2011,Texas Instruments IncorporatedTHS4502THS4503 SLOS352E–APRIL2002–REVISED OCTOBER2011 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSover operating free-air temperature range unless otherwise noted(1)UNITSupply voltage,V S16.5VInput voltage,V I±V SOutput current,I O(2)150mADifferential input voltage,V ID4VContinuous power dissipation See Dissipation Rating Table Maximum junction temperature,T J(3)150°CMaximum junction temperature,continuous operation,long term reliability,T J(4)125°CMaximum junction temperature to prevent oscillation,T J(5)60°CC suffix0°C to70°COperating free-air temperature range,T AI suffix-40°C to85°CStorage temperature range,T stg-65°C to150°C(1)Stresses above these ratings may cause permanent damage.Exposure to absolute maximum conditions for extended periods maydegrade device reliability.These are stress ratings only,and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those specified is not implied.(2)The THS450x may incorporate a PowerPAD on the underside of the chip.This acts as a heatsink and must be connected to a thermallydissipative plane for proper power dissipation.Failure to do so may result in exceeding the maximum junction temperature which could permanently damage the device.See TI technical brief SLMA002for more information about utilizing the PowerPAD thermally enhanced package.(3)The absolute maximum temperature under any condition is limited by the constraints of the silicon process.(4)The maximum junction temperature for continuous operation is limited by package constraints.Operation above this temperature mayresult in reduced reliability and/or lifetime of the device.(5)See Maximum Die Temperature to Prevent Oscillation section in the Application Information of this data sheet.PACKAGE DISSIPATION RATINGSθJCθJA(1)PACKAGE(°C/W)(°C/W)D(8pin)38.397.5DGN(8pin) 4.758.4DGK(8pin)54.2260(1)This data was taken using the JEDEC standard High-K test PCB.RECOMMENDED OPERATING CONDITIONSMIN NOM MAX UNITDual supply±5±7.5Supply voltage VSingle supply 4.5515C suffix070 Operating free-air temperature,T A°CI suffix-4085 Copyright©2002–2011,Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback3THS4502THS4503SLOS352E–APRIL2002–REVISED ELECTRICAL CHARACTERISTICS V S=±5VR f=R g=499Ω,R L=800Ω,G=+1,Single-ended input unless otherwise noted.THS4502AND THS4503TYP OVER TEMPERATURE(1)MIN/ PARAMETER TEST CONDITIONSTYP/0°C to-40°C to25°C25°C UNITS MAX70°C85°CAC PERFORMANCEG=+1,P IN=-20dBm,R f=392Ω370MHz TypG=+2,P IN=-30dBm,R f=1kΩ175MHz Typ Small-signal bandwidthG=+5,P IN=-30dBm,R f=1.3kΩ70MHz TypG=+10,P IN=-30dBm,R f=1.3kΩ30MHz Typ Gain-bandwidth product G>+10300MHz Typ Bandwidth for0.1dB flatness P IN=-20dBm150MHz Typ Large-signal bandwidth V P=2V220MHz Typ Slew rate4V PP Step2800V/µs Typ Rise time2V PP Step0.8ns Typ Fall time2V PP Step0.6ns Typ Settling time to0.01%V O=4V PP8.3ns Typ Settling time to0.1%V O=4V PP 6.3ns Typ Harmonic distortion G=+1,V O=2V PP Typf=8MHz-83dBc Typ 2nd harmonicf=30MHz-74dBc Typf=8MHz-97dBc Typ 3rd harmonicf=30MHz-78dBc TypThird-order intermodulation V O=2V PP,f c=30MHz,R f=392Ω,-94dBc Typ distortion200kHz tone spacingf c=30MHz,R f=392Ω,Third-order output intercept point52dBm TypReferenced to50ΩInput voltage noise f>1MHz 6.8nV/√Hz Typ Input current noise f>100kHz 1.7pA/√Hz Typ Overdrive recovery time Overdrive=5.5V75ns Typ DC PERFORMANCEOpen-loop voltage gain55525050dB Min Input offset voltage-1-4/+2-5/+3-6/+4mV Max Average offset voltage drift±10±10µV/°C Typ Input bias current4 4.65 5.2µA Max Average bias current drift±10±10nA/°C Typ Input offset current0.5122µA Max Average offset current drift±40±40nA/°C Typ INPUTCommon-mode input range±4.0±3.7±3.4±3.4V Min Common-mode rejection ratio80747070dB Min Input impedance107||1Ω||pF Typ OUTPUTDifferential output voltage swing R L=1kΩ±8±7.6±7.4±7.4V Min Differential output current drive R L=20Ω120110100100mA Min Output balance error P IN=-20dBm,f=100kHz-58dB TypClosed-loop output impedancef=1MHz0.1ΩTyp (single-ended)(1)See Maximum Die Temperature to Prevent Oscillation section in the Application Information of this data sheet.4Submit Documentation Feedback Copyright©2002–2011,Texas Instruments IncorporatedTHS4502THS4503 SLOS352E–APRIL2002–REVISED OCTOBER2011 ELECTRICAL CHARACTERISTICS V S=±5V(continued)R f=R g=499Ω,R L=800Ω,G=+1,Single-ended input unless otherwise noted.THS4502AND THS4503TYP OVER TEMPERATURE(1)MIN/ PARAMETER TEST CONDITIONSTYP/0°C to-40°C to25°C25°C UNITS MAX70°C85°COUTPUT COMMON-MODE VOLTAGE CONTROLSmall-signal bandwidth R L=400Ω180MHz Typ Slew rate2V PP step87V/µs Typ Minimum gain10.980.980.98V/V Min Maximum gain1 1.02 1.02 1.02V/V Max Common-mode offset voltage+2-1.6/+6.8-3.6/+8.8-4.6/+9.8mV Max Input bias current V OCM=2.5V100150170170µA Max Input voltage range±4±3.7±3.4±3.4V Min Input impedance25||1kΩ||pF Typ Maximum default voltage V OCM left floating00.050.100.10V Max Minimum default voltage V OCM left floating0-0.05-0.10-0.10V Min POWER SUPPLYSpecified operating voltage±5±8.25±8.25±8.25V Max Maximum quiescent current23283234mA Max Minimum quiescent current23181412mA Min Power supply rejection(±PSRR)80767370dB Min POWER DOWN(THS4502ONLY)Enable voltage threshold Device enabled ON above-2.9V-2.9V Min Disable voltage threshold Device disabled OFF below-4.3V-4.3V Max Power-down quiescent current800100012001200µA Max Input bias current200240260260µA Max Input impedance50||1kΩ||pF Typ Turnon time delay1000ns Typ Turnoff time delay800ns Typ ELECTRICAL CHARACTERISTICS V S=5VR f=R g=499Ω,R L=800Ω,G=+1,Single-ended input unless otherwise noted.THS4502AND THS4503TYP OVER TEMPERATURE(1)MIN/T PARAMETER TEST CONDITIONSYP/M0°C to-40°C to25°C25°C UNITS AX70°C85°CAC PERFORMANCEG=+1,P IN=-20dBm,R f=392Ω320MHz TypG=+2,P IN=-30dBm,R f=1kΩ160MHz Typ Small-signal bandwidthG=+5,P IN=-30dBm,R f=1.3kΩ60MHz TypG=+10,P IN=-30dBm,R f=1.3kΩ30MHz Typ Gain-bandwidth product G>+10300MHz Typ Bandwidth for0.1dB flatness P IN=-20dBm180MHz Typ Large-signal bandwidth V P=1V200MHz Typ Slew rate2V PP Step1300V/µs Typ Rise time2V PP Step0.6ns Typ Fall time2V PP Step0.8ns Typ Settling time to0.01%V O=2V Step13.1ns Typ (1)See Maximum Die Temperature to Prevent Oscillation section in the Application Information of this data sheet.Copyright©2002–2011,Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback5THS4502THS4503SLOS352E–APRIL2002–REVISED ELECTRICAL CHARACTERISTICS V S=5V(continued)R f=R g=499Ω,R L=800Ω,G=+1,Single-ended input unless otherwise noted.THS4502AND THS4503TYP OVER TEMPERATURE(1)MIN/T PARAMETER TEST CONDITIONSYP/M0°C to-40°C to25°C25°C UNITS AX70°C85°CSettling time to0.1%V O=2V Step8.3ns Typ Harmonic distortion V O=2V PP Typf=8MHz,-81dBc Typ 2nd harmonicf=30MHz-60dBc Typf=8MHz-74dBc Typ 3rd harmonicf=30MHz-62dBc Typ Input voltage noise f>1MHz 6.8nV/√Hz Typ Input current noise f>100kHz 1.6pA/√Hz Typ Overdrive recovery time Overdrive=5.5V75ns Typ DC PERFORMANCEOpen-loop voltage gain54514949dB Min Input offset voltage-0.6-3.6/+2.4-4.6/+3.4-5.6/+4.4mV Max Average offset voltage drift±10±10µV/°C Typ Input bias current4 4.65 5.2µA Max Average bias current drift±10±10nA/°C Typ Input offset current0.50.7 1.2 1.2µA Max Average offset current drift±20±20nA/°C Typ INPUTCommon-mode input range1/4 1.3/3.7 1.6/3.4 1.6/3.4V Min Common-mode rejection ratio80747070dB Min Input Impedance107||1Ω||pF Typ OUTPUTDifferential output voltage swing R L=1kΩ,Referenced to2.5V±3.3±2.8±2.6±2.6V Min Output current drive R L=20Ω100908080mA Min Output balance error P IN=-20dBm,f=100kHz-58dB TypClosed-loop output impedancef=1MHz0.1ΩTyp (single-ended)OUTPUT COMMON-MODE VOLTAGE CONTROLSmall-signal bandwidth R L=400Ω180MHz Typ Slew rate2V PP Step80V/µs Typ Minimum gain10.980.980.98V/V Min Maximum gain1 1.02 1.02 1.02V/V Max Common-mode offset voltage2-2.2/6.2-4.2/8.2-5.2/9.2mV Max Input bias current V OCM=2.5V1233µA Max Input voltage range1/4 1.2/3.8 1.3/3.7 1.3/3.7V Min Input impedance25||1kΩ||pF Typ Maximum default voltage V OCM left floating 2.5 2.55 2.6 2.6V Max Minimum default voltage V OCM left floating 2.5 2.45 2.4 2.4V Min POWER SUPPLYSpecified operating voltage516.516.516.5V Max Maximum quiescent current20252931mA Max Minimum quiescent current20161210mA Min Power supply rejection(+PSRR)75726966dB Min6Submit Documentation Feedback Copyright©2002–2011,Texas Instruments IncorporatedTHS4502THS4503 SLOS352E–APRIL2002–REVISED OCTOBER2011 ELECTRICAL CHARACTERISTICS V S=5V(continued)R f=R g=499Ω,R L=800Ω,G=+1,Single-ended input unless otherwise noted.THS4502AND THS4503TYP OVER TEMPERATURE(1)MIN/T PARAMETER TEST CONDITIONSYP/M0°C to-40°C to25°C25°C UNITS AX70°C85°CPOWER DOWN(THS4502ONLY)Enable voltage threshold Device enabled ON above2.1V 2.1V Min Disable voltage threshold Device disabled OFF below0.7V0.7V Max Power-down quiescent current60080012001200µA Max Input bias current100125140140µA Max Input impedance50||1kΩ||pF Typ Turnon time delay1000ns Typ Turnoff time delay800ns TypCopyright©2002–2011,Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback7THS4502THS4503SLOS352E–APRIL2002–REVISED TYPICAL CHARACTERISTICSTable of Graphs(±5V)FIGURESmall signal unity gain frequency response1Small signal frequency response20.1dB gain flatness frequency response3Harmonic distortion(single-ended input to differential output)vs Frequency4,6,12,14 Harmonic distortion(differential input to differential output)vs Frequency5,7,13,15 Harmonic distortion(single-ended input to differential output)vs Output voltage swing8,10,16,18 Harmonic distortion(differential input to differential output)vs Output voltage swing9,11,17,19 Harmonic distortion(single-ended input to differential output)vs Load resistance20Harmonic distortion(differential input to differential output)vs Load resistance21Third order intermodulation distortion(single-ended input to differential output)vs Frequency22Third order output intercept point vs Frequency23Slew rate vs Differential output voltage step24Settling time25,26Large-signal transient response27Small-signal transient response28Overdrive recovery29,30Voltage and current noise vs Frequency31Rejection ratios vs Frequency32Rejection ratios vs Case temperature33Output balance error vs Frequency34Open-loop gain and phase vs Frequency35Open-loop gain vs Case temperature36Input bias and offset current vs Case temperature37Quiescent current vs Supply voltage38Input offset voltage vs Case temperature39Common-mode rejection ratio vs Input common-mode range40 Differential output current drive vs Case temperature41Harmonic distortion(single-ended and differential input to differential output)vs Output common-mode voltage42Small signal frequency response at V OCM43Output offset voltage at V OCM vs Output common-mode voltage44Quiescent current vs Power-down voltage45Turnon and turnoff delay times46Single-ended output impedance in power down vs Frequency47Power-down quiescent current vs Case temperature48Power-down quiescent current vs Supply voltage498Submit Documentation Feedback Copyright©2002–2011,Texas Instruments IncorporatedTHS4502THS4503 SLOS352E–APRIL2002–REVISED OCTOBER2011 Table of Graphs(5V)FIGURESmall signal unity gain frequency response50Small signal frequency response510.1dB gain flatness frequency response52Harmonic distortion(single-ended input to differential output)vs Frequency53,54,61,63 Harmonic distortion(differential input to differential output)vs Frequency55,56,62,64 Harmonic distortion(single-ended input to differential output)vs Output voltage swing57,58,65,67 Harmonic distortion(differential input to differential output)vs Output voltage swing59,60,66,68 Harmonic distortion(single-ended input to differential output)vs Load resistance69Harmonic distortion(differential input to differential output)vs Load resistance70Slew rate vs Differential output voltage step71Large-signal transient response72Small-signal transient response73Voltage and current noise vs Frequency74Rejection ratios vs Frequency75Rejection ratios vs Case temperature76Output balance error vs Frequency77Open-loop gain and phase vs Frequency78Open-loop gain vs Case temperature79Input bias and offset current vs Case temperature80Quiescent current vs Supply voltage81Input offset voltage vs Case temperature82Common-mode rejection ratio vs Input common-mode range83Output drive vs Case temperature84Harmonic distortion(single-ended and differential input)vs Output common-mode range85Small signal frequency response at V OCM86Output offset voltage vs Output common-mode voltage87Quiescent current vs Power-down voltage88Turnon and turnoff delay times89Single-ended output impedance in power down vs Frequency90Power-down quiescent current vs Case temperature91Power-down quiescent current vs Supply voltage92Copyright©2002–2011,Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback9-2024680.11101001000f - Frequency - MHzS m a l l S i g n a l G a i n - d BSMALL SIGNAL FREQUENCY RESPONSE-4-3.5-3-2.5-2-1.5-1-0.500.510.11101001000f - Frequency - MHzS m a l l S i g n a l U n i t y G a i n - d BSMALL SIGNAL UNITY GAIN FREQUENCY RESPONSE-0.5-0.4-0.3-0.2-0.100.11f - Frequency - MHz0.1 d B G a i n F l a t n e s s - d B0.1 dB GAIN FLATNESS FREQUENCY RESPONSE-100-90-80-70-60-50-40-30-20-1000.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-10H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-10H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - V-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - VTHS4502THS4503SLOS352E –APRIL 2002–REVISED OCTOBER 2011TYPICAL CHARACTERISTICS (±5V Graphs)Figure 1.Figure 2.Figure 3.Figure 4.Figure 5.Figure 6.Figure 7.Figure 8.Figure 9.10Submit Documentation Feedback Copyright ©2002–2011,Texas Instruments Incorporated-100-90-80-70-60-50-40-30-20-1000123456H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - V-100-90-80-70-60-50-40-30-20-10H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-1000123456H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - V-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-10H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - V-100-90-80-70-60-50-40-30-20-10012345678910H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - V-100-90-80-70-60-50-40-30-20-10H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - VFigure 10.Figure 11.Figure 12.Figure 13.Figure 14.Figure 15.Figure 16.Figure 17.Figure 18.-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100012345678910H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - V -100-90-80-70-60-50-40-30-20-1040080012001600H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsLOAD RESISTANCER L - Load Resistance - Ω-100-90-80-70-60-50-40-30-20-10H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsLOAD RESISTANCER L - Load Resistance - Ω5001000150020002500300000.51 1.52 2.53 3.54V O - Differential Output Voltage Step - VS R - S l e w R a t e - SLEW RATEvsDIFFERENTIAL OUTPUT VOLTAGE STEPsµV /-100-90-80-70-60-50T h i r d -O r d e r I n t e r m o d u l a t i o n D i s t o r t i o n - d B cTHIRD-ORDER INTERMODULATIONDISTORTIONvsFREQUENCY40302015102030405060T h i r d -O r d e r O u t p u t I n t e r s e p t P o i n t - d B m5055 f - Frequency - MHzTHIRD-ORDER OUTPUT INTERCEPTPOINT vsFREQUENCY607080901004535255101520t - Time - ns- O u t p u t V o l t a g e - VSETTLING TIMEV O-2.5-2-1.5-1-0.500.511.522.55t - Time - ns- O u t p u t V o l t a g e - VSETTLING TIMEV O-3-2-1-1000100200300400500t - Time - ns- O u t p u t V o l t a g e - VLARGE-SIGNAL TRANSIENT RESPONSEV O Figure 19.Figure 20.Figure 21.Figure 22.Figure 23.Figure 24.Figure 25.Figure 26.Figure 27.t - Time - µs0-1-400.10.20.30.40.50.6S i n g l e -E n d e d O u t p u t V o l t a g e - V12OVERDRIVE RECOVERY40.70.80.913-3-5-250-0.5-20.5121.5-1.5-2.5-12.5- I n p u t V o l t a g e - VVI -0.4-0.3-0.2-0.1-1000100200300400500t - Time - ns- O u t p u t V o l t a g e - VSMALL-SIGNAL TRANSIENT RESPONSEV O -6-4-2024600.10.20.30.40.50.60.70.80.91-3-2-10123t - Time - µsS i n g l e -E n d e d O u t p u t V o l t a g e - VOVERDRIVE RECOVERY-I n p u t V o l t a g e - V V IR e j e c t i o n R a t i o s - d BREJECTION RATIOSvsf - Frequency - MHzR e j e c t i o n R a t i o s - d BREJECTION RATIOSvsCASE TEMPERATURECase Temperature - °Cf - Frequency - kHz- V o l t a g e N o i s e -VOLTAGE AND CURRENT NOISEvsFREQUENCYn V /H zV n-70-60-50-40-30-20-10O u t p u t B a l a n c e E r r o r - d BOUTPUT BALANCE ERRORvsFREQUENCYf - Frequency - MHzO p e n -L o o p G a i n - d B OPEN-LOOP GAIN AND PHASEvsFREQUENCYf - Frequency - MHzP h a s e -°O p e n -L o o p G a i n - d BOPEN-LOOP GAINvsCASE TEMPERATURECase Temperature - °CFigure 28.Figure 29.Figure 30.Figure 31.Figure 32.Figure 33.Figure 34.Figure 35.Figure 36.- I n p u t B i a s C u r r e n t -INPUT BIAS AND OFFSET CURRENTvsCASE TEMPERATURECase Temperature - °C- I n p u t O f f s e t C u r r e n t -I I B A µI O S A µV S - Supply Voltage - ±VQ u i e s c e n t C u r r e n t - m AQUIESCENT CURRENTvsSUPPL Y VOLTAGE0.511.522.5-40-30-20-100102030405060708090Case Temperature - °C- I n p u t O f f s e t V o l t a g e - m VINPUT OFFSET VOLTAGEvsCASE TEMPERATUREV O S -150-100-50D i f f e r e n t i a l O u t p u t C u r r e n t D r i v e - m ADIFFERENTIAL OUTPUT CURRENT DRIVEvsCASE TEMPERATURECase Temperature - °C-10Input Common-Mode Voltage Range - V C M R R - C o m m o n -M o d e R e j e c t i o n R a t i o - d BCOMMON-MODE REJECTION RATIOvsINPUT COMMON-MODE RANGEV OC - Output Common-Mode Voltage - VH a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT COMMON-MODE VOLTAGE-3-2-10123SMALL SIGNAL FREQUENCY RESPONSEAT V OCMf - Frequency - MHzS m a l l S i g n a l F r e q u e n c y R e s p o n s e a t V O C M - dB-600-400-2000200400600V OC - Output Common-Mode Voltage - V- O u t p u t O f f s e t V o l t a g e a tOUTPUT OFFSET VOLTAGE AT V OCMvsOUTPUT COMMON-MODE VOLTAGEV O S V O C M - m V-50510********Power-Down Voltage - VQ u i e s c e n t C u r r e n t - m AQUIESCENT CURRENTvsPOWER-DOWN VOLTAGEFigure 37.Figure 38.Figure 39.Figure 40.Figure 41.Figure 42.Figure 43.Figure 44.Figure 45.-1-2-5-3-6-4t - Time - msP o w e r d o w n V o l t a g e S i g n a l - VTURNON AND TURNOFF DELAY TIMESQ u i e s c e n t C u r r e n t - m A-40-30-20-100102030405060708090P o w e r -D o w n Q u i e s c e n t C u r r e n t - m APOWER-DOWN QUIESCENT CURRENTvsCASE TEMPERATURECase Temperature - °C- S i n g l e -E n d e d O u t p u t I m p e d a n c e SINGLE-ENDED OUTPUT IMPEDANCEIN POWER DOWNvsFREQUENCYZ O f - Frequency - MHzi n P o w e r D o w n -Ω0.511.522.533.544.55V S - Supply Voltage - ±VP o w e r -D o w n Q u i e s c e n t C u r r e n t -POWER-DOWN QUIESCENT CURRENTvsSUPPL Y VOLTAGEAµFigure 46.Figure 47.Figure 48.Figure 49.-202468f - Frequency - MHzS m a l l S i g n a l G a i n - d BSMALL SIGNAL FREQUENCY RESPONSE-4-3-2-1010.11101001000f - Frequency - MHzS m a l l S i g n a l U n i t y G a i n - d BSMALL SIGNAL UNITY GAIN FREQUENCY RESPONSE-0.5-0.4-0.3-0.2-0.100.21101001000f - Frequency - MHz0.1 d B G a i n F l a t n e s s - d B0.1 dB GAIN FLATNESSFREQUENCY RESPONSE0.1-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - dB cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-100.1110100H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsFREQUENCYf - Frequency - MHz-100-90-80-70-60-50-40-30-20-1000.511.522.533.544.55H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - V-100-90-80-70-60-50-40-30-20-1000.511.522.533.544.55H a r m o n i c D i s t o r t i o n - d B cHARMONIC DISTORTIONvsOUTPUT VOLTAGE SWINGV O - Output Voltage Swing - VTYPICAL CHARACTERISTICS (5V GRAPHS)Figure 50.Figure 51.Figure 52.Figure 53.Figure 54.Figure 55.Figure 56.Figure 57.Figure 58.。
基本偏差为r-概述说明以及解释
基本偏差为r-概述说明以及解释1.引言1.1 概述在统计学中，基本偏差（或称为"r"）是一种常用的衡量变量间关系强度的指标。
它能够展示两个变量之间的相关性程度，并可用于解释和预测各种现象。
基本偏差（r）的取值范围为-1到1之间，其中1代表完全正相关，-1代表完全负相关，而0则表示没有相关性。
通过计算两个变量之间的基本偏差，可以轻松了解它们之间是否存在线性关系，并进一步探讨这种关系的强度和方向。
基本偏差（r）的计算依赖于协方差和标准差的概念。
协方差衡量了两个变量之间的总体关联程度，而标准差则衡量了变量自身的离散程度。
基本偏差（r）的值可以通过使用统计软件或手动计算的方法得出。
在实际应用中，基本偏差（r）可用于许多领域，包括经济学、金融学、社会学等。
例如，研究人员可以使用基本偏差（r）来研究某些变量之间的关系，以便预测和解释某些现象的出现。
此外，企业和市场分析师也可以利用基本偏差（r）来评估产品销量与市场推广活动之间的关系，从而做出更准确的决策。
总之，基本偏差（r）在统计学中扮演着重要的角色，它能够衡量变量之间的关系，并提供了解变量行为的有用信息。
通过对基本偏差（r）的研究和应用，我们可以更好地理解和解释各种现象，为决策提供更准确的依据。
在接下来的文章中，我们将详细介绍基本偏差（r）的计算方法和应用案例，以期对读者有所启发和帮助。
1.2 文章结构第一点: 引言在引言部分，我们将对基本偏差为r的概念进行简要介绍，以及为什么研究这一主题。
我们将讨论相关的背景信息，以便读者了解本文的主要内容。
第二点: 正文在正文部分，我们将详细探讨基本偏差为r的含义和应用。
我们将介绍该偏差的定义、计算方法和影响因素。
同时，我们将提供实际案例和实证研究来支持我们的讨论，并讨论这些研究结果的现实意义。
2.1 第一个要点在第一个要点中，我们将讨论基本偏差为r的定义和计算方法。
我们将解释每个变量的含义，并介绍如何使用数学公式来计算基本偏差。
医学上的r值
医学上的r值随着疾病的传播范围和速度成为全球关注的焦点，医学界通过研究和分析来揭示一种重要的指标 -- r值。
医学上的r值（R0）是指一种疾病在无免疫保护的人群中每个感染者能够传播给多少个新的人。
通过了解和计算r值，我们可以更好地了解和控制疾病的传播。
1. r值的定义和意义在医学领域中，r值是描述疾病传播能力的一个重要指标。
它表示一个感染者能够在没有人群免疫和干预措施的情况下传播给多少新的人。
这个指标主要依赖于几个关键因素，包括病原体的传播能力、感染者的行为以及社会环境等。
通过计算和分析r值，我们可以更好地了解疾病的传播情况，为制定预防和控制策略提供科学依据。
2. r值的计算方式计算r值需要收集大量的病例数据并进行统计分析。
一种常用的计算方法是使用数学模型来描述病原体的传播过程，例如传染病学中的SIR模型。
在该模型中，人群分为三个类别：易感人群（Susceptible）、感染者（Infected）和康复者（Recovered）。
通过建立这个传染病传播的数学模型，我们可以通过求解微分方程来计算r值。
3. r值与疫情控制r值对于疫情的控制和预测有着重要的指导意义。
当r值大于1时，意味着疫情的传播可能会呈指数增长，需要采取控制措施来减缓传播速度，并避免医疗资源的过度使用。
相反，当r值小于1时，疫情的传播将逐渐减缓，很有可能会消失。
因此，通过监测和控制r值的变化，我们可以及时采取控制措施，有效地应对疫情。
4. r值与疫苗接种疫苗接种是控制疾病传播的重要手段之一。
通过接种疫苗，人们可以获得主动免疫，提高身体对病原体的抵抗力，从而减少感染和传播的风险。
在计算r值时，疫苗覆盖率是一个关键参数。
疫苗覆盖率越高，r值越低，疾病传播的风险就越小。
因此，通过大规模的疫苗接种活动，可以有效地控制和减少疾病的传播。
5. r值与公共卫生策略r值的计算和分析为公共卫生策略的制定提供了重要依据。
根据不同的疾病传播情况和r值的大小，可以采取不同的防控措施。
标准韩国语发音入门
目录1、韩语发音概述2、基本字母发音表3、韩文字罗马拼音拼写对照表4、发音部位侧面图5、母音（21个）6、子音（19个）7、收音（12个）8、特殊发音规则9、子音发音规则速查表韩语发音概说韩国文字的由来韩国使用的语言和文字，深受汉文化的影响。
韩国人在还没发明出自己的文字之前，讲的话虽然是韩语，但是书写的文字则是借用中国的汉字。
结果，当时的社会出现了“说韩语，写汉字”的现象。
由于古时候的韩国，只有贵族和知识分子有受教育的机会。
所以，知识分子可以通过汉字书写和学习，但是平民则是目不识丁。
这样的情形使得贵族（韩国人称为两班）和庶民之间，可以用韩语做口语的沟通，但是若要用文字传递信息，却有着一层隔阂。
到了朝鲜王朝，第四代君王“世宗大王”为了让韩国人拥有专属的文字，使韩国文化得以广泛的延续下去，世宗大王决定要发明韩国的文字，在公元一四四三年创制文字，一四四六年以“训民正音”命名，并正式颁布为韩国的文字。
经过时代的发展，当时颁布的28个基本字母，演变成为今日使用的24个字母，而韩文也慢慢演变为现在所使用的文字型态。
韩文造字及拼音方式① 一个单母音或一个双母音五：오 啊：아 为什么:왜注：当一个子音ㅇ搭配一个母音成字时，子音ㅇ不发音，是个虚字。
②子音加母音 狗：개拼写方式子音ㄱ+母音ㅐ=개那：그ㄱ+母音ㅡ=그 ③子音加母音加子音ㄲ+母音ㅗ+子音ㅊ=꽃 房间: 방拼写方式：子音ㅂ+④母音加子音 龙；茸 용拼写方式：ㅇ+母音ㅛ+子音ㅇ=용注：上面的子音ㅇ是无声虚字，下面ㅇ的是有声子音，发ng的音。
⑤子音加母音科；课과과⑥子音加母音加单子音光광拼写方式：子音ㄱ+双母音ㅘ+子音ㅇ=광⑦子音加母音加双子音生活；人生삶拼写方式：子音ㅅ+母音ㅏ+双子音ㄻ为代表音=삶外面밖拼写方式：子音ㅂ+母音ㅏ+双子音ㄲ代表音为=밖基本字母发音表韩文的40个字母中有24个基本字母，其余的则是基本字母的复合形式。
韩文字罗马拼音拼写对照表在韩语中，由于有些音标使用中西方特殊的音标方式，电脑不容易打出来。
PDS-Kepital -POM - F10-02(ASTM)-KEP
1 !/+,-0.
1 /+,-0.
1 /+ -,-0;,-1 />,-" Value ! % %* ! $6 % % !! % ! ! * !!! ! ! 0 !1 0**1 0%!1 0%%1 0 1
Property Physical
Thermal & '() & +. $
& -
2
KOREA ENGINEERING PLASTICS CO.,LTD.
Test Method Units " +,!- 1 1 !-,-, /+,-01 " /+,-0!
1 !/+,-0!1 /+,-01 /+ -,-0 &,1 />,-" Value ! % 01 %* 0 1 ! 0!1 $6 % % !! % ! ! * !!! ! ! 0*!!1 0*1 01 0*!!!1 01
3
2
# >&2-# & + 7 &(+7 /
+0,, 1
-- !!--
Properties are subject to change with a new knowledge and development.
(完整版)饮料成分表
⑴红牛：白砂糖10。5%，柠檬酸0。20％,苹果酸0.05％，柠檬酸钠0.08％,牛磺酸0。005%，赖氨酸0.002％，肌醇0.002%，咖啡因0。002%，VPP 4g/T，VB6 0。4 g/T，VB12 0。012 g/T，T211红牛香精0.06%。2yDN（
碳酸饮料配方： (新绿产品）`RdB
⑴可乐：白砂糖4％,甜蜜素0.06%，蛋白糖(50倍）0.08%，磷酸0.08%,苯甲酸钠0。02%，E301—1乳化全色可乐香精0。20％。\b+H'’
⑵雪碧:白砂糖4％，甜蜜素0。06%，蛋白糖（50倍）0.08％，柠檬酸0.17％，柠檬酸钠0.06%，苯甲酸钠0.02％，2052-1白柠檬香精0。1％。o_$+9
⑶甜橙：白砂糖4％，甜蜜素0.06%，蛋白糖(50倍)0。08％，柠檬酸0。15％，柠檬酸钠0.03％，苯甲酸钠0.02％，1021乳化甜橙香精0.12％。LP
⑷青苹果:白砂糖6％，甜蜜素0。06%,蛋白糖(50倍)0.04%,柠檬酸0.16%，柠檬酸钠0。03％,食盐0.02%，苯甲酸钠0。02％，1111苹果香精0.1％，2111苹果香精0.02％。&+
⑸菠萝:白砂糖6%，甜蜜素0。06％，蛋白糖(50倍)0.04%，柠檬酸0。16％,柠檬酸钠0。02%，食盐0.03%，苯甲酸钠0。02％，E064—1乳化糖芯菠萝香精0。08%，1062—2乳化菠萝香精0。02％。`
⑹苹果:白砂糖4％，甜蜜素0。05%，蛋白糖(50倍）0.04%，柠檬酸0。12％,柠檬酸钠0.02％，食盐0。03％，苯甲酸钠0.02%，1111苹果香精0.08%，T110 0.03％.Y1Y
⑶葡萄：葡萄原汁10％，白砂糖6%，蛋白糖0.03％，甜蜜素0。05％，柠檬酸0.20％，酒石酸0。05％,柠檬酸钠0.02％,食盐0.03％，C。M。C（FH9)0.03％,黄原胶0。05％，焦糖色素0。04％，1%胭脂红0。1%，T121玫瑰葡萄香精0.07%，2121葡萄香精0.03%"w
0213 Time-varying Mixture GARCH Models and
【单元练】内蒙古兴安盟市高中物理选修1第一章【动量守恒定律】经典测试(含解析)
一、选择题1．如图所示，轻质弹簧下端悬挂一个小球，将小球下拉一定距离后由静止释放（并未超过弹簧的弹性限度），小球上下振动，不计空气阻力，则在连续两次经过平衡位置的过程中，小球（ ）A ．动量的变化量为零B ．所受重力做的功不为零C ．所受重力的冲量不为零D ．所受弹簧弹力的冲量为零C解析：CA ．动量的变化量不为零，设经过平衡位置时的瞬时速度大小为v ，则动量变化量大小为2mv ，所以A 错误；B ．所受重力做的功为零，因为重力做功与路径无关，只决定初末位置的高度差，所以B 错误；C ．重力的冲量不为0，所以C 正确；D ．在连续两次经过平衡位置的过程中，由于弹力方向总是相同的，则所受弹簧弹力的冲量不为零，所以D 错误；故选C 。
2．一个质量是0.2kg 的钢球，以大小为9m/s 的速度水平向右运动，与坚硬的竖直墙壁发生碰撞后，以大小为8m/s 的速度水平向左运动。
若以水平向左方向为正方向，那么碰撞前后钢球的动量变化量是（ ）A ．0.2kg m/s ⋅B ．0.2kg m/s -⋅C ． 3.4kg m/s -⋅D ．3.4kg m/s ⋅ D 解析：D若以水平向左方向为正方向，则初速度09m/s v =-，末速度8m/s v =，因此动量变化 ()00.28kg m/s 0.29kg m/s 3.4kg m/s p mv mv ∆=-=⨯⋅-⨯-⋅=⋅故选D 。
3．如图所示，A 、B 、C 三球的质量分别为m 、m 、2m ，三个小球从同一高度同时出发，其中A 球有水平向右的初速度v 0， B 、C 由静止释放。
三个小球在同一竖直平面内运动，小球与地面之间、小球与小球之间的碰撞均为弹性碰撞，则小球与小球之间最多能够发生碰撞的次数为( )A ．2次B ．3次C ．4次D ．5次B解析：B 由于三球竖直方向的运动情况相同，一定可以发生碰撞，可假设高度无穷大，可看作三球碰撞完成后才落地，A 、B 第一碰撞后水平速度互换，B 、C 发生第二碰撞后，由于B 的质量小于C 的质量，则B 反向；B 、A 发生第三次碰撞后，B 、 A 水平速度互换，A 向左，B 竖直下落，三球不再发生碰撞，所以最多能够发生3次碰撞，故B 正确，ACD 错误。
相对系数r的取值范围
相对系数r的取值范围相对系数(r)是一种用来衡量两个变量之间关系强度的统计指标。
它的取值范围在-1到1之间，可以用来表示两个变量之间的正相关、负相关或无关。
1. 正相关：当两个变量呈现正相关关系时，r的取值范围在0到1之间。
当r接近于1时，表示两个变量之间具有强烈的正相关关系。
如果我们研究身高和体重之间的关系，当身高增加时，体重也会增加。
在这种情况下，r的取值接近于1。
2. 负相关：当两个变量呈现负相关关系时，r的取值范围在-1到0之间。
当r接近于-1时，表示两个变量之间具有强烈的负相关关系。
如果我们研究学习时间和考试成绩之间的关系，当学习时间增加时，考试成绩可能会下降。
在这种情况下，r的取值接近于-1。
3. 无关：当两个变量之间没有线性关系时，r的取值接近于0。
这意味着无论一个变量如何改变，另一个变量都不会受到影响。
在研究人口数量和月均降雨量之间的关系时，这两个变量之间可能没有明显的线性关系。
需要注意的是，相对系数(r)只能衡量线性关系，而不能衡量其他类型的关系。
如果两个变量之间存在非线性关系，则r可能无法准确反映它们之间的关系强度。
相对系数(r)还可以用来判断两个变量之间是否存在相关关系。
当r的绝对值大于0.7时，可以认为两个变量之间存在较强的相关关系；当r 的绝对值在0.3到0.7之间时，可以认为两个变量之间存在中等程度的相关关系；当r的绝对值小于0.3时，可以认为两个变量之间存在较弱或无相关关系。
总结：相对系数(r)是一种用来衡量两个变量之间线性关系强度的统计指标。
它的取值范围在-1到1之间，表示了正相关、负相关或无相关。
当r 接近于1或-1时，表示具有强烈的正相关或负相关关系；当r接近于0时，则表示无相关关系。
需要注意，相对系数只能衡量线性关系，并不能反映其他类型的关联。
根据r的绝对值大小可以判断出不同程度的相关关系。
【最新范文】R语言 实验1 R基础(一)
R语言实验1 R基础(一)一、实验目的:1.熟悉实验报告书的书写要求;2.熟悉R的界面及基本操作。
二、实验内容:1.熟悉R官方网站及下载安装方法;2.熟悉R的界面及菜单功能;3.掌握R的简单操作;4.利用R 软件进行一些简单的数学运算。
练习:要求:①完成练习并粘贴运行截图到文档相应位置(截图方法见下),并将所有自己输入文字的字体颜色设为红色(包括后面的思考及小结),②回答思考题,③简要书写实验小结。
④修改本文档名为“本人完整学号姓名1”,其中1表示第1次实验,以后更改为2,3,...。
如文件名为“1305543109张立1”,表示学号为1305543109的张立同学的第1次实验,注意文件名中没有空格及任何其它字符。
最后连同数据文件、源程序文件等(如果有的话,本次实验没有),一起压缩打包发给课代表,压缩包的文件名同上。
截图方法:法1:调整需要截图的窗口至合适的大小,并使该窗口为当前激活窗口(即该窗口在屏幕最前方),按住键盘Alt键(空格键两侧各有一个)不放,再按键盘右上角的截图键(通常印有“印屏幕”或“Pr Scrn”等字符),即完成截图。
再粘贴到word文档的相应位置即可。
法2:利用QQ输入法的截屏工具。
点击QQ输入法工具条最右边的“扳手”图标,选择其中的“截屏”工具。
)1.访问R的官方网站,了解网站基本框架和内容:2.在镜像网站CRAN下载最新版R安装程序。
选择离自己最近的国内的镜像网站,点击进入其中一个镜像网站后,下载最新版的Windows下的安装程序。
3. 安装R 程序(如果实验电脑已经安装,则可跳过此步骤)。
双击R-3.2.3-win.exe (目前最新版)开始安装。
一直点击下一步,各选项默认。
4. 在R 中进行简单的计算。
实验基本原理与方法:(1) R 的基本界面是一个交互式命令窗口,命令提示符是一个大于号“>”,命令的结果马上显示在命令下面。
(2) R 命令主要有两种形式:表达式或赋值运算(用“<-”表示)。
【单元练】甘肃省兰州第一中学高中物理选修1第一章【动量守恒定律】经典题(专题培优)
一、选择题1．如图是一颗质量50g m =的子弹匀速射过一张扑克牌的照片，子弹完全穿过一张扑克牌所需的时间1t 约为41.010s -⨯，子弹的真实长度为2.0cm （扑克牌宽度约为子弹长度的4倍），若子弹以相同初速度经时间32 1.010s -=⨯t 射入墙壁，则子弹射入墙壁时，其对墙壁的平均作用力约为（ ）A ．4510N ⨯B ．4410N ⨯C ．5510N ⨯D ．5410N ⨯ A解析：A子弹的速度为 234145 2.010m 110m/s 1.010sl l v t --+⨯⨯===⨯⨯ 设墙壁对子弹的平均作用力为F ，则2Ft m v =∆解得334325010kg (0110m/s)510N 1.010sm v F t --∆⨯⨯-⨯===-⨯⨯ 方向与子弹的运动方向相反。
故选A 。
2．如图所示质量为m 的小球从距离地面高H 的A 点由静止开始释放，落到地面上后又陷入泥潭中，由于受到阻力作用到达距地面深度为h 的B 点速度减为零。
不计空气阻力重力加速度为g 。
关于小球下落的整个过程，下列说法中正确的有（ ）A ．小球的机械能减少了mgHB ．小球所受阻力的冲量大于C ．小球克服阻力做的功为mghD ．小球动量的改变量等于所受阻力的冲量B解析：BA ．从A 到B 的过程中小球的机械能减少了()mg H h +，选项A 错误；C ．从A 到B 的过程中小球受到的重力与阻力做功，由动能定理可得f ()0mg Hh W ++=可知小球克服阻力做的功大小等于重力做的功，为()mg H h +，选项C 错误； B ．小球到达地面的速度v 选取向下为正方向，设小球陷入泥潭的过程中的时间为t ，则f 0mgt I mv -=-解得f I mgt =+选项B 正确；D ．小球的初速度与末速度都是0，所以小球的动量的变化量等于0，根据冲量的定义可知，小球受到的阻力的冲量不等于0，选项D 错误。
故选B 。
同步辐射r空间在0到1的峰
同步辐射r空间在0到1的峰峰是一种自然界中常见的地貌现象，它通常是山脉、山岭或山丘的高点，也可以是岛屿或海底山脊的高点。
峰的形成是由于地壳运动和地质作用的结果，它们在地壳板块的碰撞和推移过程中被抬升形成。
峰不仅给人们提供了壮丽的景观，还对地球的气候和生态系统产生重要影响。
而在科学中，峰还有另一个含义，即在函数图像中表示极值的点。
同步辐射r空间在0到1的峰，指的是在同步辐射实验中，通过对r空间（反射角和散射角的平面）的分析，可以找到在0到1之间的峰值。
这些峰值代表了物质的特定结构或性质，通过研究这些峰值的位置、形状和强度，可以揭示物质的微观结构和动力学行为。
同步辐射是一种强度极高且极为明亮的电磁辐射，它通过加速器和磁场产生，并在粒子加速器中的高能束流通过磁铁时产生。
同步辐射具有非常独特的性质，它的波长范围广泛，从红外到X射线，而且具有极高的亮度和极短的脉冲时间。
这使得同步辐射在材料科学、生命科学、物理学和化学等领域中得到广泛应用。
在同步辐射实验中，研究者通常会使用X射线或中子束来照射样品，然后通过检测样品散射的辐射来获得有关样品结构的信息。
当X射线或中子束与样品相互作用时，会发生散射现象，也就是辐射的偏转和散射。
通过测量散射辐射的强度和角度分布，可以得到样品的结构参数和物理性质。
而同步辐射r空间中的峰，就是指在散射辐射的强度-角度分布图中出现的高峰。
这些峰值代表了样品中特定的结构或性质，例如晶体的晶格常数、材料的表面形貌、生物大分子的结构等。
通过分析峰的位置、形状和强度，研究者可以了解样品的微观结构和动力学行为，从而揭示物质的性质和行为。
同步辐射r空间在0到1的峰值的研究对于理解物质的性质和行为具有重要意义。
通过分析峰的特征和分布，可以揭示物质的结构和性质之间的关系，为材料科学和生命科学等领域的研究提供有力支持。
同时，同步辐射实验的高亮度和高分辨率特点，使得研究者能够观察到微观尺度上的细节和变化，从而更深入地了解物质的本质。
吉林省吉林市2024高三冲刺(高考物理)苏教版测试(自测卷)完整试卷
吉林省吉林市2024高三冲刺（高考物理）苏教版测试(自测卷)完整试卷一、单项选择题（本题包含8小题，每小题4分，共32分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）(共8题)第(1)题关于物体惯性，下列说法中正确的是（ ）A．速度大的物体惯性大B．加速度大的物体惯性大C．质量大的物体惯性大D．体积大的物体惯性大第(2)题如图所示，在竖直向下的匀强磁场中，水平U型导体框左端连接一阻值为R的电阻，质量为m、电阻为r的导体棒ab置于导体框上。
不计导体框的电阻、导体棒与框间的摩擦。
ab以水平向右的初速度v0开始运动，最终停在导体框上。
在此过程中（ ）A．导体棒做匀减速直线运动B．导体棒中感应电流的方向为C．电阻R消耗的总电能为D．导体棒克服安培力做的总功小于第(3)题如图所示，质量为0.1kg的小圆环A穿在光滑的水平直杆上。
用长为L =0.8m的细线拴着质量为0.2 kg的小球B，B悬挂在A下方并处于静止状态。
t=0时刻，小圆环获得沿杆向左的冲量，g取10m/s2.，下列说法正确的是（ ）A．小球B做圆周运动B．小球B第一次运动到A的正下方时A的速度最小C．从小球B开始运动到第一次回到A的正下方的过程中，细线对A先做负功再做正功D．从小球B开始运动到第一次回到的正下方的过程中，合力对B的冲量为第(4)题以下对功的说法正确的是（ ）A．滑动摩擦力只能做负功B．静摩擦力一定不做功C．若作用力做正功则它的反作用力一定做负功D．若作用力不做功，它的反作用力可能做负功第(5)题两个固定的等量异种点电荷所形成电场的等势面如图中虚线所示，一带电粒子以某一速度从图中a点进入电场，其运动轨迹为图中实线所示，若粒子只受静电力作用，则下列关于带电粒子的判断正确的是（ ）A．带正电B．速度先变大后变小C．电势能先变大后变小D．经过b点和d点时的速度大小不同第(6)题在匀强磁场中，一个静止的原子核发生了一次α衰变，放出一个α粒子，同时生成一个新核。
辽宁省营口市2024年数学(高考)统编版真题(巩固卷)模拟试卷
辽宁省营口市2024年数学（高考）统编版真题(巩固卷)模拟试卷一、单项选择题（本题包含8小题，每小题5分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）(共8题)第(1)题从甲，乙等五名同学中随机选3人参加社区服务工作，则甲，乙中至少有一人入选的概率为（）A．B．C．D．第(2)题展开式中第3项的系数是（）A．90B．-90C．-270D．270第(3)题椭圆的焦点的坐标为A．，B．，C．，D．，第(4)题在棱长为4的正方体中，点满足，，分别为棱，的中点，点在正方体的表面上运动，满足面，则点的轨迹所构成的周长为（）A．B．C．D．第(5)题已知函数．则“”是“为偶函数”的（）A．充分而不必要条件B．必要而不充分条件C．充分必要条件D．既不充分也不必要条件第(6)题已知是等差数列，，其前10项和，则其公差A．B．C．D．第(7)题已知集合，则（）A．B．C．D．第(8)题设一组数据的方差为0.1，则数据，，，…，的方差为（）A．0.1B．0.2C．0.4D．2二、多项选择题（本题包含3小题，每小题6分，共18分。
在每小题给出的四个选项中，至少有两个选项正确。
全部选对的得6分，选对但不全的得3分，有选错或不答的得0分） (共3题)第(1)题已知函数，则（）A．函数与的图象关于直线对称B．函数与都为增函数，且都为偶函数C．函数与都为增函数，且都为奇函数D．为奇函数，既不是奇函数也不是偶函数第(2)题若，x，y，．，则以下说法正确的有（）A．的最大值为B．的最大值为C．的最大值为0D．恒小于0已知非负函数满足：，则以下不正确的有（）A．B．对称轴为C．D．三、填空（本题包含3个小题，每小题5分，共15分。
请按题目要求作答，并将答案填写在答题纸上对应位置） (共3题)第(1)题已知的内角A，B，C的对边分别为a，b，c，若，则面积的最大值为_________．第(2)题若函数的图像向右平移个单位长度后得到函数的图像，若对满足的，，有的最小值为，则________．第(3)题已知中，内角，AD为内角的平分线（D在边BC上），设和的面积分别为，则的最大值为_________．四、解答题（本题包含5小题，共77分。
黑龙江哈尔滨市2024高三冲刺(高考数学)部编版能力评测(预测卷)完整试卷
黑龙江哈尔滨市2024高三冲刺（高考数学）部编版能力评测(预测卷)完整试卷一、单选题：本题共8小题，每小题5分，共40分 (共8题)第(1)题半径为的球内部装有4个半径相同的小球，则小球半径的可能最大值为．A．B．C．D．第(2)题已知，，，则（）A．B．C．D．第(3)题如图，是边长为4的正三角形，D是BC的中点，沿AD将折叠，形成三棱锥．当二面角为直二面角时，三棱锥外接球的体积为（）A．B．C．D．第(4)题若至少存在一条直线与曲线和均相切，则的取值范围是（）A．B．C．D．第(5)题从甲，乙等五名同学中随机选3人参加社区服务工作，则甲，乙中至少有一人入选的概率为（）A．B．C．D．第(6)题已知、分别为随机事件A、B的对立事件，，，则下列等式错误的是（）A．B．C．若A、B独立，则D．若A、B互斥，则第(7)题已知集合，则（）A．B．C．D．第(8)题设一组数据的方差为0.1，则数据，，，…，的方差为（）A．0.1B．0.2C．0.4D．2二、多选题：本题共3小题，每小题6分，共18分 (共3题)第(1)题已知平面直角坐标系中，，动点满足，点的轨迹为曲线，点到直线的距离的最小值为，下列结论正确的有（）A．曲线的方程为B．C．曲线的方程为D．第(2)题下列说法正确的的有（）A．已知一组数据的方差为3，则的方差也为3B．统计学中用线性相关系数r来衡量两个变量的线性相关性强弱，若r越小，则两个变量之间的线性相关性越弱.C．已知随机变量X服从正态分布，若，则D ．已知随机变量X服从二项分布，若，则第(3)题德国著名数学家狄利克雷第一个引入了现代函数的概念，是解析数论的创始数的发现改变了数学家们对 “函数是连续的”的认识，也使数学家们更加认可函数的对应说定义，关于函数，有以下四个命题，其中真命题是（）A．函数是奇函数B．，，C．函数是偶函数D．，，三、填空题：本题共3小题，每小题5分，共15分 (共3题)第(1)题函数，其中且，若函数是单调函数，则的一个取值为______，若函数存在极值，则的取值范围为______.第(2)题定义：对于函数和数列，若，则称数列具有“函数性质”.已知二次函数图象的最低点为，且，若数列具有“函数性质”，且首项为1的数列满足，记的前项和为，则数列的最小值为__________.第(3)题对于函数，若存在定义域内某个区间，使得在上的值域也是，则称函数在定义域上封闭.如果函数在上封闭，那么实数的取值范围是______.四、解答题：本题共5小题，每小题15分，最后一题17分，共77分 (共5题)第(1)题直线l与锐角的边AB夹角为，如图所示，l的方向向量为，设，，．(1)计算，并由此证明；(2)根据（1）证明，．第(2)题某公司打算引进一台设备使用一年，现有甲、乙两种设备可供选择.甲设备每台10000元，乙设备每台9000元.此外设备使用期间还需维修，对于每台设备，一年间三次及三次以内免费维修，三次以外的维修费用均为每次1000元.该公司统计了曾使用过的甲、乙各50台设备在一年间的维修次数，得到下面的频数分布表，以这两种设备分别在50台中的维修次数频率代替维修次数发生的概率.维修次数23456甲设备5103050乙设备05151515（1）设甲、乙两种设备每台购买和一年间维修的花费总额分别为和，求和的分布列；（2）若以数学期望为决策依据，希望设备购买和一年间维修的花费总额尽量低，且维修次数尽量少，则需要购买哪种设备？请说明理由.第(3)题已知正项等比数列的前项和为，且成等差数列.(1)证明：数列是等比数列；(2)若，求数列的前项和.第(4)题在中，角，，的对边分别为，，，若（1）求角.（2）若，，求的面积.第(5)题设，.(1)若x，y均为锐角且，求z的取值范围；(2)若且，求的值.。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
中性红染色液(0.1%,常规染色)操作步骤及注意事项
货号：G1316
规格：100ml/500ml
产品说明：
中性红是一种弱碱性pH指示剂，变色范围在pH6.4～8.0之间(由红变黄)。
分子式为C15H16N4·HCl，分子量为288.78。
在中性或微碱性环境中，植物的活细胞能大量吸收中性红并向液泡中排泌。
中性红染色液(0.1%,常规染色)是一种组织或细胞染色时常用的可以把细胞核染成红色的染色液，常用于组织或细胞染色中细胞核的红色复染。
操作步骤(仅供参考)：
1、样品处理
a)对于石蜡切片：
二甲苯中脱蜡5～10min。
换用新鲜的二甲苯，再脱蜡5～10min。
无水乙醇5min。
90%乙醇2min。
70%乙醇2min。
蒸馏水2min。
b)对于冰冻切片：
蒸馏水2min。
c)对于培养细胞：
用4%多聚甲醛固定10min以上。
蒸馏水洗涤2min。
换用新鲜的蒸馏水，再洗涤2min。
2、中性红染色
a)对于上述处理好的样品，用中性红染色液(0.1%,常规染色)染色。
b)用蒸馏水或自来水充分洗涤。
c)进行观察和拍照。
注意事项：
1、如果需要脱水、透明和封片处理，还需自备二甲苯，中性树胶或其它封片剂。
如果
样品是石蜡切片，需自备70%和90%乙醇，无水乙醇以及二甲苯。
2、首次使用本试剂时建议先取1~2个样品做预实验。
3、中性红染色液时，可以根据染色结果和要求调整时间。
4、为了您的安全和健康，请穿实验服并戴一次性手套操作。