天津铜铟镓硒太阳能电池组件制成
铜铟镓硒
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池技术综述一、薄膜太阳电池概术铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池由于效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是备受人们关注的一种新型光伏电池产品，经过近30年的研究和发展，其光电转化效率为所有已知薄膜太阳能电池中最高的。
而且其光谱响应范围宽，在阴雨天条件下输出功率高于其他任何种类太阳电池，因而成为最有前途的光伏器件之一。
铜铟镓硒CuInSe2（简称CIS）薄膜材料是属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物直接带隙半导体，光吸收系数达到105量级，薄膜厚度约为1-2μm就能吸收太阳光，其禁带宽度为1.02eV。
通过掺入适量的Ga元素以代替部分的In，成为CuInSe2与CuGaSe2（简称CGS）的固溶半导体CuIn1-xGaxSe2（简称CIGS）。
CIGS电池在制作过程中，通过控制不同的Ga掺入量，其禁带宽度可在1.02-1.67eV范围内调整，这就为太阳能电池的带隙优化提供了很好的途径。
二、国内外研究现状（一）国外研究进展CIGS薄膜太阳电池材料与器件的实验室技术在发达国家趋于成熟，大面积电池组件和量产化开发是CIGS电池目前发展的总体趋势，而柔性电池和无镉电池是近几年的研究热点。
美国国家可再生能源实验室（NREL）在玻璃衬底上利用共蒸发三步工艺制备出最高效率达19.9%的电池。
这种柔性衬底CIGS太阳电池在军事上很有应用前景。
近期，CIGS小面积电池效率又创造了新的记录，达到了20.1%，与主流产品多晶硅电池效率相差无几。
美国NREL和日本松下电器公司在不锈钢衬底上制备的CIGS电池效率均超过17.5%；瑞士联邦材料科学与技术实验室（Empa）的科学家AyodhyaN.Tiwari领导的小组经过多年努力，完善了之前开发的柔性不锈钢衬底太阳能电池，实现了18.7%的效率。
由美国能源部国家光伏中心与日本“新能源和工业技术开发机构（NEDO）”联合研制的无镉CIGS电池效率达到18.6％。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池研究
铜铟镓硒薄膜太阳能电池研究一、本文概述随着全球能源需求的日益增长，传统能源资源的枯竭和环境问题的日益严重，寻找清洁、可再生的能源已成为人类社会发展的迫切需求。
太阳能作为一种无限、无污染的可再生能源，越来越受到人们的关注。
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池作为一种高效、低成本的太阳能电池技术，在近年来得到了广泛的研究和应用。
本文旨在全面深入地探讨铜铟镓硒薄膜太阳能电池的研究现状、发展趋势以及面临的挑战，以期为相关领域的研究者和技术人员提供有益的参考和启示。
本文将对铜铟镓硒薄膜太阳能电池的基本原理和性能特点进行详细介绍，以便读者对其有一个清晰的认识。
然后，本文将重点分析铜铟镓硒薄膜太阳能电池的研究进展，包括材料制备、结构设计、性能优化等方面，以及目前面临的主要问题和挑战。
在此基础上，本文将探讨铜铟镓硒薄膜太阳能电池的未来发展趋势，包括新型材料、新工艺、新技术等方面的研究和应用前景。
本文还将对铜铟镓硒薄膜太阳能电池在可再生能源领域的应用价值和前景进行展望，以期为推动该领域的发展提供有益的参考。
二、铜铟镓硒薄膜太阳能电池的基本原理与结构铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池是一种基于多元金属硫化物吸收层的光伏器件，具有高效、低成本和环境友好等特点。
CIGS太阳能电池的基本原理是光电效应，即太阳光照射到电池表面时，光子被吸收层中的金属硫化物吸收并激发出电子-空穴对，这些载流子在电池内部电场的作用下分离并收集，从而产生光生电流。
透明导电层：通常采用氟掺杂氧化锡（FTO）或铟锡氧化物（ITO）等透明导电材料，用于收集光生电子并传输到外电路。
CIGS吸收层：是电池的核心部分，由铜、铟、镓和硒等元素组成的多元金属硫化物，具有较宽的吸收光谱和较高的光电转换效率。
缓冲层：位于CIGS吸收层与透明导电层之间，通常采用硫化镉（CdS）或硫化锌（ZnS）等材料，用于减少界面复合和提高电池性能。
金属背电极：通常采用铝（Al）或银（Ag）等金属材料，用于收集光生空穴并传输到外电路。
铜铟镓硒 应用场景-概述说明以及解释
铜铟镓硒应用场景-概述说明以及解释1.引言1.1 概述铜铟镓硒（CIGS）是一种复合半导体材料，由铜、铟、镓和硒元素组成。
这种材料具有优异的光电性能和热稳定性，因此在人们的关注下，被广泛应用于太阳能电池领域。
CIGS太阳能电池是一种高效率、薄膜型的太阳能电池。
相较于普通硅太阳能电池，CIGS太阳能电池具有更高的光电转换效率，更好的光吸收能力和较高的能量转换效率。
这使得CIGS太阳能电池在太阳能发电系统中具有更广泛的应用前景。
除了太阳能电池领域，CIGS材料还可应用于其它领域。
例如，在光电器件中，CIGS薄膜可以制成高性能的光电二极管、光探测器和光调制器等。
此外，CIGS材料还可用于制备光电导体、柔性电子器件和光催化剂等。
随着节能环保理念的不断提升，CIGS作为一种绿色材料，逐渐受到人们的关注和重视。
其在太阳能领域的广泛应用和其他领域的潜力开发，将为可再生能源和高效能源利用做出积极的贡献。
本文将针对CIGS材料的应用场景进行深入的探讨和研究。
接下来将重点介绍CIGS在太阳能电池、光电器件和其它领域的应用，以及这些应用的优势和潜在的挑战。
通过对CIGS材料的全面了解，我们能够更好地认识到它在现代科技领域的巨大价值，并推动其在未来的进一步发展和应用。
1.2文章结构2. 正文2.1 应用场景12.2 应用场景22.3 应用场景32.4 应用场景4文章结构部分的内容：本文将从不同的角度介绍铜铟镓硒（CIGS）的应用场景。
首先，将探讨CIGS在太阳能领域的应用，包括光伏发电和太阳能照明系统。
其次，将介绍CIGS在电子设备中的应用，如高性能薄膜晶体管、薄膜电池和柔性显示器。
然后，将介绍CIGS在光催化和光电催化领域的应用，如水分解和有机污染物降解。
最后，将探讨CIGS在传感器和医疗设备中的应用，如生物传感器和人工智能健康监测设备。
通过对这些应用场景的探讨，可以更好地了解CIGS在不同领域中的优势和潜力。
文章1.3 目的部分的内容可以如下所示：目的：本文旨在探讨铜铟镓硒材料的应用场景，进而展示其在不同领域的潜在价值和发展前景。
铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征
S/CdS/ZnO/ZAO/Al，其光电转换效率达到 7.3%（25 ℃, AM 0）。
关键词：铜铟镓硒；薄膜；太阳电池；柔性
中图分类号：TM 914.4
文献标识码：A
文章编号：1002-087 X(2009)05-0406-03
Preparation and property of CuIn1－xGaxSe2 thin film solar cells on flexible substrates
ＺｎＯ∶Ａｌ ｆｉｌｍｓ 高电导 ZnO∶Al（ZAO）薄膜不仅可采用直流磁控溅射 法制备，亦可采用射频直流磁控溅射法制备。两种不同方法制 备的薄膜，不仅形貌不同，其光透过率以及电导性能亦差别很 大。用射频磁控溅射法制备的薄膜其光透过率以及表面电导 性能均优于直流磁控溅射法的，制得的厚度约为 800 nm 的 ZAO 薄膜，其在 550 nm 时光透过率 >88%，表面均匀，结晶良
采用溅射法在柔性金属衬底上制备 Cu-In-Ga 金属预制 膜后，对后硒化法制备 CIGS 吸收层的工艺进行研究。实验表 明，元素分层远不如元素混合溅射形成合金层后再硒化[图 2 （b）]的效果好。因此采用 CuIn 和 CuGa 合金靶溅射，考察比 功率、电流、真空度、靶材与基片的距离、衬底的旋转以及 CuIn、CuGa 靶分时溅射和共溅射等因素对金属预制膜的影 响 ， 在 镀 钼 的 钛 箔 上 制 备 的 Cu-In-Ga 金 属 预 制 膜 厚 度 在 0.8～1.0 mm，薄膜均匀致密，如图 2（a）所示。 ２．２．２ 硒化过程
2009.5 Vol.33 No.5
406
研究与设计
IV特性曲线测试仪测试。
２ 结果与讨论
２．１ 底电极的制备
在柔性衬底上采用溅射方法制备底电极 Mo，如若在较高 氩气压强下制备金属 Mo 层，则可得到与衬底结合良好的底电 极，但电阻较高，不能很好地满足薄膜太阳电池对底电极的电 导要求, 会影响太阳电池的转换效率；若在较低的氩气压强下 制备金属 Mo 层，则得到的底电极电阻小，但与衬底的结合差， 容易剥落、爆皮。因此，我们创新地采用双层膜结构，首先靠近 衬底采用在较高氩气压强下溅射 Mo 使其与衬底有良好附着， 再在较低的氩气压强下溅射 Mo，使其具有高电导率，满足薄 膜太阳电池的要求。在钛箔上制备的 Mo 膜不仅具有良好的表 面形貌，晶粒均匀，表面致密，如图 1(a)所示，且可以保证在后 期的吸收层制备和化学浴法制备缓冲层的过程中保持与衬底 的良好结合, 如图 1(b)所示。依据以上实验结果，优化实验参 数，在钛箔上制备厚度为 0.8～1.0 mm 的均匀致密 Mo 薄膜。
铜铟镓硒
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池技术综述一、薄膜太阳电池概术铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池由于效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是备受人们关注的一种新型光伏电池产品，经过近30年的研究和发展，其光电转化效率为所有已知薄膜太阳能电池中最高的。
而且其光谱响应范围宽，在阴雨天条件下输出功率高于其他任何种类太阳电池，因而成为最有前途的光伏器件之一。
铜铟镓硒CuInSe2（简称CIS）薄膜材料是属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物直接带隙半导体，光吸收系数达到105量级，薄膜厚度约为1-2μm就能吸收太阳光，其禁带宽度为1.02eV。
通过掺入适量的Ga元素以代替部分的In，成为CuInSe2与CuGaSe2（简称CGS）的固溶半导体CuIn1-xGaxSe2（简称CIGS）。
CIGS电池在制作过程中，通过控制不同的Ga掺入量，其禁带宽度可在1.02-1.67eV范围内调整，这就为太阳能电池的带隙优化提供了很好的途径。
二、国内外研究现状（一）国外研究进展CIGS薄膜太阳电池材料与器件的实验室技术在发达国家趋于成熟，大面积电池组件和量产化开发是CIGS电池目前发展的总体趋势，而柔性电池和无镉电池是近几年的研究热点。
美国国家可再生能源实验室（NREL）在玻璃衬底上利用共蒸发三步工艺制备出最高效率达19.9%的电池。
这种柔性衬底CIGS太阳电池在军事上很有应用前景。
近期，CIGS小面积电池效率又创造了新的记录，达到了20.1%，与主流产品多晶硅电池效率相差无几。
美国NREL和日本松下电器公司在不锈钢衬底上制备的CIGS电池效率均超过17.5%；瑞士联邦材料科学与技术实验室（Empa）的科学家AyodhyaN.Tiwari领导的小组经过多年努力，完善了之前开发的柔性不锈钢衬底太阳能电池，实现了18.7%的效率。
由美国能源部国家光伏中心与日本“新能源和工业技术开发机构（NEDO）”联合研制的无镉CIGS电池效率达到18.6％。
铜铟镓硒光吸收系数
铜铟镓硒光吸收系数铜铟镓硒(Copper Indium Gallium Selenide, CIGS)是一种用于太阳能电池的非常有前景的材料。
它具有较高的光吸收系数，使得它在吸收光能方面有着出色的性能。
本文将对铜铟镓硒的光吸收系数进行全面评估，并探讨其在太阳能领域的应用前景。
1. 什么是光吸收系数？光吸收系数(Absorption Coefficient)是一个描述光在材料中被吸收的能力的物理参数。
它表示单位距离内材料吸收入射光能量的减少程度。
在太阳能电池中，光吸收系数越高，材料吸收光能的能力就越强。
2. 铜铟镓硒的光吸收系数铜铟镓硒是一种多晶薄膜太阳能电池材料，其在吸收光能方面表现出色。
根据研究，铜铟镓硒的光吸收系数高达10^5 cm-1数量级，相比其他太阳能电池材料如硅(Si)和钙钛矿等，具有明显优势。
这使得铜铟镓硒能够在较低的厚度下吸收足够的光能，从而降低太阳能电池的成本。
3. 铜铟镓硒的应用前景铜铟镓硒材料因为其高光吸收系数而在太阳能领域内备受关注。
它可以用于制造高效率的薄膜太阳能电池，其电池转换效率可以达到20%以上。
由于铜铟镓硒的光学吸收范围广泛，能够有效吸收太阳光谱中较短波长的光线，因此在弱光条件下仍然具有出色的性能。
铜铟镓硒太阳能电池还具有较好的稳定性和可靠性。
4. 个人观点和理解作为太阳能电池材料的铜铟镓硒，其高光吸收系数使其在光吸收能力方面具有显著优势。
我认为这让铜铟镓硒成为未来可再生能源产业中的重要材料之一。
它的广泛应用前景不仅可以帮助推动太阳能技术的发展，而且可以降低太阳能电池的成本，促进可持续能源的普及和应用。
我对铜铟镓硒的光吸收系数持非常乐观的态度。
总结与回顾：通过对铜铟镓硒光吸收系数的全面评估，我们了解到铜铟镓硒在太阳能电池中具有出色的光吸收能力。
这种材料的高光吸收系数使得铜铟镓硒能够在较低的厚度下吸收足够的光能，并在较弱的光线条件下仍然保持较高的性能。
铜铟镓硒具有广阔的应用前景，可以帮助推动太阳能技术的发展，并减少太阳能电池的成本。
铜铟镓硒太阳能电池
工艺步骤四-高温硒化
真空或氩气环 境下Se高温 蒸发。 Se蒸汽和预 制膜反应生成 CIGS。
CuIn0.7Ga0.3Se2表征
•溅射硒化法优点
• 可以比较精确的调节各元素的化学配比 • 薄膜的致密性高，使用寿命长 • 原材料的利用率高，对不需要沉积薄膜的地方加 以屏蔽，可减少对真空室的污染 • 薄膜均匀性较好，有利于制造大面积CIS电池 • 步骤四应用的固态源硒化法。这一方式可避免使 用剧毒的H2Se气体，因此操作更加安全，设备也 相对简单。
1 光吸收能力强 CIGS太阳能电池由Cu（铜）、In（铟）、 Ga（镓）、Se（硒）四种元素构成最佳比例的 黄铜矿结晶作为吸收层，可吸收光谱波长范围广， 除了晶硅与非晶硅太阳能电池可吸收光的可见光 谱范围，还可以涵盖波长在700~1200nm之间的 红外光区域，即一天内可吸收光发电的时间最长， CIGS薄膜太阳能电池与同一瓦数级别的晶硅太 阳能电池相比，每天可以超出20%比例的总发电 量
• 共蒸发法治铜铟镓硒吸收层的缺点：
薄膜的均匀性比较难控制，材料浪费严重,不能满 足大规模产业化的要求。 薄膜与衬底结合能力差,影响使用寿命 制备符合化学计量比具有黄铜矿结构的多晶薄膜NREL USA NREL USA Empa 瑞士 衬底 玻璃 效率 19.9% 组织 南开 衬底 效率 >13% 柔性不 >9% 锈钢 17%
• 传统硅晶电池：由硅晶体组成,电池主要部 分易碎,易产生隐形裂纹,大多有一层钢化 玻璃作为防护,造成重量大,携带不便,抗震 能力差,造价高,效率或多或少降低 • 薄膜电池：克服了上述缺点，重量轻,厚度 薄.可弯曲,易携带,克服了上述缺点,但并没 有传统硅晶电池转化效率高.
铜铟镓硒（CIGS）具有薄膜光伏的所有优点，性能 稳定、抗辐射能力强，光电转换效率目前是各种薄 膜太阳电池之首，接近于目前市场主流产品晶体硅 太阳电池转换效率，成本却是其1/3。被国际上称为 下一代的廉价太阳电池
铜铟镓硒太阳能电池材料的制备与性能研究
铜铟镓硒太阳能电池材料的制备与性能研究随着人们对可再生能源的需求逐渐增加，太阳能作为一种清洁、可再生的能源得到了广泛关注。
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池因其光电转换效率高、生产成本低等优势逐渐成为研究的热点。
本文将就CIGS太阳能电池材料的制备以及相关性能研究进行探讨。
**1. 制备过程**CIGS太阳能电池的制备通常通过薄膜沉积工艺实现。
一种常见的方法是使用真空蒸发工艺，将铜、铟、镓、硒等多种材料依次蒸发到基底材料上，形成CIGS薄膜。
在薄膜形成后，进行热处理以形成结晶结构并提高其光电特性。
此外，还可以采用溶液法、喷雾法等制备CIGS薄膜，这些方法在提高生产效率和降低制备成本方面具有潜在优势。
**2. 结构与组成**CIGS薄膜通常为多层结构，包括玻璃基底、导电氧化物薄膜、CIGS吸收层、缓冲层和金属载流子层等。
其中，CIGS吸收层是整个太阳能电池的关键部分，其元素配比和结晶质量直接影响电池的性能表现。
**3. 光电性能**CIGS太阳能电池具有良好的光电转换效率，这得益于其近理想的光吸收特性和长寿命的载流子。
通过调节CIGS薄膜的晶格缺陷及优化界面特性，可以改善其光电性能。
此外，研究人员还在探索提高CIGS太阳能电池的稳定性和可靠性，以满足实际应用的需求。
**4. 可持续性发展**CIGS太阳能电池材料的制备及性能研究不仅关乎能源产业的发展，还涉及到环境保护和可持续发展。
相比于传统化石能源，太阳能电池产生的环境影响更小，而CIGS太阳能电池具有更高的能源利用效率，未来有望成为清洁能源的重要组成部分。
**5. 结语**随着能源行业的发展和技术的进步，CIGS太阳能电池材料的制备与性能研究将继续得到更深入的探索和改进。
我们对此持乐观态度，相信CIGS太阳能电池将在未来的能源领域发挥重要作用，为人类社会的可持续发展贡献力量。
浅谈铜铟镓硒薄膜太阳能电池生产线配置
（ ３ ） 穿 越 岩 溶段 时 ， 减 小 冲程 和 悬距 ， 慢 慢 穿过 ， 必 要 时 可 边 冲 溶 充 填 物 中作 骨
架． 稳定充填物。
对 于人 工 填 土 层 中填 石 部位 处 漏 浆 ，回 填 粘 土 至 漏 浆 部
大 块坍 塌 。
溶沟、 溶 槽 及 溶蚀 裂 隙 ： 平 场 时场 地 内填 土层 中存 在 的 大 量 的 填 石 。 由 于 以上 两个 地 质 原 因 ， 冲击成孔过程 中， 将 会 出现 漏 浆 现 象 。 当 出现 漏浆 现 象 时 ， 首先分析漏浆部位 ， 根 据 漏 浆 原
因及 部位 采取 措 施 。
技术交流
￡ ０ １ Ｖ Ｃ Ａ Ｒ Ｂ Ｏ Ｎ ０ Ｒ Ｌ Ｄ ２ ０ １ ３ ／ ３
【 文章编号 】 ２ ０ ９ ５ — ２ ０ ６ ６ （ ２ ０ １ ３ ） ０ ６ — ０ １ ６ ４ — ０ ３
浅谈铜铟镓硒 薄膜太 阳能电池生产线配置
邹 杨（ 信息产业电 子 第十一设计研究院科技工程股份有限公司， 四川 成都６ １ ０ ０ ２ １ ）
动 量 转换 ， 靶材 原子就会被撞 击出来 ， 沉积在玻璃 基板上 ， 进
cigs薄膜太阳能电池的原理及制备
cigs薄膜太阳能电池性能改
04
进及优化
优化设计薄膜结构
优化薄膜厚度
通过调整薄膜厚度，可以优化太阳能电池的光吸收和载流子输运性能。较薄的薄膜可以增 加光吸收，但可能影响载流子的输运效率；较厚的薄膜可以提供更多的载流子输运通道， 但可能降低光吸收。因此，需要找到合适的厚度平衡点，以实现最佳性能。
调整薄膜成分
目前CIGS薄膜太阳能 电池的生产效率相对 较低，影响了其大规 模应用。
环保问题
CIGS薄膜太阳能电池 的生产过程中可能产 生环境污染，需要采 取环保措施降低对环 境的影响。
06
Байду номын сангаас
结论与展望
研究成果总结
高效性能
通过优化薄膜厚度和结构，CIGS薄膜 太阳能电池展现出了高效的性能，其
光电转换效率高达20%以上。
短路电流（ISC）
在零负载条件下，太阳能 电池的最大输出电流。
填充因子（FF）
衡量太阳能电池整体效率 的重要参数，等于最大输 出功率与开路电压和短路 电流乘积之比。
转换效率（η）
太阳能电池将光能转换为 电能的效率，通常以百分 比表示。
cigs薄膜太阳能电池制备方
03
法
真空蒸镀法
原理：真空蒸镀法是一种物理气相沉积技术，其 原理是将待沉积的材料置于真空室中，通过加热 蒸发材料并使其沉积在基底上，形成薄膜。
低成本
相对于传统的硅基太阳能电池，CIGS 薄膜太阳能电池具有较低的生产成本
，有利于大规模应用和推广。
稳定性良好
CIGS薄膜太阳能电池具有良好的热稳 定性和化学稳定性，能够在各种环境 下稳定运行。
应用广泛
CIGS薄膜太阳能电池适用于各种表面 和形状，如建筑、汽车、航空航天等 领域。
铜铟稼硒太阳能电池
1988年，CIS薄膜电池的研究取得了重大进展。ARCO公司(现美国 Shell公司前身)采用溅射Cu、In预置层薄膜后，用H2Se硒化的工艺制备 了转换效率达到14. 1%的CIS电池，电池I--V曲线及各性能参数见图6.3。 ARCO制备的电池采用玻璃衬底/Mo层/CIS/CdS/ZnO顶电极结构，这种 器件结构的设计增大了电池的短路电流密度(Jsc)和填充因子(FF)。其中 缓冲层CdS厚度低于50nm，可以透过大量的光并拓宽了吸收层的光谱响 应，使电池的短路电流密度达到了41mA/cm2。另外，织构ZnO抑制了光 学反射也对Jsc有贡献。ARCO公司的成功使溅射预置层后硒化法和多元 共蒸发法共同成为制备高效率CIS薄膜电池的主流技术。
CIGS薄膜光伏组件发展始于小面积电池效率超过10%以后。很多公司一 直致力于CIGS薄膜电池的产业化发展，并在组件的研制方面取得了很大的 进展. 见图6.5。NREL在小面积电池中绝对领先，瑞典乌勃苏拉大学(ASC) 小组件的研制处于最高水平，2003年19.59cm2的组件效率达到了16.6%。 在这些公司中，美国ARCO SOLAR在大面积CIGS I组件研制中处于领先水 平。1987年，ARCO公司采用溅射金属预制层，用H2Se硒化的两步工艺在 小面积 (3.6cm2)电池效率12.5%的基础上制备大面积组件。在65cm2的面积 上制作14个子电池串联的组件效率为9.7%，在30× 30cm2上制作50个子电 池的组件效率达到9.1% 。此后该公司几经转手，2001年成为美国Shell Solar公司。该公司在溅射后硒化的基础上开发了快速热处理（RTP)技术， 使10× 10cm2组件的效率达到14.7%，2004年制备的60cmX90cm的大面 积组件效率为13. 1%，单片输出功率可到65Wp，达到产业化水平。
铜铟镓硒太阳能电池
• 三步法治铜铟镓硒吸收层优点：
得到表面更加光滑的CIGS薄膜，可以降低CIGS 层与缓冲层的界面态密度，减少了器件的暗电流。 三步法中的富铜过程有利于结晶质量的改善和晶 粒尺寸的增加。（利用液相Cu2-xSe的作用，使 CIGS晶粒重结晶，以形成CIGS大晶粒。） 减少其在Mo背接触的复合，提高了开路电压 。 薄膜前部Ga的梯度变化有利于提高器件在长波波 段区域的量子效率，提高了短路电流。
我们先来看另外一种物质，CuInSe2具成1:1:2，该材料依然具 有黄铜矿结构以及相似的物理和化学性质-再者CuInSe2 甚至可以直接由其化学组成的调变得到,P型(Cu比例大) 或N型"’(In比例大)而不必借助外加杂质以上两者使得 CuInSe2具有非常优良的抗干扰,耐辐射能力0因而没有光辐射引致性能衰退效应,使用寿命长。
与国内外设备厂商分别开发设备与工艺，整体组合集成创新是快速发展的有 效模式。
• 工业量化生产面对的阻碍 原材料In的稀缺性。 缓冲层CdS具有潜在的毒性。无Cd缓冲层 的工艺是目前研发的重点。 制程复杂，投资成本高。
CIGS电池结构改进的探索
• 更换太阳能电池的衬 底 • 采用双面照射。
为了改善背面照射时电池的效 率，可以通过降低吸收层CIGS 的厚度，使得吸收层产生的光 生载流予能够到达异质结的耗 尽区，从而被电场分离，提高 短路电流，从而提高电池的转 换效率。
铜铟 镓硒
薄膜 太阳 能电 池
薄膜太阳能电池目前主要分为非晶硅薄膜太 阳能电池、碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池、 铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池三类。
仅在数年以前，薄膜光伏 技术在光伏产业 中还只能用“微不足道”来形容，但在今 天，其生产份额不断扩张。
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一炉多晶硅产品。
经检验,产品符合国际太阳能和电子级产品的技术要求。
青海省副省长骆玉林说,多晶硅一次性试车投产成功,不但打破了国际多晶硅生产技术壁垒,而且开创了青藏高原生产电子级硅材料的新纪元,这对青海提升产业发展层次,发展高新技术,促进全省工业经济又好又快发展具有重要意义。
多晶硅是电子信息产业必不可少的基础材料,也是太阳能发电光伏产业必需的主要材料。
目前,太阳能在各种能源增速中名列第一,多晶硅国际市场供不应求。
中国目前多晶硅产量仅占世界产量的2%至5%,多晶硅主要依赖进口。
刘广荣 摘
河南首条晶圆生产线投产
据《科技日报》2009年1月12日报道,河南省首条晶圆生产线2008年12月28日在郑州出口加工区晶诚科学园建成投产,自此河南拥有了从芯片设计,芯片制程到封装测试一体化的生产能力。
河南省委书记徐光春专门发信祝贺,代省长郭庚茂出席投产典礼。
作为硅半导体积体电路制作所用硅晶片的晶圆,可加工制作各种电路元件结构,是具有特定电性功能的I C产品。
晶诚科学园项目主要从事8英寸晶圆及相关半导体电子产品的研发、生产制造和销售,计划总投资10亿美元,目前共完成投资20亿元人民币。
被列为河南省和郑州市重点项目。
刚刚竣工投产的晶圆生产线,具备年产3万余片电源管理芯片的能力,产值约2000万美元,产品为电源管理芯片,可广泛应用于信息产业、先进制造业、数字家电业、汽车电子等领域。
刘广荣 摘
天津铜铟镓硒太阳能电池组件制成
据《中国电子报》2009年1月13日报道,在天津滨海新区的“国家863铜铟镓硒太阳能薄膜电池中试基地”,日前成功研制出有效面积为804平方厘米的玻璃衬底铜铟镓硒太阳能电池组件,其光电转换效率为7%。
这一成果表明,我国已基本掌握了制造铜铟镓硒薄膜太阳能电池设备、工艺,以及电池组件制造的主要核心技术,完成了实验室小面积太阳能电池技术向大面积中试技术的跨越,为自主知识产权生产线开发奠定了良好的基础。
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由于铜铟镓硒薄膜太阳能电池具有敏感的元素配比和复杂的多层结构,因此其工艺和制备条件极为苛刻,产业化进程十分缓慢。
多年来德国、日本和美国投入巨资开发,目前只有德国一家公司的15兆瓦生产线真正实现了大规模生产。
经过多年努力,铜铟镓硒太阳能薄膜电池课题组自主开发了一系列薄膜沉积设备,攻克多项技术难关,建立了国际水准的试验平台,并在多方资助下完成了铜铟镓硒薄膜太阳电池中试厂房及各种配套设施建设,突破多项关键技术瓶颈,完成了全套工艺流程的贯通,积累了大量的科学数据和经验。
据介绍,铜铟镓硒太阳能薄膜电池中试基地是由南开大学、天津保税区投资公司与南开大学孙云教授课题组合作建立的。
刘广荣 摘
洛阳年产一万吨多晶硅项目开工
据《科技日报》2009年1月12日报道,2008年12月16日,河南洛阳世纪新源集团股份有限公司投资的年产1万吨多晶硅项目一期工程在伊川开工。
该项目工期3年,投资50亿元,届时将建成年产3000吨物理提纯法多晶硅项目、1000吨三氯氢硅流化床法多晶硅项目、6000吨硅烷流化床法多晶硅项目及配套7250吨硅烷生产项目,为洛阳打造国内最大硅产业基地发挥积极作用。
刘广荣 摘
台湾当局拨款60亿美元援助D RA M 厂商
据金融时报和华尔街日报报道,中国台湾的“经济事务部”已拨款2千亿新台币(折合60亿美元)来救助台湾陷入困境的企业,包括岛内损失惨重的DRAM 制造商。
该报道称,台湾DRAM 厂商南亚科技公司(N anya )正向政府寻求援助。
南亚还希望“政府”对其技术合作伙伴美光科技公司(M icron )一同救助。
南亚和美光在台湾拥有一家合资DRAM 公司。
年月,台湾DR M 制造商力晶()半导体公司提交了一项寻求援助的提案。
该提案还涉及到了其合作伙伴日本的尔必达()存储公
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