对场效应管的测试
场效应管怎么测量好坏
场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。
将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。
方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。
黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。
然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。
然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。
这说明，此场效应管已被触发导通了。
在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。
这说明，此场效应管是完好的。
如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。
一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。
用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。
场效应管的主要参数意义及其测试方法
场效应管的主要参数意义及其测试方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种三端器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的主要参数包括漏极-源极电流（IDSS）、漏极-源极截止电压（VGS(Off)）、漏极电阻（RDS(On)）和跨导（Transconductance），其测试方法主要包括IDSS测试、VGS截止测试、RDS测试和跨导测试。
1.漏极-源极电流（IDSS）：IDSS是指在给定源极-栅极电压下，场效应管的漏极电流。
它反映了场效应管的导通能力，通常单位为毫安（mA）。
IDSS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，将源极-漏极电压保持为0V，测量漏极电流。
2. 漏极-源极截止电压（VGS(Off)）：VGS(Off)是指在给定漏极电流下，场效应管的截止电压。
它反映了场效应管在关闭状态下的电压阈值，通常单位为伏特（V）。
VGS(Off)测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将漏极电流维持在预定值，测量栅极-源极电压。
3.漏极电阻（RDS(On)）：RDS(On)是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的漏极电阻。
它反映了场效应管的导通状态下的电阻情况，通常单位为欧姆（Ω）。
RDS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电阻。
4. 跨导（Transconductance）：跨导是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的斜率。
它反映了场效应管的输入导通能力，通常单位为毫安/伏特（mA/V）。
跨导测试方法为：将场效应管的源极和漏极短接，连接好栅极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电流对应的变化。
场效应管的测量方法
场效应管的测量方法
场效应管的测量方法一般包括以下几个步骤：
1. 确定引脚：首先要确认场效应管的引脚布置，一般有栅极（G）、源极（S）和漏极（D）三个引脚。
2. 确定测试电路：选择适当的测试电路来测量场效应管的性能。
常见的测试电路包括单端共源（Common Source）、单端共漏（Common Drain）和单端共栅（Common Gate）等。
3. 测量电流和电压：在选定的测试电路上，通过恰当的电压源和电流源，分别在引脚上施加适当的电压和电流进行测量。
常用的测量参数有栅极-源极电压（Vgs）、漏极-源极电压（Vds）和漏极电流（Ids）等。
4. 测量曲线：根据测量电流和电压的数据,绘制出I-V特性曲线。
常见的曲线有输入特性曲线和输出特性曲线等。
5. 性能分析：根据测得的曲线数据对场效应管进行性能分析，如确定场效应管的增益、截止频率以及最大功率等。
需要注意的是，在测量场效应管时，要特别注意避免超过场效应管的最大电压和电流规格，以防止损坏设备。
同时，在测量之前也需要对测量电路进行合理的连
接和参数设置。
场效应管检测方法
场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
场效应管检验标准
定
项
目
检验内 容
判定标准
检验方法
CR
MA
MI
外
观
1、引脚无氧化、斑点（以上锡试验良好为允收）
√
手感
2、厂商标志与规格型号是否与样品相符
√
目视、试验
3、引脚垂直、不可变形影响插件作业
√
目视、实装
4、本体上的所有标识是否清晰
√
目 视
特
性
1、按相关的确认单参数测试耐压是否符合标准
√
测试
2、按相关的确认应管
检验标准
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一、目的：为了使场效应管材料达到本厂之品质要求而统一制定判定标准和缺点判定标准。
二、检验工具：1、游标卡尺2、HZ4832晶体管特性图示仪
三、抽样计划按MIL—STD—105E（II）正常抽样，CR＝0 MA＝0.4MI＝1.0
√
测试
3、各尺寸规格（主体、脚径、散热片的孔径、脚长）是否符合样品确认单、脚径、脚长尺寸以实装为主）
√
卡尺、实装
五、检验作业指导（功能检测）：
5.1、选用HZ4832晶体管特性图示仪。
5.2、功能检测：①导通电压（VGS）；②耐压（BVDSS）；
5.3、导通电压检测：
5.3.1、按材料确认单的要求调整：①峰值电压；②功耗电阻；③X轴；④Y轴；⑤阶梯信号；⑥输入档位；⑦电流一电压/级；⑧调零、级/簇旋扭。
5.3.2、将待测试的场效应管插入测试夹的B、C、E孔内。
5.3.3、用手旋转旋扭：测VGS在2-4V时晶体管触发导通，每1格为1V
用万用表测量场效应管
用万用表测量场效应管用万用表测量（试）vmos功率场效应管1、判断引脚极性（电极）万用表复置r×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且互换表笔测试仍—样．表明这—脚为栅极g。
由图1(b)可以窥见，源、漏极之间相等于一个pn结，测量其正、逆向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为依据，白表笔接的是源极(p型)s，白表笔直奔的就是漏极(n型)d，对n导线vmos管推论恰好相反。
通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的，这就是更容易区分凿、源两电极了。
图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档，先短路一下栅－源极，泄压下栅极上感应器的电荷，然后用黑表笔接s，白表笔接d，例如测到的阻值在几千欧，再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大，表明管子凿、源极间pn结是不好的。
②用导线将g、s短路起来，万用表置r×1档，黑表笔接s，红表笔接d，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。
其判断理由是：将g、s极短路并用黑表笔接源极s时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。
③万用表复置r×10档，分别测量g－s、g－d极间的两极向电阻，如果都为无穷大，表明管于是不好的，否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。
对于n导线管互换表笔测试即可。
3、放大能力（跨导）的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。
rdson测试方法
rdson测试方法RDSon测试方法指的是对场效应管（Field Effect Transistor, FET）的导通电阻进行测试的方法。
导通电阻是场效应管的重要性能指标之一，直接影响到其在电子电路中的功耗和热耗散等方面。
场效应管的导通电阻一般分为两个部分：静态导通电阻（RDSon）和动态导通电阻。
静态导通电阻指的是在场效应管处于稳态工作状态下，开关极（Gate）施加一定的电压，从漏极（Drain）到源极（Source）的电流与漏极到源极之间的电压之比。
动态导通电阻则考虑了开关过程中的导通电阻变化。
以下是一种常用的RDSon测试方法：1.实验器材准备：-场效应管样品：要测试的场效应管样品；-直流电源：用于给场效应管样品供电；-示波器：用于观测场效应管的电流和电压波形；-电阻箱：用于搭建负载电路。
2.实验步骤：（1）搭建实验电路：将示波器的探头分别连接到场效应管的漏极和源极上，接地电极连接到场效应管的源极。
连接好后，连接示波器的电流波形和电压波形分别对应的信号线。
（2）给场效应管供电：通过直流电源给场效应管施加一定的电压，确保场效应管处于工作状态。
（3）调整负载电阻：在负载电路中选择适当的电阻，使得场效应管的电流在合适的工作范围内。
（4）观测波形：使用示波器观测场效应管的电流和电压波形，并记录数据。
（5）计算RDSon：根据实测的电流和电压波形数据，可以通过计算得到RDSon的数值。
3.实验注意事项：（1）实验时，应注意选择适当的工作电压和负载情况，以确保场效应管工作在正常范围内。
（2）示波器的选择应具有足够的带宽和采样率，以准确观测场效应管的电流和电压波形。
（3）实验时，应注意对电路进行保护，防止短路故障等情况导致设备损坏。
通过以上测试方法，可以准确测量出场效应管的导通电阻（RDSon），为其在实际电路中的应用提供参考。
在实际应用中，选型时应注意选择合适的场效应管，以满足电路的功耗和性能要求。
场效应管好坏测量方法
场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。
场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能，因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。
本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法，希望能为大家提供一些参考。
首先，我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。
静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。
通过测量这些参数，我们可以初步了解场效应管的基本性能。
漏极电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的电流，它反映了场效应管的导通能力。
饱和电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的最大电流，它反映了场效应管的最大导通能力。
开启电压是指在一定的漏极电流下，场效应管的栅极电压，它反映了场效应管的导通起始点。
通过测量这些参数，我们可以初步判断场效应管的好坏。
其次，我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。
动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。
开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间，它反映了场效应管的开关速度。
导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小，它反映了场效应管的导通能力。
截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率，它反映了场效应管在高频条件下的性能。
通过测量这些参数，我们可以更全面地评估场效应管的好坏。
最后，我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。
温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。
由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响，因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。
通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数，我们可以更准确地评估场效应管的好坏。
综上所述，对场效应管进行好坏测量是非常重要的。
我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。
通过准确的测量和评估，我们可以更好地选择和应用场效应管，从而提高电路的性能和稳定性。
希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。
场效应管的测试方法
场效应管的测试方法
场效应管那可是电子世界的小明星啊！咱先说说咋测试它吧。
嘿，你想知道不？把万用表拨到合适的档位，先测一下各个引脚之间的电阻值。
这就像给场效应管做个体检，看看它有没有啥毛病。
要是电阻值不对头，那可就有问题啦！接着呢，可以给场效应管加个电压，看看它的反应。
这就好比给它点动力，看它能不能跑起来。
在测试的时候可得小心哦，别弄短路了，不然那可就悲剧啦！那安全性和稳定性咋保证呢？你想想，要是不小心把场效应管弄坏了，那多心疼啊！所以一定要仔细操作，按照正确的方法来。
场效应管的应用场景那可多了去了。
就像一个万能小助手，在各种电子设备里都能发挥大作用。
比如在电源电路里，它可以高效地控制电流，让设备稳定运行。
在放大器里呢，它能把小信号放大得超级厉害。
它的优势也很明显啊！功耗低，速度快，这多牛啊！就像一个短跑冠军，跑得又快又省力。
给你举个实际案例吧。
我有个朋友修一台电脑，发现主板上的场效应管坏了。
他按照正确的方法测试了一下，确定是哪个坏了，然后换了一个新的。
嘿，电脑马上就好啦！这效果，杠杠的。
所以啊，场效应管真是个好东西，测试方法也不难，只要小心操作，就能让它发挥大作用。
场效应管好坏测量方法
场效应管好坏测量方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、调制和其他电路中。
在实际应用中，我们经常需要对场效应管进行好坏测量，以确保电路的正常工作。
本文将介绍场效应管好坏测量的方法，希望能够为大家提供一些帮助。
首先，我们可以通过使用万用表来测试场效应管的好坏。
在测试前，需要将场效应管从电路中取下，并清洁引脚，以确保测试的准确性。
然后，将万用表调至二极管测试档位，分别用红表笔和黑表笔连接场效应管的源极和漏极，观察表笔的指示情况。
如果表笔指示正常，说明场效应管工作正常；如果表笔不指示，说明场效应管可能损坏。
接着，再用表笔连接场效应管的栅极和源极，进行同样的测试。
通过这种方法，我们可以初步判断场效应管的好坏。
除了使用万用表进行测试外，我们还可以利用示波器来测试场效应管的好坏。
示波器可以直观地显示电压和电流的变化情况，对于一些特殊情况下的场效应管好坏测试非常有帮助。
在测试时，将示波器的探头连接到场效应管的源极和漏极，然后将输入信号连接到场效应管的栅极，观察示波器屏幕上的波形变化。
如果波形变化正常，说明场效应管工作正常；如果波形变化异常，说明场效应管可能存在问题。
通过示波器的测试，我们可以更加准确地判断场效应管的好坏。
除了以上介绍的两种方法外，还有一些其他的测试方法可以用来判断场效应管的好坏，比如使用专门的场效应管测试仪器进行测试。
不同的测试方法适用于不同的场合，我们可以根据实际情况选择合适的方法进行测试。
总的来说，场效应管好坏的测量方法有多种，每种方法都有其适用的情况。
在实际工作中，我们可以根据需要选择合适的方法进行测试，以确保场效应管的正常工作。
希望本文介绍的方法能够为大家在实际工作中提供一些帮助。
场效应管好坏的简单判断方法
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
测量MOS管好坏方法
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
场效应管测试题
场效应管测试学号：姓名：总分：：一、填空题：1.5分每空，共36分1、场效应管又称极型晶体管，是控制型器件。
2、场效应管有三个电极即：极极极。
3、结型场效应管有两种即结型场效应管与结型场效应管。
4、结型场效应管的转移特性曲线在一定的下，和之间的关系。
5、结型场应管的输出特性曲线是指在一定的下，和之间的关系。
6、场效应管的输出特性曲线可分为三个区即区区区。
7、绝缘栅型场效应管简称管。
可分为增强型和型。
8、焊接场子效应管时，电烙铁必须或。
焊接时，一般应先焊极，再焊极，最后焊极。
9、存放绝缘栅型场效应管时要将，以防感应电动势使栅极击穿。
二、判断正误（正确的打“√”，错误的打“×”）每个3分，共21分1、场效应管也称单极性晶体管。
（）2、N沟道MOS管与NPN型晶体管工作原理相同。
（）3、场效应管是电流控制型器件。
（）4、结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。
（）5、场效应管的跨导反映了△V GS对△I D的控制能力。
（）6、开户电压V T是耗尽型场效应管和重要参数。
（）7、场效应管的输出特性曲线有可调电阻区、放大区和饱和区。
（）三、简答题1、结型场效应管的特性用哪两种曲线表示？以N沟道结型场效应管为例画出它们的示意图。
（10分）2、已知结型场效应管△V GS =0.1V，gm=100μA。
求△I D（10分）3、结型场效应管的漏极与源极能否互换？为什么？（5分）4、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，试判断：（1）该场效应管的类型？（6分）（2）它的夹断电压V GS（off）或开户电压V GS(th)大约是多少？（6分）（3）若是耗尽型它的I DSS大约是多少？（6分）-i-V DS/V。
测量场效应管好坏和极性
用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。
反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS ↓，IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。
但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。
（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。
现在锗合金管已经少见了。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
场效应管好坏测量方法
场效应管好坏测量方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，它在电子设备中起着非常重要的作用。
而要正确地使用场效应管，首先需要了解它的好坏测量方法。
本文将介绍场效应管的好坏测量方法，帮助大家更好地理解和应用这一重要的器件。
首先，我们需要了解场效应管的工作原理。
场效应管是一种三端器件，由栅极、漏极和源极组成。
它的工作原理是通过控制栅极电场的强弱来调节漏极和源极之间的电流，从而实现信号放大、开关控制等功能。
因此，场效应管的好坏测量方法主要是通过测试其参数来判断其性能是否正常。
其次，我们需要了解场效应管的常见参数。
常见的场效应管参数包括漏极-源极电流（IDSS）、栅极-源极电压（VGS）、漏极-源极饱和电压（VDS）、跨导（gm）等。
这些参数可以通过测试仪器进行测量，从而判断场效应管的好坏。
接下来，我们将介绍场效应管好坏测量的具体方法。
首先是通过静态工作点测试来判断场效应管的好坏。
静态工作点测试是通过测试场效应管在特定工作状态下的电流、电压等参数来判断其性能是否正常。
通过合理选择测试电路和测试仪器，可以得到准确的参数值，从而判断场效应管的好坏。
另外，还可以通过动态测试方法来判断场效应管的好坏。
动态测试是通过施加不同的信号或脉冲来测试场效应管的响应特性，从而判断其性能是否正常。
通过观察场效应管的输出波形、频率响应等参数，可以得到对其好坏的判断。
除了以上方法，还可以通过比较测试来判断场效应管的好坏。
比较测试是通过将待测场效应管与已知好坏的对照器件进行比较，从而判断其性能是否正常。
通过对比两者的参数值、响应特性等，可以得到对待测场效应管好坏的判断。
总之，场效应管的好坏测量方法是通过测试其参数、工作状态和响应特性来判断其性能是否正常。
通过合理选择测试方法和测试仪器，可以准确地判断场效应管的好坏，从而保证电子设备的正常工作。
希望本文的介绍能够帮助大家更好地理解和应用场效应管，提高电子设备的性能和可靠性。
图解：数字式万用表检测场效应管
图解：数字式万用表检测场效应管场效应管与普通的三极管检测方法有很大区别。
由于常用的MOS场效应管的D-S极之间都有一个阻尼二极管，因此可以采用数字式万用表的二极管挡来检测D-S极之间的二极管压降，从而判断场效应管的性能，检测方法如下。
将数字式万用表的挡位开关拨至二极管挡，红表笔接S极、黑表笔接D极，此时万用表的屏幕上会显示出D-S极之间二极管的压降值，大功率场效应管的二极管压降值通常在0.4～0.8V之间，小功率场效应管的二极管压降值通常为0.5 5V左右；黑表笔接S极、红表笔接D极以及G极，与其他各引脚之间均应该无压降（以N沟道场效应管为例，P沟道场效应管应该是红表笔接D极、黑表笔接S极才有压降值）。
反之，则说明场效应管已经损坏。
在维修中，场效应管通常为击穿损坏，这时各引脚之间通常呈短路状态，因此各引脚间的压降值也通常为0V。
常用的贴片封装大功率场效应管5N03检测示意图分别如图1、图2所示。
图1 红表笔接S极、黑表笔接D极测量结果图2 红表笔接D极、黑表笔接S极测量结果常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图如图3所示。
图3 常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图如图4所示。
图4 常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图在代换场效应管时，主要应该考虑如下参数：最大漏极功耗PDM（相当于普通三极管的PCM）、极限漏极电流ID、最大漏源电压VDS、导通电阻RDS（ON）。
除了考虑以上参数外，还要考虑引脚排列是否一致，因为场效应管的型号前缀字母与数字即使完全一致，只要后缀字母不相同，则引脚排列也可能不一致，如显示器中常用的行推动管BSP254与BSP254A，引脚排列就完全不一致。
在维修工作中，还要注意绝对不能用N沟道的场效应管代换P沟道的场效应管，反之也一样。
利用数字式万用表不仅能判定场效应管的电极、还可以测量管子的跨导（放大系数）。
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场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、 判定栅极（红表笔接表内电池的负极，黑表笔接表内电池的正极）
用万用表黑表笔碰触管子的栅极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
若要区分，则可根据在源—漏之间有一个PN结，通过测量PN结正、反向电阻存在差异，识别S极与D极。
将万用表拨到R×100档，用交换表笔法测两次电阻，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻。
此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、 估测场效应管的放大能力
将万用表拨到R×100档，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。
这时表针指示出的是D-S极间电阻值。
然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
由于管子的放大作用，UDS和ID 都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。
少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS 增大，表针向左摆动。
无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测MOS管。
为了保护MOS场效应管，必须用手握住金属杆，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。