封装引脚资料
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
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8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。
ULN2003A引脚图及功能
在ULN2003A引脚图及功能ULN2003A引脚图及功能2008-01-08 18:57ULN2003管脚排列如下图所示：ULN2003的内部结构和功能ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。
它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。
ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。
用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。
采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。
通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。
ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。
比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。
uln2003的作用：ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。
可直接驱动继电器等负载。
输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。
ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。
该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。
ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
ULN2003A引脚图及功能ULN2003 是高耐压、大电流、内部由七个硅NPN 达林顿管组成的驱动芯片。
经常在以下电路中使用，作为：1、显示驱动2、继电器驱动3、照明灯驱动4、电磁阀驱动5、伺服电机、步进电机驱动等电路中。
各个引脚的封装
1、BGA(ballgridarray)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为3 1mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。
而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。
BGA的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的Cer dip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。
CA3140中文资料-引脚图及功能
CA3140中文资料-引脚图及功能时间：2009-05-18 15:37:03 来源：资料室作者：CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140BiMOS运算放大器功能保MO SFE T的栅极（P MO S 上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。
操作电源电压从4V 至36V （无论单或双电源),它结合了压电PM OS 晶体管工高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放.应用范围:•单电源放大器在汽车和便携式仪表•采样保持放大器•长期定时器•光电仪表•探测器•有源滤•比较器•TTL 接口•所有标准运算放大器的应用•函数发生器•音调控制•电源•便携式仪器•入侵报警系统图1 金属罐形及引脚图图2 塑料封装引脚功能表:引脚号功能脚号能图3 CA 314 0内部方框图图4 CA 3140内部电路图极限参数： 直流电源电压（V +和V -端子）36V 大存储温度范围65℃ to 15℃θJA is mea sure d with the compon ent mou nted on an eval uati on PC boa rd in free air.2. Sho rt circ uit may be appl ied to gro und or to eith er sup ply.电气规格VSU PPL Y=±15V ,TA= 25℃ort Cir cui t Cur ren t to Op pos ite Su ppl y 短路电流相反供应M+ urc e 拉(电流)电气规格的设备设计VSU PPL Y = ±15V, TA = 25℃ PA RA ME TE R 参数SYMB OL 符号 3140数值3140A 数值IT 单位最小 典型 最大 最小 典型 最大Inp ut Off set Vol tag e 输入失调电|VI O| - 5 15 -2 5 mV压Inp ut Off set Cur ren t 输入失调电流|II O| - 0.5 30 - 0.5 20 p AInp ut Cur ren t 输入电流II - 10 50 - 10 40 p ALar ge Sig nal Vol tag e Gai n 大信号电压增益(注3)(见图AO L 20 100- 20 100-kV/V29)86 100 -86 10-dBCo m mo n Mo de Rej ecti on Rat io 共模抑制比(见图34)CMRR-32 32-32 32μV/V70 90 -70 90 -dBCo m mo n Mo de Inp ut Vol tag e Ra ng e共模输VICR-15 -15.5to+12.511 -15 -15.5to+12.512 V电压范围(见图16A16B)Po we r-SupplyRejectionRatio,ΔVIO/ΔVS电源抑制比(见图36) PS RR-100 150 - 100 150 μV/V76 80 - 76 80 -dB Ma x OutputVolVO M+ +1213 - +12 13 -Ve 最大输出电压(注4)(见图2，16 A 16 B)VO M--14-14.4--14-14.4-VSupplyCurrent电源电流(见图32)I+ - 4 6 - 4 6 mADe vic e Dis sip ati on 耗散功PD -1218-1218mWΔVIO/ΔT -8 -- 6 -μV/℃Input OffsetVoltageTemperatureDrift 输入失调电压温度漂移3. At Vo = 26VP-P, +12V, -14V and RL = 2kΩ.。
2.1_引脚式封装
封装的必要性
LED芯片只是一块很小的固体，它的两个 电极要在显微镜下才能看见，加入电流之后他
才会发光。
在制作工艺上，除了要对LED芯片的两
个电极进行焊接，从而引出正极、负极之外，
同时还需要对LED芯片和两个电极进行保护。
LED封装解决的问题
电学：电极连接保护
光学：光束整形
热学：散热
LEHale Waihona Puke 封装的电学问题
一、二次光学设计的概念 一次光学设计概念：将LED芯片封装成LED器 件，必须进行光学设计，这种设计在业内称为 一次光学设计。 决定出光角度、光通量大小（光强大小）光强 分布、色温范围（色温分布）。 二次光学设计概念：使用LED器件时，整个系 统的出光效果、光强、色温的分布等光学参数 也需要设计，称为二次光绪设计
测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户 要求对LED产品进行分选。 11.包装 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。
管理机制和生产环境
做好LED的四大重要因素 人、物、设备、生产环境 说明：
只是从生产的角度 公司企业：物料采购、生产、销售、人事、财务、 信息——企业六管
第二章led封装led的封装led的封装属led的中游产业靠设备封装的必要性封装的必要性ledled芯片只是一块很小的固体它的两个芯片只是一块很小的固体它的两个电极要在显微镜下才能看见加入电流之后他电极要在显微镜下才能看见加入电流之后他才会发光
第二章 LED封装
LED的封装 属LED的中游产业 靠设备
LED封装的方式的选择
LED pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向 发射有相同的几率，因此并不是芯片产生的所有光都可以 发射出来。 能发射多少光，取决于半导体材料的质量、芯片结构、 几何形状、封装内部材料与包装材料。 因此，对LED封装，要根据LED芯片的大小、功率大 小来选择合适的封装方式。
SOT封装三极管引脚分布图
SOT封装三极管引脚分布图SOT23(b e在一侧，c在另一侧)E BC封装形式AX078AX14SOT223SOT89TO-220TO252TO-247TO-03电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有TO126H和TO126V整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4发光二极管：RB.1/.2集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：0402=1.0mmx0.5mm0603=1.6mmx0.8mm0805=2.0mmx1.2mm1206=3.2mmx1.6mm1210=3.2mmx2.5mm1812=4.5mmx3.2mm2225=5.6mmx6.5mm零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
常用运放芯片实物和引脚功能图_TL081-082-084运放引脚功能及贴片封装形式
常用运放芯片实物和引脚功能图_TL081/082/084运放引脚功能及贴片封装形式（1）运放芯片的3种型号序列（部分器件有此序列）如TL081、TL082、TL084，分别为8引脚单运放；8引脚双运放；14引脚四运放集成器件。
封装型式一般为塑封双列直插和贴片双列，环列封装形式比较少见。
图1 TL081/082/084运放引脚功能及贴片封装形式而常见常用，仅为下述两种器件。
世界上有几个人？有两个人，男人和女人，不失为一个智慧的回答。
常用运放芯片有几片，只有两片，8脚和14脚的双运放和四运放集成器件（8脚封装单运放器件和环列式封装器件应用较少），把此两种芯片引脚功能记住，检修中就不需要随时去查资料了。
图2 常用运放芯片实物和引脚功能图如上图。
其封装一般为塑封双列直插DIP8/DIP14和塑封贴片工艺封装SO8/SO14两种形式，随着电子线路板小型化精密化要求的提高，贴片元件的应用占据主流，直插式器件逐渐淡出人们的视野。
但无论何种封装模式，其引脚功能、次序都是一样的，所以仅需记准8脚（双运放）和14脚（四运放）两种运放的引脚功能就够了。
（2）运放芯片的3种温度序列任何一种集成IC器件，按应用温度范围不同，都可细分为3种器件，如LM358，实际上有LM158、LM258、LM358三种型号的产品，其引脚功能、内部结构、工作原理、供电电压等等都无差别，仅仅是应用温度范围差异甚大。
LM158 适应工作温度-50℃~125℃，军工用品（1类）；LM258 适应工作温度-25℃~85℃，工业用品（2类）；LM358 适应工作温度0℃~70℃，农用品（3类）。
单看参数，似乎LM258适用于山东地区，若用于东北地区，其参数有些不足。
而LM358仅能适用于江南地区。
而事实上并非如此，如低于2类品规格参数被淘汰到3类品的器件，可能是-24℃~84℃温度范围以内的产品，仅次于2类品，比3类品的温度指标实际上要高许多的。
在家电元件市场能购到的多为3类品。
USB B B型USB插座封装引脚说明
I/OConnectorsU S B (U n i v e r s a l S e r i a l B u s a n d I E E E 13941324TH TypeRecommended PCB LayoutTop ViewPart NumberUSB-B-001*USB-B-001-30* see Materials and FinishSpecificationsInsulation Resistance: 1000M Ω min.Current Rating: 1A max. per contact Voltage Rating: 30V ACrms max.Withstanding Voltage: 750V AC Contact Resistance: 15m Ω max. (initial)Operating Temperature Range: -55°C to + 85°CMaterials and FinishHousing: PBT, glass filled (UL94V-0)Shell: Copper Alloy, CuNi plating Contacts:Copper AlloyContact Plating: Solder Terminal - Sn over NiMating Area - USB-B-001 = Au Flash over Ni- USB-B-001-30 = 30µ“ Au over NiSeries USB-BUniversal Serial Bus, Type B - 90° Receptacle (TH)I/OConnectors1324Series USB-BUniversal Serial Bus, Type B - 180° Receptacle (SMT)90° SMT TypeRecommended PCB LayoutTop ViewPart NumberUSB-B-003SpecificationsInsulation Resistance: 1000M Ω min.Current Rating: 1A max. per contact Voltage Rating:30V ACrms max.Withstanding Voltage: 500V ACContact Resistance:30m Ω max. (initial)Operating Temperature Range:-55°C to + 85°CMaterials and FinishHousing: Thermoplastic, glass filled (UL94V-0)Shell: Copper Alloy, bright Tin over Cu Contacts: Copper AlloyContact Plating: Solder Area - SnCu over Ni Mating Area - 30µ“ Au over NiPCB front edgeI/OConnectorsU S B (U n i v e r s a l S e r i a l B u s a n d I E E E 139412.04Ø0.92±0.082.54.772.50.612.9414.70Series USB-BUniversal Serial Bus, Type B - 180° Receptacle (TH)180° - TH TypeRecommended PCB LayoutTop ViewPart NumberUSB-B-004 *USB-B-004-30* see Materials and FinishSpecificationsInsulation Resistance: 1000M Ω min. Current Rating: 1.5A max. per contact Voltage Rating: 30V ACrms max. Withstanding Voltage: 500V AC Contact Resistance: 30m Ω max. (initial)Operating Temperature Range: -55°C to + 85°CMaterials and FinishHousing: PBT, glass filled (UL94V-0) Shell: Copper Alloy, Ni plating Contacts:Copper AlloyContact Plating: Solder Terminal - Sn over NiMating Area - USB-B-004 = Au Flash over Ni- USB-B-004-30 = 30µ“ Au over Ni。
MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？
MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？
MOS管是电路设计中常用的功率开关器件，是压控型的，有三个电极，分别是：栅极G、源极S、漏极D。
MOS管分为NMOS和PMOS，其电路符号如下图所示。
栅极G
MOS管的栅极G是控制端，名字为gate，在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。
对于NMOS而言，要求Vgs>0时，MOS 管导通，否则MOS关断；对于PMOS而言，要求Vgs<>
源极S
源极，名字为Source，简称S。
对NMOS而言，源极S是流出端，对PMOS而言，源极S是流入端。
漏极D
漏极，名字为Drain，简称D。
对NMOS而言，漏极D是流入端，对PMOS而言，源极S是流出端。
MOS管常用的封装有TO-220,TO-263,SOT23等，一般从左往右的顺序为G、S、D，对于具体的芯片大家可以查阅其datasheet。
D669_A[1]资料——参数及各种封装的引脚分布
![D669_A[1]资料——参数及各种封装的引脚分布](https://img.taocdn.com/s3/m/6e414fcf08a1284ac850439b.png)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD2SD669/ANPN SILICON TRANSISTORBIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTORAPPLICATIONS* Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A*Pb-free plating product number: 2SD669L/2SD669ALORDERING INFORMATIONOrder Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Package1 2 3 Packing 2SD669-x-AA3-R 2SD669L-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel2SD669-x-AB3-R 2SD669L-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2SD669-x-T60-K 2SD669L-x-T60-K TO-126 E C B Bulk 2SD669-x-T6C-K 2SD669L-x-T6C-K TO-126C E C B Bulk 2SD669-x-T92-B 2SD669L-x-T92-B TO-92 E C B Tape Box 2SD669-x-T92-K 2SD669L-x-T92-K TO-92 E C B Bulk 2SD669-x-T9N-B 2SD669L-x-T9N-B TO-92NL E C B Tape Box 2SD669-x-T9N-K 2SD669L-x-T9N-K TO-92NL E C B Bulk 2SD669-x-T9N-R 2SD669L-x-T9N-R TO-92NL E C B Tape Reel 2SD669-x-TM3-T 2SD669L-x-TM3-T TO-251 E C B Tube 2SD669-x-TN3-R 2SD669L-x-TN3-R TO-252 B C E Tape Reel 2SD669-x-TN3-T 2SD669L-x-TN3-T TO-252 B C ETubeORDERING INFORMATION(Cont.)Order Number Pin AssignmentNormalLead Free Plating Package1 2 3 Packing 2SD669A-x-AA3-R 2SD669AL-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel2SD669A-x-AB3-R 2SD669AL-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2SD669A-x-T60-K 2SD669AL-x-T60-K TO-126 E C B Bulk 2SD669A-x-T6C-R 2SD669AL-x-T6C-R TO-126C E C B Bulk 2SD669A-x-T92-B 2SD669AL-x-T92-B TO-92 E C B Tape Box 2SD669A-x-T92-K 2SD669AL-x-T92-K TO-92 E C B Bulk 2SD669A-x-T9N-B 2SD669AL-x-T9N-B TO-92NL E C B Tape Box 2SD669A-x-T9N-K 2SD669AL-x-T9N-K TO-92NL E C B Bulk 2SD669A-x-T9N-R 2SD669AL-x-T9N-R TO-92NL E C B Tape Reel 2SD669A-x-TM3-T 2SD669AL-x-TM3-T TO-251 E C B Tube 2SD669A-x-TN3-R 2SD669AL-x-TN3-R TO-252 B C E Tape Reel 2SD669A-x-TN3-T 2SD669AL-x-TN3-T TO-252 B C E TubeABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25℃, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITCollector-Base Voltage V CBO 180 V2SD669 120Collector-Emitter Voltage 2SD669A V CEO 160VEmitter-Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 1.5 A Collector Peak Current l C(PEAK) 3 A Collector Power Dissipation SOT-223 0.5 WCollector Power Dissipation TO-126 P D1 W Junction Temperature T J +150Storage Temperature T STG -40 ~ +150Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITCollector to Base Breakdown Voltage BV CBO I C =1mA, I E =0 180 V 2SD669 120Collector to Emitter Breakdown Voltage 2SD669A BV CEO I C =10mA, R BE =∞ 160 VEmitter to Base Breakdown Voltage BV EBO I E =1mA, I C =0 5 V Collector Cut-off Current I CBO V CB =160V, I E =0 10 µAh FE1 V CE =5V, I C =150mA (Note) 60 320DC Current Gainh FE2 V CE =5V, I C =500mA (Note)30 Collector-Emitter Saturation Voltage V CE(SAT)I C =600mA, I B =50mA (Note) 1 V Base-Emitter Voltage V BE V CE =5V, I C =150mA (Note) 1.5 V Current Gain Bandwidth Product f T V CE =5V, I C =150mA (Note) 140 MHz Output Capacitance C ob V CB =10V, I E =0, f=1MHz 14 pF Note: Pulse test.CLASSIFICATION OF h FE1RANK B C DRANGE 60-120 100-200 160-320TYPICAL CHARACTERISTICS1501001502002503001310301003001,0003,000Collector C urrent, I C (mA)D C C u r r e n t T r a n s f e r R a t i o , h F EDC Current Transfer Ratio vs. Collector CurrentCollector to Emitter Saturation Voltagevs. Collector Current 1310301003001,000Collector C urrent, I C (mA)0.20.40.60.81.01.2C o l l e c t o r t o e m i t t e r s a t u r a ti o n v o l t a g e , V C E (S A T ) (V)1310301003001,00000.20.40.60.81.01.2Collector C urrent, I C (mA)Base to Emitter Saturation Voltagevs. Collector Current B a s e t o E m i t t e r S a t u r a t i o nV o l t a g e , V B E (S A T ) (V )10301003001,000Collector Current,I C (mA)04080120160200240G a i n B a n d w i d t h P r o d u c t , f T (M H z )Gain Bandwidth Product vs. Collector Current151********225102050100200Collector to Base Voltage, V CB (V)Collector Output Capacitance vs. Collector to Base VoltageC o l l e c t o r O u t p u t C a p a c i t a n c e ,C o b (p F )Area of Safe OperationCollector to Emitter Voltage, V CE (V)131010030030C o l l e c t o r C u r r e n t , I C (A )TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)Base to Emitter Voltage , V BE (V)0.20.40.60.8 1.0125102050100200500Typical Transfer CharacteristicsC o l l e c t o r C u r r e n t , I C (m A )。
lm358中文资料_引脚功能_应用电路
lm358中文资料引脚功能应用电路（组图)图1 DIP塑封引脚图引脚功能图2 圆形金属壳封装管脚图图3 内部电路原理图LM358内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。
它的使用范围包括传感放大器、直流增益模组,音频放大器、工业控制、DC增益部件和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。
LM358的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。
特性(Features)：＊内部频率补偿。
＊直流电压增益高(约100dB) 。
＊单位增益频带宽(约1MHz) 。
＊电源电压范围宽：单电源(3—30V)；双电源(±1.5一±15V) 。
＊低功耗电流，适合于电池供电。
＊低输入偏流。
＊低输入失调电压和失调电流。
＊共模输入电压范围宽，包括接地。
＊差模输入电压范围宽，等于电源电压范围。
＊输出电压摆幅大（0至Vcc-1.5V) 。
参数：输入偏置电流45 nA 输入失调电流50 nA 输入失调电压2.9mV输入共模电压最大值VCC~1.5 V 共模抑制比80d 电源抑制比100dBLM358应用电路图：图4 直流耦合低通RC有源滤波器图5 LED驱动器图6 TTL驱动电路图7 RC有源带通滤波器图8 Squarewave振荡器图9 滞后比较器图10 带通有源滤波器图11 灯驱动程序图12 电流监视器图13 低漂移峰值检测器图14 电压跟随器图15 功率放大器外围电路图16 电压控制振荡器VCO图17 固定电流源图18 脉冲发生器图19 交流耦合反相放大器图20 交流耦合非反相放大器图21 可调增益仪表放大器图22 直流放大器图23脉冲发生器图24 桥式电流放大器图25 引用差分输入信图26 直流差动放大器。
80C51单片机的封装和引脚
1、总线型DIP40引脚封装
（1）电源及时钟引脚，4个
VCC：电源接入引脚
VSS：接地引脚
XTAL1：晶体振荡器接入的一个引脚（采用外部振荡器时，此引脚接地）
XTAL2：晶体振荡器接入的另外一个引脚（采用外部振荡器时，此引脚作为外部振荡信号的输入端）
（2）控制线引脚，4个
RST/VPD：复位信号输入引脚/备用电源输入引脚；
ALE/PROG:地址锁存允许信号输出引脚/编程脉冲输入引脚
EA/VPP：内外存储器选择引脚/片内EPROM（或FlashROM）编程电压输入引脚；
PSEN：外部程序存储器选择通信号输出引脚
（3）并行I/O引脚，32个，分4个8位口
P0.0 ~ P0.7：一般I/O口引脚或数据/低位地址总线复用引脚
P1.0 ~ P1.7：一般I/O口引脚
P2.0 ~ P2.7：一般I/O口引脚或高位地址总线引脚
P3.0 ~ P3.7：一般I/O口引脚或第二功能引脚。
单片机基础知识：单片机集成电路封装类型及引脚识别方法
单片机基础知识：单片机集成电路封装类型及引脚识别方法 在前文大家都有见到集成电路的图片，其外形有很多种。
在这些芯片中真正起作用的部分是集成在硅片上的晶体管。
而我们看到的样子，则是在其外部用外壳进行封装。
把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。
封装有安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性等作用。
硅片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对电路的腐蚀等造成电气性能下降。
封装 宏晶公司的STC89C52RC单片机 我们把集成电路等电子元件的这种外壳称为封装。
图中的两种单片机也都是集成电路，并且它们的封装相同，都是40脚的宽体DIP-40封装。
实际上，STC89C5x系列单片机也有其他形式的封装，比如44脚的LQFP-44封装，如图所示。
LQFP44贴片封装的STC89C54RD+ 直插封装与贴片封装 上面的DIP-40封装，管脚很长，实际使用时，管脚会穿过电路板，会在电路板另一面焊接，属于直插型封装。
而LQFP-44封装，焊接时管脚焊点和芯片在电路板的同一面，就是贴在电路板表面，我们称其为贴片封装。
直插封装一般管脚间距较大(最常见的是标准的2.54mm)，便于手工焊接;而贴片式的封装，体积大大减小，焊接时电路板上不需要打孔，节省了大量空间和成本，同时很容易实现机器自动化焊接，在实际中应用很广泛(比如手机等小型数码产品的电路，几乎都是全贴片设计)。
因为直插封装更便于使用，所以我们通常都选用直插式DIP-40封装的单片机进行学习(在后文中，如果没有特别说明，单片机就是指的直插封装的STC89C51RC)。
芯片的辨认 其他芯片也可能会使用和单片机一样的封装。
例如ISD4004语音芯片就常常用宽体DIP-40封装。
所以在辨认芯片时，不能从封装来判断，看上面印刷的字母符号就可以了。
管脚识别 不少集成电路都有那幺多管脚，应该怎幺辨认呢?对于上面的DIP封装，它的管脚是排成双列的。
细心的读者或许已经从图中观察到，芯片的一端有个半圆形缺口，这正是我们管脚所需要的标识。
2.1 引脚式封装
LED的封装 属LED的中游产业 靠设备
关于LED封装
关于LED封装
2.1 引脚式封装 2.2 平面发光器件封装 2.3 SMD的封装 2.4 食人鱼LED的封装 2.5 大功率LED的封装
关于LED封装
关于LED封装
关于LED封装
LED封装解决的问题 电学：电极连接保护 光学：光束整形 热学：散热
一、引脚式封装引言
引脚式封装
一、引脚式封装引言
引脚式封装
引脚式封装
LED芯片：粘接在引线架（也称支架）上。 正极：用金丝连接在一个支架上。 负极：用金丝连接在支架反射杯内，或用银浆
粘接在支架反射杯内。（根据L型还是V型电极 来确定）。
顶部：用环氧树脂包封，做成圆柱+半球型，
根据圆柱直径命名Φ3、5、8、10的LED
的光从封装的侧面漏出。
五、一次光学设计
反射式——背向
五、一次光学设计
反射式——前向
五、一次光学设计
背向反射式和正向反射式异同
反射面 镀膜 芯片有无遮光 光束发散角 聚光效率 结构
背向 抛物面 镀 有 大 80% 复杂
正向 抛物面 不镀 无 小 80% 简单
比较结果选择正向反射式更好
五、一次光学设计
一、引脚式封装引言
引脚式封装的总体要求
出光效率高，选择好的芯片和封装材料进行一 次光学设计。
均匀性好，合格率高，黑灯率控制在万分之三。 光斑均匀，色温一致，引脚干净无污点
一、引脚式封装引言
引脚式封装工艺流程及设备
1、划片机——划片
二、工艺流程及选用设备
2、芯片分选机——芯片分选
二、工艺流程及选用设备
三、管理机制和生产环境
ftbga封装引脚顺序
ftbga封装引脚顺序
FTBGA封装引脚顺序是一种常见的芯片封装方式，它的引脚排列顺序对于芯片的使用和设计都有着重要的影响。
在FTBGA封装中，引脚的排列顺序是按照一定的规律进行排列的，下面我们来详细了解一下。
FTBGA封装的引脚排列顺序是按照芯片的功能进行分组的。
一般来说，芯片的引脚可以分为电源引脚、信号引脚、地引脚等几类。
在FTBGA封装中，这些引脚会被分别排列在不同的区域内，以便于芯片的使用和设计。
FTBGA封装的引脚排列顺序还会受到芯片的尺寸和形状的影响。
一般来说，芯片的尺寸和形状会决定引脚的数量和密度，从而影响引脚的排列方式。
在FTBGA封装中，引脚的排列顺序会根据芯片的尺寸和形状进行优化，以确保引脚的数量和密度都能够满足芯片的需求。
FTBGA封装的引脚排列顺序还会受到芯片的应用场景的影响。
不同的应用场景需要不同的引脚功能和排列方式，因此在FTBGA封装中，引脚的排列顺序也会根据应用场景进行优化。
例如，在高速通信领域中，引脚的排列顺序会更加注重信号传输的稳定性和速度。
FTBGA封装的引脚排列顺序是一个非常重要的设计因素，它会直接影响到芯片的使用和性能。
因此，在进行芯片设计和选择封装方
式时，需要充分考虑引脚的排列顺序，以确保芯片的性能和稳定性。
集成电路封装与引脚识别
集成电路封装与引脚识别集成电路封装与引脚识别 不同种类的集成电路，封装不同，按封装形式分：普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。
按封装体积大小排列分：最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。
两引脚之间的间距分：普通标准型塑料封装，双列、单列直插式一般多为2.54±0.25 mm，其次有2mm（多见于单列直插式）、1.778±0.25mm（多见于缩型双列直插式）、1.5±0.25mm，或1.27±0.25mm(多见于单列附散热片或单列V型)、1.27±0.25mm(多见于双列扁平封装)、1±0.15mm(多见于双列或四列扁平封装)、0.8±0.05～0.15mm(多见于四列扁平封装)、0.65±0.03mm(多见于四列扁平封装)。
双列直插式两列引脚之间的宽度一般有7.4～7.62mm、10.16mm、12.7mm、15.24mm等数种。
双列扁平封装两列之间的宽度分（包括引线长度：一般有6～6.5±mm、7.6mm、10.5～10.65mm等。
四列扁平封装40引脚以上的长×宽一般有：10×10mm(不计引线长度)、13.6×13.6±0.4mm(包括引线长度)、20.6×20.6±0.4mm(包括引线长度)、8.45×8.45±0.5mm(不计引线长度)、14×14±0.15mm（不计引线长度）等。
表1-17给出常见集成电路封装及特点。
图1-38给出了几种集成电路引脚识别方法。
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1、标准电阻:RES1、RES2;
封装:AXIAL-0、3到AXIAL-1、0 ,一般用AXIAL0、4
两端口可变电阻:RES3、RES4;
封装:AXIAL-0、3到AXIAL-1、0
三端口可变电阻:RESISTOR TAPPED,POT1,POT2;
封装:VR1-VR5
2、电容:CAP(无极性电容)、ELECTRO1或ELECTRO2(极性电容)、可变电容CAPVAR
封装:无极性电容为RAD-0、1到RAD-0、4,一般用RAD0、1
有极性电容为RB、2/、4到RB、5/1、0、一般<100uF用
用RB、2/、4,100uF-470uF用RB、3/、6,,>470uF用RB、5/1、0
3、二极管:DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)、DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE VARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管)
封装:DIODE0、4与DIODE 0、7;(注意做PCB时别忘了将封装DIODE得端口改为A、K) ,一般用DIODE0、4
4、三极管:NPN,NPN1与PNP,PNP1;
引脚封装:TO18、TO92A(普通三极管)
TO220H(大功率三极管)
TO3(大功率达林顿管)
以上得封装为三角形结构。
T0-226为直线形,我们常用得9013、9014管脚排列就是直线型得,所以一般三极管都采用TO-126啦！
5、场效应管:JFETN(N沟道结型场效应管),JFETP(P沟道结型场效应管)MOSFETN(N沟道增强型管)MOSFETP(P沟道增强型管) 引脚封装形式与三极管同。
6、电感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通电感),封装:1005(2)
INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可变电感)
8、整流桥原理图中常用得名称为BRIDGE1与BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-37,D-38,D-44, D-46,D-70,D-71,等。
9、单排多针插座原理图中常用得名称为CON系列,从CON1到CON60,
引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。
10、双列直插元件原理图中常用得名称为根据功能得不同而不同,引脚封装形式DIP系列,不如40管脚得单片机封装为DIP40。
11、串并口类原理图中常用得名称为DB系列,引脚封装形式为DB与MD系列。
12、石英晶体振荡器:CRYSTAL;
封装:XTAL1,晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)
13、发光二极管:LED;封装用DIODE0、4得封装。
14、可控硅:SCR,封装:TO126H;保险丝:FUSE1,封装:FUSE1、
15、蜂鸣器:BUZZER,封装:SIP-2
贴片电阻
0603表示得就是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说
0201 1/20W
0402 1/16W
0603 1/10W
0805 1/8W
1206 1/4W
电容电阻外形尺寸与封装得对应关系就是: 0402=1、0x0、5
0603=1、6x0、8
0805=2、0x1、2
1206=3、2x1、6
1210=3、2x2、5
1812=4、5x3、2
2225=5、6x6、5
AND 与门
ANTENNA 天线
BATTERY 直流电源
BELL 铃,钟
BVC 同轴电缆接插件
BRIDEG 1 整流桥(二极管)
BRIDEG 2 整流桥(集成块)
BUFFER 缓冲器
BUZZER 蜂鸣器
CAP 电容
CAPACITOR 电容
CAPACITOR POL 有极性电容
CAPVAR 可调电容
CIRCUIT BREAKER 熔断丝
COAX 同轴电缆
CON 插口
CRYSTAL 晶体整荡器
DB 并行插口
DIODE 二极管
DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管
DPY_3-SEG 3段LED
DPY_7-SEG 7段LED
DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容
FUSE 熔断器
INDUCTOR 电感
INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感
JFET N N沟道场效应管
JFET P P沟道场效应管
LAMP 灯泡
LAMP NEDN 起辉器
LED 发光二极管
METER 仪表
MICROPHONE 麦克风
MOSFET MOS管
MOTOR AC 交流电机
MOTOR SERVO 伺服电机
NAND 与非门
NOR 或非门
NOT 非门
NPN NPN三极管
NPN-PHOTO 感光三极管
OPAMP 运放
OR 或门
PHOTO 感光二极管
PNP 三极管
NPN DAR NPN三极管
PNP DAR PNP三极管
POT 滑线变阻器
PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1、2 电阻
RES3、4 可变电阻RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻
SCR 晶闸管
PLUG ? 插头
PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET ? 插座
SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器
SW ? 开关
SW-DPDY ? 双刀双掷开关
SW-SPST ? 单刀单掷开关
SW-PB 按钮
THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器
TRANS2 可调变压器
TRIAC ? 三端双向可控硅TRIODE ? 三极真空管VARISTOR 变阻器
ZENER ? 齐纳二极管
DPY_7-SEG_DP 数码管
SW-PB 开关。