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(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电各章知识点

模电各章知识点

Au Au 1 Au 2 Aun
—对于第一级到第(n-1)级,每一级的放大倍数均应该是
以后级输入电阻作为负载时的放大倍数。
2. 输入电阻 3. 输出电阻 3.3 差动放大电路 1. 零点漂移、衡量零漂的方法及抑制零漂的措施 2. 差模信号、共模信号及与输入信号的关系 Ri=Ri1 (第一级输入电阻) Ro=Ron (最后一级输出电阻)
1-8 章知识点
1.1 N型半导体和P型半导体 多子取决于掺杂,少子取决于本征激发(与环温有关)
1.2 PN结的特性
单相导电性
阳极
1.3 二极管的伏安特性、电路模型及应用电路分析 1.4 稳压二极管及应用电路分析
D 阴极
1.5 晶体三极管的伏安特性及工作状态
1)已知三极管三个电极对应电位确定其工作状态
NPN型三极管
UBE<Uon →截止状态; UBE>Uon, UCE >UBE→放大状态; UBE>Uon, UCE <UBE→饱和状态。
2)已知放大状态三极管三个电极电位确定其型号、材料 NPN: Vc > Vb > Ve PNP: Vc < Vb < Ve
(1)无论是NPN还是PNP型三极管,基极电位居中间电位,确定基极b (2) U BE 0.2V (0.7V ) 确定e极,同时判断是硅(锗)材料 (3) 第三管脚为c极 (4) U CE>0,为NPN型, U CE<0,为PNP型。 3)已知三极管电极电流,确定 ,
ri
r0
Rb // rbe rbe (中)
' Rb // rbe (1 ) RL (大) Rb b1r//R1 2 //)rbe((小) R// be ( b Re 较大)
R(中) c
' rbe Rs (小) 1

模电重点知识总结(1-3章)

模电重点知识总结(1-3章)
直流分析法
分析指标:IBQ、ICQ、VCEQ 分析方法:图解法、估算法、大信号等效 分析指标: rbe、gm、rce、ib、ic
交流分析法
分析方法:图解法、小信号等效电路法
图解分析法
图解法 直流分析 利用三极管的输入、输出特性曲线与管外电路所 确定的负载线,通过作图的方法进行求解 优点:便于直接观察 Q 点位置是否合适,输出信号 波形是否会产生失真 要求:已知三极管特性曲线和管外电路元件参数
共发射极
IC
电路模型 IB IC
C B
直流简化电路模型
IB 0
CBLeabharlann IC 0CIB
B E
T
E
VBE
E
+ -
E
E
E
混合 型小信号电路模型
若考虑rbb、忽略rbc影响,整理后即可得出混合 型电 路模型。 ib r c b c ic
b IEQ过大rbe过小 时,才考虑rbb
bb
3kΩ
V2 + 9V D1 A
VAO O
V1 + 6V
3kΩ V2 +
+ VAO -
VAO也等于 - V1= - 6V
9V -
O
例2.在0≤t≤10ms内,画出图中所示电路输出电压vO(t) 的波形。①二极管是理想的②使用恒压模型
R1 200Ω D 5V
vI + ( t) -
①将D两端断开,求vD R2 v I + vD 5 0.2v I 5 R1 R2 R2 vO (t) v <0V,0.2V -5<0时,V <25V,D截 50Ω -
vI
(t) -
-

模电复习要点概要

模电复习要点概要

模电复习重点第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法能否正确,用“×〞和“√〞表示判断结果填入空内。

( 1)在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

(√)( 2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(×)〔电中性〕(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(√)( 4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)〔基区非平衡少子〕( 5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层蒙受反向电压,才能保证其R GS大的特色。

(√)(6 )假定耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,那么其输入电阻会显然变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)PN结加正向电压时,空间电荷区将A。

(2 )稳压管的稳压区是其工作在C。

(3 )当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A、C。

管习题选择适合答案填入空内。

在本征半导体中参加(A)元素可形成N型半导体,参加(C)元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价(2)当温度高升时,二极管的反向饱和电流将(A)。

A.增大B.不变C.减小工作在放大区的某三极管,假如当I B从12uA增大到22uA时,I C从lmA变成2mA,那么它的β约为(C)。

-1-(4)就地效应管的漏极直流电流I D从2mA 变成4mA时,它的低频跨导g m将(A)。

A.增大;B.不变;C.减小电路以下列图,u i10sin t(V),试画出u i与u o的波形。

设二极管导通电压可忽视不计。

图解图解:u i与u o的波形如解图所示。

电路以下列图,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T26mV,电容C对沟通信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的沟通电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流I D (VU D)/R其动向电阻:r D U T/I D 10 图故动向电流的有效值:I d U i/r D1mA现有两只稳压管,稳压值分别是6V和8V,正导游通电压为。

模拟电路各章知识点总结

模拟电路各章知识点总结

模拟电路各章知识点总结第一章:电路基础1.1 电路的基本概念电路是由电气元件(例如电阻、电容、电感等)连接而成的网络。

电路中电流和电压是基本的参数,描述了其中元件之间的相互作用。

电路按照其两个端点的特性可以分为单端口电路和双端口电路。

1.2 电路的基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律以及其他电路定律描述了电路中电流和电压之间的关系。

其中欧姆定律描述了电阻元件电流和电压之间的关系,而基尔霍夫定律描述了电路中电流和电压的分布和流动规律。

1.3 电路的等效变换电路中电气元件可以通过等效电路进行简化处理。

例如将若干电阻串并联为一个等效电阻等。

第二章:基本电路元件2.1 电阻电阻是电路中最基本的元件之一,它的作用是阻碍电流的流动。

在电路中,电阻可以通过串联和并联的方式连接。

电阻的阻值与其材料、长度和横截面积有关系。

2.2 电容电容是电路中用来存储电荷的元件,它在电路中具有很多重要的应用。

电容的存储能量与其带电电压和电容量有关。

2.3 电感电感是电路中具有电磁感应作用的元件,其具有对电流变化的响应。

电感的存储能量与其感抗和电流有关。

2.4 理想电源理想电源是电路中常用的元件,可以提供恒定的电压或电流。

其特点是内部阻抗为零或者无穷大。

第三章:基本电路分析方法3.1 直流电路分析直流电路是电路分析中最简单的一种情况。

在直流电路中,电源提供的是恒定电压或电流,不会发生周期性或者随时间改变的变化。

3.2 交流电路分析交流电路分析是在电路中考虑电压和电流随时间变化的情况。

常见的交流电路分析包括使用复数形式进行计算。

3.3 电路的参数测量方法电路中常用的参数测量方法有欧姆表、万用表等。

它们可以测量电阻的阻值、电压的大小以及电流的大小等参数。

第四章:模拟电路设计4.1 放大器设计放大器是模拟电路中广泛应用的电路元件,可以放大电压或者电流的幅值。

常见的放大器有运放放大器、差分放大器等。

4.2 滤波器设计滤波器是可以去除特定频率成分的电路,可以用于信号处理、通信和音频等领域。

模电重点章节

模电重点章节
2. 正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。
3. 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
4. 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电 极电压,经电容滤波只输出交流信号。
§2.3 放大电路的分析方法
估算法
放大 电路 分析
静态分析
动态分析 计算机仿真
图解法 微变等效电 路法
图解法
2.3.1 直流通道和交流通道
Ui Ii
Ui RB rbe
Ib RL
RC
是动态电阻。
Uo
ri
Ui Ii
RB // rbe
rbe
电路的输入电阻越大,从信号源取得的电流越 小,因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。
五、输出电阻的计算
对于负载而言,放大电路相当于信号源, 可以将它进行戴维南等效,戴维南等效电路的 内阻就是输出电阻。
3. 三极管的微变等效电路
ib
c ic
ib
b
uce
ube
ube rbe
e
ib
b
c
ib
rbe
ic
ib
rce
uce
rce很大, 一般忽略。
e
二、放大电路的微变等效电路
将交流通道中的三极管用微变等效电路代替:
uo
ui
RB RC RL
ii
ib
ic
交流通路
ui RB rbe
ib
RL uo
RC
三、电压放大倍数的计算
模拟电路
第二章
基本放大电路
1
第二章 基本放大电路
§2.1 放大的概念和电路主要指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 放大电路静态工作点的稳定 §2.5 单管放大电路的三种基本接法 §2.7 场效应管放大电路

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。

5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

其死区电压:S i管约0。

5V,G e管约为0。

1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。

其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.3 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础,了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。

3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法,包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论了解传输线的基本特性,包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性,包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类,了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性,包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用,掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用,包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法,了解它们在滤波电路中的应用。

3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻(陷波)滤波器的设计方法和特性,掌握模拟滤波器的设计技巧。

五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法,包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。

模电重点总结复习必备

模电重点总结复习必备
H参数的确定
混合型等效电路
简化的混合型等效电路
场效应管等效电路
其中:gmugs是压控电流源,它体现了输入电压对输出电流的控制作用。

-
+
+
d
g
s
gs
u
u
ds
i
d
+

+
+
-
gs
m
u
gs
u
u
-
S
ds
g
g
d
S
d
i
运算放大器
工作在线性区时的特点
虚短 虚断
工作在非线性区时的特点
虚断
波特图
画复杂电路或系统的波特图,关键在于一些基本因子
(4)输出电阻
反馈放大电路
反馈类型的判断
负反馈对放大电路性能的影响
深度负反馈下的近似估算
反馈稳定性判断
深度负反馈条件下的近似计算
一、 估算的依据
深度负反馈:
深度负反馈条件下,闭环增益只与反馈系数有关。


方法一:
估算电压增益
方法二:
根据

代入上式

即:输入量近似等于反馈量
净输入量近似等于零
截止频率的计算方法是“时间常数法”,即根据信号传递的具体情况,求出每一个起作用的电容所在RC回路的时间常数,进而求出截止频率。
直流稳压电源
工作原理
整流
滤波
稳压
计算
(1)差模电压增益
(3)差模输入电阻
不论是单端输入还是双端输入,差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。
单端输出时, 双端输出时,
等效电路法

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要基础学科之一,主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。

下面是我对模电知识点的复习总结:一.基础知识1.电路基本定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。

2.信号描述与频域分析:时间域与频域的关系。

傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。

3.理想放大器:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。

4.放大器基本电路:共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。

二.放大器设计1.放大器的参数:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。

2.放大器的稳定性:稳态稳定性和瞬态稳定性。

3.放大器的频率响应:截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。

4.放大器的非线性失真:交趾略失真、交调失真、互调失真等。

5.放大电路的优化设计:负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。

三.运算放大器1.运算放大器的基本性质:增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。

2.电压放大器:非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。

3.运算放大器的应用电路:比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。

4.运算放大器的非线性失真:输入失真、输出失真、交调失真等。

四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理:输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。

2.双向可调电源的电路结构:移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。

3.双向可调电源的控制方式:串行控制和并行控制。

五.滤波器设计1.常见滤波器类型:低通、高通、带通和带阻滤波器。

2.滤波器的频率响应特性:通频带、截止频率、衰减量。

3.滤波器的传输函数:频率选择特性、阶数选择。

4.滤波器的实现方法:RC、RL、LC和电子管等。

六.可控器件1.二极管:理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。

2.可控硅:双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。

3.功率晶体管:NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。

模电章节知识点总结

模电章节知识点总结

模电章节知识点总结模拟电子技术的核心知识点包括模拟信号的表示与处理、模拟电路的基本元件与分析方法、放大电路、滤波电路、混频电路、调制与解调电路等。

本文将对这些知识点进行总结,以帮助读者更好地理解和掌握模拟电子技术。

一、模拟信号的表示与处理1. 模拟信号的表示模拟信号是连续变化的信号,一般可以表示为关于时间的函数。

常见的模拟信号包括正弦信号、三角波信号、方波信号等,它们可以用数学函数进行表示。

2. 模拟信号的处理模拟信号的处理包括模拟信号的采集、放大、滤波、混频、调制等过程。

其中,模拟信号的采集是将连续的模拟信号转换为离散的数字信号,而放大、滤波、混频、调制等过程则是对模拟信号进行增强、筛选、整合以及变换的过程。

二、模拟电路的基本元件与分析方法1. 电阻、电容、电感电阻、电容、电感是模拟电路中最基本的元件,它们分别用于限制电流、储存电荷和储存能量。

在模拟电路分析中,常常需要对这些元件进行分析,计算其电压、电流和功率等参数。

2. 理想电路元件的模型在实际的模拟电路中,可以将电阻、电容、电感等元件看作是理想的元件,从而简化模拟电路的分析。

这些理想的元件模型可以大大简化模拟电路的分析。

3. 基本的电路分析方法基本的电路分析方法包括基尔霍夫定律、叠加定理、戴维南定理等。

这些方法可以帮助工程师准确、快速地分析模拟电路中的电压、电流和功率等参数。

三、放大电路1. 放大器的基本原理放大器是模拟电路中最常见的电路之一,它可以将输入的弱信号放大到一定的程度。

放大器的基本原理是利用管子的放大作用,从而使得输入信号经过电压、电流的放大后,输出信号获得放大。

2. 常见的放大电路常见的放大电路包括共集极放大电路、共基极放大电路、共射极放大电路等,它们分别适用于不同的放大应用场景。

这些放大电路可以通过适当的电路设计和参数调整,来实现对不同信号类型的放大。

四、滤波电路1. 滤波器的分类滤波器是模拟电路中的重要组成部分,它可以对信号进行频率筛选。

模电1~10章总复习知识点

模电1~10章总复习知识点
三端固定式集成稳压器(78XX、79XX)及其使用
9 信号处理与信号产生电路
滤波电路的定义、分类
滤波电路的传递函数、幅频特性
正弦波振荡的条件
正弦波振荡电路的组成
RC振荡电路和LC振荡电路
相位平衡条件的判断 桥式、变压器反馈式、三点式、晶体
电压比较器
单门限、迟滞
10 直流稳压电源
桥式整流电路 电容滤波电路 串联反馈式稳压电路
三端集成稳压器
抑制温漂的原理、输出输入关系、共模抑制比
集成运放的参数及典型值、理想运放的特点 实际运放参数的对应用电路的影响
7 反馈放大电路
反馈的概念与分类、反馈类型的判断
负反馈电路闭环增益
不同反馈类型的信号量、增益和反馈系数的含义
负反馈对放大电路性能的影响
提高放大倍数的稳定性、减小反馈环内的非线性失真、抑制噪声、 扩展频带、影响输入输出电阻等
1 绪论
电信号源的电路表达形式 放大电路模型
电压放大模型、电流放大模型、互阻放大模型、互导放大模型
放大电路的主要性能指标
输入电阻、输出电阻、增益、频率响应及带宽、非线性失真
分贝、对数坐标、归一化、波特图、通频带、 半功率点、传输特性
2 运算放大器
运算放大器的电压传输特性 工作在线性区的运放电路
在深负反馈条件下的近似计算 负反馈放大电路的稳定性
自激振荡及稳定工作的条件、稳定性分析 增益裕度、相位裕度
8 功率放大电路
功放电路的特点 乙类双电源互补对称功率放大电路的计算
功率BJT的选择依据
交越失真的产生及消除方法
利用二极管进行偏置的甲乙类互补对称功率放大电路
功率器件安全运行采取的措施
直流负载线、交流负载线 非线性失真的产生及消除

模电各章节主要知识点总结

模电各章节主要知识点总结

(2)若是开环(无反馈),或正反馈,则放大器处于饱和状态
2、理想运放条件: Ri ,由此得到虚断, i i 0 Avo ,由此得到虚短, v v
3、虚短和虚断:
RO 0 KCMRR
各种运算(比例,加减法,积分微分电路等)中,
i i 0,说明两个输入端无电流 ; v v,说明两个输入端等电位
例如:
vo ic (RL // RC ) ib(RL // RC )
vi ib (rbe (1 )Re )
Av

vo vi


RL // RC
rbe (1 )Re
如果该题有射极旁路电容存在,
则有:
Av

vo vi


RL // RC rbe
Ri
模电各章节主要知识点和解题关键
第一章 绪论
1. 放大电路四种模型 2. 输入电阻(P13) 3. 输出电阻(P13) 4.增益与放大 倍数(符号)(P15)
电压增益=20lg Av dB
5. 频率响应(P15,16)
第二章 运算放大器
主要知识点解读:
1、运算电路特点:
(1)要构成各种运算,必须要有负反馈******,才有虚短和虚断
2.动态分析方法:
采用小信号模型,即微变等效电路。
rbe rbb '(1 )(re re ')

rbb
'(1


)
VT IE
VT 26mV(常温)
一般情况下,取 rbb' 200
解题思路是:先画出交流通路,再将三极管的简化模型替代 三极管进行分析计算。做熟练以后,若没要求画微变等效电路, 就可以不画。提醒:有射极电阻的情况下,要看有没有旁路电容!

模电知识点总结

模电知识点总结

模电知识点总结第一篇:模电知识点总结第一章绪论1.掌握放大电路的主要性能指标:输入电阻,输出电阻,增益,频率响应,非线性失真2.根据增益,放大电路有那些分类:电压放大,电流放大,互阻放大,互导放大第二章预算放大器1.集成运放适合于放大差模信号2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如:在运算电路中,集成运放的反相输入端是否均为虚地。

3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈4.当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。

5.根据输入输出表达式判断电路种类同相:两输入端电压大小接近相等,相位相等。

反相:虚地。

第三章二极管及其基本电路1.二极管最主要的特征:单向导电性2.半导体二极管按其结构的不同,分为面接触型和点接触型3.面接触型用于整流。

点接触型用于高频电路和数字电路4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏,锗二极管的开启电压为0.1伏7.硅二极管管压降0.7伏,锗二极管管压降0.2伏8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏4.NPN,PNP,硅锗管的判断5.工作在放大区的三极管,若当Ib以12μA增大到22μA时,Ic 从1mA变为2mA,β约为1006.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点,若工作点选的太高——饱和失真。

模电各章重点内容及总复习

模电各章重点内容及总复习

目录:《模电》第一章重点掌握内容: (1)《模电》第二章重点掌握内容: (4)《模电》第四章重点掌握内容: (10)《模电》第五章集成运算放大电路重点掌握内容: (10)《模电》第六章重点掌握内容: (10)《模电》第七章模拟信号运算电路重点掌握内容 (11)《模电》第九章波形发生电路重点掌握内容: (12)《模电》第十章重点掌握内容: (12)《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体器件,主要是利用半导体材料制成,如硅和锗。

34、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

5、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

67、P P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而自由电子为少子。

8、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

9、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

10、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

11、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

P6,图1.2.5二极管的伏安特性。

其死区电压:S i 管约0.5V ,G e 管约为0.1 V 。

其导通压降:S iG e 管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10(压降为0.7V ,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U ﹥U Z )时便稳压为U Z 。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

模电复习各章要点

模电复习各章要点

1半导体二极管1.本征半导体在本征激发后导电,载流子浓度与温度T 有关。

2.P 型半导体中多子为空穴,少子为电子; N 型半导体中多子为电子,少子为空穴。

掺入杂质后,半导体的导电能力会有显著提高。

3.PN 结又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区,有单向导电性:正向电阻很小,反向电阻很大。

4.二极管的伏安方程是:)1(-=TV V s eI I ,其中:s I 是二极管的反向饱和电流,与温度有关;T V 是温度的电压当量,室温下为0.026mV 。

二极管正偏时,TV V s eI I ≈,反偏时,s I I -≈5.二极管反向偏置电压达到击穿电压BR V 时,其PN 结发生电击穿(雪崩击穿和齐纳击穿),此时电流变化很大而电压变化不大——由此做成稳压管。

2 晶体管1.晶体管(BJT )是双极型电流控制器件,晶体管进行电流放大的前提是发射结正偏置、集电结反偏置。

2.晶体管的外部电流关系是E C I I α≈、B C I I β≈、B C E I I I +=3.晶体管有三个工作区域:放大区、饱和区、截止区,晶体管通过电流控制实现信号放大的条件是工作在放大区。

4.晶体管处于正常放大状态时,发射结正偏置,集电结反偏置,为满足此条件,NPN 型晶体管的各极电位关系应该是E B C V V V >>;PNP 型晶体管的各极电位关系应该是E B C V V V <<。

5.当th BE V v >且BE CE v v >时,晶体管工作于放大区;当th BE V v ≤且BE CE v v ≥时,晶体管工作于截止区;当th BE V v >且BE CE v v ≤时,晶体管工作于饱和区。

6.场效应管(FET )是单极型电压控制器件,栅源电阻大。

场效应管有三个工作区域:可变电阻区、恒流区、击穿区,场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。

7.放大器的直流栅源电压的偏置应保证场效应管能正常工作,以N 沟道为例,结型场效应管的0≤GS v 后有D i ,GS v 越负,D i 越小;增强型绝缘栅场效应管的T GS V v >(T V 为正)后有D i ,GS v 越正,D i 越大;耗尽型绝缘栅场效应管的V GS 可正可负,GS v 越大,D i 越大, P GS V v =(P V 为负)时0=D i 。

模电各章节主要知识点总结

模电各章节主要知识点总结

06
第六章:信号发生器与信号变换器
信号发生器的定义和分类
总结词
信号发生器是用于产生所需信号的电子设备 ,根据产生信号的方式不同,可以分为振荡 器和调制器两类。
详细描述
信号发生器是用来产生各种所需信号的电子 设备,这些信号可以是正弦波、方波、脉冲 波等。根据产生信号的方式不同,信号发生 器可以分为两类:振荡器和调制器。振荡器 是利用自激反馈产生所需信号的电子设备, 而调制器则是利用调制技术将低频信号加载
THANKS
感谢观看
限流、分压、反馈等
电阻的串并联
串联增大阻值,并联减小阻值
电容
电容的种类
电解电容、瓷片电容、薄膜电 容等
电容的参数
标称容量、允许偏差、额定电 压、绝缘电阻等
电容的作用
隔直流通交流、滤波、耦合等
电容的充电放电
在交流电下,电容具有“隔直 流通交流”的作用,即让高频 信号通过,阻止低频信号通过
电感
电感的种类
信号变换器的工作原理和应用
• 总结词:模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化和 编码,转换成数字信号输出;数字式信号变换器则是将输入的数字信号进行解 码和数模转换,转换成模拟信号输出。
• 详细描述:模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化 和编码,转换成数字信号输出。采样是将连续时间信号转换为离散时间信号的 过程,量化是将采样后的离散值进行近似取整的过程,编码则是将量化后的离 散值转换为二进制码元的过程。数字式信号变换器的工作原理是将输入的数字 信号进行解码和数模转换,转换成模拟信号输出。解码是将输入的数字码元进 行解码的过程,数模转换则是将解码后的离散值转换为连续时间信号的过程。 模拟式和数字式信号变换器在通信、测量、控制等领域有着广泛的应用。

模拟电子各章要点

模拟电子各章要点

模拟电子技术讲课要点第一章常用半导体器件一. 本章的重点和难点半导体中载流子的运动以及又载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理是学习的难点,但不是学习的重点。

本章的重点是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。

因此,讲述管子的内部结构和载流子的运动目的是为了更好的理解管子的外特性,应引导学生不要将注意力过多放在管子内部,而以能理解外特性为度。

二. 讲课要点1.为什么采用半导体材料制作电子器件。

2.纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体,本征半导体中有两种载流子导电,且其导电性与温度有关。

3.在本征半导体中利用扩散的方法掺入杂质就形成N型半导体和P型半导体,它们到典型的强弱与掺入杂质的多少成正比,实现了导电性的可控性。

4.将N型半导体和P型半导体制作在一起就形成PN结,PN结具有单向到典型,用伏安特性描述。

5.二极管由一个PN结封装而成,二极管的电流方程、伏安特性及主要参数。

6.由于PN结中的载流子数目与环境温度有关,因而二极管的伏安特性与温度有关;二极管对温度的敏感性造成其温度稳定性较差,但可用其作为热敏元件。

由于PN结有电容效应,所以二极管存在最高工作效率。

7.稳压二极管和发光二极管的特点。

8.晶体管有发射结、集电结两个PN结,发射区、基区、集电区三个区域,发射极、基极、集电极三个极;u BE>U on且u CE≥u BE时工作在放大状态,此时i C=βi B。

9.晶体管的输入特性、输出特性、主要参数和三个工作区域,放大电路中晶体管应工作在放大区。

10.场效应管的主要特点,结型、绝缘栅型场效应管的工作原理、转移特性、输出特性、主要参数和三个工作区域。

第二章基本放大电路一. 本章的重点和难点本章是课程的重点,对于初学者也是难点所在。

本章所讲述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习后面各章节的基础。

本章的重点是放大的概念、放大电路的主要指标参数、基本放大电路和放大电路的分析方法。

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模电是一门内容多、涉及面广、新知识点多,学时少的学科。刚学模电时,感觉打开书后全是重点,它的特点决定了它的难学性,在此,我只能根据自己的情况总结出一些自己觉得比较重要的知识点,仅供大家参考。
第一章
这章是基础,所有的知识点都要在弄懂的情况下才能够进一步展开对模电的后一步学习,要贯彻理解不同的晶体管和场效应管的结构,特性曲线,熟练掌握它的主要参数及等效电路(特别是三极管的等效电路)。
3、定性了解多级放大电路频带宽度与单级的关系 。
第六章
这章是重点章节,平时没怎么学的,想要拿一个看得过去的分数,得从这章下手。反馈又是这章出现频率最高的词汇,所以很明显,反馈(也可以说负反馈)是重点的重点。在这章的学习中,我们需要:
1、理解反馈的基本概念,负反馈放大电路增益的一般表达式,4种反馈组态及其特点。
4、学会用图解法分析放大电路的静态、动态工作情况;
5、熟练掌握运用小信号模型等效电路法计算放大电路的动态性能指标;
6、熟练掌握共射(包括工作点稳定电路)、共集和共基放大电路的工作原理及特点;
7、掌握场效应管放大电路的分析方法和指标计算。
第三章
这章的主要主角是多级放大电路和差分放大电路,考点较前两章来说并不是很多的,所以掌握好它的各个考点,考起试来就会胸有成竹哦。
(3)非正弦信号产生电路:单门限电压比较器和迟滞比较器的工作原理,理解方波、矩形波、三角波、锯齿波发生器的工作原理。
第九章
主要内容:
1.功率放大电路的输出功率、效率和非线性失真之间的关系。
2.甲乙类功率放大电路的组成、工作原理、各项指标的计算及BJT的选择。
第十章
由于我们班老师没把这章讲完,暂且还看不出来重点是什么,这就需要大家在课堂上和习题课上认真听讲,自己归纳总结啦。补上一点,我的学习总结也许只适合部分人,大家应该根据自己的具体情况进行模电高效率的复习,最后,衷心希望大家都能在模电上取得一个满意的成绩!
会算,会估算深度负反馈放大电路的闭环增益。
会消振,会通过实验调试消除反馈放大电路中的自激振荡。
第七章
本章所讨论的集成运放的基本应用电路,主要包括比例、加法、减法、微分、积分、对数、反对数(指数)运算电路以及乘法器和除法运算电路等。本章讨论的信号处理电路有有源滤波电路。
在分析各种运算和处理电路时,由运放构成的电路通常工作在深度负反馈条件下,常用到以下两个概念:
第五章
这章是一个过渡章,需要我们了解的东西并不是很多,但是我们得从脑海中形成放大电路的频率响应的概念,对学习后面的信号分析会相对来说容易一点。
1、掌握放大电路频率特性的相关概念:上限频率、下限频率、通频带、波特图以及增益带宽积;
2、放大电路的频率响应特点,上下限频率与那些因素有关;
第二章
这章的重点比较多,学好这一章能给以后的学习如虎添翼,所以大家一定要静下心弄懂,需要掌握的内容虽然多但是却都是能减轻以后的学习负担。
重点如下:
1、掌握放大的概念以及放大电路的指标;
2、掌握静态、动态、直流通路、交流通路、频率特性及温度漂移等基本概念;
3、掌握结合具体电路进行合理近似的估算法;
1)集成运放两个输入端之间的电压通常接近于零,即虚短。
2)集成运放输入电阻很高,两输入电流几乎为零,即虚断。
主要内容:
1、比例、加、减、积分和微分电路
2、滤波电路的基本概念,一阶、二阶有源滤波电路
3、电子信息系统预处理中所用放大电路
第八章
主要内容:
(1)正弦波振荡荡频率的计算。
第四章
有了前三章的基础,学好以后的应该不是难事了。这章主要讲的是集成运算放大电路,我们需要了解集成运放电路的组成和电压传输特性,能够分析集成运放电路中的三种基本电流源电路(镜像,比例,微电流源)和改进型电流源电路(加射极输出器的电流源,威尔逊电流源),了解多路电流源电路和以电流源为有源负载的放大电路)。
1、多级放大电路的基本概念,耦合方式以及动态分析;(重点)
2、直接耦合放大电路的零点漂移现象;
3、掌握差分放大电路的共模信号、差模信号、共模放大倍数、差模放大倍数、共模抑制比的概念。(重点)
4、差分放大电路的组成、抑制零点漂移的原理以及四种接线方式分析方法。(重点)
5、掌握互补输出级的正确接法和输入输出关系。
2、瞬时极性法判别正、负反馈及反馈类型,正确解释负反馈对放大电路性能的影响。
3、计算深度负反馈放大电路的放大倍数。
4、负反馈放大电路产生自激的原因和条件,能用稳定裕度的概念分析反馈放大电路的稳定性。
学习目标(重点):
会看,会判断反馈的类型和极性,会定性分析其作用。
会引,会根据需要正确引入反馈。
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