二极管试题
第一章 二极管章节测试题
第1 页 共 2页第一章 二极管章节测试题一、选择(每空2分，共22分) 1、本征半导体又叫（ ）A 、普通半导体B 、P 型半导体C 、掺杂半导体D 、纯净半导体 2、关于晶体二极管的正确叙述是：（ ）A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（ ）-5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（ ） A 、U 2 B 、2U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 25、关于滤波器，正确叙述是：（ ）A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。
B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。
C 电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度 减小，从而使输出电压平滑。
D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。
6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ ）7、如右图，电源接通后，正确说法为：（ ） A H 1、H 2、H 可能亮。
B H 1、H 2、H 都不亮。
C H 1可能亮，H 2、H 不亮。
D H 不亮，H 2、H 1可能亮。
8、二极管两端加上正向电压时（ ）A 一定导通B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 9、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A. 增大 B. 不变 C. 减小10、稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区二、判断（每题1分，共10分） （ ）1、本征半导体中没有载流子。
（ ）2、将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。
模拟电路之二极管考试题库完整
二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中，U 0电压为（ ）。
（a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2、D 3的工作状态为（ ）。
（a ）D 1导通，D 2、D 3截止 （b ）D 1、D 2截止，D 3导通 （c ）D 1、D 3截止，D 2导通题1.1图 题1.2图3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2的工作状态为（ ）。
（a ）D 1导通，D 2、截止 （b ）D 1、D 2均导通 （c ）D 1、截止，D 2导通题1.3图 题1.4图4 在题1.4图所示电路中，D 1、D 2为理想元件，则电压U 0为（ ）。
（a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题1.5图（a ）所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为图（b ）所示的三角波，则输出电压u 0 的最大值为（ ）。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V（a ）(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A =3v,u B =2sinωtV,R=4KΩ,则u F 等于( ).（a ）3V （b ）2sinωtV （c）3+2sinωtV题1.6图 题1.7图7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U 0为（ ）。
（a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D 为理想元件，设u 1=2sinωtV,稳压二极管D Z 的稳定电压为6V ，正向压降不计，则输出电压u 0的波形为图（2）中的波形（ ）。
(1) (2)9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。
18V（a）12V （b）6V （c）10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。
电子电工类--二极管及其应用试题及答案
电子电工类--二极管及其应用试题及答案一、单选题1.稳压二极管电路如下图，两个稳压二极管的稳压值UZ=6.3V，正向导通压降0.7V，则Uo为A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V【正确答案】：C2.滤波电路如下列各图所示，电路类型说法正确的是( ) ( ) ( ) ( )A、（1）为复式滤波B、（2）为电感滤波C、（3）为π滤波D、（4）为电容滤波【正确答案】：B3.电路如下图所示，已知两个稳压管的UZ1=5V，UZ2=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、5VB、7.7VC、12VD、5.7V【正确答案】：C4.滤波电路位于整流电路A、之前B、之后C、前后均可D、中间【正确答案】：B5.在下图中，若要将输出电压波形由图( )变换成图( )，则应在电路中增加( )元件。
A、整流二极管B、大功率负载电阻C、滤波电感D、降压变压器【正确答案】：C6.光电耦合器的输入侧等效的基本电子元件是A、发光二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、变容二极管【正确答案】：A7.如下图电路，已知两个稳压管的稳定电压UZ1=7V，UZ1=9V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、7.7VB、9VC、9.7VD、16V【正确答案】：A8.在电容滤波电路中，电容器与负载成( )位置关系。
A、并联B、串联C、混联D、L型【正确答案】：A9.发光二极管是将( )转换成光能，它工作在( )状态。
A、电能、正向导通B、电能、反向击穿C、光能、正向导通D、光能、反向击穿【正确答案】：A10.下列常用二极管符号中，光电二极管符号是A、B、C、D、【正确答案】：D11.整流的目的是A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将正弦波变为方波D、将高电压降为低电压。
二极管整流电路试题
二极管整流电路试题作者:日期:晶体二极管及整流电路试题(一)姓名 _________ 学号 ____________1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。
在纯净的半导 体中掺入少量的 价元素，可形成P 型半导体，又称 型半导体, 其中多数载流子为 ，少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 ______ 价元素，可形成N 型半导体，其中多数载流 子为 ________ ，少数载流子为 ________ ，它的导电能力比本征半导体 _____3、如图，这是 材料的二极管的 ________ _______________ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 — 电压。
正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。
当反向电压增大到 —V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧增大，该现象为 _____________ 。
若反向电压 继续增大，容易发生 __________ 现象。
其中 稳压管一般工作在 ___________ 区。
4、二极管的伏安特性指 _____________ 和 __________ 关系，当正向电压超过 _____ 后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V, 锗管约为_v5、 二极管的重要特性是 ____________ ，具体指：给二极管加 _____ 电压， 二极管导通；给二极管加 ________ 电压，二极管截止。
6、 PN 结的单向导电性指 _______________________ ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 ______________ 。
7、 二极管的主要参数有 _______________ 、 _____________ 、 ___________ 和 _____________ ，二极管的主要特性是 ____________ 。
8、 用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、 反向电阻时，若两次测得的阻值 都较小，则表明二极管内部 _______ ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极 管内部 _______ 。
发光二极管测试题及答案
发光二极管测试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 发光二极管（LED）的工作原理是基于以下哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 霍尔效应D. 隧道效应答案：A2. 下列哪个不是LED的常见应用？A. 交通信号灯B. 显示屏C. 手电筒D. 电池答案：D3. LED的发光颜色由什么决定？A. 电流大小B. 电压高低C. 材料类型D. 环境温度答案：C4. 以下哪个因素会影响LED的发光效率？A. 电流大小B. 电压高低C. 环境温度D. 所有以上选项答案：D5. 什么是LED的正向工作电压？A. 使LED发光的最小电压B. 使LED熄灭的最大电压C. 使LED损坏的电压D. 使LED闪烁的电压答案：A6. LED的寿命通常比传统灯泡长，主要原因是什么？A. 发热少B. 电压低C. 电流小D. 材料耐用答案：A7. 以下哪种封装方式不适合LED？A. 表面贴装B. 插件式C. 透镜封装D. 纸盒封装答案：D8. LED的光效通常用哪个单位来表示？A. 流明（lm）B. 瓦特（W）C. 安培（A）D. 欧姆（Ω）答案：A9. 以下哪个不是LED的优点？A. 节能B. 环保C. 寿命长D. 易碎答案：D10. 以下哪个是LED的驱动方式？A. 直流驱动B. 交流驱动C. 脉冲驱动D. 所有以上选项答案：A二、填空题（每空2分，共20分）1. LED的全称是________。
答案：发光二极管2. LED的发光效率通常用________来表示。
答案：流明每瓦（lm/W）3. 根据材料的不同，LED可以发出不同颜色的光，其中红色LED通常使用________材料。
答案：铝镓砷（AlGaAs）4. LED的寿命一般可以达到________小时。
答案：50000（或以上）5. LED的驱动电流不宜过大，否则会导致________。
答案：过热6. 在LED的封装过程中，透镜封装可以提高LED的________。
二极管试题及答案
二极管试题及答案1. 二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，其正向导通电压约为多少伏？A. 0.3VB. 0.7VC. 1.5VD. 2.0V答案：B2. 在电路中，二极管的正极通常用哪个符号表示？A. -B. +C. ○D. ∆答案：B3. 以下哪个不是二极管的特性？A. 单向导电性B. 整流作用C. 放大作用D. 稳压作用答案：C4. 稳压二极管的工作原理是什么？A. 利用PN结的正向导通特性B. 利用PN结的反向击穿特性C. 利用PN结的正向击穿特性D. 利用PN结的反向导通特性答案：B5. 在整流电路中，二极管的作用是什么？A. 放大信号B. 整流C. 稳压D. 滤波答案：B6. 以下哪个二极管不是按照材料分类的？A. 硅二极管B. 锗二极管C. 稳压二极管D. 肖特基二极管答案：C7. 一个二极管的正向电流为10mA，反向电流为1nA，那么它的正向电流与反向电流的比值是多少？A. 1000B. 10000C. 100000D. 1000000答案：D8. 以下哪个参数不是二极管的主要特性参数？A. 最大整流电流B. 反向击穿电压C. 导通电压D. 频率响应答案：D9. 在电路中，二极管的正向导通电压一般是多少？A. 0.2VB. 0.7VC. 1.0VD. 2.0V答案：B10. 稳压二极管的反向击穿电压称为什么？A. 导通电压B. 反向击穿电压C. 稳压电压D. 正向导通电压答案：C。
晶体二极管及二极管整流电路试题
《晶体二极管及二极管整流电路》试题一、判断题（每空2分，共36分）1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（）3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（）4. 二极管是线性器件。
（）5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（）6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（）9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。
（）12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。
（）14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
（）18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
（）二、单选题（每空2分，共32分）1. 本征半导体是（）。
A. 掺杂半导体B. 纯净半导体C. P型半导体D. N型半导体2. P型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B. P型半导体中只有空穴导电C. N型半导体中只有自由电子参与导电D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。
《二极管应用电路测试题A》
鄂 尔 多 斯 生 态 环 境 职 业 学 院 考 试 试 卷 第 1 页 共2页班级姓名：学号：________考场号：__________座位号：装订线内不要答题 ◆◆◆◆◆◆◆◆◆装◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆订◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆线◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆鄂 尔 多 斯 生 态 环 境 职 业 学 院 考 试 试 卷第 2 页 共2页 C 全波整流波形 D 变为极性相反的输出电压。
14稳压电路是接在（ ）电路之后。
A 电源变压器 B 整流电路 C 滤波电路 D 整流二极管 15电容滤波器是在负载回路（ ）而构成。
A 串联电容 B 并联电感 C 串联电阻 D 并联电容 16在桥式整流滤波电路中若电容断开，则电路变为（ ） A 半波整流电路 B 半波整流电容滤波 C 桥式整流电路 D 全波整流电路， 四、计算分析题 1、桥式整流电路中，若: 1）V 1内部短路，会出现什么现象？ 2）V 1虚焊，会出现什么现象？ 3）V 1方向接反，会出现什么现象？ 4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？2、在桥式整流电路中，若要求输出电压为18V ，负载电流为2A ，试求： 1）电源变压器次级电压V 2； 2）整流二极管承受的最大反向电压V RM ； 3）流过二极管的平均电流I V 。
4）若V 1管内部短路，整流电路会出现什么现象？3、有一直流负载,输出额定电压为20V ，阻值为20Ω,如采用桥式整流电源供电，设电网交流电压为220V 。
（1）求电源变压器的变压比；（2）选择二极管。
4变压器次级交流电压为20V ，在下列情况下输出直流电压各为多少V ？每只整流管承受的最高反向峰值电压各是多少？（1）单相半波整流，（2）单相全波整流电路（3）单相桥式整流电路。
5单相桥式整流电容滤波电路中，已知V2=20V ，若用电压表测得负载两端的电压有（1）28V （2）24V （3）20V （4）9V 五种情况，分析每种电压所代表的电路状态以及出现这种状态的原因。
(完整word版)晶体二极管和二极管整流电路试题
晶体二极管一、选择题（每题分，计分)1。
二极管正向导通时，呈现····················（ )A. 较小电阻B。
较大电阻C。
不稳定电阻 D. 无法确定2。
硅稳压管稳压电路适用于·····················( ) A。
输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C。
输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D。
输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是···················( )A。
普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B。
普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C。
硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ） VA。
0。
2 B. 0.3 C。
0.5 D. 0。
75。
通常要求二极管正反向电阻相差················· ( ）A. 越小越好B。
二极管三极管场效应管试题
半导体器件测试题一、填空(40分)1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。
曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约为 V。
当反向电压增大到 V时，即称为电压。
其中稳压管一般工作在区。
3、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。
4、二极管的主要参数有 ________、_________和。
5、晶体三极管是___________控制器件。
三极管按材料分为_ 和两种类型，而每一种又有和两种结构形式。
6、三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于时，Ic=0；当三极管工作于区时，关系式Ic=βI b才成立；当三极管工作在区时Vce。
8、三极管的电流分配关系是。
9、场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。
10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的下，和之间的关系。
场应管的输出特性曲线划分为________、_________和三个区。
二、判断题（14分）1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。
2、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
3、（）硅的导通电压为，锗的导通电压为。
4、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
5、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。
6、（）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高。
7、（）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。
8、（）三极管可以用两个二极管来替代。
9、（）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。
10、（）硅三极管比锗三极管稳定。
11、（）场效应管是电流控制型器件。
二极管及其应用试题
《二极管及其应用》模拟考试题 时量：60分钟 满分100分 记分______________ 一、填空题（每空0.5分，共20分） 1、自然界物质按其导电能力可分三类 ，分别是___________、____________、____________。
2、完全纯净的半导体又叫______________。
3、锗二极管的死区电压为_______V ，导通管压降为_________V ；硅二极管的死区电压为_______V ，导通管压降为_________V 。
4、利用半导体对光照反应的灵敏程度,可以做成那些元器件 、 、 。
5、半导体的奇妙特性，分别是_____________、____________、___________。
6、稳压二极管反接在电路中，工作在 _____状态。
7、2AP 系列二极管是由_________半导体材料制成的，2CP 、2CZ 系列二极管是由_________半导体材料制成的。
8、常用的半导体材料有 和 两种。
9、在N 型半导体中， 数量多于 的数量。
10、二极管的基本特性是 ，即加正向电压 ____，加反向电压 _。
11、发光二极管是把 能转变为 能，它工作于 状态；光电二极管是把 能转变为 能，它工作于 状态。
12、P 型半导体又称___________,少数载流子是_____，多数载流子是______。
13、N 型半导体又称___________,少数载流子是_____。
14、二极管的主要参数有____________、_____________、______________。
15、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为 _______现象。
16、根据二极管的单向导电性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。
二、选择题（每题1分，共20分） 1、二极管具有（ ） 制卷人：张炜学号：班次：姓名：……………………………………○……○………………密……○……○…………封……○……○………线……○……○………………………………… 装订线内不要答题，装订线外不要写姓名、考号，违者试卷作分处理A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性D、负阻特性2、如果万用表测得二极管的正反电阻都很大，则二极管（）A、特性良好B、已被击穿C、内部开路D、功能正常3、万用表测量二极管的过程中，对于同一种二极管，用万用表的不同档位测出的正向阻值不同，主要原因是（）A、万用表在不同档位，其内阻不同 C、被测二极管质量差B、二极管具有非线性的伏安特性 D、二极管已损坏4、发光二极管的主要特点是（）A、工作电压低、工作电流小、耗电省，寿命长B、工作电压高、工作电流小、耗电省，寿命长C、工作电压低、工作电流大、耗电省，寿命长D、工作电压高、工作电流大、耗电省，寿命长5、发光二极管的导通压降为（）A. 0.2-0.3VB. 0.5-0.7VC.1VD. 1.7-3.5V6、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体（）。
电子技术基础试题库
１电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B CD5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
半导体二极管基础知识测试题
2020秋季电子技术基础第一次月考 半导体二极管基础知识测试题 （满分100分，时间：2.5小时） 一、填空题（每题2分，第19题1分，共37分） 2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 __ 、 ______ 和 ______ 2、 ___________________________________________ 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是 ____________________________ 。
3、 ________________ 半导体具有 ___ 特性、 ________ 特性和 特性。
4、 ___________________________ 二极管P 区的引出端叫 ___________ 极或 极，N 区的引出端叫 __________ 极 或 ____ 极。
5、 ___________________________________ 按二极管所用的材料不同可分为 和 _________________________________ 两类;二极管按用途分，有 ___ 二极管、 _______ 二极管、 ______ 二极管、 _________ 二极 管、 _____ 二极管、 ______ 二极管和 _______ 二极管等。
6、二极管的正向接法是_接电源的正极, _______ 接电源的负极;反向接法 则相反。
7、硅二极管导通时的正向管压降约为 ______ V 点者二极管导通时的管压降 约为 ______ Vo8、 ___________________________ 二极管最主要的特性是 _____ ,它是指:PN 结正偏时呈 _______________ 状态，正向电阻 很（小，大），正向电流很 __ （小,大）;PN 结反偏时呈 ___ 状态, 反向电阻很 _____ （小，大），反向电流很 _ （小,大）。
9、 __________________________________________________________ 二极管是用一个PN 结制成的半导体器件，它的最基本的性质是 ___________ 硅 管的死区电压和正向压降比错管的 _____ 而反向饱和电流比错管的_得 多。
电工电子二极管试题及答案
电工电子二极管试题及答案一、选择题1. 以下哪种材料适用于制造二极管？A. 铜B. 铝C. 硅D. 锌答案：C2. 二极管的主要功能是什么？A. 放大电流B. 产生电压C. 控制电流方向D. 调节电阻答案：C3. 在二极管中，电流正向流动时，它被称为：A. 正确流动B. 负载流动C. 直流流动D. 正向流动答案：D4. 二极管反向击穿的结果是：A. 短路B. 开路C. 过载D. 过热答案：A5. 在二极管的V-I特性曲线中，直流工作点是指：A. 二极管的开启状态B. 电压和电流之间的线性关系点C. 二极管的最大耐压点D. 电压和电流之间的非线性关系点答案：B二、填空题1. 二极管的正向电阻也被称为 ________。
答案：导通电阻2. 当二极管正向电压超过其导通电阻时，电流 ________ 变大。
答案：会3. 反向击穿是指二极管的正向电压逆向超过 ________。
答案：击穿电压4. 二极管的一端标有 ________。
答案：阳极5. 在二极管的V-I特性曲线中，曲线的上升部分对应着二极管的________。
答案：正向工作区三、简答题1. 请简要说明二极管的结构和工作原理。
答案：二极管由P型半导体和N型半导体组成，P型半导体中的空穴浓度较高，N型半导体中的电子浓度较高。
当二极管的阳极（P型半导体）连接到正极，而阴极（N型半导体）连接到负极时，形成了正向偏置。
在正向偏置下，空穴从P型半导体向N型半导体流动，而电子从N型半导体向P型半导体流动，形成了二极管的正向电流。
当二极管的阳极连接到负极，而阴极连接到正极时，形成了反向偏置。
在反向偏置下，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子不能自由移动，电流无法通过二极管，二极管处于截止状态。
2. 解释二极管的导通和截止状态。
答案：在正向偏置下，二极管处于导通状态。
此时，二极管的阳极连接到正极，而阴极连接到负极。
空穴从P型半导体向N型半导体流动，电子从N型半导体向P型半导体流动，形成了二极管的正向电流。
《二极管测试题B》
鄂 尔 多 斯 生 态 环 境 职 业 学 院 考 试 试 卷级 姓名： 学号：________ 考场号：__________座位号： 装订线内不要答题 ◆◆◆装◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆订◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆线◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆《电子技术基础》二极管单元考试题B一、 判断题1.在N 型半导体中，主要是依靠电子来导电。
( )2.二极管具有单向导电性。
( )3.二极管加正向电压时一定导通。
( )4.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( )5.因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( )6.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( ) 二、填空题1．P 型半导体中 是多数载流子。
PN 结具有 特性。
2．理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。
3.半导体具有热敏特性、光敏特性和 特性。
4. 导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为 。
5. N 型半导体中，主要依靠 来导电。
P 型半导体中，主要依靠 来导电。
6. PN 结的正向接法是将电源的正极接 区，电源的负极接 区。
7. 硅二极管的死区电压约为 V ，锗二极管的死区电压约为 。
8•本征半导体热激发时的两种载流子分别是 、 。
9. •N 型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。
10.P 型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。
11.在常温下硅二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 ,在常温下锗二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 。
12.理想二极管正向电阻为__________，反向电阻为_________，这两种状态相当于一个___________。
13.用万用表“R ×1k ”挡测试二极管，若所测得电阻较大时，则黑表笔接触的是二极管的________极，与红表笔接触的是二极管的__________极。
三 选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
模拟电路之二极管考试题库完整
二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（）。
（a）12V （b）-9V （c）-3V2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。
（a）D1导通，D2、D3截止（b）D1、D2截止，D3导通（c）D1、D3截止，D2导通题1.1图题1.2图3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（）。
（a）D1导通，D2、截止（b）D1、D2均导通（c）D1、截止，D2导通题1.3图题1.4图4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（）。
（a）3V （b）5V （c）2V5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为图（b）所示的三角波，则输出电压u0的最大值为（）。
（a）5V （b）17V （c）7V（a）(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ).（a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV题1.6图题1.7图7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（）。
（a）3V （b）0V （c）－12V8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（）。
(1) (2)9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。
则电压U0等于（）。
（a）3V （b）15V （c）－3V11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V，则电压U0等于（）。
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晶体二极管和二极管整流电路
姓名：
一、填空
1、如图，这是 材料的二极管的
曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。
正常
导通后，此管的正向压降约为 V 。
当反向电压增大到 V 时，即称为 电压。
2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V 。
3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。
4、 PN 结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。
5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。
6、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。
7、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。
8、 如图，V 1、V 2为理想二极管。
1状态 ，V 2状态 。
AB = V
9、如图，V 为理想二极管。
状态 ，
V AB = V
A B
10、图中，V为硅二极管。
与A接通时，
V的状态，V
MN
= V
与B接通时，
的状态，V
MN
= V
二、判断题
1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。
2、（）硅二极管门坎电压是0.3V，正向压降是0.6V。
3、（）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。
4、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
5、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。
三、单项选择题
1、（）关于晶体二极管的正确叙述是：
A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
2、（）如图，电源接通后，正确说法为
A H
1
、H
2
、H可能亮。
B H
1
、H
2
、H都不亮。
C H
1
可能亮，H
2
、H不亮。
D H
1
不亮，H
2
、H可能亮。
3、（）如图，V为理想二极管
A V导通，V
AB
=0V。
B V导通，V
AB
=15V。
C V截止，V
AB
=12V。
D V截止，V
AB
=3V。
4、（）如图，V为理想二极管
A V截止，V
AB
=12V。
B V导通，V
AB
=6V。
C V导通，V
AB
=18V。
D V截止，V
AB
=0V。
5、（）二极管两端加上正向电压时
A 一定导通
B 超过死区电压才能导通
B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通
6、（）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会：
A 变大
B 变小
C 不变化
D 不能确定
6V
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