Silvaco操作指南

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Silvaco操作指南-53页..

第二篇半导体工艺及器件仿真软件Silvaco操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件Silvaco的基本使用。

书中通过例程引导学习工艺仿真模块Athena和器件仿真模块Atlas，通过这两部分的学习可以使学习人员深入了解半导体物理的基本知识，半导体工艺的流程，以及晶体管原理的基本原理，设计过程，器件的特性。

对于学习集成电路的制备及后道工序有一定的帮助。

第一章 SILVACO软件介绍 (3)1.1程序启动 (3)1.2选择一个应用程序例子 (4)1.3工艺模拟 (6)1.3.1 运行一次模拟 (6)1.3.2 渐进学习模拟 (6)1.3.3 绘制结构 (6)1.3.4 使用Tonyplot进行绘图 (7)1.3.5 修正绘图的外观 (7)1.3.6 缩放及在图上进行平移 (8)1.3.7 打印图形 (9)1.4使用H ISTORY功能 (9)1.5明确存贮状态 (10)1.6创建用于比较的两个结构文件 (10)1.6.1 存贮文件创建 (10)1.6.2 文件交叠 (11)1.7运行MOS工艺程序的第二部分 (13)1.7.1 `Stop At' 功能 (13)1.7.2 使用Tonyplot用于2-D结构 (14)1.7.3 使用Tonyplot来制备一轮廓图 (14)1.7.4 产生交互式图例 (16)1.8工艺参数的抽取 (17)1.8.1 源漏结深 (18)1.8.2 器件阈值电压 (18)1.8.3 电导及偏压曲线 (18)1.8.4 一些薄层电阻 (20)1.8.5 沟道表面掺杂浓度 (20)1.9器件模拟 (21)1.9.1 器件模拟界面工艺 (21)1.9.2 建立器件模拟 (21)1.9.3 执行器件模拟 (22)1.9.4 抽取器件参数 (22)第二章电阻仿真及阻值抽取 (23)第三章扩散二极管仿真 (33)2.1硼扩散 (33)2.2进行MESH的实验 (38)2.3绘制杂质掺杂轮廓曲线 (39)2.4查看抽取结果 (40)第四章 NMOS电学特性仿真 (42)3.1NMOS例子加载 (42)3.2T ONYPLOT操作 (43)3.3查看电学仿真结果 (47)第五章工艺流程的横断面观察 (50)4.1初始化衬底 (50)4.2氧化层屏蔽 (50)4.3NWELL注入 (51)4.4PWELL注入 (51)4.5场氧化层生长 (52)4.6 阱推进52第一章 Silvaco软件介绍本章将介绍下面两个VWF（虚拟wafer制备）交互工具的基本使用：∙Deckbuild：VWF运行时控制应用程序。

SILVACO-ATLAS操作文档

验子空穴迁移率（mun、mup）。本部分将指定本征载流子浓度允许的最小值为 1e‐10，电子空穴的寿命均为 1e‐9s。直接在主窗口中输入语句。“material ni.min=1e‐10 taun0=1e‐9 taup0=1e‐9”
实四、模型指定命令组以上我们已经建立了器件结构，现在我们将进入模型指定命令组。在这个命令组中，我们将分别用 Model
室
验
实
子
电
微
学
大图 4.3
图 4.4
山以上我们将每个电极均定义为欧姆接触，接触势为 4.1。中 3. 指定接触面特性
室 2. ATLAS 命令的顺序在 ATLAS 中，每个输入文件必须包含按正确顺序排列的五组语句。这些组的顺序如图 1.1 所示。如果
不按照此顺序，往往会出现错误信息并使程序终止，造成程序非正常运行。
验
实
子
电
微
3. 开始运行 ATLAS
学图 1.1
1) 2)
大点击桌面图标“Exceed XDMCP Broadcast”。（如图 1.2）
1. 定义网格在 ATLAS 中定义器件只能用矩形方式定义。如欲定义如右图的结构，必须按照三个
学黑色矩形来定义。这些矩形区域在 ATLAS 中称之为网格。网格的大小由 X、Y 坐标（loc）定义，为了更为精确的描述网格，ATLAS 将网格进行细分(spac)，等号后面的参数即为细分的间隔。
大网格的疏密决定仿真结果的精确程度。
能带间隙、少子寿命等。本节将用 material 命令来定义相关参数。 Material 参数分为几大类。区域参数，能带结构参数，迁移率模型参数，复合模型参数等等。每个参数
室都对应一定的物理模型，由一系列方程来表示这些量。常用参数（命令）有：本征载流子浓度允许的最小值（ni.min）、电子空穴的寿命（taun0、taup0）、电

Silvaco之windows版安装教程

Silvaco之windows版安装教程1、执行12110-tcad-2010-00-win文件，选择Install License Server2、点击Next，Silvaco开始安装3、如果安装过程中出现如下情况，一定要选择允许4、之后会出现设置服务器密码窗口，设置一个能记住的密码例如1234565、之后出现如下窗口点击确定继续安装6、最后出现如下窗口，点击Finish完成安装Silvaco破解方法1、双击打开桌面上S. EDA Tools快捷方式，双击Stop Server图标2、会弹出一个DOS窗口3、窗口自动关闭后，服务器关闭，此时将Key文件夹中的rpc.sflmserverd文件拷贝至C:\sedatools\lib\rpc.sflmserverd\8.2.1.R\x86-nt替换原有文件4、替换完成后双击打开桌面上S. EDA Tools快捷方式，双击StartServer图标5、弹出的DOS窗口会自动关闭，表示服务已经启动，此时双击6、打开服务器管理程序7、输入安装步骤4中设定的密码，点击Login，之后出现以下界面8、点击Register Online，出现以下界面9、随便填上一些信息，注意要符合要求，点击Next，随后出现以下界面10、点击Next，就会出现，Server Code Name如下图所示11、记下该Code，用记事本打开Key文件夹下的all.lic文件12、把LM_HOSTIDS后面的字符串替换成刚才记下的Code，保存，关闭记事本。

13、此时在点击第11步中的OK按钮，出现以下界面14、点击Install New License，选择Install Saved File15、在之后的窗口中点击浏览选择，刚才更改的all.lic文件，点击agree，如果显示SFLMhas installed the specified license file则表示破解成功，点击Done完成安装16、deckbuild启动时需要设置工作目录，点击deckbuild的edit菜单，选择preferences，在working directory中指定一个工作目录即可。

Silvaco操作指南

第二篇半导体工艺及器件仿真软件Silvaco操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件Silvaco的基本使用。

对于学习集成电路的制备及后道工序有一定的帮助。

Silvaco TCAD交互式工具的界面及基本操作

• Device Simulation
3D-VICTORY DEVICE，Device 3D，Giga3D，Luminous3D，Quantum3D， TFT3D，Magnetic3D，Thermal3D，MixedMode3D 2D-ATLAS，S-pisces，Blaze，MC Device，Giga，MixedMode，Quantum， Ferro，Magnetic，TFT，LED，Luminous，Laser，VCSEL，Organic Display， Organic Solar，Noise，Mercury；
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3
1.1 Silvaco TCAD 框架
• Process Simulation
3D-VICTORY PROCESS，VICTORY CE 2D-ATHENA，SSuprem4，MC Implant/Deposit/Etch，Elite，Optolith； 1D-ATHENA 1D，SSuprem3；
Silvaco TCAD框架交互工具DeckBuild及主要操作交互工具Tonyplot及主要操作
• 下一课主要内容
TCAD仿真流程语法规则语法学习及书写建议
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欢迎提问
谢谢！
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Thank you
Regions Edges Conrours Junction Mesh Electrodes
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3.2.1 Tonyplot－Tools>Cutline
• 在二维结构中划“线”（直线或折线）以显示一维信息
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3.2.1 Tonyplot －Tools>Cutline

Silvaco中文学习手册

§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。

假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 与BJT的基本概念。

4、1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真4、1、1 概述本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。

包括:a、创建一个好的仿真网格b、演示淀积操作c、演示几何刻蚀操作d、氧化、扩散、退火以及离子注入e、结构操作f、保存与加载结构信息4、1、2 创建一个初始结构1定义初始直角网格a、输入UNIX命令: deckbuild-an&,以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。

在短暂的延迟后,deckbuild主窗口将会出现。

如图4、1所示,点击File目录下的Empty Document,清空DECKBUILD文本窗口;图4、1 清空文本窗口b、在如图4、2所示的文本窗口中键入语句go Athena ;图4、2 以“go athena”开始接下来要明确网格。

网格中的结点数对仿真的精确度与所需时间有着直接的影响。

仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。

c、为了定义网格,选择Mesh Define菜单项,如图4、3所示。

下面将以在0、6μm×0、8μm的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。

图4、3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0、6μm×0、8μm的方形区域内创建非均匀网格a、在网格定义菜单中,Direction(方向)栏缺省为X;点击Location(位置)栏并输入值0;点击Spacing(间隔)栏并输入值0、1;b、在Comment(注释)栏,键入“Non-Uniform Grid(0、6um x 0、8um)”,如图4、4所示;c、点击insert键,参数将会出现在滚动条菜单中;图4、4 定义网格参数图 4、5 点击Insert键后d、继续插入X方向的网格线,将第二与第三条X方向的网格线分别设为0、2与0、6,间距均为0、01。

SILVACO Expert200 说明书

• 高效的版图编辑环境用于模拟、混合信号、RF和数字版图，并带有整合的 DRC/LVS/LPE和参数提取功能• 提供用于设计自动化的强大的脚本编辑功能和C++ API• Expert200节点探测（Node Probing）可凸显节点，以提供连接可视化。

当点击某一对象时，它可以凸显所有与之有电学连接的版图对象限于1000个版图对象的全功能版图编辑器Expert200Expert200是一个具有Expert分层次版图编辑器全部功能的经济版本，仅限于最多带有1000个平展式版图对象的版图设计。

它是大学教师、学生以及小型电路设计师的理想之选。

Expert200与Gateway200紧密整合，以用于基于原理图的版图设计。

Expert200适用于产品评估、教学和培训。

全定制热键、宏命令、工具栏、版图层、颜色和点画可直接从Virtuoso导入，为版图设计师有提供熟悉和高效的工作环境。

高效版图编辑环境易用性• 通过多层次进行多视窗迅速平移和缩放——带有用于追踪的书签功能• 与Guardian的DRC/LVS/LPE无缝整合，用于实时、在线或批处理验证• 实时DRC快速在线验证版图• 高效的版图编辑环境用于编辑CMOS、BJT、BiCMOS、SiGe、GaAs、InP以及其他独特工艺中的模拟、RF、微波和数字电路• 全层次版图的多视窗编辑功能可用于现场编辑、分组、搜索以及只需较少鼠标点击的快速导航• 理想用于标线生成和掩膜修改• 可定制热键菜单和命令行选项便于命令调用• 可为版图设计师提供仿效virtuoso环境的外观和使用感觉的可定制热键、宏命令和工具栏• 晶圆代工厂的工艺设计套件（PDK）可快速启动全新的设计环境• 在线提供所有菜单和图标的使用说明• 支持Linux和Windows平台，可广泛应用于各经济型工作站上• 安装简单，无须咨询技术顾问便可设置环境• 具有跨操作平台的浮动许可证系统•可驱动广泛的打印机和绘图仪，可依据纸张大小设置多页打印多功能编辑器为模拟、RF、微波电路原件（包括 CMOS、BJT、BiCMOS、SiGe、GaAs、Sic、InP、TFT及其他工艺技术中的电感器和功率器件）建立了全角度多边形• 支持Dracula和Diva的DRC/LVS/LPE规则deck输入档• 可直接读取Calibre误差报告，用于结果检视环境（RVE:Result Viewing Environment）• 从Virtuoso导入技术文件，用于版图层、颜色、点画、可定制热键、宏命令和工具栏• 导入GDSII和CIF数据的既有设计• 支持Solaris、Linux和Windows(NT/2000/XP)平台，用户界面一致与通用设计流程的互操作性强大的版图编辑器功能• 利用JavaScript和LISA脚本编辑和图形支持功能建立参数化单元（Pcell）• C++ API能调用所有编辑功能• 签入、签出库管理器使不同设计师能在网上同时作业于一个项目设计• 自动尺寸调整功能大大简化了工艺迁移的过程Expert200 输入/输出Silvaco Singapore Pte Ltd 77 Science Park Drive, CINTECH III #03-10Singapore Science Park I, Singapore 118256Tel: +65-6872 3674Fax: +65-6872 2497Email:*******************全角度特性• 连线和放置器件可成90度、45度或任意角度• 量角器供精确测量任意角度• 支持从现有版图中导出的版图层• 所有命令均设命令行输入• 支持现场编辑、分解视图和平展式数据• 数据安全选项可保存运行日志，以用于撤消操作实时DRC • 完全集成的实时Guardian DRC贯穿于整个Expert 编辑过程• 在编辑版图时DRC违例将被自动标示出• 在版图编辑过程中及时纠错，从而大大减少了最终的DRC验证• 与Guardian DRC的规则设置相同Rev. 072310_04。

Silvaco中文学习手册样本

§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 本章将向读者简介如何使用SILV ACO公司TCAD工具A THENA来进行工艺仿真以及ATLAS来进行器件仿真。

假定读者已经熟悉了硅器件及电路制造工艺以及MOSFET和BJT 基本概念。

4.1 使用ATHENANMOS工艺仿真4.1.1 概述本节简介用A THENA创立一种典型MOSFET输入文献所需基本操作。

涉及：a. 创立一种好仿真网格b. 演示淀积操作c. 演示几何刻蚀操作d. 氧化、扩散、退火以及离子注入e. 构造操作f. 保存和加载构造信息4.1.2 创立一种初始构造1定义初始直角网格a. 输入UNIX命令：deckbuild-an&，以便在deckbuild交互模式下调用A THENA。

在短暂延迟后，deckbuild主窗口将会浮现。

如图4.1所示，点击File目录下Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口；图4.1 清空文本窗口b. 在如图4.2所示文本窗口中键入语句go Athena ；图4.2 以“go athena”开始接下来要明确网格。

网格中结点数对仿真精准度和所需时间有着直接影响。

仿真构造中存在离子注入或者形成PN结区域应当划分更加细致网格。

c. 为了定义网格，选取Mesh Define菜单项，如图4.3所示。

下面将以在0.6μm×0.8μm 方形区域内创立非均匀网格为例简介网格定义办法。

图4.3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0.6μm×0.8μm方形区域内创立非均匀网格a. 在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击Location（位置）栏并输入值0；点击Spacing（间隔）栏并输入值0.1；b. 在Comment（注释）栏，键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示；c. 点击insert键，参数将会出当前滚动条菜单中；图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后d. 继续插入X方向网格线，将第二和第三条X方向网格线分别设为0.2和0.6，间距均为0.01。

Silvaco操作指南

第二篇半导体工艺及器件仿真软件Silvaco操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件Silvaco的基本使用。

对于学习集成电路的制备及后道工序有一定的帮助。

第一章 SILVACO软件介绍 (3)1.1程序启动 (3)1.2选择一个应用程序例子 (4)1.3工艺模拟 (5)1.3.1 运行一次模拟 (5)1.3.2 渐进学习模拟 (5)1.3.3 绘制结构 (5)1.3.4 使用Tonyplot进行绘图 (6)1.3.5 修正绘图的外观 (6)1.3.6 缩放及在图上进行平移 (7)1.3.7 打印图形 (8)1.4使用H ISTORY功能 (8)1.5明确存贮状态 (9)1.6创建用于比较的两个结构文件 (9)1.6.1 存贮文件创建 (9)1.6.2 文件交叠 (10)1.7运行MOS工艺程序的第二部分 (12)1.7.1 `Stop At' 功能 (12)1.7.2 使用Tonyplot用于2-D结构 (13)1.7.3 使用Tonyplot来制备一轮廓图 (13)1.7.4 产生交互式图例 (15)1.8工艺参数的抽取 (16)1.8.1 源漏结深 (17)1.8.2 器件阈值电压 (17)1.8.3 电导及偏压曲线 (17)1.8.4 一些薄层电阻 (19)1.8.5 沟道表面掺杂浓度 (19)1.9器件模拟 (20)1.9.1 器件模拟界面工艺 (20)1.9.2 建立器件模拟 (20)1.9.3 执行器件模拟 (21)1.9.4 抽取器件参数 (21)第二章电阻仿真及阻值抽取 (22)第三章扩散二极管仿真 (32)2.1硼扩散 (32)2.2进行MESH的实验 (37)2.3绘制杂质掺杂轮廓曲线 (38)2.4查看抽取结果 (39)第四章 NMOS电学特性仿真 (41)3.1NMOS例子加载 (41)3.2T ONYPLOT操作 (42)3.3查看电学仿真结果 (46)第五章工艺流程的横断面观察 (49)4.1初始化衬底 (49)4.2氧化层屏蔽 (49)4.3NWELL注入 (50)4.4PWELL注入 (50)4.5场氧化层生长 (51)4.6 阱推进51第一章 Silvaco软件介绍本章将介绍下面两个VWF（虚拟wafer制备）交互工具的基本使用：•Deckbuild：VWF运行时控制应用程序。

(整理)silvaco教程.

§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。

假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和BJT的基本概念。

4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真4.1.1 概述本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。

包括：a. 创建一个好的仿真网格b. 演示淀积操作c. 演示几何刻蚀操作d. 氧化、扩散、退火以及离子注入e. 结构操作f. 保存和加载结构信息4.1.2 创建一个初始结构1定义初始直角网格a. 输入UNIX命令：deckbuild-an&，以便在deckbuild交互模式下调用A THENA。

在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会出现。

如图 4.1所示，点击File目录下的Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口；图4.1 清空文本窗口b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ；图4.2 以“go athena”开始接下来要明确网格。

网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。

仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。

c. 为了定义网格，选择Mesh Define菜单项，如图4.3所示。

下面将以在0.6μm×0.8μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。

图4.3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格a. 在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击Location（位置）栏并输入值0；点击Spacing（间隔）栏并输入值0.1；b. 在Comment（注释）栏，键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示；c. 点击insert键，参数将会出现在滚动条菜单中；图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后d. 继续插入X方向的网格线，将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6，间距均为0.01。

silvaco安装教程详细图解

[原创]Silvaco在linux下的安装方法——提供给要学习silvaco软件的各位首先声明：本教程借鉴了前人的安装成果，在此表示感谢。

要安装此版本需要有windows版本的支持（必须先在Windows下安装一次silvaco!），因为linux版本无破解档，所以我并没有像网上安装一样安装服务在linux版本下，我安装服务在windows，linux从windows获得服务，从而开启linux下的silvaco。

（本教程及软件是给那些想要学习silvaco软件的，请勿用于任何其它商业用途）第一部分、安装Windows版本silvaco收藏该网页后，请把该网页关闭！但是在上一步操作之前，要先进行下面的一步操作，否则会出错。

第二部分、安装linux版本silvaco1.要将silvaco档复制到虚拟机，要建立共享，通过此档夹进行windows与虚拟机之间的档传输，共享方法如下Vm→settings→options→shared folder→add选择silvaco所在档夹及自己设置的共享的名称2.共享后可在/mnt/hgfs/目录下找到此文件夹，复制silvaco linux版本安装档至虚拟机我新建了个活页夹/eda(linux4在guest’s home里创建)3.直接选择silvaco压缩文件后右键点击“Extract here”解压档4.查看虚拟机与windows的ip地址右击网上计算机→可以看到虚拟了两个网络，vmnet8vmnet1，查看vmnet8的ip地址右击属性→双极tcp/ip协议可以看到ip地址（是在windows与虚拟机之间使用的ip地址，并非上网的ip地址），记住此地址5.进入虚拟机，打开终端，查看网络是否通畅ping刚才看的vmnet8的ip地址，如果能有数据接收（若不通请关闭防火墙，vista用户注意，由于vmware 6.5不能与redhat网络兼容，好像刚刚装好网络不通，请按照此方法设置打开终端gedit/etc/sysconfig/network-scripts/ifcfg-eth0在最后加入check_link_down(){return1;}保存退出ifdown eth0ifup eth0这样的话网络应当通了吧）建立环境变量gedit/etc/csh.cshrc在最后一行加入set path=($path:q/eda/bin)后面的目录就是silvaco 解压后bin文件夹所在目录setenv SFLM_SERVERS刚才查看的vmnet8的ip地址注意：这里可能会出现一个问题！详细过程如下：6.打开终端，输入cshdeckbuild(如果显示不能打开，缺少什么库什么的，请将此信息复制到网上，可以下到此库安装下就行了。

silvaco-atlas操作文档

一、ATLAS 概述ATLAS 是一个基于物理规律的二维器件仿真工具，用于模拟特定半导体结构的电学特性，并模拟器件工作时相关的内部物理机理。

1. ATLAS 输入与输出大多数ATLAS 仿真使用两种输入文件：一个包含ATLAS 执行指令的文本文件和一个定义了待仿真结构的结构文件。

ATLAS 会产生三种输出文件：运行输出文件(r un -t i m e ou t pu t )记录了仿真的实时运行过程，包括错误信息和警告信息；记录文件(log files)存储了所有通过器件分析得到的端电压和电流；结果文件(s o l u t i on f il e s )存储了器件在某单一偏置点下有关变量解的二维或三维数据。

2. ATLAS 命令的顺序在ATLAS 中，每个输入文件必须包含按正确顺序排列的五组语句。

这些组的顺序如图1.1所示。

如果不按照此顺序，往往会出现错误信息并使程序终止，造成程序非正常运行。

3. 开始运行ATLAS1) 点击桌面图标“Exceed XDMCP Broadcast ”。

（如图1.2）2) 弹出图二的界面。

点击“ASIC-V890”，点OK 进入。

3) 输入用户名“asic00”，点击OK （如图3）；输入密码“asic ”(注意大小写,并且本软件不显示密码图案“**”，一定注意输入正确与否)，点击OK （如图4）。

进入界面（如图5）图1.1 图1.2 图 1.3图 3.224) 右击空白处选择“Tools ”,再点击“Terminal ”。

（如图1.4）5) 在“Terminal ”窗口中“%”后输入“deckbuild –as&”（注意deckbuild 与–之间的空格）（如图1.5）。

按下“enter ”键。

进入atlas 界面（如图1.6）。

二、NMOS 结构的ATLAS 仿真我们将以下几项内容为例进行介绍：1. 建立NMOS 结构。

图 1.4图 1.5 图1.62. Vds=0.1V 时，简单Id-Vgs 曲线的产生；3. 器件参数如Vt ，Beta 和Theta 的确定；4. Vgs 分别为1.1V ，2.2V 和3.3V 时，Id-Vds 曲线的产生。

silvaco实例

silvaco实例
SILVaco实例是指使用SILVaco软件进行仿真和分析的实例。

下面是一个简单的Silvaco 实例，展示了如何使用 Silvaco 软件进行器件的建模和仿真：
1. 设置网格：根据器件的物理尺寸和特征，设置合理的网格密度和大小，以确保仿真结果的准确性。

2. 定义材料和掺杂：根据器件的材料类型和掺杂浓度，选择适当的材料模型和掺杂分布函数。

3. 求解器设定：根据仿真的具体要求和条件，选择适当的求解器，并设置求解参数。

在完成上述步骤后，即可使用 Silvaco 软件进行器件的仿真和分析。

仿真结果可以保存为文本格式，也可以使用图形界面进行查看和分析。

请注意，具体的 Silvaco 实例会因仿真对象和要求的不同而有所差异。

在实际使用中，请根据具体情况进行适当的调整和设置。

silvaco在windows下安装教程

silvaco在windows下安装教程[原创]Silvaco在windows下的安装方法——提供给要学习silvaco软件的各位首先声明：要安装此版本需要有windows版本的支持，因为linux版本无破解文件，所以我并没有像网上安装一样安装服务在linux版本下，我安装服务在windows，linux从windows 获得服务，从而开启linux下的silvaco。

（本教程及软件是给那些想要学习silvaco软件的，请勿用于任何其他商业用途）本教程从安装windows的silvaco开始到虚拟机一直教到大家将silvaco安装完成为止。

首先告诉大家此教程是在windows xp下操作的，如果是vista用户，操作有些不同，我会慢慢提出来。

安装windows xp版本的silvaco ，这个网上都有：1、安装TCAD 2007.04，如果作为LICENSE服务器，请选择安装SFLM server。

然后在系统服务里停止：Standard Floating License Manager (SFLMSERVERD)，如果有这个服务的话。

2、把rpc.sflmserverd.exe拷贝到下面的路径：sedatools\\lib\pc.sflmserverd\\8.0.3.R\\x86-nt替换原来的文件。

3、在快捷方式中运行Start Server确保下面的系统服务启动：Standard Floating License Manager (SFLMSERVERD)会要你设密码，随便写一个就行。

4、通过IE http://127.0.0.1:3162进入SFLM设置,通过SFLM在线获取该电脑的SFLM_ID。

可能得到的格式如下：0SSMID12345678，也可能是比这个复杂多的形式5、修改Silvaco.lic中下面的一行，替换为4中你申请到的SFLM_ID。

LM_HOSTIDS XXX6、拷贝修改后的Silvaco.lic到下面路径：C:\\sedatools\\etc\\license7、通过SFLM Access，正常选择安装Silvaco.lic。

硅烷塔操作规程

硅烷塔操作规程硅烷是一种常用的半导体材料，广泛应用于电子行业。

硅烷塔是生产硅烷的设备，操作规程对于确保设备正常运行和生产出优质的产品至关重要。

本文将详细介绍硅烷塔操作规程，匡助操作人员正确操作设备，提高生产效率。

一、设备准备1.1 确保硅烷塔设备处于正常工作状态，检查设备是否有损坏或者异物。

1.2 检查硅烷储罐内硅烷液位，确保足够的硅烷供应。

1.3 检查气源和电源是否正常，确保设备可以正常运行。

二、操作步骤2.1 打开硅烷塔设备的电源开关，启动设备，等待设备预热。

2.2 调节硅烷塔设备的温度和压力，根据生产需求设定合适的参数。

2.3 打开硅烷储罐的阀门，将硅烷输送至硅烷塔设备中，开始生产硅烷。

三、安全注意事项3.1 操作人员需穿戴防护装备，如防护服、手套、护目镜等。

3.2 硅烷是一种易燃易爆气体，操作过程中禁止吸烟和使用明火。

3.3 在操作过程中严禁发生人员和设备的任何接触，确保操作安全。

四、设备维护4.1 定期清洁硅烷塔设备，防止积灰和阻塞影响设备正常运行。

4.2 定期检查硅烷塔设备的各个部件，如阀门、管道等，确保设备运行畅通。

4.3 定期更换硅烷塔设备的滤芯和密封件，确保设备密封性和过滤效果。

五、故障处理5.1 当硅烷塔设备浮现故障时，即将住手生产，并及时通知维修人员。

5.2 在维修人员到达之前，操作人员应尽量排除故障原因，避免进一步损坏设备。

5.3 维修人员到达后，按照他们的指导进行故障处理，确保设备尽快恢复正常运行。

总之，严格遵守硅烷塔操作规程，确保设备正常运行和生产安全是操作人员的责任。

惟独做好设备准备、操作步骤、安全注意事项、设备维护和故障处理等方面的工作，才干保证硅烷塔设备的高效运行和生产出优质的硅烷产品。

希翼本文的介绍能够匡助操作人员更好地掌握硅烷塔操作规程，提高生产效率和产品质量。

Silvaco_TCAD交互式工具的界面与基本操作

Stop（Shift + F5）：执行完当前行就停止；
Next（F10）：运行完下一行就停止； Continue（F5）：在之前停止运行的行开始往下运行；
Initialize：从仿真历史初始化； Kill（Ctrl + K）：强制立即结束； Line（Ctrl + L）：重置当前行为选择的行；
2.2.4 DeckBuild菜单栏——Execution
• 进度控制（运行、结束、暂停、设置“断点”、运行到“断点”暂停、初始化、退出、强制结束）
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2.2.5 DeckBuild菜单栏——Help
• 导入示例
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2.3 DeckBuild进度控制
• 仿真控制
Run（Ctrl + R）：从上致下执行到“断点”（即“Stop at line”的“line”）时结束；
• 显示结构和仿真曲线
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3.1.1 Tonyplot－Plot菜单
• Display：显示方式设置
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3.1.2 Tonyplot－Plot>Display
Mesh：显示结构中的网格分布
Edges：显示结构的边界
Regions：显示材料区域
EMCEJRudloeenggnscehritosrionudnsrses
Contours：显示器件结构内部的物理量
Vectors：显示器件内部的矢量信息
Light：显示光线在器件内部的特性
Junction：显示器件结构中结的边界
Electrodes：显示电极的名称
3D：显示三维信息
Lines：按照颜色来显示
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3.2.1 Tonyplot－Tools>Cutline