ABOV eeprom 操作说明
EEPROM写入库说明
问题描述:当高性能电容的时间(根据 CPU 类型不同而不同)用完，或者电池模块过期(200天)，修改过的参数就会丢失。
使用以下程序库所提供的子程序，可以在 CPU 中的内部 EEPROM 中保存完整的变量区域，在运行期内该区域是不易失的(在系统手册中仅说明了保存单个变量)。
软件要求：此操作程序库使用需要 STEP 7 Micro/WIN V4.0 SP7 或者更高的版本。
警告：当 CPU 启动时，包含 DB (数据块)的存储卡不可以被插入。
如果包含 DB 的存储卡被插入，CPU 会读出存储卡的内容而不是去读内部 EEPROM，同时存储数据被错误的写回。
合并和使用库：1.将下载的文件“store_to_eeprom.zip”保存在电脑上。
2.在独立的目录下解压文件“store_to_eeprom.zip”。
3.双击开始解压的 STEP 7 Micro/WIN 库“store_to_eeprom.mwl”。
4.在 STEP 7-Micro/WIN 对话栏中打开确认集成的库。
增加的“EEPROM (v1.0)”文件夹中包含了子程序“EEPROM_Direct"”和“EEPROM_Indirect”。
图：01使用子程序：1.在网络中从文件夹“EEPROM (v1.0)”插入所需要的子程序。
2.根据例程中的参数列表给所选子程序分配输入输出参数。
使用适当的逻辑连接，以确保在执行期间程序执行触发输入位“Start”保持为1 (高)。
更多的信息也可以在子程序的注释中得到。
.注意：不能以很高的频率在 EEPROM 上保存数据。
EEPROM 典型的存储次数为100,000次。
如果超过这个值，CPU 将发生故障。
如果按小时在 EEPROM 上保存数值，那么 EEPROM 的预计使用寿命是 11 到 12 年。
起始地址为直接寻址“EEPROM_direct"”例程：图： 02表： 01起始地址为间接寻址“EEPROM_indirect”例程：图： 03表：02程序测试：程序运行后，删除可保持的 V 变量并将存储的数据装载回 CPU。
eeprom读写程序详解
eeprom读写程序详解EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 是一种可编程只读存储器，可以在电信号的作用下进行擦写和改写。
它通常用于存储单片机或其他嵌入式系统中的数据、设置参数、配置文件等。
对于 EEPROM 的读写程序，需要考虑以下几个方面:1. 读操作:读操作通常包括以下步骤:- 等待上次读操作完成。
- 获取要读取的数据的单元地址。
- 将 EEPGD 位和 CFGS 位清零。
- 启动读操作控制位 RD。
- 等待本次读操作完成。
- 将该单元地址中对应的数据返回。
在读取 EEPROM 数据时，为了避免芯片在一瞬间无法获取到数据，需要给芯片一定的时间来稳定获取数据。
因此，在读取操作中需要加入等待步骤。
2. 写操作:写操作通常包括以下步骤:- 等待上次写操作完成。
- 获取要写的数据的单元地址。
- 将要写的数据写入 EEPROM 的单元中。
- 将 EEPGD 位和 CFGS 位清零。
- 启动写操作控制位 WP。
- 等待写操作完成。
在写操作中，为了确保数据的可靠性，需要将要写的数据写入EEPROM 的单元中，并等待写操作完成。
同时，在写操作过程中，需要注意避免对无关的单元进行写操作，以免损坏 EEPROM 芯片。
3. 中断处理:在 EEPROM 的读写操作中，通常需要加入中断处理机制，以便在读写过程中及时响应和处理异常情况。
例如，在读取 EEPROM 数据时，如果 EEPROM 芯片出现故障，可能会导致读取失败。
为了避免这种情况，可以在读取操作中加入中断处理机制，在读取失败时及时报警或采取相应的应对措施。
总之，EEPROM 读写程序的实现需要考虑多个方面的因素，包括读操作、写操作、中断处理等。
同时，需要考虑 EEPROM 芯片的特性和限制，以便实现高效、稳定、可靠的 EEPROM 读写操作。
EEPROM实验说明
“EEPROM只读存储器的应用”实验说明实验内容一按照实验教程的要求，完成在文件缓冲区第1行输入16个字形码，实验箱数码管上分别显示0、1、2、……e、F等十六个字符。
实验步骤如下：1.数据下载⑴ ．将实验箱左下角的拨动开关置于左侧“编程”方式。
⑵．双击桌面TopWin6 图标→弹出TopWin Ver6.33T窗口。
⑶．选择器件：在主菜单“操作”栏中点击“选择器件”，弹出TOP0窗口，选择芯片类型“电擦除存储器”→选择芯片公司“ATMEL”→选择芯片型号“AT28C64B”→确认。
或者点击“选择芯片的型号”图标，弹出sellecte chip窗口，点击“ALL”→点击“ATMEL”→点击“AT28C64B”→确定。
⑷．在主菜单“操作”栏中点击“擦除器件”或者点击“擦除器件”图标。
⑸．在文件缓冲区第1行，用鼠标左键点亮第一个FF，将实验教程中的编程数据（八段共阴字形码）共计16个，去掉前面的0和后面的H，变成如FD、61、DB、F3 …从左至右依次正确输入。
⑹. 在主菜单“操作”栏中点击“写器件”→点击“校对”→点击“读器件”。
或者点击“写器件”图标→点击“比较器件与缓冲区数据”图标→点击“读器件中内容到缓冲区”图标。
2.硬件电路接线，实验结果⑴.将实验箱左下角的拨动开关置于右侧“实验”方式，此时位于开关右边的灯亮。
⑵.实验连线：将EEPROM芯片的地址输入端A3、A2、A1、A0分别连接4个开关；将芯片的数据输出端O7、O6…O1、O0分别连接共阴八段数码管的a、b…g、h(Dp)端。
⑶.打开实验箱电源（在实验箱后面）。
⑷.在开关上改变EEPROM的地址输入从0000到1111共计16个状态，八段共阴数码管上分别显示0、1、2、……e、F等十六个字符。
实验内容二完成在文件缓冲区第n行上述输入16个字形码，在实验箱数码管上分别显示0、1、2、……e、F等十六个字符。
实验步骤同上，要注意的是实验连线时，要使芯片的地址必须与字形码在缓冲区的地址相符。
eeprom应用实例
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦写的
非易失性存储器，常用于嵌入式系统中保存配置信息、历史数据等。
以下是一个简单的EEPROM应用实例，演示如何在Arduino上使用EEPROM来存储和读取数据。
示例：在Arduino上使用EEPROM存储和读取一个整数
这个简单的Arduino示例演示了以下步骤：
1.包含EEPROM库：#include <EEPROM.h>包含了Arduino的EEPROM库。
2.定义EEPROM地址和要存储的值：address是EEPROM的地址，value是要
存储的整数值。
3.在setup中读取EEPROM：在setup函数中，首先从EEPROM读取存储的
值。
如果EEPROM中没有有效数据（255表示未写入数据），则使用默认
值。
4.在loop中执行任务：在loop函数中，你可以执行其他任务。
这个例子中，
简单地模拟值的变化，将新值写入EEPROM，并在串口上打印当前值。
5.等待一段时间：为了能够观察到EEPROM的变化，使用delay(1000)在每次
循环中等待1秒。
这只是一个简单的示例，实际应用中，你可能会使用EEPROM来存储设备配置、历史数据、用户设置等信息。
请注意，EEPROM有限的写入寿命，过于频繁的写入可能会导致擦写次数用尽。
eeprom 手册
eeprom 手册摘要：1.简介2.EEPROM 的原理3.EEPROM 的类型4.EEPROM 的操作5.EEPROM 的应用6.EEPROM 的选购与使用注意事项正文：【简介】EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）是一种非易失性存储器，具有可擦除和可编程的特点，广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细介绍EEPROM 的原理、类型、操作以及应用，并给出选购和使用EEPROM 的注意事项。
【EEPROM 的原理】EEPROM 的原理是通过在存储单元中存储一定数量的电子，从而实现数据的存储。
每个存储单元都由一个浮栅晶体管组成，通过改变浮栅中的电子数量，可以实现数据的写入和擦除。
【EEPROM 的类型】EEPROM 有多种类型，根据其结构和工作原理，可以分为以下几种：1.标准EEPROM：最常用的EEPROM 类型，具有较快的写入速度和较低的擦除次数。
2.闪存：具有较快的擦除速度和较高的擦除次数，但写入速度较慢。
3.铁电随机存储器：具有极快的擦除速度和较高的擦除次数，但写入速度慢且容量较小。
【EEPROM 的操作】EEPROM 的操作主要包括写入和擦除。
写入时，通过改变存储单元中的电子数量来实现数据的存储；擦除时，通过施加高电压将存储单元中的电子全部移除，从而实现数据的清除。
【EEPROM 的应用】EEPROM 广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、数码相机等。
主要用途包括存储配置信息、用户数据、系统数据等。
【EEPROM 的选购与使用注意事项】1.选购时，应根据设备的具体需求选择合适的EEPROM 类型和容量。
2.在使用过程中，要注意避免过高的擦除次数，以免影响EEPROM 的使用寿命。
3.由于EEPROM 具有可擦除性，所以在使用过程中要防止误操作，以免造成数据丢失。
eeprom使用的流程
EEPROM使用的流程1. 简介EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种特殊的非易失性存储器，可以通过电子擦除的方式对其中的数据进行修改。
EEPROM 的使用可以在许多应用中存储重要的配置信息或用户数据，并在需要时进行读取、修改和擦除。
2. EEPROM流程概述使用EEPROM时，通常需要遵循以下基本流程：1.初始化EEPROM2.写入数据到EEPROM3.从EEPROM中读取数据4.擦除EEPROM中的数据下面将详细介绍每个流程的步骤和注意事项。
3. 初始化EEPROM在使用EEPROM之前，需要对其进行初始化。
初始化的过程可以包括确定EEPROM的地址、设置相关的控制寄存器等操作。
以下是初始化EEPROM的一般步骤：•确定EEPROM的地址：根据硬件设计和连线的方式，确定EEPROM 的地址。
通常情况下，EEPROM都会有一个唯一的I2C地址，可以通过连接敏感引脚或编程进行设置。
•设置控制寄存器：根据EEPROM的型号和规格，设置相关的控制寄存器。
这些寄存器可以包括写使能、擦除使能、写保护等设置。
根据具体的硬件平台和开发工具，设置方法可能会有所不同。
•验证初始化：在进行后续的写入和读取操作之前，需要验证EEPROM的初始化是否成功。
这可以通过读取控制寄存器的值或执行简单的读取操作来实现。
4. 写入数据到EEPROM一旦EEPROM初始化完成，可以开始向其中写入数据了。
写入数据到EEPROM通常需要注意以下几个步骤：•选择写入的地址：根据EEPROM的规格和需求，选择要写入数据的地址。
EEPROM通常被分为多个字节或页面，每个页面都有其唯一的地址。
•编写写入算法：根据需要，编写适合特定EEPROM型号的写入算法。
这些算法可能包括将数据按字节或页面写入EEPROM、校验写入的数据等操作。
根据具体的硬件平台和开发工具，写入算法可能会有所不同。
(整理)AVR单片机EEPROM寄存器.
ATmega88包含512字节的EEPROM数据存储器。
它是作为一个独立的数据EEPROM 的寿命至少为100,000 次擦除周期。
EEPROM 的访问由地址寄存器，数据寄存器和控制寄存器决定。
具体的SPI 及并行下载EEPROM 数据请参见P254“存储器编程”。
EEPROM 读/ 写访问EEPROM 读/ 写访问EEPROM 的访问寄存器位于I/O 空间。
EEPROM的写访问时间由Table 3给出。
自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。
用户操作EEPROM 需要注意如下问题：在电源滤波时间常数比较大的电路中，上电/ 下电时VCC 上升/ 下降速度会比较慢。
此时CPU 可能工作于低于晶振所要求的电源电压。
请参见P20“ 防止EEPROM 数据丢失” 以避免出现EEPROM 数据丢失的问题。
为了防止无意识的EEPROM 写操作，需要执行一个特定的写时序。
具体参看EEPROM控制寄存器的内容。
执行EEPROM 读操作时，CPU 会停止工作 4 个周期，然后再执行后续指令；执行EEPROM 写操作时，CPU 会停止工作2 个周期，然后再执行后续指令。
EEPROM 地址寄存器－EEARH和EEARL· Bits 15..9 – Res: 保留保留位，读操作返回值为零。
· Bits 8..0 – EEAR8..0: EEPROM 地址EEPROM 地址寄存器– EEARH和EEARL指定了512 字节的EEPROM。
EEPROM 地址是线性的，从0 到511 。
EEAR 的初始值没有定义。
在访问EEPROM 之前必须为其赋予正确的数据。
EEAR8 在ATmega48 中为无效位，必须始终将其赋值为”0”。
EEPROM 数据寄存器－EEDR· Bits 7..0 – EEDR7.0: EEPROM 数据对于EEPROM 写操作，EEDR 是需要写到EEAR 单元的数据；对于读操作，EEDR 是从地址EEAR 读取的数据。
EEPROM原理知识详解
EEPROM原理知识详解EEPROM是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 的缩写，即可擦除可编程只读存储器。
它是一种非易失性存储设备，可以在电源断开时保持数据内容不变。
EEPROM是一种用于存储数据的半导体存储设备，它可以被多次编程和擦除。
EEPROM原理知识如下：1.存储结构：2.数据读取：在数据读取时，传输栅允许电流通过，并将浮栅电容的电压提取到位线上，然后通过电路解码器将其转换为数字信号。
通过扫描操作从矩阵中读取指定地址的数据。
3.数据编程和擦除：在数据编程时，电子注入或去注入技术被用来改变浮栅电容中的电荷量。
对于电子注入，通过向传输栅施加一个较高的电压，电子将被注入浮栅中，从而改变其电荷量。
对于电子去注入，一个电压较高的信号被施加到传输栅，以将电子从浮栅中取出，从而改变其电荷量。
编程和擦除过程是通过在特定的时序下施加电压来实现的。
4.工作原理：EEPROM工作的时候，电压控制器将传输栅与浮栅电容分离，让传输栅允许电流通过。
在读取数据时，电压控制器连接传输栅和浮栅电容，以便将浮栅电容的电压提取到位线上。
在编程和擦除操作中，浮栅电容与传输栅被分离，电压控制器会将特定的电压序列施加到浮栅上，以改变电荷量。
通过施加适当的电压，数据可以从浮栅移动到传输栅，或者从传输栅移动到浮栅。
5.存储密度和速度：由于EEPROM的存储单元是矩阵结构，其存储密度相对较高，可以容纳大量的数据。
此外，EEPROM具有较快的速度，因为读取和编程擦除操作可以在不更改其他存储单元的情况下独立进行。
6.电源断电保护：总结：EEPROM是一种非易失性存储器，它使用浮栅电容和传输栅来存储和读取数据。
其通过电子注入或去注入技术来实现数据的编程和擦除。
EEPROM具有较高的存储密度和速度，并且具有电源断电保护功能。
单片机EEPROM读写数据流程解析
单片机EEPROM读写数据流程解析EEPROM 写数据流程第一步，首先是I2C 的起始信号，接着跟上首字节，也就是我们前边讲的I2C 的器件地址，并且在读写方向上选择“写”操作。
第二步，发送数据的存储地址。
24C02 一共256 个字节的存储空间，地址从0x00～0xFF，我们想把数据存储在哪个位置，此刻写的就是哪个地址。
第三步，发送要存储的数据第一个字节、第二个字节？？注意在写数据的过程中，EEPROM 每个字节都会回应一个“应答位0”，来告诉我们写EEPROM 数据成功，如果没有回应答位，说明写入不成功。
在写数据的过程中，每成功写入一个字节，EEPROM 存储空间的地址就会自动加1，当加到0xFF 后，再写一个字节，地址会溢出又变成了0x00。
EEPROM 读数据流程第一步，首先是I2C 的起始信号，接着跟上首字节，也就是我们前边讲的I2C 的器件地址，并且在读写方向上选择“写”操作。
这个地方可能有同学会诧异，我们明明是读数据为何方向也要选“写”呢？刚才说过了，24C02 一共有256 个地址，我们选择写操作，是为了把所要读的数据的存储地址先写进去，告诉EEPROM 我们要读取哪个地址的数据。
这就如同我们打电话，先拨总机号码（EEPROM 器件地址），而后还要继续拨分机号码（数据地址），而拨分机号码这个动作，主机仍然是发送方，方向依然是“写”。
第二步，发送要读取的数据的地址，注意是地址而非存在EEPROM 中的数据，通知EEPROM 我要哪个分机的信息。
第三步，重新发送I2C 起始信号和器件地址，并且在方向位选择“读”操作。
这三步当中，每一个字节实际上都是在“写”，所以每一个字节EEPROM 都会回应一个“应答位0”。
第四步，读取从器件发回的数据，读一个字节，如果还想继续读下一个字节，就发送一个“应答位ACK（0）”，如果不想读了，告诉EEPROM，我不想要数据了，别再发数据了，那就发送一个“非应答位NAK（1）”。
eeprom擦写流程
eeprom擦写流程
EEPROM(电可擦可编程只读存储器)的擦写流程如下：
1. 选中EEPROM芯片：首先需要使用I/O接口来选中EEPROM芯片，使其与MCU进行通信。
通常会有专门的片选引脚来实现芯片选中功能。
2. 写入数据：将待写入的数据发送给EEPROM芯片。
通常使用SPI、I2C或并行接口进行数据传输。
将数据写入EEPROM 的指定地址。
3. 发送擦除命令：若需要擦除特定的数据，需要先发送擦除命令给EEPROM芯片。
擦除命令的具体内容和格式会根据具体的EEPROM芯片而有所不同。
4. 擦除数据：EEPROM芯片接收到擦除命令后，会将指定地址的数据擦除。
擦除过程是将特定的存储单元重置为所需的初始状态。
5. 读取数据：可以通过相同的接口从EEPROM芯片中读取擦写后的数据。
读取操作通常会使用指定的地址。
注意：由于EEPROM的擦写次数有限，因此需要注意使用合适的擦写策略，以最大程度地延长EEPROM的使用寿命。
此外，不同的EEPROM芯片可能有不同的操作细节和特性，具体操作流程可能会有所不同，请参考相关的芯片数据手册和技术规格说明。
eeprom使用方法
eeprom使用方法EEPROM（电可擦可编程只读存储器）使用起来还挺有趣的呢！EEPROM就像是一个小仓库，用来存放数据。
它的好处是数据不会因为断电就消失哦。
那怎么往这个小仓库里放东西呢？这得看你用的是什么设备或者开发板啦。
一般来说，你得先在你的编程环境里找到对应的库或者函数。
比如说，在Arduino里使用EEPROM就超级简单。
你只要包含EEPROM库，然后就可以像给小盒子贴标签放东西一样，用函数来指定地址，再把你想要存的数据放进去。
就好像你把小宝贝放进一个个小格子里，每个格子都有自己的编号，这个编号就是地址啦。
从EEPROM里取数据也不难。
还是按照那个地址，用对应的函数把数据拿出来就好啦。
不过要小心哦，如果你取数据的时候地址弄错了，那就可能拿到错误的东西，就像你本来想拿糖果，结果拿到了小石子一样。
在使用EEPROM的时候，还有个要注意的点就是它的寿命。
它虽然能擦写很多次，但也不是无限的。
所以不要没事就一直擦了写、写了擦，要像爱护小宠物一样爱护它呢。
如果你是在做一些小项目，比如自制一个小的温度记录器。
你就可以把每次测量到的温度数据存到EEPROM里。
这样，就算突然断电了，之前的数据也还在，等来电了还能接着记录或者查看历史数据呢。
还有哦，不同的EEPROM芯片可能会有一些细微的差别。
有的可能存储容量大一点，有的可能读写速度快一点。
你在选择的时候，就像挑选小鞋子一样，要根据自己的“脚”（也就是项目需求）来选合适的。
要是你只是简单存几个小参数，那就不需要特别大存储容量的EEPROM啦。
总之呢，EEPROM就像是一个贴心的小助手，只要你按照它的规则来使用，就能很好地在你的小发明、小制作里发挥大作用啦。
EEPROM
EEPROM_write(4005,kk2);*/
}
}
if(PINF!=0XFF)
{
delayms(20);
if(PINF!=0xff)
AVR(ATMEGA128/16)内部EEPROM读写默认
下面这程序是128的
/****************************内部EEPROM头文件***************************/
#ifndef __eeprom_H__
#define __eeprom_H__
8、全局中断控制位GIE置1，放开总中断屏蔽位（如果打算利用EEIF中断功能）。
9、清除写操作允许位WREN,在本次写操作没有完毕之前禁止重开新的一次写操作。
10、当写操作完成时，控制位WR被硬件自动清零0，中断标志位EEIF被硬件自动置1。
如果本次写操作还没有完成，那么可以用软件查询EEIF位是否为1，或者查询WR位是否为0，来判定写操作是否结束。
/*EEPROM写子入程序*/
//写一个字节
void EEPROM_write(unsigned int Address, unsigned char Data)
{
while(EECR & (1<<EEWE)); /* 等待上一次写操作结束 */
EEAR = Address; /* 设置地址和数据寄存器*/
内部EEPROM读写操作步骤
从EEPROM中读取数据步骤：
1、把地址写入到地址寄存器EEADR中，注意该地址不能超过所用PIC1687X型号 单片机内部EEPROM实际容量。
eeprom的写入时序
eeprom的写入时序
EEPROM的写入时序是指在对EEPROM进行写入操作时所需遵循的时间顺序和时序要求。
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，它可以被多次擦除和编程，因此在许多电子设备中被广泛使用。
在进行EEPROM的写入操作时，需要遵循一定的时序要求，以确保数据能够正确地被写入并保持稳定。
一般来说，EEPROM的写入时序包括以下几个关键步骤：
1. 地址输入，首先需要将要写入的数据的地址输入到EEPROM 中，以确定数据写入的位置。
2. 数据输入，接着需要将要写入的数据输入到EEPROM中，这些数据将被存储在指定的地址上。
3. 写入命令，在将地址和数据输入之后，需要发送写入命令给EEPROM，以启动写入操作。
4. 写入时间，EEPROM在接收到写入命令后需要一定的时间来
完成数据的写入操作，这个时间取决于EEPROM的规格和型号。
5. 写入确认，最后，需要进行写入确认的操作，以确保数据已经成功地被写入到EEPROM中。
在整个写入时序中，每个步骤都需要严格按照规定的时序要求来进行，以确保数据的准确性和稳定性。
此外，不同型号的EEPROM 可能有不同的写入时序要求，因此在实际应用中需要根据具体的规格手册来进行操作。
总之，EEPROM的写入时序是确保数据正确、稳定地被写入到EEPROM中的关键步骤，它对于电子设备的正常运行和数据的可靠存储起着至关重要的作用。
eeprom 手册
eeprom 手册
（实用版）
目录
1.EEPROM 简介
2.EEPROM 的结构和工作原理
3.EEPROM 的种类和特点
4.EEPROM 的应用领域
5.EEPROM 的发展趋势
正文
1.EEPROM 简介
EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）是一种半导体存储器，具有可编程和可擦除的特点。
它可以存储数据，并在需要时对数据进行修改。
EEPROM 在手机、电脑、家电等领域有着广泛的应用。
2.EEPROM 的结构和工作原理
EEPROM 主要由存储单元、选址电路和擦除电路组成。
其工作原理是：通过选址电路选择需要读取或写入的数据存储单元，然后通过擦除电路对数据进行擦除或写入。
EEPROM 的数据擦除和写入是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。
3.EEPROM 的种类和特点
根据不同的结构和工作原理，EEPROM 可以分为多种类型，如浮栅型、隧道型、磁阻型等。
不同类型的 EEPROM 具有不同的特点，如存储密度、读写速度、擦除次数等。
4.EEPROM 的应用领域
EEPROM 广泛应用于各种电子设备中，如手机、电脑、家电、工业控
制等。
它可以用于存储设备的配置信息、用户数据、程序代码等。
随着EEPROM 技术的不断发展，其在物联网、大数据等领域的应用前景也十分广阔。
5.EEPROM 的发展趋势
随着科技的不断进步，EEPROM 在存储容量、读写速度、擦除次数等方面将得到进一步提升。
同时，新型 EEPROM 材料和技术的不断涌现，也将为 EEPROM 的发展带来新的机遇和挑战。
eeprom 读写结构体
eeprom 读写结构体当你需要读写结构体到 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）时，你可以按照以下步骤进行操作：1. 定义结构体：首先，你需要定义你要读写的结构体。
确保结构体的字段类型适合EEPROM 的存储要求。
2. 分配 EEPROM 存储空间：为了存储结构体，你需要在 EEPROM 中分配足够的存储空间。
这可以通过在 EEPROM 驱动程序中定义一个特定的存储区域来完成。
3. 写入结构体：要将结构体写入 EEPROM，你需要将结构体的每个字段转换为适合EEPROM 写入的数据类型，并将其逐个写入到 EEPROM 中。
你可能需要使用特定的 EEPROM 写入函数或指令来完成这个操作。
4. 读取结构体：要从 EEPROM 中读取结构体，你需要使用相应的读取函数或指令，将存储在 EEPROM 中的数据逐字段读取，并将其转换回结构体的形式。
在进行 EEPROM 读写结构体时，需要注意以下几点：1. EEPROM 的写入次数有限，通常在数万次到数十万次之间。
因此，频繁的写入可能会缩短 EEPROM 的寿命。
尽量只在必要时进行写入操作。
2. EEPROM 的写入速度相对较慢，与内存或闪存相比。
因此，在写入结构体时，可能需要考虑到时间延迟。
3. 在处理 EEPROM 时，要特别小心处理意外情况，例如电源中断或写入错误。
确保在程序中添加适当的错误处理机制，以防止数据丢失或损坏。
具体的 EEPROM 读写操作会因使用的硬件平台和 EEPROM 驱动程序而有所不同。
请参考你所使用的硬件平台和 EEPROM 驱动程序的文档，以获取更详细和具体的指导。
ABOV eeprom 操作说明
ABOV FLASH 自编程EEPROM 使用说明ABOV 96F系列芯片可以将FLASH区域根据用户需要作为EERPOM 使用,如96F8316M,96F8208S 等等. EEPROM操作的过程,可以理解为芯片内部的烧录动作. 以96F8316M 为例来说明EEPROM 操作，包括FLASH的结构/相关寄存器、FLASH相关配置选项、FLASH操作步骤以及FLASH操作注意事项四部分。
一、FLASH 结构框图说明.1)96F8316M有16K FLASH 可以划分为 512个PAGE,每个PAGE的数量量是32BYTE.(不同的芯片资源会有所不同,PAGE数量,FLASH地址以及每个PAGE的数据量也会有所不同)EEPROM操作的地址必须为每个页面的起始地址.2)EEPROM的数据缓存区为8000H~801FH.3)相关特殊寄存器为 FLASH地址寄存器FSADRH/M/L ,FLASH 控制寄存器FMCR,FLASH识别寄存器 FIDR.二、EEPROM 操作相关的CONFIG 配置选项（也称为烧录选项）配置选项有四个：１、锁定代码区域俗称加密位，表示是否加密。
与ＥＥＰＲＯＭ无关。
２、硬锁定用户ＩＳＰ程序硬件锁功能，ＨＡＲＤＬＯＣＫ，表示程序内是否可以进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作，如果使能打勾，则所有的ＦＬＡＳＨ区域不能ＥＥＰＲＯＭ操作。
３、始能用户ＩＳＰ区域部分区域是否可以进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作。
比如此项打勾，则对应的区域不能进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作。
如图３．８Ｋ，则０Ｘ１００～０ＸＦＦＦ地址的ＦＬＡＳＨ都不能进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作。
４、使能复位输入复位选择位，与ＥＥＰＲＯＭ无关。
三、操作步骤说明必须先进行擦除ＦＬＡＳＨ，再进行写ＦＬＡＳＨ。
如果不进行擦除直接写，可能会导致数据写错，比如原始数据为０ＸＡ０，写入０Ｘ０５，则最终结果为０ＸＡ５。
１、块檫除编程步骤1）清除页缓存器(FMCR=0x01)2）页缓存器写入‘0’3）设置块檫除地址寄存器(FSADRH/FSADRM/FSADRL).4）设置flash 识别寄存器(FIDR).5）设置flash 模式控制寄存器(FMCR).6）檫除校验2、块写模式编程步骤1）. 清除页缓存器(FMCR=0x01)2）. 写数据到页缓存器3）. 设置地址寄存器(FSADRH/FSADRM/FSADRL).4）. 设置flash 识别寄存器(FIDR).5）. 设置 flash 模式控制寄存器(FMCR).6）. 校验四．FLASH操作注意事项MCU在临界工作电压下操作EEPROM或者在EEPROM操作过程中出现各种原因被迫停止,会出现不可控的后果.1．EEPROM操作过程中，必须关闭全局中断响应。
ABOV产品使用注意(20140324)
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ABOV产品使用注意事项
2，注意事项： 使用VDD参考时只需要将Vref脚设置为非Vref功能即可； 转换其中一个通道时其他通道最好设置为普通I/O功能； 作为AD输入的脚需要外接电容104，保证转换的稳定； 转换时间大约为13个指令周期； 转换时必须是Main Clock打开的时候。
• PWM的应用
• Capture的应用
1，应用说明 - Capture为捕捉功能，适用于检测外部信号的频率； - 使用时需要Enable对应的外部中断和定时中断； - 在外部中断发生时，IC内部会自动将定时器的计数器的即时数据备份到TxCD R中，并清除计数器重新开始计数； - 因此使用时必须先设置好对应的定时中断以及外部中断。
• 关于WDT（Watchdog Timer）、WT（Watch Timer）
- WDT是看门狗定时器，它的时钟源来自于BIT（Basic Interval Timer）的溢出 ，也就是BIT溢出一次，WDT 的Counter记一次数； - WT是专门用来做实时时钟的定时器，最大可以超过1分钟的定时。
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ABOV产品使用注意事项
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结束语
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1，普通8位Timer共用的PWM
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ABOV产品使用注意事项
2, 16位PPG的输出模式
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ABOV产品使用注意事项
3, PWM使用注意事项 - PWM首先要将对应的Pin设置为PWM的输出，其次要将Timer设置为PWM的 模式； - 类似8位Timer的PWM输出，做不到一直输出高或者一直输出低的情况，如果 需要，只能将Pin脚改为普通的I/O来输出1或者0； - 类似16位的PPG模式则可以输出常高或者常低；但是要注意寄存器A部分是 设置周期的，寄存器B是设置Duty的，所以B寄存器要小于A寄存器才对； - 使用PWM时定时器的溢出中断仍然可以发生。
eeprom烧录方法
eeprom烧录方法EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦写和可编程的存储器，它在数字电子设备中被广泛应用。
EEPROM的烧录方法是指将数据写入EEPROM芯片的过程。
本文将介绍EEPROM烧录的基本原理、步骤和注意事项。
一、EEPROM烧录的基本原理EEPROM是一种非易失性存储器，可以在断电后保持所存储的数据。
烧录是将数据写入EEPROM芯片的过程，通过电压的变化来改变芯片内部的存储状态。
EEPROM烧录原理基于浮栅效应，即通过给予浮栅电极一定的电压，改变存储器的电荷状态，从而实现数据的写入。
二、EEPROM烧录的步骤1. 准备工作：选择合适的EEPROM芯片，根据芯片型号查阅相关手册，了解芯片的电气特性和烧录方法。
2. 连接电路：根据芯片手册提供的引脚定义，将EEPROM芯片与烧录器或者目标系统的电路连接好。
确保电路连接正确，以免损坏芯片或者烧录器。
3. 设置烧录参数：根据芯片手册提供的信息，设置烧录器的工作模式、时钟频率、数据位宽等参数。
不同型号的EEPROM芯片可能有不同的烧录参数，需根据实际情况进行设置。
4. 编写烧录程序：根据需求，编写烧录程序。
烧录程序可以使用专门的烧录软件，也可以通过编程语言编写。
烧录程序应包括数据的读取、写入和校验等功能。
5. 烧录数据：将需要烧录的数据加载到烧录器或者目标系统中。
通过烧录程序将数据写入EEPROM芯片。
在写入数据时，需要注意数据的字节顺序和地址对应关系，确保数据被正确地写入芯片中。
6. 校验数据：烧录完成后，通过读取芯片中的数据，与原始数据进行比对，以验证烧录是否成功。
校验可以通过计算校验和、比较数据位等方式进行。
7. 测试和调试：烧录完成后，对烧录的EEPROM芯片进行测试和调试。
可以读取芯片中的数据，检查数据的正确性和完整性。
如果发现烧录错误或者异常，需要进行排查和修复。
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ABOV FLASH 自编程EEPROM 使用说明
ABOV 96F系列芯片可以将FLASH区域根据用户需要作为EERPOM 使用,如96F8316M,96F8208S 等等. EEPROM操作的过程,可以理解为芯片内部的烧录动作. 以96F8316M 为例来说明EEPROM 操作，包括FLASH的结构/相关寄存器、FLASH相关配置选项、FLASH操作步骤以及FLASH操作注意事项四部分。
一、FLASH 结构框图说明.
1)96F8316M有16K FLASH 可以划分为 512个PAGE,每个PAGE的数量量是32BYTE.(不同的芯
片资源会有所不同,PAGE数量,FLASH地址以及每个PAGE的数据量也会有所不同)
EEPROM操作的地址必须为每个页面的起始地址.
2)EEPROM的数据缓存区为8000H~801FH.
3)相关特殊寄存器为 FLASH地址寄存器FSADRH/M/L ,FLASH 控制寄存器FMCR,FLASH识别寄存
器 FIDR.
二、EEPROM 操作相关的CONFIG 配置选项（也称为烧录选项）
配置选项有四个：
１、锁定代码区域
俗称加密位，表示是否加密。
与ＥＥＰＲＯＭ无关。
２、硬锁定用户ＩＳＰ
程序硬件锁功能，ＨＡＲＤＬＯＣＫ，表示程序内是否可以进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作，如果使能打勾，则所有的ＦＬＡＳＨ区域不能ＥＥＰＲＯＭ操作。
３、始能用户ＩＳＰ区域
部分区域是否可以进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作。
比如此项打勾，则对应的区域不能进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作。
如图３．８Ｋ，则０Ｘ１００～０ＸＦＦＦ地址的ＦＬＡＳＨ都不能进行自编程ＥＥＰＲＯＭ操作。
４、使能复位输入复位选择位，与ＥＥＰＲＯＭ无关。
三、操作步骤说明
必须先进行擦除ＦＬＡＳＨ，再进行写ＦＬＡＳＨ。
如果不进行擦除直接写，可能会导致数据写错，比如原始数据为０ＸＡ０，写入０Ｘ０５，则最终结果为０ＸＡ５。
１、块檫除编程步骤
1）清除页缓存器(FMCR=0x01)
2）页缓存器写入‘0’
3）设置块檫除地址寄存器(FSADRH/FSADRM/FSADRL).
4）设置flash 识别寄存器(FIDR).
5）设置flash 模式控制寄存器(FMCR).
6）檫除校验
2、块写模式编程步骤
1）. 清除页缓存器(FMCR=0x01)
2）. 写数据到页缓存器
3）. 设置地址寄存器(FSADRH/FSADRM/FSADRL).
4）. 设置flash 识别寄存器(FIDR).
5）. 设置 flash 模式控制寄存器(FMCR).
6）. 校验
四．FLASH操作注意事项
MCU在临界工作电压下操作EEPROM或者在EEPROM操作过程中出现各种原因被迫停止,会出现不可控的后果.
1．EEPROM操作过程中，必须关闭全局中断响应。
2．如果有EEPROM使用，必要始能LVR ，避免在电源电压不稳定的情况下误进行操作EEPROM 。
3．EEPROM操作之前，建议观察LVI 低电压监测,需要完全避免在临界工作电压进行EEPROM 操作。
4．EEPROM操作类似烧录动作，操作过程中，MCU处于HOLD状态，单个PAGE的时间大概为2.6MS,如果程序中有扫描显示等可能会有显示闪烁。