(整理)静电场中的导体和电介质
电磁学02静电场中的导体与介质

A q -q
-q+q
UA
q'
4 0 R0
q ' 4 0R1
q q '
4 0 R2
0
可得 q ( q) 1(9略)
例4 接地导体球附近有一点电荷,如图所示。
求:导体上感应电荷的电量
R
解: 接地 即 U0
o
感应电荷分布在表面,
l
q
电量设为:Q’(分布不均匀!)
由导体等势,则内部任一点的电势为0
选择特殊点:球心o计算电势,有:
1) Dds
S
1 (
r
1) q0内
l i mq内
V0V
1 (
r
1) limq0内 V0V
1 (
r
1)0
00 0。 40
[例2] 一无限大各向同性均匀介质平板厚度为 d
表明:腔内的场与腔外(包括壳的外表面)
物理 内涵
的电荷及分布无关。
在腔内 E 腔 外表 E 腔 面外 0带
电 量 的电 体 的
二.腔内有带电体时
q
① 带电量: Q腔内 q (用高斯定理易证)
表面
23
② 腔内的电场: 不为零。
由空腔内状况决定,取决于:
*腔内电量q;
*腔内带电体及腔内壁的 几何因素、介质。
平行放置一无限大的不带电导体平板。
0 1 2 求:导体板两表面的面电荷密度。
E2 • E1 解: 设导体电荷密度为 1、 2 ,
E0 电荷守恒: 1 + 2 = 0
(1)
导体内场强为零:E0 +E1‐E2 = 0
0 1 2 0 20 20 20
(1)、(2)解得:
第六章静电场中的导体与电介质

第六章 静电场中的导体和电介质
33
物理学
第五版
6 静电场中的导体与电介质
电位移线
方向: 切线 大小:
电位移线起始于正自由电荷终止于负自由电荷, 与束缚电荷无关。
电场线起始于正电荷终止于负电荷,包括自由 电荷和与束缚电荷。
第六章 静电场中的导体和电介质
34
物理学
第五版
SD dS
有介质时的高斯定理
n
D dS S
Q0i
i 1
第六章 静电场中的导体和电介质
28
物理学
第五版
6 静电场中的导体与电介质
第三节 电介质中的高斯定理 电位移矢量
电介质中的高斯定理 电介质中高斯定理的应用
第六章 静电场中的导体和电介质
29
物理学
第五版
6 静电场中的导体与电介质
一、电位移矢量 电介质中的高斯定理
电介质 有极分子:(水、有机玻璃等) 正电荷的
等效中心
定义:分子电矩——由分子(或
原子)中的正负电荷中心决定的
电偶极子的电偶极矩,用 表
示:
电子云的
第六章 静电场中的导体和电介质 负电中心
5
物理学
第五版
6 静电场中的导体与电介质
1)无极分子(非极性分子)
分子内正负电荷中心重合
甲烷分子 CH4
+H 正负电荷
真空中:
自由电荷
电介质中:
极化电荷如何求?
极化电荷 自由电荷
向外,'>0,正极化电荷在外,闭合曲
面内留下负极化电荷;
+
向内,'<0,负极化电荷在外,闭合曲 -
静电场中的导体和电介质

2 20
3 20
联立:
1
2
0
3 2
导体中电荷发生
2
2
0
3 2
迁移,重新分布
由导体表面附近一点的场强公式
E
0
Ep
2 0
0 20
3 20
或者:由场强的叠加原理,视为三个无限大带电平面的叠加
EP2 1 0 2 2 0 2 30 2 0 0 2 30
两种解法结论一致
4 导体表面电荷分布规律
静电场中的导体和电介质
➢主要内容
➢导体静电平衡条件和性质 ▲ ➢电场中导体和电介质的电学性质 ➢有介质时的高斯定理Gauss’s Law in Dielectric ▲ ➢电容器的性质和计算 ➢静电场的能量Energy of Electrostatic Field ▲
§1静电场中的导体
Effects of Conductor in Electrostatic Field
++
++++ + + + +
感应电荷
➢问:这种静电感应的过程是否会一直进行下去?
E
E外
E 附加电场
E 内E外 E
当 E内0
电荷的宏观定向运动将停止
➢定义:静电平衡状态
当一个带电体系中的电荷没有定向运动,从而电场分布不随 时间变化时,称该带电体达到静电平衡状态。
2 静电平衡
+
E0
+
➢极化电荷不能转移到其他物体,而自由电荷可以转移到其他物体。
➢极化电荷可以吸附导体中的自由电荷,但不能被中和,而自由电荷 可以被中和。
➢极化电荷可作微小移动,在介质内产生的场强可削弱 介质内的外场,是不能宏观分开的正、负电荷。 ➢自由电荷是能够宏观分开的正、负电荷,在导体内部 所产生的场强完全抵消外场。
静电场中的导体和电介质

静电场中的导体和电介质静电平衡时导体是个等势体,导体表面是等势面,大前提是整个导体都是一样的,不要因为单独说导体表面是个等势面就误以为导体表面和内部不是等势的。
(证明省略)由此公式得出:导体表面电荷密度大的地方场强大,面电荷密度小的地方场强小。
导体表面电荷分布规律①与导体形状有关②与附近有什么样的带电体有关。
定性分析来说,孤立导体面电荷密度与表面的曲率有关,但是并不是单一的函数关系。
拓展知识(尖端放电的原理以及应用;避雷针的原理)这是一个从带电体上吸取全部电荷的有效方法。
测量电量时,要在静电计上安装法拉第圆筒,并将带电体接触圆筒的内表面,就是为了吸取带电体的全部电量,使测量更准确。
库仑平方反比定律推出高斯定理,高斯定理推出静电平衡时电荷只能分布导体外表面。
所以可以由实验精确测定导体内部没有电荷,就证明了高斯定理的正确,进而就证明了库仑平方反比定律的正确。
所以说这是精确的,因为通过实验测定数据是一定会存在误差的,而通过实验测定导体内部没有电荷是不会存在误差的,所以是很精确的。
以上是库仑平方反比定律验证的发展历史。
见图2-1,导体壳内部没有电荷时,导体的电荷只是分布在外表面上,为了满足电荷守恒定理,见图2-1c,就要一边是正电荷,而另一边是负电荷,其实空腔内没有电场的说法是对于结果而言的,并不能看出本质,本质是外电场和感应电荷的电场在导体腔的内部总的场强为0。
使带电体不影响外界,则要求将带电体置于接地的金属壳或者金属网内,必须接地才能将金属壳或者金属网外表面感应电荷流入地下。
则外界不受带电体场强的作用,而本质上也是带电体的场强和内表面感应电荷的场强叠加作用使外界总场强为0。
孤立导体的电容:电容C与导体的尺寸和形状有关,与q,U无关,它的物理意义是使导体每升高单位电位所需要的电量。
电容器及其电容:对电容的理解要升高一个层次:电容是导体的一个基本属性,就好像水桶的容量一样,C=U/q。
然而导体A的附近有其他导体时,导体的电位不仅与自己的q 有关,还受到其他导体的影响。
第十章静电场中的导体和电介质

第⼗章静电场中的导体和电介质第⼗章静电场中的导体和电介质在上⼀章中,我们讨论了真空中的静电场。
实际上,在静电场中总有导体或电介质存在,⽽且在静电的应⽤中也都要涉及导体和电介质的影响,因此,本章主要讨论静电场中的导体和电介质。
本章所讨论的问题,不仅在理论上有重⼤意义,使我们对静电场的认识更加深⼊,⽽且在应⽤上也有重⼤作⽤。
§10-1 静电场中的导体⼀、静电平衡条件1、导体与电介质的区别:(1)宏观上,它们的电导率数量级相差很⼤(相差10多个数量级,⽽不同导体间电导率数量级最多就相差⼏个数量级)。
(2)微观上导体内部存在⼤量的⾃由电⼦,在外电场下会发⽣定向移动,产⽣宏观上的电流⽽电介质内部的电⼦处于束缚状态,在外场下不会发⽣定向移动(电介质被击穿除外)。
2、导体的静电平衡条件(1)导体内部任何⼀点处的电场强度为零;(2)导体表⾯处的电场强度的⽅向,都与导体表⾯垂直.导体处于静电平衡状态的必要条件:0=i E(当导体处于静电平衡状态时,导体内部不再有⾃由电⼦定向移动,导体内电荷宏观分布不再随时间变化,⾃然其内部电场(指外场与感应电荷产⽣的电场相叠加的总电场)必为0。
⼆、静电平衡时导体上的电荷分布1、导体内部没有净电荷,电荷(包括感应电荷和导体本⾝带的电荷)只分布在导体表⾯。
这个可以由⾼斯定理推得:ii sq E ds ε?=,S 是导体内“紧贴”表⾯的⾼斯⾯,所以0i q =。
2、导体是等势体,导体表⾯是等势⾯。
显然()()0b a b i a V V E dl -=?=?,a,b 为导体内或导体表⾯的任意两点,只需将积分路径取在导体内部即可。
3、导体表⾯以处附近空间的场强为:0E n δε=,δ为邻近场点的导体表⾯⾯元处的电荷密度,?n 为该⾯元的处法向。
简单的证明下:以导体表⾯⾯元为中截⾯作⼀穿过导体的⾼斯柱⾯,柱⾯的处底⾯过场点,下底⾯处于导体内部。
由⾼斯定理可得:12i s s dsE ds E ds δε?+?=,1s ,2s 分别为⾼斯柱⾯的上、下底⾯。
静电场中的导体和电解质

Q + + + + ++ + + + + E= 0 S+ + + + + + + + ++
Q q + + + +++ + +-q + + - E= 0 S + 结论: 电荷分布在导体外表面, 导体 + q + + 内部和内表面没净电荷. + - - + + + + ++ 腔内有电荷q: E 0 q 0
i
结论: 电荷分布在导体内外两个表面,内表面感应电荷为-q. 外表面感应电荷为Q+q.
NIZQ
第 5页
大学物理学 静电场中的导体和电介质
结论: 在静电平衡下,导体所带的电荷只能分布在导体的 表面,导体内部没有净电荷. • 静电屏蔽 一个接地的空腔导体可以隔离内 外电场的影响. 1. 空腔导体, 腔内没有电荷 空腔导体起到屏蔽外电场的作用. 2. 空腔导体,腔内存在电荷 接地的空腔导 体可以屏蔽内、 外电场的影响.
NIZQ
第 3页
大学物理学 静电场中的导体和电介质
• 静电平衡时导体中的电场特性
E内 0
场强:
ΔVab
b
a
E dl 0
• 导体内部场强处处为零 E内 0 • 表面场强垂直于导体表面 E表面 // dS
• 导体为一等势体 V 常量 • 导体表面是一个等势面
S
0 E P dS qi
静电场中的导体和电介质

-
目录
静电场中的导体 和电介质
0
静电场中的导体和电介质
静电场中的导体和电介质
静电场是指在没有电流流动的情况下,电荷分布所产生的电场。在静电场中,导体和电介质 是两种不同的物质,它们的特性和作用也不同,本文将探讨导体和电介质在静电场中的性质 和应用 首先,我们需要了解导体和电介质的基本概念。导体是一种具有良好导电性能的物质,常见 的导体包括金属等。导体内的自由电子可以在外加电场的作用下移动,形成电流。而电介质 则是一种不良导电的物质,它的电导率远远低于导体。电介质在外加电场下无法形成连续的 电流,而是通过极化现象来响应电场的作用 在静电场中,导体和电介质的行为有很大的不同。对于导体来说,其特点是在静电平衡状态 下,内部电场为零。这是因为导体内的自由电子能够自由移动,它们会在外加电场的作用下 重新分布,直到达到平衡状态。这种现象被称为电荷运动的屏蔽效应。导体的另一个重要性 质是表面上的电荷分布是均匀的,这也是导体可以用来储存电荷的
与导体不同,电介质在静电场中的响应更加复杂。当外加电场作用于电介质时,电介 质分子会发生极化现象,即分子内部正、负电荷的分离。这种分离会导致电介质内部 产生电位移场,从而相应地改变电场分布。电介质的极化程度可以用极化强度来衡量 ,极化强度与外加电场的强度成正比。除了极化现象,电介质还可能发生击穿现象, 即在电场强度过高时,电介质内部的绝缘失效,导致电流的突然增加
0
静电场中的导体和电介质
导体在静电场中的一个重要应用 是电路中的导线。电路中的导线 由导体制成,它们能够有效地传 导电流。在电力系统中,导体连 接电源和电器设备,将电能传输 到目标地点。此外,在电子设备 制造中,导体用于制作电路板, 连接不同的电子元件,实现电信 号的传输和处理
2静电场中的导体和电介质(精)

V 实验证明,对于绝大多数各向同性的介质,极化强度 P与电场强度E成正比,即P = 0 E
V 0
P
lim
p
式中称为介质的电极化率,它与场强E无关,取决于电介质。
2.5.3
束缚电荷
电介质处于极化状态时,在电介质的端面或内部上产生极化 电荷。这些电荷不能离开电介质表面,称为束缚电荷。 如果介质不均匀,在介质内部也会由于极化而出现束缚电荷。 设单位体积分子数为n,
这类分子在外电场的作用下,分子中的正负电荷中心
将发生相对位移,形成一个电偶极子,它们的等效电偶极 矩 P 的方向都沿着电场的方向,导致介质表面上出现了电
荷。这种情况称为介质的极化。
无极性分子电介质的这种极化方式称为位移极化。
有极性分子的极化
有极性分子的正负电荷中心即使在无外电场存在时也是不 重合的,例如水分子等。由于分子热运动的无规则性 , 在物理 小体积内的平均电偶极矩为零,宏观上也不显电性。 当介质受到外电场作用时,每个分子的电偶极矩都受到一 个力矩的作用,使分子电矩转向外电场方向,这样分子固有电 矩的矢量和就不等于零了。 但由于分子的热运动,这种转向并不完全。外电场越强, 分子电矩沿着电场方向排列得越整齐。
2.4
静电场中的导体
2.4.1 导体的静电平衡
金属导体中存在大量的自由电子,它们时刻作无规则的
微观运动(“热运动”)。当自由电子受到电场力作用时,
会在热运动的基础上附加一种有规则的宏观运动,形成电流。 当导体中自由电子不作宏观运动(没有电流)时,我们说导 体达到了静电平衡的状态。
2.4.1 导体的静电平衡
D=E
2.5.5
静电场的边界条件
在两种介质的分界面上,电场强度矢量E的切线分量连续。
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第八章 静电场中的导体和电介质§8-1 静电场中的导体一、静电感应 导体的静电平衡条件 1、静电感应2、导体静电平衡条件(1)导体的静电平衡:当导体上没有电荷作定向运动时称这种状态为导体的静电平衡。
(2)静电平衡条件 从场强角度看:①导体内任一点,场强0=E;②导体表面上任一点E与表面垂直。
从电势角度也可以把上述结论说成:①⇒导体内各点电势相等;②⇒导体表面为等势面。
用一句话说:静电平衡时导体为等势体。
二、静电平衡时导体上的电荷分布 1、导体内无空腔时电荷分布如图所示,导体电荷为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε导体静电平衡时其内0=E,∴ 0=∙⎰s d E S, 即0=∑内S q 。
S 面是任意的,∴导体内无净电荷存在。
结论:静电平衡时,净电荷都分布在导体外表面上。
2、导体内有空腔时电荷分布 (1)腔内无其它电荷情况如图所示,导体电量为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε 静电平衡时,导体内0=E∴ 0=∑内S q ,即S 内净电荷为0,空腔内无其它电荷,静电平衡时,导体内又无净电荷∴空腔内表面上的净电荷为0。
但是,在空腔内表面上能否出现符号相反的电荷,等量的正负电荷?我们设想,假如有在这种可能,如图所示,在A 点附近出现+q ,B 点附近出现-q ,这样在腔内就分布始于正电荷上终于负电荷的电力线,由此可知,B A U U >,但静电平衡时,导体为等势体,即B A U U =,因此,假设不成立。
结论:静电平衡时,腔内表面无净电荷分布,净电荷都分布在外表面上,(腔内电势与导体电势相同)。
(2)空腔内有点电荷情况如图所示,导体电量为Q ,其内腔中有点 电荷+q ,在导体内作一高斯面S ,高斯定理为∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε 静电平衡时0=E, ∴ 0=∑内S q 。
又因为此时导体内部无净电荷,而腔内有电荷+q , ∴ 腔内表面必有感应电荷-q 。
结论:静电平衡时,腔内表面有感应电荷-q ,外表面有感应电荷+q 。
3、导体表面上电荷分布设在导体表面上某一面积元S ∆(很小)上,电荷分布如图所示 ,过S ∆边界作一闭合柱面,S 上下底1S 、2S 均与S ∆平行,S 侧面3S 与S ∆垂直,柱面的高很小,即1S 与2S 非常接近S ∆,此柱面并且是关于S ∆对称的。
S 作为高斯面,高斯定理为∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε SE ES ds E sd E s d E s d E s d E s d E s S S S S S S∆==∙=∙=∙+∙+∙=∙⎰⎰⎰⎰⎰⎰111321很小S q S ∆=∑σεε0011内S S E ∆=∆⇒σε010εσ=E (注意与无限大带电平面02εσ=E 的区别)。
结论:导体表面附近,σ∝E 。
4、导体表面曲率对电荷分布影响根据实验,一个形状不规则的导体带电后, 在表面上曲率越大的地方场强越强。
由上面讲 到的结果知,E 大的地方,σ 必大,所以曲率 大的地方电荷面密度大。
5、尖端放电三、静电屏蔽由于空腔中的场强处处为零,放在空腔中的物体,就不会受到外电场的影响,所以空心金属球体对于放在它的空腔内的物体有保护作用,使物体不受外电场影响。
另一方面,一个接地的空心导体可以隔绝放在它的空腔内的带电体和外界的带电体之间的静电作用,这就是静电屏蔽原理。
应用:如电话线从高压线下经过,为了防止高压线对电话线的影响, 在高压线与电话线之间装一金属网等。
例8-1:在电荷+q 的电场中,放一不带电的金属球,从球心O 到点电荷所在距离处的矢径为r ,试问(1)金属球上净感应电荷='q ?(2)这些感应电荷在球心O 处产生的场强E?解:(1)='q 0(2)球心O 处场强0=E (静电平衡要求),即+q 在O 处产生的场强+E与感应电荷在O 处产生场强的矢量和=0。
0=++感E Er r q E E 304πε=-=+感 方向指向+q 。
(感应电荷在 O 处产生电势=?球电势=?选无穷远处电势=0。
)§8-2 电容 电容器一、孤立导体的电容在真空中设有一半径为R 的孤立的球形导体,它的电量为q ,那么它的电势为(取无限远处电势=0)Rq U 04πε=对于给定的导体球,即R 一定,到q 变大时,U 也变大,q 变小时,U 也变小,但是R Uq04πε=确不变,此结论虽然是对球形孤立导体而言的,但对一定形状的其它导体也是如此,Uq仅与导体大小和形状等有关,因而有下面定义。
定义:孤立导体的电量q 与其电势U 之比称为孤立导体电容,用C 表示,记作:U qC = (8-1)对于孤立导体球,其电容为R Rq qUq C 0044πεπε===。
C 的单位为:F (法),1F=1C/1V 。
在实用中F 太大,常用F μ或pF ,他们之间换算关系: pF F F 12610101==μ。
(电容与电量的存在与否无关) 二、电容器实际上,孤立的导体是不存在的,周围总会有别的导体,当有其它导体存在时,则必然因静电感应而改变原来的电场分布,当然影响导体电容。
下面我们具体讨论电容器的电容。
1、电容器:两个带有等值而异号电荷的导体所组成的带电系统称为电容器。
电容器可以储存电荷,以后将看到电容器也可以储存能量。
2、电容器电容:如图所示,两个导体A 、B 放在真空中,它们所带的电量分别为+q ,-q ,如果A 、B 电势分别为A U 、B U ,那么A 、B 电势差为B A U U -,电容器的电容定义为:BA U U qC -= (8-2)由上可知,如将B 移至无限远处,B U =0。
所以,上式就是孤立导体的电容。
所以,孤立导体的电势相当于孤立导体与无限远处导体之间的电势差。
所以,孤立导体电容是B 放在无限远处时B A U U qC -=的特例。
导体A 、B 常称电容器的两个电极。
三、电容器电容的计算 1、平行板电容器的电容设A 、B 二极板平行,面积均为S ,相距为d , 电量为+q ,-q ,极板线度比d 大得多,且不计边 缘效应。
所以A 、B 间为均匀电场。
由高斯定理知,A 、B 间场强大小为)(0Sq E +==σεσ。
dS U U qC d S q Ed U U B A B A 00εε=-=⇒==-(8-3)2、球形电容器设二均匀带电同心球面A 、B ,半径A R 、B R ,电荷为+q ,-q 。
A 、B 间任一点场强大小为:204rqE πε=, BA AB B A R R R R R R B A R R )R R (q ]R R [q dr rq Edr d U U BABABA00241144πεπεπε-=-===∙=-⎰⎰⎰A B B A BA AB B A R R R R R R R R q qU U q C -=-=-=0044)(πεπε。
讨论:(1)当A A B R R R 〈〈-时,有A B R R ≈, 令d R R A B =-,则dS d R U U qC A A B A 0204επε==-=即——平行板电容器结果。
(2)A 为导体球或A 、B 均为导体球壳结果如何? 3、圆柱形电容器圆柱形电容器是两个同轴柱面极板构成的,如图所示,设A 、B 半径为A R 、B R ,电荷为+q ,-q ,除边缘外,电荷均匀分布在内外两圆柱面上,单位长柱面带电量lq=λ,l 是柱高。
由高斯定理知,A 、B 内任一点P 处E的大小为rE 02πελ=AB R R R R R R B A R R dr r Edr d U U BABABAln 2200πελπελ===∙=-⎰⎰⎰ ABA B BA R R lR R qU U qC ln 2ln 200πεπελ==-=(可知:在计算电容器时主要是计算两极间的电势差)。
四、电介质对电容器电容的影响以上所得电容是极间为真空情况,若极间充满电介质(不导电的物质),实际表明,此时电容C 要比真空情况电容0C 大,可表示10>=r C Cε,或0C C r ε=。
r ε 与介质有关,称为相对介电系数 。
以上各情况若充满电介质(极间),有:球形: A B B A A B B A r B A R R R R R R R R U U qC -=-=-=πεεπε440;平板:d Sd S C r εεε==0;柱形:AB A B r R R ln lR R ln l C πεεπε220==。
r εεε0=称为介质的介电常数。
000C C C r εεε=−−−−→−→充介质后(1>r ε)五、电容器的串联与并联在实际应用中,现成的电容器不一定能适合实际的要求,如电容大小不合适,或者电容器的耐压程度不合要求有可能被击穿等原因。
因此有必要根据需要把若干电容器适当地连接起来。
若干个电容器连接成电容器的组合,各种组合所容的电量和两端电压之比,称为该电容器组合的等值电容。
1、串联:几个电容器的极板首尾相接(特点:各电容的电量相同)。
设A 、B 间的电压为B A U U -,两端极板电荷分别为+q ,-q ,由于静电感应,其它极板电量情况如图,nB AC qC q C q C q U U ++++=- 321 。
由电容定义有nBA C C C C U U q C 111113++++=-=(8-4) 2、并联:每个电容器的一端接在一起,另一端也接 在一起。
(特点:每个电容器两端的电压相同, 匀为B A U U -,但每个电容器上电量不一定相等) 等效电量为:n q q q q q ++++= 321,由电容定义有:n n C C C C U U q q q q U U qC ++++=-++++=-= 321321(8-5)例8-2:平行板电容器,极板宽、长分别为a 和b ,间距为d ,今将厚度t ,宽为a 的金属板平行电容器极板插入电容器中,不计边缘效应,求电容与金属板插入深度x 的关系(板宽方向垂直底面)。
解:由题意知,等效电容如左下图所示,电容为:32321'1C C C C C C C C ++=+=0001100110011000()()()()()()[]axaxa b x d d t d ax axdd d t d a b x axdd t d d a b x ax atxb d d t d d tεεεεεεεεεε∙---=++---=+--+-=+=+--说明:C 大小与金属板插入位置(距极板距离)无关;注意:(1)掌握串并联公式;(2)掌握平行板电容器电容公式。
例8-3:半径为a 的二平行长直导线相距为d (d>>a ),二者电荷线密度为λ+,λ-,试求(1)二导线间电势差;(2)此导线组单位长度的电容。