2011模电复习资料1
模电复习题2011
基本概念部分一.判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。
（√）2、PN结正向电流的大小由温度决定的。
（×）3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
（×）4、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）5、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（√）6、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（×）7、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（×）8、可以说任何放大电路都具有功率放大作用；（√）9、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）10、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）11、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）12、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（×）13. 一个完全对称的差动放大器，其共模放大倍数为零。
（√）14. 一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（√）15.差动放大电路的A ud越大越好，而A uc则越小越好。
（√）15.零点漂移就是静态工作点的漂移。
（√）17.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（√）18.不管差动放大电路的参数是否理想对称，Re均有共模负反馈作用。
（√）19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。
（×）20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（√）21.在差动放大电路中采用恒流源作集电极负载能够增大差模放大倍数，同时也可以增大共模抑制比。
（√）22．射极输出器是串联电压负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。
（√）23.在运算电路中，运放的同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（×）24.运算电路中的运放一般均引入负反馈。
（√）25.电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础.doc
模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。
2.反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
模拟电子技术复习提纲2011-12
《2011．12．10第一章一．基本概念和基本知识1．PN结具有单向导电性：加正向电压时导通，加反向电压时截止。
2. 二极管的伏安特性正向特性：U I<开启电压时，I D≈ 0 ,U I 大于开启电压后逐渐导通，I D增加，二极管导通后，正向压降≈0.7伏（对于硅管）。
反向特性：当U I < 反向击穿电压时，I D≈ 0 。
若U I≥反向击穿电压时。
反向电流急剧增加，将会使二极管击穿而损坏。
3．稳压二极管是一种特殊的二极管。
在电路中主要用于稳定电压。
稳压二极管工作于反向击穿状态。
使用时，必须与负载并联，并且串接有稳压和限流功能的电阻。
4．晶体三极管分为NPN和PNP型两大类。
要求熟练记住其符号以及正确加载电源电压的极性。
对于NPN管集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的正极。
对于PNP管则集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的负极。
5. 为了使晶体三极管实现电流放大作用，供电电源接法应保证：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
6．三极管的电流关系：I E = I B＋I C ; 在放大区I C =β I B7．三极管的输出特性曲线有三个区：截止区、放大区、饱和区。
三极管工作在放大状态时，必须保证在线性放大区，不能进入截止区和饱和区。
在数字电路中则工作于截止区和饱和区。
8．三极管的主要参数：（1）共射电流放大倍数β = ∆I C / ∆I B 共基电流放大倍数∆α = ∆I C / ∆I E ;α = β / (1+ β)β = α / (1 - α)(2)集电极最大电流I CM ; 集电极最大功耗P CM ;(3)反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CBO U(BR)EBO9场效应管（1）场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型效应管两大类。
从导电沟道分：分为N沟道和P沟道两大类；绝缘栅型效应管可分为耗尽性和增强型两大类。
（2）场效应管是电压控制器件；而双极型三极管则是电流控制器件。
（3）要求熟记各种类型场效应管的电路符号以及所加电源电压的极性。
模拟电子电路基础复习资料
模拟电子电路基础复习资料模拟电子电路是电子工程学科中的重要分支，其研究的是电子元件和电路在模拟信号处理及传输方面的应用。
由于该领域的知识点众多，对于学生而言掌握难度较大。
为此，在学习这门课程时，我们需要详细了解模拟电子电路的相关知识点，才能够逐步加深对该学科的理解和掌握。
一、基本元器件模拟电子电路中，最基本的是元器件。
其中包括电容、电感、电阻、二极管、三极管、场效应管等。
在这些器件中，电容和电感是用来储存电能和磁能的，电阻则是用来限制电流的大小，而二极管和三极管则用来调节电路中的电流，场效应管用来放大电路中的信号。
因此，对这些基本元器件的了解和掌握是学习模拟电子电路的重要基础。
二、基本电路模拟电子电路基础中最重要的内容之一就是基本电路。
通过对基本电路的学习与实践，我们可以快速地掌握各种电路的组合方式以及它们在电路应用中的作用。
其中包括电压分压电路、电流分流电路、共射放大电路、共基放大电路、共漏放大电路、集电极发射器接法等等。
三、频率特性模拟电子电路中的频率特性也是很重要的一部分。
我们需要了解各种电路的频率响应特征以及如何应用这些特性。
在这个方面涉及到的知识点包括滤波器、负反馈电路、放大器等等。
通过对频率响应特征的掌握，我们可以更深入地了解模拟电子电路的工作原理，进而进行更为深入的分析和应用。
四、参数选择电路设计中一个很重要的任务就是选择成分的参数。
在模拟电子电路中，我们需要深入了解各种元器件的电气特性，这样才能够对参数作出正确的选择。
而这里需要掌握的知识点包括如何选择电容和电感的参数、如何选择放大器的放大倍数、如何选择操作点以及如何选择电阻等等。
只有掌握了这些知识点，我们才能够进行正确有效的设计工作。
五、总结模拟电子电路是一门重要的工科学科，掌握它的基础知识是非常必要的。
只有深入地了解各种元器件、基本电路、频率特性以及参数选择等等方面的知识，才能够有效地进行电路设计和分析工作。
因此，我们需要在学习时注重理解模拟电子电路的基础知识，要用心学习，过好每一关。
2011年电子技术基础复习资料
2011年模拟电子技术复习资料一 填空题1．在N 型半导体中， 电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。
2．场效应管属于 压控 控制器件，而双极型三极管则是 流控 控制器件。
3．K CMR 等于 差摸增益与共模增益 之比，电路中的K CMR 越大，说明电路对 干扰 的抑制能力越强。
4．理想运算放大器的差模电压增益等于 无穷大 ，输出电阻等于 0 ，输入电阻为 无穷大 。
5．振荡器的振幅平衡条件为1=F A， 而起振时，则要求 AF ＞1 。
6．若一个放大电路具有交流电流并联负反馈，则可以稳定输出 电流 和 减低 输入电阻。
若一个放大电路具有交流电压串联负反馈，则可以稳定输出电压 和 增加 输入电阻。
7． 下图所示放大电路中引入的反馈组态是电流串联负反馈。
该反馈能稳定电路的输出电流。
8．集成运放内部电路实际是一个 高增益、直接耦合 、多级 放大电路。
9．电路如图所示，当u i ＝ 2V 时，u o ＝ －6 V 。
10．放大电路利用 负 反馈稳定输出；信号产生电路利用 正 反馈放大信号。
二 单项选择题1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C )。
A. 正、反向电阻相等B. 正向电阻大，反向电阻小u o＋ －u i u o6 VC. 反向电阻比正向电阻大很多倍D. 正、反向电阻都等于无穷大 2．杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ C ） A ．掺杂浓度 B ．工艺C ．温度D ．晶体缺陷3．硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )A ．正向导通状态B ．反向电击穿状态C ．反向截止状态D ．反向热击穿状态4．在图示电路中，稳压管D Z 的稳定电压 U Z = 6V ，最小稳定电流I Z mi n = 5 mA ， 输入电压U I =12V ，电阻R =100，在稳定条件下I L 的数值最大不应超过 ( C ).A ． 40 mAB ． 45 mAC ． 55 mAD ． 60 mA5．电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3则输出电压u 0＝（ A ）。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
《模拟电子技术基础》总复习典型习题
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
模电总结复习资料_模拟电子技术基础1
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电复习资料（全答案）
模电复习资料（全答案）一、填空题1、要使三极管正常放大信号，要求三极管发射极重掺杂、基区很薄、集电极面积大于发射极面积、发射结和集电结均正向运用。
2、N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
3、P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
4、PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂移电流；加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，其耗尽层变厚。
5、三极管工作在放大区时，发射结为正向运用，集电结为反向运用；工作在饱和区时，发射结正向运用，集电结正向运用；工作在截止区时，发射结反向运用，集电结反向运用。
6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
7、三种基本放大电路中，输入电阻最大的是共c极放大电路；输入电阻最小的是共b极放大电路；输入电压与输出电压相位相反的是共e极放大电路；电压放大倍数最大的是共e极放大电路；；电压放大倍数最小的是共b极放大电路；输出电阻最小的是共c极放大电路。
8、半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以属于电流控制器件，其输入电阻小；场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于电压控制器件，其输入电阻大。
9、为提高放大器的输入电阻应引入交流串联负反馈，为降低放大电路输出电阻，应引入交流电压负反馈。
10、能提高放大倍数的是正反馈，能稳定放大倍数的是负反馈。
11、为稳定输出电流，应引入交流电流负反馈；为稳定输出电压，应引入交流电压负反馈；为稳定静态工作点，应引入直流负反馈；为了展宽放大电路频带，应引入交流负反馈。
12、差动放大器主要利用对称特性来抑制零漂。
13、完全对称的长尾差动放大器中的e R 对共模信号产生串联电流负反馈，对差模信号不产生反馈。
14、为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈、无穷、无穷、零、零、无穷、.15、理想集成运放的=ud A ，=id r ，=o r ，=B I ，=CMR K 。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是，N型半导体的少子是，PN结具有特性。
2. 在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于，少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时，耗尽层将，反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种，即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容，分别叫作电容和电容。
7．在PN结形成过程中，载流子扩散运动是由于作用下产生的，漂移运动是由于作用下产生的。
8．当环境温度升高时，二极管的死区电压将，二极管的反向饱和电流将。
9．稳压二极管有作用，在电路中是将其阳极接于电源的极，阴极接于电源的极。
10．利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高，极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是失真，失真的主要原因是。
14．若三级放大电路中A u1= A u2=30dB，A u3==30dB ，则其总电压增益为dB，折合为倍。
15．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态电压增益最小，组态输入电阻最小。
16．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态输入电阻最大，组态放大倍数最大且为正。
17．实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管，其β值为。
18．场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19．耗尽型N沟道FET的导电载流子是，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
2011级模电期末复习资料
期末模电考试题型及复习题（1） 选择题8题，20空，没空1.5分，共30分（2） 填空题10空，每空2分，共20分（3） 非客观题共7道大题，共50分下面的复习题非常重要，请同学们必须自己能够独立完成这些题目的求解。
小题目：1．NPN和PNP型晶体管的区别取决于___D_A、半导体材料硅和锗的不同，B、掺杂元素的不同，C、掺杂浓度的不同，D、P区和N区的位置不同。
2．N沟道和P沟道场效应管的区别在于_C___A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为N型，后者为P型，C、导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。
3. 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度__A__，而多数载流子的浓度__C__。
A、明显增大，B、明显减小，C、变化较小4. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___，而少数载流子的浓度与__A__关系十分密切。
A、温度，B、掺杂工艺，C、杂质浓度5. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而__A__；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而__B__。
A、增大，B、减小，C、不变6. 已知二极管的反向击穿电压为300V，当V=100V、温度为20℃时，I＝1μA 。
(1)．当V降低到50V，则I约为____。
A、0.1μA ，B、0.5μA ，C、1μA ，D、2μA(2)．当V保持100V不变，温度降低到10℃，则I约为____。
A、0.1μA ，B、0.5μA ，C、1μA ，D、2μA(3)．该二极管在反向电压为200V的电路中使用是____。
A、安全的，B、不够安全的答案C|B|B7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。
1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？2．温度T1是大于25℃还是小于25℃？答案1．死区电压约为0.2V 反向击穿电压约为70V 反向电流约为5μA 2．T1大于25℃8. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。
2011模电考试复习大纲及例题汇编
2011《模拟电子技术》考试复习大纲一、填空题（每空1分，共15分）——概念的运用，基本每章一个二、选择题（每小题2分，共20分）——简单的计算、概念的运用，基本每章一个 三、判断题（每小题1分，共10分）——概念性判断，基本每章一个 四、分析计算题（共55分） 1、A 卷：（15分）差分+运放电路分析B 卷：（15分）运放+功率放大电路分析2、A 卷：（15分）基本放大电路分析、失真分析 B 卷：（9分）基本放大电路分析3、A 卷：（5分）运算电路分析 B 卷：（7分）运算电路分析4、A 卷：（8分）差分放大电路分析 B 卷：（12分）差分放大电路分析5、A 卷：（12分）功率放大电路分析 B 卷：（12分）运放电路原理图分析例：1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。
2、 放大电路如题 图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数vA 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？题图1甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑iR 。
（ ）乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑iR 。
（ ）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。
但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
2011模电复习课件
R i 高，R o 低
2.11 电路如图P2.13所示，晶体管的＝100，=100Ω。
（1）求电路的Q点、Au 、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？ 如何变化？
解：（1）静态分析：
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
2V
I EQ
U BQ U BEQ Rf Re
+VCC
+ICQ UCEQ
IEQ
U BQ
RB2 RB1 RB2
VCC
I EQ
U BQ
U BEQ RE
ICQ IEQ
IBQ IEQ /
UCEQ VCC ICQ (RC RE )
三、动态分析
1. 电压放大倍数
RB1 C1 +
+ us
RS RB2
ii
ib
RC
RE ic
C2+VCC
+
+
RL
+
差分放大电路的改进
1、加调零电位器RW
1) RW取值应大些？还是小些？ 2) RW对动态参数的影响？ 3) 若RW滑动端在中点，写出Ad、 Ri的表达式。
Ad
Rb
rbe
Rc
(1
)
RW 2
Ri 2(Rb rbe ) (1 )RW
运放特性的理想化
理想运放： P280
1) Aud 2) Rid 3)Ro 0 4) KCMR 5)BW
两个结反偏
2. 电流判别法
I BS
ICS
VCC
U CE(sat)
RC
IB > IBS 则饱和 IB < IBS 则放大
2011年CMOS模拟集成电路复习提纲
2011年《大规模集成电路分析与设计》复习提纲一、填空题。
（每空3 分，共36分） 二、简答题（每小题10分，共40分）三、四，问答题或计算题（共计24分，（每小题6分，共12分））红色部分为本课程必须掌握的基本内容。
第一章 绪论略。
第2章MOSFET 的工作原理及器件模型分析重点内容：＊ CMOS 模拟集成电路设计分析的最基本最重要的知识：MOS 器件的三个区域的判断，并且对应于各个区域的I D 表达式，和跨导的定义及表达式。
＊ 定性分析栅源与栅漏电压对沟道电荷的影响，并能画出N 沟道增强型MOSFET 的各种情况下的横截面图。
＊ 体效应的概念，体效应产生的原因，及体效应系数γ。
＊ 沟道调制效应的概念，沟长调制效应产生的原因，沟道电阻DoI r λ1=，λ与沟道长度成反比。
＊ 以NMOS 为例来分析阈值电压产生的原理，并画出V GS =0，0<V GS <V TH 以及V GS >V TH 的NMOS 沟道电荷的示意图。
＊ MOS 管完整的小信号模型。
MOSFET 的I-V 特性1. THGS V V <,MOS 管截止2.TH GS V V ≥,MOS 管导通a.TH G S D SV V V -<,MOS 管工作在三极管区;⎥⎦⎤⎢⎣⎡--=221)(DS DS TH GS oxn D V V V V LWC I μ 当)(2TH G SD SV V V -<<时,MOS 工作于深Triode 区,此时DS TH GS ox n D V V V L WC I )(-≈μ,DSD V I ~为直线关系.导通电阻:)(1TH GS ox n DDS on V V LW C I V R -=∂∂=μ b.TH G S D SV V V -≥,MOS 管工作在饱和区;2)(21TH GS ox n D V V LWC I -=μ跨导g m ：是指在一定的V DS 下，I D 对V GS 的变化率。
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模拟电路基础 复习资料一、填空题1．在P 型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。
2．在N 型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。
3．当PN 结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN 结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。
5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（ 正向 ）偏置，集电结（ 反向 ）偏置。
6．根据理论分析，PN 结的伏安特性为)1(-=TU US eI I ,其中S I 被称为（ 反向饱和 ）电流，在室温下T U 约等于（ 26mV ）。
7．BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（ 源极 ）与之对应。
8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（ 电压取样 ）负反馈，为稳定输出电流，应采用（ 电流取样 ）负反馈。
9．在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联－电压求和）负反馈，为降低输出电阻，应采用（ 电压取样 ）负反馈。
10. 放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器（ 的电性能 ）。
11．在BJT 放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态输入电阻最大，输出电阻最小。
（ 共射 ）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。
12. 在BJT 放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态的电压放大倍数小于1，（ 共基 ）组态的电流放大倍数小于1。
13．差分放大电路的共模抑制比K CMR ＝（ Cu A A lg20 ），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（ 大 ）越好。
14．从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（ 高掺杂 ），二是基区很 （ 薄 ）并掺杂浓度（ 最低 ）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数d A 将（ 不变 ），而共模放大倍数c A 将（ 减小 ），共模抑制比将（ 增大 ）。
16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（ 阻容 ），（ 变压器 ）和（ 直接 ）耦合三种。
17．直接耦合放大器的最突出的缺点是（ 零点漂移 ）。
18，集成运放主要由（ 输入级 ），（ 中间放大级 ），（ 输出级 ）和（ 偏置电路 ）4部分组成。
19．BJT 三极管的直流偏置电路通常有（ 固定基流 ）电路和（ 分压式 ）电路两种。
20．负反馈放大电路增益的一般表达式F AA A f+=1,当11>+F A时，这种反馈称 为（ 负反馈 ）；当11<+F A 时，这种反馈称为（ 正反馈 ）。
21．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即0≈=-+u u ，将这种现象称为（ 虚短路 ）。
22．集成运放两个输入端的电流通常接近0，即0≈=-+i i ，将这种现象称为（ 虚开路 ）。
二．选择题1．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 截止区 ）。
1）饱和区 2）放大区 3）截止区2．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 放大区 ）。
1）饱和区2）放大区 3）截止区3．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 放大区 ）。
1）饱和区 2）放大区 3）截止区4．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 饱和区 ）。
1）饱和区 2）放大区3）截止区5．图示电路中设V V i 15=,Z D 的稳定电压V V Z 7=,具有理想特性，则=Z I （ 4.5mA ）。
1）4.0mA2) 4.5mA 3) 6.2mA 4) 7.0mA)(11LZ ZZ R V R V V I --=6．图示电路中设,300,600,12,15min max min max Ω=Ω===L L i i R R V V V V ,Z D 的稳定电压mA I mA I V V Z Z Z 5,40,6min max ===,则限流电阻R 应选择为=R （ 200Ω ）。
1）160Ω 2) 200Ω3) 250Ω 4) 300Ω)(maxmin min 1minmax max 1L Z Z L Z Z I I U U R I I U U +-<<+-7．图示电路中，当交流电源s v 为正半周时，四个二极管的工作状态为（ 4 ）。
1） 21D D 导通，43D D 截止 2）31D D 导通，42D D 截止 3）21D D 截止，43D D 导通 4）31D D 截止，42D D 导通8．图示直流电路中，设晶体管的≈==CE BE V V V ,7.0,69β( 8.88V )。
1）5.28V2) 8.88V 3) 6.54V 4）7.62V)(,)1((E C CQ CC CEQ BQCQ Eb BEQ CC B R R I V V I I R R V V I +-==++-=ββ9．放大电路如图，设晶体管的V V V V r BE CC bb 7.0,12,300,49,==Ω==β 则晶体管的微变等效电阻=be r （ 865Ω ）。
1) 865Ω 2) 1000Ω3) 1100Ω 4) 1200Ω EQT bb be EBEQB EQ CC B B B B I V r r R V V I V R R R V )1(,('212β++=-=+=10．图示镜像电流源的8,7.0,820,1221===Ω==βV U U k R V V BE BE CC ,输出的恒流2C I 为（ 12．25µA ）。
1）11.10µA 2）12．25µA 3）16.51µmA 4）20.12µAβ/211),(2+=-=REFC BECC REF I I RV V I11．图示镜像电流源V U U k R k R k R V V BE BE CC 7.0,4,2,340,122121==Ω=Ω=Ω==,输出的恒流2C I 为（ 16.6μA ）。
1）10.1μA 2）11.2μA 3）14.1μA 4）16.6μA),(212R R I I RV V I REFC BECC REF =-=12. 对于如图所示的复合管，设两管工作在放大区，且A I B μββ10,100121===。
如两管的穿透电流可忽略，则复合管的发射极电流2E I ＝（ 100mA ）。
1）90mA 2）100mA3）120mA 4）300mA)(1212B E I I ββ≈13. 对于如图所示的复合管，设两管工作在放大区，且Ω====k r r be be 1,502121ββ。
则复合管的输入电阻be r ＝（ 56 k Ω ）。
1）40k Ω 2）51 k Ω3）56 k Ω 4）70 k Ω())1(221be be be r r r β++=三．画出如下各电路图的直流通路、交流通路和微变等效电路,设电路中各电容对交流短路。
四．电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压0v 的值。
( V u R R R R u u u V u R R u s f f s fi 8.41,2.122222''0'001101=⎪⎪⎭⎫⎝⎛++-=+=-=-=)五．请判断图示各电路级间反馈的组态和极性（如电压并联正反馈）？稳定何种输出量（电压量或电流量）？(电流并联负反馈，稳定输出电流) （电压串联负反馈，稳定输出电压）（电压并联负反馈，稳定输出电压） （电压并联负反馈，稳定输出电流）六．例题 2.4.1 2.4.3 2.4.4 2.5.1 2.6.1 2.7.2 2.7.3七. 例题 4.2.1 5.3.1 5.3.2 5.3.3 6.2.1 6.4.2 7.3.1 7.3.2 八. 习题 1-7 1-13 1-15 2-10 2-15 2-16 2-26 九. 习题 4-1 4-3 5-1 5-2 5-7 5-9 十. 习题 6-1 6-4 6-5 十一. 习题7-1 7-9 7-101、三极管工作在放大状态时，测得三只晶体管的直流电位如图所示。
试判断各管子的管脚、管型和半导体材料。
管脚：① ② ③ 管型： 材料：管脚：① ② ③ 管型： 材料：管脚：① ② ③ 管型： 材料：2、电路如图a 所示，设二极管是理想的。
若输入电压u i ＝20sin ωt (V) 如图b 所示，试绘出一个周期内的输出电压u O 的波形。
3、 电路如下图所示 , 求： 1）画出交流通路 ， 2）计算Q 点， 3）电压增益A u ， 4）输入电阻r i,， 5）输出电阻r o 。
4、 如下图所示，已知Vcc ＝V EE ＝12V ，Rc ＝50KΩ，Re ＝20KΩ，Rb1＝4KΩ，Rb2＝16K Ω，R ＝10KΩ，负载R L ＝20KΩ，各三极管的β＝50，U BEQ ＝0.7V 。
（1）试估算静态工作点 （2）试估算差模电压放大倍数5、分析下图理想运放应用电路，求v O 与v i1、v i2、v i3的关系式。
A1A 2A 3R 250k R 1100k R f1100k R 325k R 450k R f2100k R 550k R 6100k i3v ov ΩΩΩi1v ΩΩΩi2v ΩΩ6、试用集成运放设计一个运算电路，要求实现以下运算关系：Uo ＝2U i1—4U i2+8U i3（1） 画出电路图并简要说明设计原理 （2） 列出电路中各参数的相互关系7、下图放大电路中，已知三极管T 1、T 2的β=100，V BE =0.6V ， r be1=1.6k Ω。
r be2=1.5k Ω。
求中频电压放大倍数A VS 、输入电阻R i 、输出电阻R O 。
T1C110uC210uRc13k Rb1190k Re11.2k Vcc =+12Vi +_v o +_v ΩΩΩΩRb1230k Rb2180k Re23.6k RL3.6k T2Ce110uC310uRs 1.5k ΩΩΩV sΩ。