模电第四章一部分
模电第四章1
上限频率fH:为高频区放大倍数下降为中频区的 0.707时所对应的频率。 Au jf H 0.707 AuI 下限频率fL:为低频区放大倍数下降为中频区的 0.707时所对应的频率。 Au jf L 0.707 AuI 通频带BW: BW=fH-fL≈fH ——表征放大器的线 性失真许可范围内的信号频带宽度。
36
四、频率特性的波特图近似表示法
20 lg Aus ( j ) (dB) 20 lg AuIs
1 j H
(dB)
37
五、负载电容和分布电容对高频响应的影响
UCC
RB1 C1 +
RC + C2
R o′ ≈ R L′
uo
+
+ RL CL
-
Rs
. Us
. Uo ′
CL
. Uo
+
-
RB2 RE
Au ( j ) Au ( j )
( j )
Au ( j ) K (常数)
( j ) td (td 也为常数)
6
Au ( j ) K ( 常数)
( j ) td ( td 也为常数)
|Au(jω )| K 0 ω 0 φ∝ω (a) (b) ω φ(j ω)
+
C3
- Ro′
(a)电路 图5―10包含负载电容CL的电路及等效电路
38
(b)等效电路
Ro rce RC RL RL
U o g m U be RL
1 j H1
AuIs
Us
1 AuIs 1 j C L Uo U o Us 1 1 jRoC L Ro 1 j jC L H1
模拟电子技术基础第四章
VCC − U BE 0 IR = R
4.2.2
改进型电流源电路
T0、T1和T2特性完全相同,因而 β0= β1= β2= β, 特性完全相同,
1、加射极输出器的电流源 、
+Vcc IR IC0 T0 IB0 IB1
加射极输出 器的电流源
而由于U 而由于 BE0=UBE1,IB1= IB0= IB
uI = ±1V
4—2 2
4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4
集成运放中的电流源电路
基本电流源电路 改进型电流源电路 多路电流源电路 以电流源为有源负载的放大电路 (1)提供静态偏置电流 )
电流源在电路中的作用 (2)作为有源负载(取代高阻值电阻 )作为有源负载 取代高阻值电阻) 取代高阻值电阻
↘ IC0↑ → IR↑→UR(RIR) ↑
→UB↓→IB↓
→ IC1↓
β = 10 I c1 = 0.83I R
不满足β>>2时,输出电流误差大 时
2、比例电流源 、
QU BE 0 + I E 0 Re 0 = U BE1 + I E1 Re1
I E ≈ I se
uBE UT
+Vcc IR IC0 T0 IB0 IB1 Re0 IE0 IE1 Re1 T1 R IB0+IB1 IC1
可见, 很小时也可认为I 当β=10 时, IC2≈0.984IR ,可见,在β很小时也可认为 C2≈IR , IC2受基 极电流影响很小。 极电流影响很小。
4.2.3
IR IC0 T0 Re0 R
多路电流源电路
IC1 IC2 IC3
T1 IE0 IE1 Re1 IE2
T2 Re2 IE3
模电第四章1
表面场效应器件
N沟道 金属-氧化物 -半导体场效 应管 (MOSFET) P沟道
增强型
耗尽型 增强型
vGS=0时,不存在导电沟 道 vGS=0时,存在导电沟道
耗尽型
6
第四章
一. 增强型MOS管的结构及工作原理
vi
R2
50K
D
C2 S
RS RL
10K 10K
R2=50k RG=1M RS=10k RL=10k
vo gm =3mA/V
VDD=20V
AV
gm RL 1 gm RL
ri=RG+R1//R2
=[3 (10//10) ]/[1+3 (10//10) ]=0.94
ro
Rs 1 gm Rs
2) 饱和漏极电流IDSS
3) 漏源击穿电压V(BR)DS
4) 栅源击穿电压V(BR)GS
5) 直流输入电阻RGS
6) 最大耗散功率PDM
7) 跨导gm
在vDS为定值的条件下, 漏极电流变化量与 引起这个变化的栅源电压变化量之比, 称为跨
导或互导, 即
g i v m
D
V 常数 DS
GS
12
第四章
§4.1 结型场效应管
体内场效应器件 一. 结型场效应管的结构及工作原理
d 漏极 耗尽层 d
g 栅极
P
P
N
g s
s 源极
N沟道结型场效应管结构和符号
1
第四章
d 漏极 耗尽层
g 栅极
N
N
P
模电第四章课件(1)
只用一个开环状态的集成运放组成的过零比较器电路简单,若希望比较器的输出幅度限制在一定的范围内(如要求与TTL数字电路的逻辑电平兼容),需加上限幅措施。 利用稳压管限幅的过零比较器:
此外,已知Q和 ,利用 可计算出带通滤波器的带宽。
可求出其幅频响应曲线如图。图中,Q值越高,通频带越窄。
(4)双T带阻滤波器 带阻滤波器是用来抑制或衰减某一频段的信号,而让该频段以外的所有信号通过。 (a)双T网络的频率响应 利用星形三角形变换原理, 可以将图4.2.6(a)所示双T网络 简化为图(b)所示的 型等效 电路。有
第四章 集成运算放大器
集成运放的基本应用电路,从功能上看,有信号的运算、处理与产生电路等。
4.1 基本运算电路 4.2 有源滤波器 4.3 电压比较器
4.1 基本运算电路
4.1.1 比例运算电路 4.1.2 求和运算电路 4.1.3 积分和微分运算电路 4.1.4 对数和反对数运算电路 4.1.5 非理想运放运算电路的分析
(动画4.1.1)
4.1.1 比例运算电路 根据输入信号接法的不同,有三种基本形式:反相输入、同相输入以及差分输入比例电路。 经电阻 加到集成运 放的反相输入端,其同 相输入端经电阻 接地。 通常选择的阻值为
1.反相比例运算电路
输入电压接至同相输入端,输出电压通过电阻 接到反相输入端,反相输入端通过电阻 接地。
幅频特性:
利用理想集成运放的特性得 传递函数 式中 就是 截止角频率 。 频率响应
4.2.2.一阶有源滤波器
低通滤波器的归一化幅频响应(其中实线表示实际的幅频响应,虚线表示理想情况)。 一阶滤波器的滤 波效果不够好。若要 求响应曲线以-40dB 或-60dB/十倍频的斜 率变化,则需采用二 阶、三阶或更高阶次 的滤波器。对于高于 二阶的滤波器,常可由一阶、二阶有源滤波器构成。
《模拟电子技术基础》(第四版)_第4章
代替RE,抑制共模干扰 效果好,KCMR大。
T3
T4
+VCC
I BQ1 I BQ 2 ICQ1 ICQ 2
ICQ3
ICQ1
2 I BQ 3 ICQ2
T1 T2 IE
ICQ4
RL
IO
Uo
ICQ3 ICQ1
ICQ 4 ICQ3
I O I CQ 4 I CQ 2 I CQ 3 I CQ1 I CQ1 I CQ1 0
id1 gm1ugs1
uo io RL 2id1RL 2 gm1ugs1RL
uo 2 gm1ugs1RL Au gm1RL uid 2ugs1
ii ib 2
作业:4.8
ic 2 i c3
ic5
ic 6
RL
io ic 6 ic3 ic5 ic 2 ic 2 ic 2
转移特性
Rid
FET1
+ VCC
ib1
T1
ie1 ic1
RE
T2
Rod rce 2 // rds 4
FET2
ui1
ic 2
io
id 4 FET4
ui 2
+
id1
FET3
id 3
RL
uo
-
io id 4 ic 2 id 3 ic1 ic1 ic1 2 ib1
B2
B3
•
C3
rce1
rce2 Ib2
Uo
• •
Ib3
•
3Ib3Байду номын сангаас
R
•
Ui rbe1
•
模电课件第四章集成运算放大电路
§4.1集成运算放大电路概述 一、集成运放的电路结构特点
集成运算放大电路:高电压放大倍数的直接耦合多级放大电路。
2019/7/28
模电课件
二、集成运放的电路组成
1、输入级:运算放大器的输入级通常是差分放大电路,其主 要功能是抑制共模干扰和温漂,双极型运放中差分管通常采 用CC-CB复合管,以便拓展通频带。 2、中间级:电压放大,要求:放大倍数要尽可能大,通常采 用共201射9/7/2或8 共源电路,并采用恒模电流课源件 负载和复合管以增加电压 放大倍数。
工作在放大状态。
当T0与 T1特性参数完全一致时,由U BE0 = U BE1可推得
IB0 = IB1 = IB IC0 = IC1 = Io 由基极输入回路得,
Io
IR
VCC
U BE R
I0 2IB
I0
2
I0
所以,I0
1 1 2
IR
基准电流
输出电流
当
时,I0 IR 。
在集成运放电路中通常只能制作小容量(几十pF)电容,不能 制作大201容9/7/量28 电解电容,级间通常模采电课用件 直接耦合。
四、以电流源为有源负载的放大电路
在集成运放的共射(共源)放大电路中,为了提高电压放大 倍数,常用电流源电路取代Rc (或Rd ),这样在电源电压不 变的情况下,既获得合适的静态电流,又可以得到很大的等效 的Rc(或 Rd )。
(1) 运放电路的结构分解 输入级是一个差动放大电路,主要由T1、T3(共集-共基组合)
和T2、T4组成。中间放大级由T16、T17、T13组成共集—共射电路; 输出级由T14、T18 、 T19组成互补输出电路。
模电课件第4章
V2
+
Re
-
-Ee
+
Rs -
3 sin t +
- (b)
图 4-4 (a) 原电路; (b) 分解为差模和共模信号电路
第4章 模拟集成电路基础 由图4-4(b)不难求出输出电压uo。假设V1管单端输出(即V1 集电极至地)电压为uo1,它为
uo1 Ad1uid Ac1uic
uo2 Ad 2uid Ac2uic
上述利用了对称性,即有Rc1=Rc2=Rc。
综上可得,差模电压放大倍数为
Ad
uo uid
Rc
Rs hie
第4章 模拟集成电路基础
当集电极之间接入负载电阻RL时,在差模信号作用下,RL 两端的电位向相反的方向变化,一端增量为正,另一端增量为
负, 并且绝对值相等,因而RL的中点电位是交流地电位。这样, 差模电压放大倍数为
第4章 模拟集成电路基础
第4章 模拟集成电路基础
4.1 模拟集成电路概述 4.2 差动放大器 4.3 典型模拟集成电路
第4章 模拟集成电路基础
4.1 模拟集成电路概述
4.1.1 集成电路分类
(a)
(b)
(c)
(d)
图 4-1 单个晶体管与完整的集成电路的比较 (a) 单个晶体三极管; (b) 集成块; (c) 双列直插型; (d) 扁平型
I E1
IE2
Ee UBE
Rs
1
2Re
通常Rs/(1+β)<<2Re, UBE=0.7V (硅管),所以
I E1
IE2
Ee 0.7 2Re
可见,静态工作电流取决于Ee和Re。同时,由于Uc1=Uc2,故 Uo=0,通常称作零输入零输出。信号电压由两管基极输入, 放 大后的输出电压可以从两个集电极之间取出(双端输出),也可以
模拟电子技术第4章
-N
+
扩散电容:是由多子扩散后,在
PN结的另一侧面积累而形成的。
P
因PN结正偏时,由N区扩散到P
空穴(在共价键以内)的运动
结论: 1. 本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少; 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电; 3. 本征半导体导电能力弱,并与温度有关。
8
(二) 杂质半导体 1、N 型半导体:
在本征半N导型体中掺入五价元素(磷)——增大自由电子浓度
电子为多数载流子
+4
+4
+4
空穴为少数载流子
2
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们 的最外层电子(价电子)都是四个。
Ge
Si
通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。
3
硅(锗)的原子结构
硅(锗)的共价键结构 自 由 电 子
简化 模型
惯性核
空 穴
价电子 (束缚电子)
空穴
空穴可在共 价键内移动
4
二半导体的导电原理
(一)本征半导体:纯净的单晶结构的半导体 受惯性核束缚的价电子在绝对温度零度(0°K)即-273℃之下 →本征半导体硅(锗)的全部价电子都为束缚电子 与理想绝缘体一样不能导电。 自由电子: 价电子获得足够的能量挣脱惯性核的束缚(温度>0 ° K时) 带负电荷的物质——又称电子载流,这是由热激发而来的 空穴: 价电子成为自由电子时,原共价键留下了一个空位 ——带正电荷的物质,即空穴载流子。
高教--模拟电子技术课程第四章
可以产生一定频率的振荡信号,常用于振荡电 路和波形产生电高路教--模拟电子技术课程第四章
反馈的框图
输入
净输入信号
叠加
±
放大器
反馈
信号 反馈网络
取+ 加强输入信号 正反馈
取 - 削弱输入信号 负反馈
高教--模拟电子技术课程第四章
开环 输出
闭环
负反馈放大器的组成
➢ 四种信号
净输入信号
输入信号
高教--模拟电子技术课程第四章
+ Xid Xi -
Xf
馈入端
基本 放大器
反馈网络
+
RL Uo
-
采样端 (并联采样)
电压反馈示意图
+ Xid Xi -
馈入X端f
基本 放大器
+
RL Uo
-
Io
Io
反馈网络
采样端
高教--模拟电子技术课程电第四流章 反馈示意图(串联采样)
二、电压反馈和电流反馈的判定
输出短路法: 将放大器的输出端(uo)对 “地”短路,若其反馈信
高教--模拟电子技术课程第四章
二、直流反馈和交流反馈的判定 反馈回路内只允许直流分量通过,并产生直流反馈, 即只对直流信号起作用的反馈-“直流反馈”; 反馈回路内只允许交流分量通过,并产生交流反 馈,即只对交流信号起作用的反馈-“交流反馈”;
有的反馈对交、直流信号均起作用-“交直流反馈”。
高教--模拟电子技术课程第四章
高教--模拟电子技术课程第四章
3. 电压反馈和电流反馈
一、电压反馈和电流反馈的概念
根据反馈所采样的输出信号的性质不同,可以 分为电压反馈和电流反馈
电压反馈:反馈信号取自输出电压信号。 电流反馈:反馈信号取自输出电流信号。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)第四章
仿真
静态时 UCE1 = +VCC , UCE2 = -VCC 。 Ucem = VCC - UCES
OCL电路省去了大电容, OCL电路省去了大电容,即改 电路省去了大电容 善了低频响应, 善了低频响应,又有利于实现 集成化,应用更为广泛。 集成化,应用更为广泛。
R1 ui b1 R VD1 VD2 b2 R2
上页 下页 首页
(3)功率三极管的极限参数 ▼ 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许电流I 在OCL互补对称电路中,流过三极管的最大集电极 OCL互补对称电路中 互补对称电路中, 电流为: 电流为:
VCC − UCES VCC Icm = ≈ RL RL
因此选择功率三极管时,其集电极最大允许电流应为: 因此选择功率三极管时,其集电极最大允许电流应为:
上页 下页 首页
(2)效率 当输出最大功率时,放大电路的效率等于最大输 当输出最大功率时, 出功率p 与直流电源提供的功率P 之比。 出功率pom与直流电源提供的功率PV之比。 1 PV = VCC × π
π
0
Icmsinωtd(ωt) = sinωtd(ωt)
2VCCIcm ≈ π
2V2CC πRL
iC1
NPN C1 + VCC VT2 2 PNP
+VCC
O iC1
t
uo
O iC
2
t
iL
RL
O iL O
t
iC2
t
OTL甲乙类互补对称电路的波形图 OTL甲乙类互补对称电路的波形图
仿真
上页 下页 首页
3. OCL甲乙类互补对称电路 OCL甲乙类互补对称电路
iC1
VT1 NPN uo VT2 PNP +VCC
模拟电子技术第四章01PPT课件
放大状态下BJT中载流子的传输过程
第 11 页
武汉大学电气工程学院
又设 根据 且令
1
IE=IB+ IC
IC= ICN+ ICBO
I CN
IE
ICEO= (1+ ) ICBO (穿透电流)
模拟电子技术
则
IC
ICEO IB
当ICICEO 时
IC IB
是另一个电流放大系数。同样,它也只与管
第 10 页
武汉大学电气工程学院
模拟电子技术
3. 电流分配关系
根据传输过程可知 IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO流
即 I CN
IE
通常 IC >> ICBO
因此 I C
IE
为电流放大系数。它只
与管子的结构尺寸和掺杂浓度 有关,与外加电压无关。一般
实现这一传输过程的两个条件是:
(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度,且基区很薄。
(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反 向偏置。
第 14 页
武汉大学电气工程学院
模拟电子技术
重要提示:
1) 对于给定三极管而言(以NPN为例),其电压vBE,vCE 和vBC中自由的有2个。但无论是哪两个作为控制量,决定 三极管工作状态的最终还要看发射结电压vBE和集电结电压 vBC 。因此,无论哪种接法,牢牢把握住这两个量,就能 正确分析三极管的状态。
电子技术基础-模拟部分 第四章 双极结型三极管
及放大电路基础
2011.01
武汉大学电气工程学院
模拟电子技术
整体概况
+ 概况1
您的内容打在这里,或者通过复制您的文本后。
模电第四章
图4-1 结型场效应管的结构示意图和符号
第四章 场效应管放大电路
4.1.2 工作原理
1. UGS对导电沟道的影响
ID=0 D P+ G N 型 沟 道 P+ G P+ D N 型 沟 道 P+ G P+ ID=0 D P+ ID=0
S
U GS
S
U GS
S
(a) UGS =0
(b) UGS <0
(c) UGS = -UP
第四章 场效应管放大电路
第四章 场效应管放大电路
4.1 结型场效应管
4.2 绝缘栅场效应管
4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路
第四章 场效应管放大电路
三极管是一种电流控制元件(iB~ iC),工作时,多数 载流子和少数载流子都参与运行,所以称为双极型器件。 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种 电压控制器件(uGS~ iD) ,工作时,只有一种载流子参与 导电,因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入 电阻极高等优点,得到了广泛应用。 绝缘栅场效应管 (MOS管) 结型场效应管
-
s
-
s
VDD VDD
VGG
g -
g -
-dd id
二氧化硅 二氧化硅
→将P区少子电子聚集到
P区表面→形成导电沟道, 如果此时加有漏源电压, 就可以形成漏极电流id。
N ++ N
N++ N
P衬底 P衬底
b
b
第四章 场效应管放大电路
定义:
开启电压( UT)——刚刚产生沟道所需的
栅源电压UGS。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
1. 电路分析共集电极电路:①求静态工作点eb BECC B )1(R R V V I β++-=eC CC e E CC CE R I V R I V V -≈-=BC I I ⋅=βeE B E b B CC R I V R I V ++=BE )1(I I β+=由得4.5.1 共集电极电路直流通路自己画输出回路:输入回路:Lb be b L b b be b i )1( )(R I r I R I I r I V '++='⋅++=ββ 电压增益:1)1()1(])1([)1(L be L L be L Lbe b L b i o V <'⋅+'⋅≈'++'+='++'+==R r R R r R R r I R I V V A ββββββ <A>画小信号等效电路<B>确定模型参数β已知,求r be)mA ()mV (26)1(200EQ be I r β++Ω≈<C>增益其中L e L//R R R ='Lb L b b o )1()(R I R I I V '+='⋅+=ββ 一般be L r R >>'⋅β,则电压增益接近于1,1V≈A 即同相与io V V 电压跟随器—通称“射随器”②电压增益③输入电阻])1(//[L be b TT i R r R I V R '++==βb R T b I I I +=L b be b T )1(R I r I V '++=β bR T bR I V =根据定义由电路列出方程则输入电阻T T i I V R =L e L//R R R ='当be Lr R >>'⋅β1>>β,时,L b i //R R R '⋅≈β输入电阻大④输出电阻由电路列出方程eR b bT I I I I ++=β)(s be b T R r I V '+= eR T e R I V =其中b ss //R R R ='则输出电阻β++'==1//bes e TTo r R R I VR 当β++'>>1be s e r R R ,1>>β时,βbe s o r R R +'≈输出电阻小同相与io V V ◆电压增益小于1但接近于1,#既然共集电极电路的电压增益小于1(接近于1),那么它对放大没有任何作用。
这种说法是否正确?作用:提高电流放大系数,增大电阻r be复合管也称为达林顿管2. 复合管1. 静态工作点直流通路与射极偏置电路相同CCb2b1b2B V R R R V ⋅+≈eBEB EC R V V I I -=≈)(e c C C C e E c C C C C E R R I V R I R I V V +-≈--=βCB I I =4.5.2 共基极电路①电压增益输出回路:输入回路:beb i r I V -=电压增益:beL be b L b i o V r R r I R I V V A '=-'-==ββ Lb Lc oR I R I V '-='-= βL c L //R R R ='2. 动态指标电压增益:be L c )//(r R R ⋅-β输入电阻:be b //r R 输出电阻:cR )//)(1()//()1(L e be L e R R r R R ββ++⋅+[])//)(1(//L e be b R R r R β++β++1)//(//beb s e r R R R be Lc )//(r R R ⋅ββ+1//bee r R cR 3. 三种组态的比较4.2~4.6试题常见类型1,关于放大器的概念,放大器静态和动态参数物理意义正确性的判断(例如给一个电路,并给出其相关参数计算结果,判断正确性);2,电子电路是否能放大动态信号的判断;3,如何用三极管构成放大电路;4,判断电路属于什么组态;5,正确画出直流和交流通道,画H 参数小信号模型;6,基本组态放大电路静态工作点、放大倍数、输入电阻、输出电阻计算7,失真分析及消除办法;8,最大不失真电压求解9,各种基本放大电路的性能特点及应用4.5.1 共集电极放大电路1.静态分析共集电极电路结构如图示该电路也称为射极输出器eb BEQ CC BQ )1(R βR V V I ++-=eC Q C C e EQ C C C EQ R I V R I V V -≈-=BQC Q I βI ⋅=eEQ BEQ b BQ C C R I V R I V ++=BQEQ )1(I βI +=由得直流通路①小信号等效电路2.动态分析②电压增益输出回路:输入回路:Lb be b Le be b i 1 R )β(i r i R i r i '++='+=v 电压增益:1)1()1(])1([)1(L be L L be L Lbe b L b i o <'⋅+'⋅≈'++'+='++'+==R βr R βR βr R βR βr i R βi A v v v 其中L e L//R R R ='L b Le o 1R )β(i R i '+='=v 一般be Lr R >>'⋅β,则电压增益接近于1,同相与i o v v 电压跟随器≈v A 即。
LR '③输入电阻输入电阻大,且与负载有关]R )β(r [||R R R i R i b Lbe b iii 1'++='==v i R 'bbL be b i i i i R 1[r ])(i R '++=='βv LR 'Lbe R )(r '++=β1④输出电阻由电路列出方程eb b t R i βi i i ++=)(s be b t R r i '+=v et e R i R =v 其中bs s ||R R R ='则输出电阻βrR R i R ++'==1||be s e t t o v 输出电阻小,且与信号源内阻有关βr R R R ++'=1||bes e o 同相与i o v v ◆电压增益小于1但接近于1,◆输入电阻大,对电压信号源衰减小◆输出电阻小,带负载能力强)1([||L be b i R βr R R '++=≈v A 总结常用作输入级、输出级、中间隔离级电流折算法记公式:b c i βi ⋅=电流关系:be )1(i βi ⋅+=把所有电流都折算为i bcb 1i i ⋅=βeb 11i i ⋅+=β电流折算法记公式:射极电阻折到基极,乘(1+β)倍;基极电阻折到射极,除(1+β)倍;集电极电阻折到基极,乘β倍。
be Lbe b L b beb Lc i o r R βr i R βi r i R i A '-='-= '-==v v v beb beb b i i r i r i i R ===v L be LLbe b L b )1()1(])1([)1(R βr R βR βr i R βi A '++'+='++'+=v ])1([||Lbe b i R βr R R '++=βr R R R ++'=1||bes e o 4.5.2 共基极放大电路1.静态工作点直流通路与射极偏置电路相同CCb2b1b2BQ V R R R V ⋅+≈eBEQBQ EQ CQ R V V I I -=≈)( e c CQ CC e EQ c CQ CC CEQ R R I V R I R I V V +-≈--=βII CQBQ= 2.动态指标①电压增益输出回路:输入回路:电压增益:L c L||R R R ='交流通路小信号等效电路Lb o 'R βi -=v beb i r i -=v beLi o 'r βR A ==v v v 电流增益:1ec<==αi iv A 电流跟随器②输入电阻③输出电阻co R R ≈βr ||R R i +=1bee i e R R i R '==ii i vi R 'ββ+=+==-='11i -i r -e b be e ii beb b be r i )(i r i R v 输入电阻小共基电路高频特性好,适合用于高频或宽频带场合4.5.3 放大电路三种组态的比较1.三种组态的判别以输入、输出信号的位置为判断依据:信号由基极输入,集电极输出——共射极放大电路信号由基极输入,发射极输出——共集电极放大电路信号由发射极输入,集电极输出——共基极电路2.电压增益的计算i o v v v A =i i i o v v v v 22=io i o v v v v 12=21v v A A =推广至n 级:vnv v v A A A A 21=多级放大器总的电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积。
4.6.1 共射-共基放大电路共射-共基放大电路2.三种组态的比较3.输入电阻的计算1i i R R =iR 4.输出电阻的计算ono R R =oR 输入电阻R i =iii v =R b ||r be1=R b1||R b2||r be1输出电阻R o ≈R c2动态指标与单级共射电路接近,优点是频带宽。
PNP 与NPN 型BJT 组成的复合管NPN 与PNP 型BJT 组成的复合管r be =r be1两只管子相复合,类型取决于第一只管子。
例1 判断图示各电路是否能放大交流信号判断依据(1)能够满足BJT 的外部工作条件:发射结正偏置,集电结反偏置;(2)能设置合适的静态工作点;(3)交流通道信号能够顺利通过。
例2 电路如图示,三极管的β=100,r be=1.5KΩ,静态时V BE=0.7V,所有电容对交流可视为短路(1)静态工作点Q,Av 、Ri、Ro、Avs(2)若管子的饱和压降为VCES=0.7V,当增大输入电压时,空载和3K Ω负载时电路各首先出现饱和失真还是截止失真?(3)若C3开路,则Q点和Av 、Ri、Ro如何变化?例3 判断多级放大组态,并写出电压增益表达式多级放大器的组合方式:(1)阻容耦合——Q点独立设置,要求电容大,对集成不利;(2)直接耦合——有利集成,但Q点相互影响;(3)变压器耦合。