TFT工艺流程中中英文标准名称
TFT常用中英文标准名称
Q/S
上海天马微电子有限公司企业标准
Q/S0001-2007 TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
版号： 1.0 总页数： 23 制定部门：制造部生效日期： 2007年4月28日
拟制：方永学 2007-4-3 审核：向传义 2007-4-3 标准化：吴乃亮 2007-4-25 会签：颜建军朱希玲 2007-4-20
蔡明宏 2007-4-24 凌志华 2007-4-3 批准：安德浩 2007-4-24 2007-04发布 2007-04实施
上海天马微电子有限公司发布
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
Q/S0001-2007 第2页共23页
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
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Q/S0001-2007 第7页共23页
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工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
液晶显示器行业内中英文对照表
附：缩略语中英文对照表
Ａ
ACFﻩﻩＡnisotrｏpic ＣｏnductivｅFiｌmﻩ各向异性导电薄膜
ADＣﻩ Analoｇ－Dｉｇｉtal Cｏｎvertｅrﻩﻩﻩﻩ模数转换器
ＡESﻩＡｕger Eｌecｔｒon Specｔrometeｒ俄歇电子能谱仪
ＡＦＦSﻩ Advａnced FFＳﻩ
ＡFＬC ﻩAnti－Ferroeｌecｔric Lｉquid Cryｓtaｌﻩ反铁电液晶
ＡMLＣDﻩＡcｔiｖeＭatｒｉｘLｉquid Ｃrystａl Displaｙﻩﻩ有源矩阵液晶显示器件
AMＯＬEDﻩActive Mａtrix Orｇanｉc ＬighｔEmiｔｔｉnｇDiｓplayﻩ有源矩阵有机电致发光二极管
AＰCＶD Atｍospheric Preｓsure CheｍicaｌVａｐor Depositｉon常压化学气相沉积
AＰＰｌasma ﻩAtmospheriｃPressｕrｅPlasma ﻩ常压等离子清洗
AＱK ﻩﻩAqua Kniｆｅﻩﻩﻩﻩﻩ水刀清洗
a－SｉﻩＡmorｐhｏus Silicoｎﻩﻩ非晶硅
AS—IPS Advancｅd—Ｓupeｒ—In—Plane Switchinｇ超高级面内切换宽视角技术
B
BCE ﻩﻩBaｃkＣhａnnｅl Etched ﻩﻩﻩﻩ背沟道刻蚀型
BEＦﻩBrightnｅss Enhancｅmｅnt Fｉlmﻩﻩﻩ增亮膜
BEＷＢlurred Edge width ﻩﻩﻩﻩﻩ边界模糊区域宽度
Ｂ/LﻩBａck Lighｔﻩﻩﻩﻩﻩﻩ背光源
ＢＭﻩBｌack Matｒix ﻩﻩ黑色矩阵或黑矩阵
光伏工艺流程英文名称
光伏工艺流程英文名称英文回答：
Photovoltaic Manufacturing Process.
Stage 1: Silicon Ingot Production.
Polysilicon Production.
Siemens Process.
Fluidized Bed Reactor (FBR) Process.
Czochralski Process.
Stage 2: Wafer Fabrication.
Wafer Sawing.
Etching.
Polishing.
Texturing.
Anti-Reflective Coating.
Stage 3: Cell Manufacturing.
Diffusion.
Oxidation.
Metallization.
Firing.
Stage 4: Module Assembly.
Interconnection of Cells.
Encapsulation (EVA, PVB, Glass)。
Framing.
Stage 5: System Installation. Site Preparation.
Racking System Installation. Module Mounting.
Electrical Connections.
Monitoring.
中文回答：
光伏工艺流程。
第一阶段，硅锭生产。
多晶硅生产。
西门子法。
流化床反应器 (FBR) 法。直拉法。
第二阶段，晶片制造。
晶片切割。
刻蚀。
抛光。
表面纹理化。
抗反射涂层。
第三阶段，电池制造。
tftCF常用中英文培训PPT课件
Input
Unpack/packing 拆包装/打包
投料
Initial clean Particle count
预备清洗 尘埃粒子测试
Gate 栅电极层
RS meter
电阻测量
Macro inspection 宏观检查
S/Dsource/drain Pre bake
源/漏电极
PR Coating
宏微观检查
Inspection
CD after develop 显影后关键尺寸检查
Total pitch TP 长寸测量
PR strip
光刻胶剥离
类别
英文缩写 英文全称
中文全称
部门缩写 CS
Customer service 客户服务
FAB
Fabrication
工厂制造
OQC R&D
Outgoing Quality 出货品质控制 Control Research & Design 研发
专业术语 6s CF
Seiri,
整理,整顿,清扫,清
Seiton,Seiso,Seiketsu,Shits 洁,素质,安全
百度文库uke,Safety
Color filter
彩色滤光片
LCD
Liquid Crystal Display 液晶显示器
液晶显示器行业内中英文对照表
附：缩略语中英文对照表
A
ACF Anisotropic Conductive Film 各向异性导电薄膜
ADC Analog-Digital Converter 模数转换器
AES Auger Electron Spectrometer 俄歇电子能谱仪
AFFS Advanced FFS
AFLC Anti-Ferroelectric Liquid Crystal 反铁电液晶
AMLCD Active Matrix Liquid Crystal Display 有源矩阵液晶显示器件AMOLED Active Matrix Organic Light Emitting Display 有源矩阵有机电致发光二极管APCVD Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition常压化学气相沉积
AP Plasma Atmospheric Pressure Plasma 常压等离子清洗
AQK Aqua Knife 水刀清洗
a-Si Amorphous Silicon 非晶硅
AS-IPS Advanced-Super-In-Plane Switching 超高级面内切换宽视角技术
B
BCE Back Channel Etched 背沟道刻蚀型
BEF Brightness Enhancement Film 增亮膜
BEW Blurred Edge width 边界模糊区域宽度
B/L Back Light 背光源
BM Black Matrix 黑色矩阵或黑矩阵
BS Back Channel Stop 背沟道保护型
液晶电视中英文对照
液晶电视中英文对照
术语：英文意义，中文解释
LCD：Liquid Crystal Display，液晶显示
LCM：Liquid Crystal Module，液晶模块
TN：Twisted Nematic，扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转90°
STN：Super Twisted Nematic，超级扭曲向列。约180~270°扭曲向列
FSTN：Formulated Super Twisted Nematic，格式化超级扭曲向列。一层光程补偿片加于STN，用于单色显示
TFT：Thin Film Transistor，薄膜晶体管
Backlight：背光
Inverter：逆变器
OSD：On Screen Display，在屏上显示
DVI：Digital Visual Interface，（VGA）数字接口
TMDS：Transition Minimized Differential Signaling
LVDS：Low V oltage Differential Signaling，低压差分信号
Panelink：－
IC：Integrate Circuit，集成电路
TCP：Tape Carrier Package，柔性线路板
COB：Chip On Board，通过邦定将IC裸片固定于印刷线路板上
COF：Chip On FPC，将IC固定于柔性线路板
COG：Chip On Glass，将芯片固定于玻璃上
Duty：占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率
LED：Light Emitting Diode，发光二极管
液晶显示器行业术语中英文版
液晶显示器行业术语中英文版
英文缩写：
BLU（Back Light Unit）:背光源
CCFL/CCFT (Cold Cathode Fluorescent Light/Tube):冷阴极荧光灯
Composite vide:复合视频
Component vide:分量视频
COB(Chip On Board):IC裸片通过邦定固定于印刷线路板上COF(Chip On Film):将IC封装于柔性线路板上
COG(Chip On Glass):将IC封装于玻璃上
CRT(Cathode Radial Tube):阴极射线管
DPI(Dot Per Inch):点每英寸
Duty:占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率
DVI(Digital Visual Interface):（VGA）数字接口
ECB(Electrically Controlled Birefringence):电控双折射
EL(Electro luminescence):电致发光，EL层由高分子量薄片构成
FSTN(Formulated STN):薄膜补偿型STN,用于黑白显示HTN(High Twisted Nematic):高扭曲向列的显示类型
IC(Integrate Circuit):集成电路
Inverter:逆变器
ITO(Indium-Tin Oxide):氧化铟锡
LCD(Liquid Crystal Display):液晶显示器
LCM(Liquid Crystal Module): 液晶模块
LED(Light Emitting Diode):发光二极管
tft开发流程
tft开发流程
(中英文版)
Title: TFT Development Process
TFT开发流程是一个涉及多个步骤和阶段的过程，其中包括设计、制造、测试和封装等环节。
TFT开发流程是一个涉及多个步骤和阶段的过程，其中包括设计、制造、测试和封装等环节。
The first step in the TFT development process is the design phase.In this phase, the circuitry and the display layout are planned and designed.
TFT开发流程的第一步是设计阶段。在这个阶段，电路和显示布局被规划和设计。
Once the design is complete, the next step is the manufacturing phase.This involves fabricating the TFT array and the color filter array.
设计完成后，下一步是制造阶段。这包括制造TFT阵列和彩色滤光片阵列。
After the manufacturing phase, the TFT panels go through a series of tests to ensure their quality and functionality.
制造阶段完成后，TFT面板会经历一系列测试，以确保其质量和功能。
Finally, the TFT panels are packaged and prepared for shipping to customers.
TFT行业特气基本知识
特气相关知识
磷化氢（PH3）
磷化氢气体检测仪磷化氢是一种无色、高毒、易燃的储存于钢瓶内的液化压缩气体。其存储压力为其蒸汽压522psig (70 F ) 该气体比空气重并有类似臭鱼的味道。如果遇到痕量其它磷的氢化物如乙磷化氢，会引起自燃。磷化氢应该按照高毒性且自燃的气体处理。吸入磷化氢会对心脏、呼吸系统、肾、肠胃、神经系统和肝脏造成影响。
物品名称：磷化氢（Phosphine）同义名称：Hydrogen Phosphide、Phosphorus Hydride、Phosphuretted Hydrogen、Phosphorus Trihydride 化学性质：是一种无色、高毒、易燃的储存于钢瓶内的液化压缩气体。危害物质成分中英文名称：磷化氢Phosphine 化学式：PH3 含量％：100% 化学文摘社登记号码（CAS No.）：007803-51-2 危害物质分类及图式：2.3 有毒气体；2.1 易燃性气体
危害辨识资料
紧急情况综述: 磷化氢是一种无色、高毒、易燃的储存于钢瓶内的液化压缩气体。其存储压力为其蒸汽压522psig (70 F ) 该气体比空气重并有类似臭鱼的味道。如果遇到痕量其它磷的氢化物如乙磷化氢，会引起自燃。磷化氢应该按照高毒性且自燃的气体处理。吸入磷化氢会对心脏、呼吸系统、肾、肠胃、神经系统和肝脏造成影响。进入磷化氢浓度超标的区域要配戴自给式呼吸器（SCBA）和全身防火服。进入含有可燃气体区域的人员要意识到极严重的火灾和爆炸危险。最重要危害与效应：急性：眼接触：暴露在低浓度的磷化氢中会造成刺激。接触其液体会造成冻伤。摄入：不可能。接触液体会造成冻伤。吸入：磷化氢不仅有刺激性而且是系统毒剂。症状包括流泪、刺激肺、气短、咳嗽、肺积水、头痛、青紫、头晕、疲劳、恶心、呕吐、严重的上腹疼痛、麻木、颤抖、痉挛、黄疸、肝脏及心脏功能紊乱、肾发炎及死亡。皮肤接触：接触液体会造成刺激和冻伤。慢性：侵入途径：吸入症状：重复暴露在低浓度磷化氢中的症状包括支气管炎、厌食、神经系统问题，以及类似于急性中毒的症状如：黄疸、肝脏及心脏功能紊乱、肾发炎。慢性暴露还会造成骨骼的变化。损害器官：肺、心、肝、肾、中枢神经系统和骨骼。过度暴露造成的病情恶化：哮喘、肺炎或肺纤维化疾病。致癌性：未被NTP、OSHA及IARC列为致癌物或潜在致癌物。
tft基micro-led 工艺流程
tft基micro-led 工艺流程制造Micro LED的工艺流程主要包括以下步骤：
1.在wafer上生长出微型LED晶粒。
2.制造背板和驱动电路（backplane，传统屏幕的背板就是TFT）。
3.将微型LED从wafer上分离转移到目标背板上。这个过程涉及到检
测和缺陷修复。由于LED尺寸很小，需要使用pick-and-place技术将大量的RGB LED晶体从不同的生长源基板分离，再精准转移嵌入目标背板并连接上驱动电路。
4.在制造过程中，还需要使用滚轮转印技术实现高速率大批量转移。此
技术可以将TFT阵列和LED从源基板上取下，放置在临时基板上，并与TFT键合，然后将LED+TFT的组合阵列转移至目标基板上。
整个过程的难点在于保证滚轮和水平传送板之间的压力均匀，以防止损坏Micro-LED；同时保证滚轮的角运动与样品传送台的水平运动相同步，以平衡滚轮的下压力和水平力，实现精准对位。此外，在压印过程中环境温度对精度影响较大。
以上内容仅供参考，如需更全面准确的信息，可以咨询光电技术领域的专家或查阅最新的研究文献。
TFT工艺流程中中英文标准名称
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一．TFT 工艺流程中英文标准名称Array Process Flow
阵列段工艺流程
Unpacking 拆包装Initial clean 预备清洗Input 投料
Particle count 尘埃粒子测试Clean before depo
成膜前清洗Gate （Mo/Al alloy ) Film depo 栅电极成膜RS meter 电阻测量Macro Inspection 宏观检查Clean before PR 涂胶前清洗Pre bake 预烘PR Coating 光刻胶涂布PR vacuum dry(VCD)光刻胶低压干燥PR soft bake 前烘Expose
曝光
Titler Expose/Edge Expose
打标/边缘曝光Develop 显影PR hard bake 坚膜
ADI
显影后自动光学检查Mic/Mac Inspection 宏微观检查CD after develop 显影后关键尺寸检查Total pitch 长寸测量Gate Wet etch 栅电极湿刻Contact angle 接触角测量PR strip 光刻胶剥离CD after etch 刻蚀后关键尺寸测量AEI
刻蚀后自动光学检查Micro/Macro Inspection 宏微观检查Gate 栅电极层
Laser Repair 激光修补Clean before depo 成膜前清洗Active film depo Active 成膜AOI
自动光学检查Macro Inspection 宏观检查Thickness Measurement 厚度测量Clean before PR 涂胶前清洗Active 层
液晶显示器行业内中英文对照表
附：缩略语中英文对照表
A
ACF Anisotropic Conductive Film 各向异性导电薄膜
ADC Analog-Digital Converter 模数转换器
AES Auger Electron Spectrometer 俄歇电子能谱仪
AFFS Advanced FFS
AFLC Anti-Ferroelectric Liquid Crystal 反铁电液晶
AMLCD Active Matrix Liquid Crystal Display 有源矩阵液晶显示器件AMOLED Active Matrix Organic Light Emitting Display 有源矩阵有机电致发光二极管APCVD Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition常压化学气相沉积
AP Plasma Atmospheric Pressure Plasma 常压等离子清洗
AQK Aqua Knife 水刀清洗
a-Si Amorphous Silicon 非晶硅
AS—IPS Advanced—Super-In-Plane Switching 超高级面内切换宽视角技术
B
BCE Back Channel Etched 背沟道刻蚀型
BEF Brightness Enhancement Film 增亮膜
BEW Blurred Edge width 边界模糊区域宽度
B/L Back Light 背光源
BM Black Matrix 黑色矩阵或黑矩阵
BS Back Channel Stop 背沟道保护型
TFT工艺流程中中英文标准名称
ITO film etch
ITO膜湿刻
PR strip
光刻胶剥离
AEI
刻蚀后自动光学检查
Micro/Macro In specti on
宏微观检查
Final E/T
最终电测
Ann eal
煺火
Array test
阵列测试
Array repair
阵列修补
TEG test
TEG测试
Sort
分级
Cell Process flow
打标/边缘曝光
Develop
显影
PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
Mic/Mac In spection
宏微观检查
CD after develop
显影后关键尺寸检查
Total pitch
长寸测量
Gate Wet etch
栅电极湿刻
Con tact an gle
接触角测量
PR strip
旋转传送机构
SCARA arm
AGV专送臂
Reset
重新设定
Tra nsportatio n
传输
Recipe
工艺参数的组合
Stock out
将工装篮取出货栈
Request
要求,请求
Tra nsfer
LCD专业翻译
液晶专业术语，中英文互译该帖被浏览了437次 | 回复了0次Back light〈背光源〉 液晶Panel的背面所设置光源。萤光灯管（热阴极管或冷阴极管）、导光板、扩散板所构成。 Contrast Ratio〈对比度〉 此为黑色与白色之间的对比。比值越高，色彩越鲜明。 FPC Flexible Printed Circuit；可弯曲印刷电路。 Inverter 〈换流器〉 DC/AC换流器主要应用于TFT 面板背光源之power supply。它使用高电压来驱动冷阴极射线管。此独特的电力仪器具有高瓦特数、高效能及坚实小巧的设计。 LVDS Low Voltage Differential Signaling；数字显示接口，具有高效能、高速与低功率消耗等特色。 Laser Anneal〈雷射回火〉 低温多晶硅与非晶硅最大差异在于，LTPS 的薄膜晶体管TFT，经过雷射回火 (Laser anneal)的制程步骤；利用雷射作为热源，雷射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构 QCIF (Quarter Common Intermediate Format): QCIF 为视讯会议格式，其每秒可传输30页的资料，每一页有144行、每一行有 176画素(pixel)。 其分辨率为CIF之1/4。QCIF为 ITU H.261 视讯会议之标准。CIF 及QCIF互为兼容并适用于NTSC, PAL 及SECAM三种TV标准。 White Chromaticity 为衡量RGB三原色的均衡值的测量方法。较高之色温产生偏蓝的白色； 较低的色温产生偏红的白色。 A a-Si amorphous silicon 以材料结构而言，amorphous的意思是指未结晶的状态。Amorphous silicon膜具有作为半导体材料之特性，可用plasma CVD装置在400℃以下的温度下形成。因此成为使用玻璃基板之主动矩阵（active matrix）方式液晶面板的TFT主力组件材料。 英： Amorphous means lacking distinct crystalline in material structure’s term. Amorphous silicon film has the quality that can be used as material of semiconductor. It can be formed by using plasma CVD equipment under temperature of 400 degree C. Therefore, it is the major material for manufacturing TFT of LCD panel, which uses glass substrate with active matrix. a-Si TFT amorphous Silicon Thin Film Transistor 以amorphous silicon为构成材料之电场效果型的薄膜晶体管。带有source、drain、gate三种电极之3端子组件。最常使用为主动矩阵（active matrix）液晶显示器的开关。 英： The Field Effect type TFT with amorphous silicon material contains three terminal components of three types of electrodes: source, drain, and gate. They are often used as the switch of active matrix type LCD. ACF Anisotropic Conductive Film 英： 异方性导电膜，指含有导电性粒子之热硬化或热可塑性的树脂薄膜。主要用于液晶显示面板与驱动IC之讯
在 TFT-LCD_工艺制程简介
Q/S
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Q/S0001-2007 TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
版号： 1.0 总页数： 23 制定部门：制造部生效日期： 2007年4月28日
拟制：方永学 2007-4-3 审核：向传义 2007-4-3 标准化：吴乃亮 2007-4-25 会签：颜建军朱希玲 2007-4-20
蔡明宏 2007-4-24 凌志华 2007-4-3 批准：安德浩 2007-4-24 2007-04发布 2007-04实施
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工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
Q/S0001-2007 第2页共23页
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
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工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
Q/S0001-2007 第7页共23页
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
Q/S0001-2007 第11页共23页
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
Q/S0001-2007 第13页共23页
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称