晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用_HOSONIC晶振
晶振和电容并联的作用
晶振和电容并联的作用
晶振和电容并联是电子电路中常见的一种组合方式，它们的作用在不同的电路中也有所不同。
下面将从不同的角度来探讨晶振和电容并联的作用。
一、在振荡电路中的作用
晶振和电容并联在振荡电路中起到了关键的作用。
振荡电路是一种能够产生周期性信号的电路，它的核心部件就是晶振和电容并联。
晶振是一种能够产生稳定频率的元件，而电容则是用来调节振荡频率的。
当晶振和电容并联时，它们的频率会相互影响，从而产生稳定的振荡信号。
这种振荡信号在无线电通信、计算机等领域都有广泛的应用。
二、在滤波电路中的作用
晶振和电容并联在滤波电路中也有着重要的作用。
滤波电路是一种能够滤除特定频率信号的电路，它的核心部件也是晶振和电容并联。
当晶振和电容并联时，它们的频率会相互影响，从而产生特定的滤波效果。
这种滤波效果在音频、视频等领域都有广泛的应用。
三、在稳压电路中的作用
晶振和电容并联在稳压电路中也有着重要的作用。
稳压电路是一种能够稳定输出电压的电路，它的核心部件也是晶振和电容并联。
当晶振
和电容并联时，它们的频率会相互影响，从而产生稳定的输出电压。
这种稳压效果在电源、电池等领域都有广泛的应用。
综上所述，晶振和电容并联在电子电路中有着广泛的应用，它们的作用也是多种多样的。
无论是在振荡电路、滤波电路还是稳压电路中，晶振和电容并联都是不可或缺的元件。
因此，我们需要深入了解晶振和电容并联的原理和应用，才能更好地应用它们，为电子技术的发展做出更大的贡献。
晶振电路原理介绍
晶体振荡器,简称晶振.在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容(de)二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率(de)高低分其中较低(de)频率是串联谐振,较高(de)频率是并联谐振.由于晶体自身(de)特性致使这两个频率(de)距离相当(de)接近,在这个极窄(de)频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振(de)两端并联上合适(de)电容它就会组成并联谐振电路.这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶振等效为电感(de)频率范围很窄,所以即使其他元件(de)参数变化很大,这个振荡器(de)频率也不会有很大(de)变化.晶振有一个重要(de)参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等(de)并联电容,就可以得到晶振标称(de)谐振频率.一般(de)晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）(de)两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振(de)两端,每个电容(de)另一端再接到地,这两个电容串联(de)容量值就应该等于负载电容,请注意一般IC(de)引脚都有等效输入电容,这个不能忽略.一般(de)晶振(de)负载电容为15p或 ,如果再考虑元件引脚(de)等效输入电容,则两个22p(de)电容构成晶振(de)振荡电路就是比较好(de)选择.晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型.无源晶振与有源晶振（谐振）(de)英文名称不同,无源晶振为crystal（晶体）,而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）.无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整(de)谐振振荡器.谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器,陶瓷谐振器,LC谐振器等.晶振与谐振振荡器有其共同(de)交集有源晶体谐振振荡器.石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它(de)压电效应,从物理学中知道,若在晶片(de)两个极板间加一电场,会使晶体产生机械变形；反之,若在极板间施加机械力,又会在相应(de)方向上产生电场,这种现象称为压电效应.如在极板间所加(de)是交变电压,就会产生机械变形振动,同时机械变形振动又会产生交变电场.一般来说,这种机械振动(de)振幅是比较小(de),其振动频率则是很稳定(de).但当外加交变电压(de)频率与晶片(de)固有频率（决定于晶片(de)尺寸）相等时,机械振动(de)幅度将急剧增加,这种现象称为压电谐振,因此石英晶体又称为石英晶体谐振器.其特点是频率稳定度很高.石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率(de)一种电子器件.石英晶体振荡器是利用石英晶体(de)压电效应来起振,而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC来共同作用来工作(de).振荡器直接应用于电路中,谐振器工作时一般需要提供电压来维持工作.振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为：谐振电阻（RR）,谐振器没有电阻要求.RR(de)大小直接影响电路(de)性能,也是各商家竞争(de)一个重要参数.概述微控制器(de)时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件(de)时钟源,如晶振、陶瓷谐振槽路；基于相移电路(de)时钟源,如：RC (电阻、电容)振荡器.硅振荡器通常是完全集成(de)RC振荡器,为了提高稳定性,包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等.图1给出了两种时钟源.图1给出了两个分立(de)振荡器电路,其中图1a为皮尔斯振荡器配置,用于机械式谐振器件,如晶振和陶瓷谐振槽路.图1b为简单(de)RC反馈振荡器.机械式谐振器与RC振荡器(de)主要区别基于晶振与陶瓷谐振槽路(机械式)(de)振荡器通常能提供非常高(de)初始精度和较低(de)温度系数.相对而言,RC振荡器能够快速启动,成本也比较低,但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差,会在标称输出频率(de)5%至50%范围内变化.图1所示(de)电路能产生可靠(de)时钟信号,但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局(de)影响.需认真对待振荡器电路(de)元件选择和线路板布局.在使用时,陶瓷谐振槽路和相应(de)负载电容必须根据特定(de)逻辑系列进行优化.具有高Q值(de)晶振对放大器(de)选择并不敏感,但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏).影响振荡器工作(de)环境因素有：电磁干扰(EM I)、机械震动与冲击、湿度和温度.这些因素会增大输出频率(de)变化,增加不稳定性,并且在有些情况下,还会造成振荡器停振.振荡器模块上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免.这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出,并且能够在一定条件下保证运行.最常用(de)两种类型是晶振模块和集成硅振荡器.晶振模块提供与分立晶振相同(de)精度.硅振荡器(de)精度要比分立RC振荡器高,多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当(de)精度.功耗选择振荡器时还需要考虑功耗.分立振荡器(de)功耗主要由反馈放大器(de)电源电流以及电路内部(de)电容值所决定.CMOS放大器功耗与工作频率成正比,可以表示为功率耗散电容值.比如,HC04反相器门电路(de)功率耗散电容值是90pF.在4MHz、5V电源下工作时,相当于(de)电源电流.再加上20pF(de)晶振负载电容,整个电源电流为.陶瓷谐振槽路一般具有较大(de)负载电容,相应地也需要更多(de)电流.相比之下,晶振模块一般需要电源电流为10mA至60mA.硅振荡器(de)电源电流取决于其类型与功能,范围可以从低频(固定)器件(de)几个微安到可编程器件(de)几个毫安.一种低功率(de)硅振荡器,如MAX7375,工作在4MHz时只需不到2mA(de)电流.结论在特定(de)微控制器应用中,选择最佳(de)时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求.下表给出了几种常用(de)振荡器类型,并分析了各自(de)优缺点.晶振电路(de)作用大小没有固定值.一般二三十p.是给单片机提供工作信号脉冲(de).这个脉冲就是单片机(de)工作速度.比如 M晶振.单片机工作速度就是每秒12M.和电脑(de) CPU概念一样.当然.单片机(de)工作频率是有范围(de).不能太大.一般 24M就不上去了.不然不稳定.接地(de)话数字电路弄(de)来乱一点也无所谓.看板子上有没有模拟电路.接地方式也是不固定(de).一般串联式接地.从小信号到大信号依次接.然后小信号连到接地来削减偕波对电路(de)稳定性(de)影响,所以晶振所配(de)电容在pf-50pf之间都可以(de),没有什么计算公式.但是主流是接入两个pf(de)瓷片电容,所以还是随主流.晶振电路(de)原理晶振是(de)简称,在电气上它可以等效成一个电容和一个并联再串联一个电容(de)二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率(de)高低分其中较低(de)频率是串联谐振,较高(de)频率是并联谐振.由于晶体自身(de)特性致使这两个频率(de)距离相当(de)接近,在这个极窄(de)频率范围内,晶振等效为一个,所以只要晶振(de)两端并联上合适(de)电容它就会组成并联谐振电路.这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶振等效为电感(de)频率范围很窄,所以即使其他元件(de)参数变化很大,这个振荡器(de)频率也不会有很大(de)变化.晶振有一个重要(de)参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等(de)并联电容,就可以得到晶振标称(de)谐振频率.一般(de)晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)(de)两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振(de)两端,每个电容(de)另一端再接到地,这两个电容串联(de)容量值就应该等于负载电容,请注意一般(de)引脚都有等效输入电容,这个不能忽略.一般(de)晶振(de)负载电容为p或 ,如果再考虑元件引脚(de)等效输入电容,则两个p(de)电容构成晶振(de)振荡电路就是比较好(de)选择.晶振电路中常见问题晶振电路中如何选择电容,C2(1):因为每一种晶振都有各自(de)特性,所以最好按制造厂商所提供(de)数值选择外部元器件.(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好.C值偏大虽有利于振荡器(de)稳定,但将会增加起振时间.(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振.在石英晶体和谐振器(de)应用中,需要注意负载电容(de)选择.不同厂家生产(de)石英晶体谐振器和陶瓷谐振器(de)特性和品质都存在较大差异,在选用,要了解该型号振荡器(de)关键指标,如等效电阻,厂家建议负载电容,频率偏差等.在实际电路中,也可以通过观察振荡波形来判断振荡器是否工作在最佳状态.示波器在观察振荡波形时,观察O管脚(Oscillator output),应选择MHz带宽以上(de)示波器探头,这种探头(de)输入阻抗高,容抗小,对振荡波形相对影响小.(由于探头上一般存在10～20pF(de)电容,所以观测时,适当减小在OSCO管脚(de)电容可以获得更接近实际(de)振荡波形).工作良好(de)振荡波形应该是一个漂亮(de)正弦波,峰峰值应该大于电压(de)70%.若峰峰值小于70%,可适当减小OSCI 及OSCO管脚上(de)外接负载电容.反之,若峰峰值接近电源电压且振荡波形发生畸变,则可适当增加负载电容.用示波器检测OSCI(Oscillator input)管脚,容易导致振荡器停振,原因是:部分(de)探头阻抗小不可以直接测试,可以用串电容(de)方法来进行测试.如常用(de)4MHz石英晶体谐振器,通常厂家建议(de)外接负载电容为10～30pF左右.若取中心值15pF,则C1,C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF.同时考虑到还另外存在(de)电路板分布电容,芯片管脚电容,晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实际配置C1,C2时,可各取20～15pF左右.并且C1,C2使用瓷片电容为佳.问:如何判断电路中晶振是否被过分驱动答:电阻RS常用来防止晶振被过分驱动.过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振(de)接触电镀,这将引起频率(de)上升.可用一台示波器检测OSC输出脚,如果检测一非常清晰(de)正弦波,且正弦波(de)上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动;相反,如果正弦波形(de)波峰,波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动.这时就需要用电阻RS来防止晶振被过分驱动.判断电阻RS值大小(de)最简单(de)方法就是串联一个5k或10k(de)微调电阻,从0开始慢慢调高,一直到正弦波不再被削平为止.通过此办法就可以找到最接近(de)电阻RS值.。
晶振的工作原理
晶振的工作道理：晶振是晶体振荡器的简称,在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端收集,电工学上这个收集有两个谐振点,以频率的高下分个中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振.因为晶体自身的特征致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率规模内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两头并联上适合的电容它就会构成并联谐振电路.这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,因为晶振等效为电感的频率规模很窄,所以即使其他元件的参数变更很大,这个振荡器的频率也不会有很大的变更.晶振的参数：晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率.晶振的运用：一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（留意是放大器不是反相器）的两头接入晶振,再有两个电容分离接到晶振的两头,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应当等于负载电容,请留意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不克不及疏忽.一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ,假如再斟酌元件引脚的等效输入电容,则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择. 晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型.无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不合,无源晶振为crystal（晶体）,而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）.无源晶振须要借助于时钟电路才干产生振荡旌旗灯号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法其实不精确;有源晶振是一个完全的谐振振荡器.晶振的种类：谐振振荡器包含石英（或其晶体材料）晶体谐振器,陶瓷谐振器,LC谐振器等.晶振与谐振振荡器有其配合的交集有源晶体谐振振荡器.石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应,从物理学中知道,若在晶片的两个极板间加一电场,会使晶体产活力械变形;反之,若在极板间施加机械力,又会在响应的偏向上产生电场,这种现象称为压电效应.如在极板间所加的是交变电压,就会产活力械变形振动,同机会械变形振动又会产生交变电场.一般来说,这种机械振动的振幅是比较小的,其振动频率则是很稳固的.但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决议于晶片的尺寸）相等时,机械振动的幅度将急剧增长,这种现象称为压电谐振,是以石英晶体又称为石英晶体谐振器. 其特色是频率稳固度很高.晶振的万用表测试办法：小技能：没有示波器情形下若何测量晶振是否起振?可以用万用表测量晶振两个引脚电压是否是芯片工作电压的一半,比方工作电压是5V则测出的是否是2.5V阁下.别的假如用镊子碰晶体别的一个脚,这个电压有显著变更,证实是起振了的.小窍门：就是弄一节1.5V的电池接在晶振的两头把晶振放到耳边细心的听,当听到哒哒的声音那就解释它起振了,就是好的嘛！把万用表拨在R×10K挡,测量石英晶体两引脚间的电阻值应为无限大.假如测量出的电阻值不是无限大甚至接近于零,则解释被测晶体漏电或击穿.这种办法只能测晶体是否漏电,假如晶体内部消失断路,电阻法就力所不及了,此时必须采取下面介绍的办法2 .克己测试器按图所示电路,焊接一个简略单纯石英晶体测试器,就可以精确地测试出晶体的利害.图中XS1.XS2两个测试插口可用小七脚或小九脚电子管管座中拆下来的插口.LED发光管选择高亮度的较好.检测石英晶体时,把石英晶体的两个管脚拔出到XS1和XS2两个插口中,按下开关SB,假如石英晶体是好的则由三极管VT1.C1.C2等元器件构成的震动电路产生震动,震动旌旗灯号经C3耦合至VD2检波,检波后的直流旌旗灯号电压使VT2导通,于是接在VT2集电极回路中的LED发光,指导被测石英晶体是好的,假如LED不亮,则解释被测石英晶体是坏的.本测试器测试石英晶体的频率很宽,但最佳工作频率为几百千赫至几十兆赫.一个简略单纯石英晶体测试器晶振的稳固性指标总频差：在划定的时光内,因为划定的工作和非工作参数全体组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大误差.解释：总频差包含频率温度稳固度.频率老化率造成的误差.频率电压特征和频率负载特征等配合造成的最大频差.一般只在对短期频率稳固度关怀,而对其他频率稳固度指标不严厉请求的场合采取.例如：周详制导雷达.频率稳固度：任何晶振,频率不稳固是绝对的,程度不合罢了.一个晶振的输出频率随时光变更的曲线如图2.图中表示出频率不稳固的三种身分：老化.飘移和短稳.图2 晶振输出频率随时光变更的示意图曲线1是用0.1秒测量一次的情形,表示了晶振的短稳;曲线3是用100秒测量一次的情形,表示了晶振的漂移;曲线4 是用1天一次测量的情形.表示了晶振的老化.频率温度稳固度：在标称电源和负载下,工作在划定温度规模内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大许可频偏.ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)ftref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜,｜(fmin-fref)/fref｜] ft：频率温度稳固度(不带隐含基准温度)ftref：频率温度稳固度(带隐含基准温度)fmax ：划定温度规模内测得的最高频率fmin：划定温度规模内测得的最低频率fref：划定基准温度测得的频率解释：采取ftref指标的晶体振荡器其临盆难度要高于采取ft指标的晶体振荡器,故ftref指标的晶体振荡器售价较高.开机特征（频率稳固预热时光）：指开机后一段时光(如5分钟)的频率到开机后另一段时光(如1小时)的频率的变更率.暗示了晶振达到稳固的速度.这指标对经常开关的仪器如频率计等很有效.解释：在多半运用中,晶体振荡器是长期加电的,然而在某些运用中晶体振荡器须要频仍的开机和关机,这时频率稳固预热时光指标须要被斟酌到（尤其是对于在刻薄情形中运用的军用通信电台,当请求频率温度稳固度≤±0.3ppm(-45℃～85℃),采取OCXO作为本振,频率稳固预热时光将许多于5分钟,而采取MCXO只须要十几秒钟).频率老化率：在恒定的情形前提下测量振荡器频率时,振荡器频率和时光之间的关系.这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的迟缓变更造成的,是以,其频率偏移的速度叫老化率,可用规准时限后的最大变更率（如±10ppb/天,加电72小时后）,或划定的时限内最大的总频率变更（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来暗示.晶体老化是因为在临盆晶体的时刻消失应力.污染物.残留气体.构造工艺缺点等问题.应力要经由一段时光的变更才干稳固,一种叫“应力抵偿”的晶体切割办法（SC切割法）使晶体有较好的特征.污染物和残留气体的分子会沉积在晶体片上或使晶体电极氧化,振荡频率越高,所用的晶体片就越薄,这种影响就越厉害.这种影响要经由一段较长的时光才干逐渐稳固,并且这种稳固跟着温度或工作状况的变更会有重复——使污染物在晶体概况再度分散或疏散.是以,频率低的晶振比频率高的晶振.工作时光长的晶振比工作时光短的晶振.持续工作的晶振比断续工作的晶振的老化率要好.解释：TCXO的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特别情形,TCXO很少采取天天频率老化率的指标,因为即使在试验室的前提下,温度变更引起的频率变更也将大大超出温度抵偿晶体振荡器天天的频率老化,是以这个指标掉去了现实的意义）. OCXO的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电72小时后）,±30ppb～±2ppm（第一年）,±0.3ppm～±3ppm（十年）.短稳：短期稳固度,不雅察的时光为1毫秒.10毫秒.100毫秒.1秒.10秒.晶振的输出频率受到内部电路的影响(晶体的Q值.元器件的噪音.电路的稳固性.工作状况等)而产生频谱很宽的不稳固.测量连续串的频率值后,用阿伦方程盘算.相位噪音也同样可以反应短稳的情形(要有专用仪器测量).重现性：界说：晶振经长时光工作稳固后关机,停机一段时光t1(如24小时),开机一段时光t2(如4小时),测得频率f1,再停机统一段时光t1,再开机统一段时光t2,测得频率f2.重现性=(f2-f1)/f2.频率压控规模：将频率掌握电压从基准电压调到划定的终点电压,晶体振荡器频率的最小峰值转变量.解释：基准电压为＋2.5V,划定终点电压为＋0.5V和＋4.5V,压控晶体振荡器在＋0.5V频率掌握电压时频率转变量为-2ppm,在＋4.5V频率掌握电压时频率转变量为＋2.1ppm,则VCXO电压掌握频率压控规模暗示为：≥±2ppm(2.5V±2V),斜率为正,线性为+2.4%.压控频率响应规模：当调制频率变更时,峰值频偏与调制频率之间的关系.通经常运用划定的调制频率比划定的调制基准频率低若干dB暗示.解释：VCXO频率压控规模频率响应为0～10kHz.频率压控线性：与幻想（直线）函数比拟的输出频率-输入掌握电压传输特征的一种量度,它以百分数暗示全部规模频偏的可许可非线性度.解释：典范的VCXO频率压控线性为：≤±10%,≤±20%.简略的VCXO 频率压控线性盘算办法为(当频率压控极性为正极性时)：频率压控线性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%fmax：VCXO在最大压控电压时的输出频率fmin：VCXO在最小压控电压时的输出频率f0：压控中间电压频率单边带相位噪声￡(f)：偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比.输出波形：从大类来说,输出波形可以分为方波和正弦波两类.方波重要用于数字通信体系时钟上,对方波重要有输出电平.占空比.上升/降低时光.驱动才能等几个指标请求.跟着科学技巧的缓慢成长,通信.雷达和高速数传等相似体系中,须要高质量的旌旗灯号源作为日趋庞杂的基带信息的载波.因为一个带有寄生调幅及调相的载波旌旗灯号（不清洁的旌旗灯号）被载有信息的基带旌旗灯号调制后,这些幻想状况下不该消失的频谱成份（载波中的寄生调制）会导致所传输的旌旗灯号质量及数传误码率显著变坏.所以作为所传输旌旗灯号的载体,载波旌旗灯号的清洁程度（频谱纯度）对通信质量有着直接的影响.对于正弦波,平日须要供给例如谐波.噪声和输出功率等指标.晶振的运用：图3为红外线发射出电路.图4为晶振式发射机电路.电路中Ｊ.ＶＤ１.Ｌ１.Ｃ３～Ｃ５.Ｖ１构成晶体振荡电路.因为石英晶体Ｊ的频率稳固性好,受温度影响也较小,所以普遍用于无绳德律风及ＡＶ调制器中.Ｖ１是２９～３６ＭＨｚ晶体振荡三极管,发射极输出含有丰硕的谐波成分,经Ｖ２放大后,在集电极由Ｃ７.Ｌ２构成谐振于８８～１０８ＭＨｚ的收集选出３倍频旌旗灯号（即８７～１０８ＭＨｚ的旌旗灯号最强）,再经Ｖ３放大,Ｌ３.Ｃ９选频后得到较幻想的调一再段旌旗灯号.频率调制的进程是如许的,音频电压的变更引起ＶＤ１极间电容的变更,因为ＶＤ１与晶体Ｊ串联,晶体的振荡频率也产生渺小的变更,经三倍频后,频偏是２９～３６ＭＨｚ晶体频偏的３倍.现实运用时,为获得适合的调轨制,可选择调制频偏较大的石英晶体或陶瓷振子,也可以采取电路稍庞杂的６～１２倍频电路.若输入的音频旌旗灯号较弱,可加上一级电压放大电路.图5是晶振在时基振荡电路555的运用.晶振在门电路中晶振两种经常运用的接法：1.这种接法的长处就是起振轻易,顺应频率规模比较宽.具体频率规模本身不记得了.2.这种接法的长处接法简略,缺点是不那么轻易起振,C1,C2要适合.。
晶振并联电阻
晶振并联电阻晶振是电子产品中常用的一种重要元件。
它能够提供稳定的时钟信号，使电子设备能够按照预定的频率和时间运行。
晶振的工作原理是利用晶体的共振来产生高稳定性的振荡信号。
在电路中，为了保证晶振的稳定性和可靠性，通常会在晶振的引脚上并联一定的电阻。
本文将着重讲述晶振并联电阻的相关知识，具体内容如下：一、晶振简介1.1 晶振的类型根据振荡方式的不同，晶振可以分为普通振荡器、温补振荡器、电容调谐振荡器、表面声波振荡器等。
其中，普通振荡器最为常见，应用领域广泛，包括通讯、控制、计算机、电视、音响等各种电子设备。
晶振的主要参数包括谐振频率、频率稳定度、输出波形、工作温度范围、电源电压等。
其中，频率稳定度是晶振最为关键的指标之一，它直接影响着电路的稳定性和精度。
1.3 晶振的使用方法在电路中使用晶振时，需要将晶振的输出端连接到需要精确时钟信号的器件的时钟输入端口，如微控制器、计数器等。
通常将晶振的引脚连接到电路板上，并通过焊接来固定。
2.1 抑制晶振谐波晶振在工作时会产生谐波，这些谐波会对电路的稳定性和抗干扰性造成影响。
通过在晶振引脚上并联一定大小的电阻，可以有效地抑制晶振的谐波幅度，提高其稳定性和抗干扰性，从而保证电路的可靠性和精度。
2.2 调整晶振频率晶振的频率与晶体的特性、工作温度、电源电压等因素都有关系。
在生产过程中，会出现一定的偏差。
通过在晶振引脚上并联一定的电阻，可以微调晶振的频率，以达到所需的精度和稳定性要求。
2.3 防止过电压损坏晶振在工作时会受到一定的电压干扰和浪涌，如果没有适当的保护措施，很容易受到损坏。
通过在晶振引脚上并联一定的电阻，可以降低其受到的电压干扰和浪涌，避免晶振被过电压损坏。
3.1 电阻大小的选择晶振并联电阻的大小需要根据晶振的参数和电路要求来确定。
一般情况下，晶振的引脚上会并联一个10欧姆的电阻，以抑制谐波和提高稳定性。
如果需要调整频率或者防止电压浪涌等问题，可以根据实际情况适当调整电阻的大小。
晶振的工作原理
之巴公井开创作晶振的工作原理：晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变更很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变更。
晶振的参数：晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
晶振的应用：一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不克不及忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称分歧，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才干发生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法其实禁绝确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
晶振的种类：谐振振荡器包含石英（或其晶体资料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体发生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上发生电场，这种现象称为压电效应。
晶振的工作原理
晶振的工作原理：晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
晶振的参数：晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
晶振的应用：一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
晶振的种类：谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。
为什么在晶振并上电阻
一般接crystal内部的芯片电路，原理上就是一个非门电路，非门在微观电路上可以看成一个增益个别大的放大器，接一个电阻，你可以看作是反馈电阻，它的作用是让震荡器更加稳定的工作。
这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无法振荡的. 如果用芯片中的反相器来作振荡, 必须外接这个电阻, 对于CMOS而言可以是1M以上, 对于TTL则比较复杂, 视不同类型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引脚, 如在某些微处理器中, 常常可以不加, 因为芯片内部已经制作了, 要仔细阅读DATA SHEET的有关说明.晶振旁的电阻（并联与串联）一个晶振电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
用来调整drive level和发振余裕度。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
晶振并联电阻的作用
一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
用来调整drive level和发振余裕度。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢？晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。
Q一般达到10^-4量级。
避免信号太强打坏晶体的。
电阻一般比较大，一般是几百K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。
晶振的等效串联电阻
晶振的等效串联电阻晶振，这个小小的电子元件，真是个了不起的家伙。
说实话，很多人听到这个词，脑海里可能浮现的就是一堆复杂的电路图，眼睛一翻，直接想跑。
不过，咱们今天不聊那些高深的理论，咱们就聊聊晶振的等效串联电阻，轻松点儿，幽默点儿。
晶振就像你身边那个爱发光的朋友，总是能给你带来惊喜。
它主要负责在电子设备中生成稳定的频率信号，这一小块儿元件的魅力可不容小觑。
等效串联电阻，听上去好像一门高深的数学课，其实它跟咱们平常生活中的小细节有着千丝万缕的联系。
你想啊，晶振在工作的时候，总会受到一些阻力的影响，这些阻力就像咱们生活中的绊脚石，虽然看似微不足道，但往往却能让整个流程变得有些不顺。
等效串联电阻就能帮助我们理解晶振的实际工作状态，这就好比一个人想跑步，但身上绑着沙袋，跑起来肯定没那么轻松。
晶振在工作的时候，受到的这些阻力就会影响到它的性能，频率可能不那么稳定，信号可能会出现偏差。
可能有人会问，等效串联电阻具体是怎么算出来的呢？其实这就像你在超市挑东西，一边逛一边算账，心里想着“这件行不行，那件贵不贵”。
在电路里，等效串联电阻通常是由晶振的品质因数和其他参数共同决定的。
换句话说，晶振的好坏，跟它的等效串联电阻息息相关。
品质因数越高，电阻越小，信号就越稳定。
就像一个人，身体素质好，跑起来就风驰电掣，根本不带喘的。
咱们再想想，晶振如果真的受到了过大的串联电阻影响，那就可能出现“跑不动”的情况，频率也可能跟你想象的完全不一样。
就像你考试的时候，平时成绩特别优秀，但临场发挥却因为紧张而错失良机，实在是可惜。
这个时候，等效串联电阻的影响就显现得淋漓尽致。
说白了，这就是它的“性格”，直接关系到设备的稳定性和可靠性。
不过，晶振并不是孤立存在的，旁边还有其他元件共同工作，像搭档一样。
它们之间的配合就像一场舞蹈，步伐要一致，才能跳出好看的舞蹈。
而晶振的等效串联电阻就是其中一部分，调和着其他元件的表现。
换句话说，良好的电阻能让整场舞蹈更加流畅，不然就容易出现踩踏，影响了全场气氛。
晶振的工作原理
之五兆芳芳创作晶振的任务原理：晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的凹凸分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振.由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率规模内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上适合的电容它就会组成并联谐振电路.这个并联谐振电路加到一个负反应电路中就可以组成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率规模很窄，所以即便其他元件的参数变更很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变更.晶振的参数：晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率. 晶振的应用：一般的晶振振荡电路都是在一个反相缩小器（注意是缩小器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容辨别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不克不及疏忽.一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容组成晶振的振荡电路就是比较好的选择. 晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型.无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不合，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）.无源晶振需要借助于时钟电路才干产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法其实禁绝确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器.晶振的种类：谐振振荡器包含石英（或其晶体资料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等.晶振与谐振振荡器有其配合的交集有源晶体谐振振荡器.石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的标的目的上产生电场，这种现象称为压电效应.如在极板间所加的是交变电压，就会产生机械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电场.一般来说，这种机械振动的振幅是比较小的，其振动频率则是很稳定的.但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片的尺寸）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为压电谐振，因此石英晶体又称为石英晶体谐振器. 其特点是频率稳定度很高.晶振的万用表测试办法：小技能：没有示波器情况下如何丈量晶振是否起振?可以用万用表丈量晶振两个引脚电压是否是芯片任务电压的一半，比方任务电压是5V则测出的是否是2.5V左右.另外如果用镊子碰晶体另外一个脚，这个电压有明显变更，证明是起振了的.小窍门：就是弄一节1.5V的电池接在晶振的两端把晶振放到耳边仔细的听，当听到哒哒的声音那就说明它起振了，就是好的嘛！把万用表拨在R×10K挡，丈量石英晶体两引脚间的电阻值应为无穷大.如果丈量出的电阻值不是无穷大甚至接近于零，则说明被测晶体漏电或击穿.这种办法只能测晶体是否漏电，如果晶体内部出现断路，电阻法就无能为力了，此时必须采取下面介绍的办法2 .自制测试器按图所示电路，焊接一个简略单纯石英晶体测试器，就可以准确地测试出晶体的黑白.图中XS1、XS2两个测试插口可用小七脚或小九脚电子管管座中拆下来的插口.LED发光管选择高亮度的较好.检测石英晶体时，把石英晶体的两个管脚拔出到XS1和XS2两个插口中，按下开关SB，如果石英晶体是好的则由三极管VT1、C1、C2等元器件组成的震荡电路产生震荡，震荡信号经C3耦合至VD2检波，检波后的直流信号电压使VT2导通，于是接在VT2集电极回路中的LED发光，指示被测石英晶体是好的，如果LED不亮，则说明被测石英晶体是坏的.本测试器测试石英晶体的频率很宽，但最佳任务频率为几百千赫至几十兆赫.一个简略单纯石英晶体测试器晶振的稳定性指标总频差：在规则的时间内，由于规则的任务和非任务参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差.说明：总频差包含频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等配合造成的最大频差.一般只在对短期频率稳定度关怀，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采取.例如：精密制导雷达.频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不合罢了.一个晶振的输出频率随时间变更的曲线如图2.图中表示出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳.图2 晶振输出频率随时间变更的示意图曲线1是用0.1秒丈量一次的情况，表示了晶振的短稳；曲线3是用100秒丈量一次的情况，表示了晶振的漂移；曲线4 是用1天一次丈量的情况.表示了晶振的老化.频率温度稳定度：在标称电源和负载下，任务在规则温度规模内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏.ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)ftref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜] ft：频率温度稳定度(不带隐含基准温度)ftref：频率温度稳定度(带隐含基准温度)fmax ：规则温度规模内测得的最高频率fmin：规则温度规模内测得的最低频率fref：规则基准温度测得的频率说明：采取ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采取ft 指标的晶体振荡器,故ftref指标的晶体振荡器售价较高.开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间(如5分钟)的频率到开机后另一段时间(如1小时)的频率的变更率.暗示了晶振达到稳定的速度.这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用.说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻情况中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采取OCXO 作为本振，频率稳定预热时间将良多于5分钟，而采取MCXO只需要十几秒钟).频率老化率：在恒定的情况条件下丈量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系.这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的迟缓变更造成的，因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规则时限后的最大变更率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规则的时限内最大的总频率变更（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来暗示.晶体老化是因为在生产晶体的时候存在应力、污染物、残留气体、结构工艺缺陷等问题.应力要经过一段时间的变更才干稳定，一种叫“应力抵偿”的晶体切割办法（SC切割法）使晶体有较好的特性.污染物和残留气体的份子会沉积在晶体片上或使晶体电极氧化，振荡频率越高，所用的晶体片就越薄，这种影响就越厉害.这种影响要经过一段较长的时间才干逐渐稳定，并且这种稳定随着温度或任务状态的变更会有频频——使污染物在晶体概略再度集中或分离.因此，频率低的晶振比频率高的晶振、任务时间长的晶振比任务时间短的晶振、连续任务的晶振比断续任务的晶振的老化率要好.说明：TCXO的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情况，TCXO很少采取每天频率老化率的指标，因为即便在实验室的条件下，温度变更引起的频率变更也将大大超出温度抵偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）. OCXO的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电72小时后），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）.短稳：短期稳定度，不雅察的时间为1毫秒、10毫秒、100毫秒、1秒、10秒.晶振的输出频率受到内部电路的影响(晶体的Q值、元器件的噪音、电路的稳定性、任务状态等)而产生频谱很宽的不稳定.丈量一连串的频率值后，用阿伦方程计较.相位噪音也同样可以反应短稳的情况(要有专用仪器丈量).重现性：定义：晶振经长时间任务稳定后关机，停机一段时间t1(如24小时)，开机一段时间t2(如4小时)，测得频率f1，再停机同一段时间t1，再开机同一段时间t2，测得频率f2.重现性=(f2-f1)/f2.频率压控规模：将频率控制电压从基准电压调到规则的终点电压，晶体振荡器频率的最小峰值改动量.说明：基准电压为＋2.5V，规则终点电压为＋0.5V和＋4.5V，压控晶体振荡器在＋0.5V频率控制电压时频率改动量为-2ppm，在＋4.5V频率控制电压时频率改动量为＋2.1ppm，则VCXO电压控制频率压控规模暗示为：≥±2ppm(2.5V±2V)，斜率为正，线性为+2.4%.压控频率响应规模：当调制频率变更时，峰值频偏与调制频率之间的关系.通经常使用规则的调制频率比规则的调制基准频率低若干dB暗示.说明：VCXO频率压控规模频率响应为0～10kHz.频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数暗示整个规模频偏的可容许非线性度.说明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%，≤±20%.复杂的VCXO频率压控线性计较办法为(当频率压控极性为正极性时)：频率压控线性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%fmax：VCXO在最大压控电压时的输出频率fmin：VCXO在最小压控电压时的输出频率f0：压控中心电压频率单边带相位噪声￡(f)：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比.输出波形：从大类来说，输出波形可以分为方波和正弦波两类.方波主要用于数字通信系统时钟上，对方波主要有输出电平、占空比、上升/下降时间、驱动能力等几个指标要求.随着科学技巧的迅猛成长，通信、雷达和高速数传等类似系统中，需要高质量的信号源作为日趋庞杂的基带信息的载波.因为一个带有寄生调幅及调相的载波信号（不洁净的信号）被载有信息的基带信号调制后，这些理想状态下不该存在的频谱成份（载波中的寄生调制）会导致所传输的信号质量及数传误码率明显变坏.所以作为所传输信号的载体，载波信号的洁净程度（频谱纯度）对通信质量有着直接的影响.对于正弦波，通常需要提供例如谐波、噪声和输出功率等指标.晶振的应用：图3为红外线发射出电路.图4为晶振式发射电机路.电路中Ｊ、ＶＤ１、Ｌ１、Ｃ３～Ｃ５、Ｖ１组成晶体振荡电路.由于石英晶体Ｊ的频率稳定性好，受温度影响也较小，所以普遍用于无绳电话及ＡＶ调制器中.Ｖ１是２９～３６ＭＨｚ晶体振荡三极管，发射极输出含有丰厚的谐波成分，经Ｖ２缩小后，在集电极由Ｃ７、Ｌ２组成谐振于８８～１０８ＭＨｚ的网络选出３倍频信号（即８７～１０８ＭＨｚ的信号最强），再经Ｖ３缩小，Ｌ３、Ｃ９选频后得到较理想的调频频段信号.频率调制的进程是这样的，音频电压的变更引起ＶＤ１极间电容的变更，由于ＶＤ１与晶体Ｊ串联，晶体的振荡频率也产生微小的变更，经三倍频后，频偏是２９～３６ＭＨｚ晶体频偏的３倍.实际应用时，为取得适合的调制度，可选择调制频偏较大的石英晶体或陶瓷振子，也可以采取电路稍庞杂的６～１２倍频电路.若输入的音频信号较弱，可加上一级电压缩小电路.图5是晶振在时基振荡电路555的应用.晶振在门电路中晶振两种经常使用的接法：1.这种接法的优点就是起振容易，适应频率规模比较宽.具体频率规模自己不记得了.2.这种接法的优点接法复杂，缺点是不那么容易起振，C1，C2要适合.。
为何晶振并联一个1MΩ电阻？晶振低温不起振如何解决？
无源晶振并联一个IMC电阻电路图
问题描述：
在一些方案中，晶振并联IMQ电阻时，程序运行正常，而在没有IMQ电阻的情况下，程序运行有滞后及无法运行现象发生。
原因分析：
在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。
而并联IMΩ电阻可以帮助晶振起振，因此，当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联IMQ的电阻。
这个IMQ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区，以获得增益，在饱和区不存在增益，而在没有增益的条件下晶振不起振。
简而言之，并联IM 电阻增加了电路中的负性阻抗(-R),即提升了增益，缩短了晶振起振时间，达到了晶振起振更容易之目的。
换一种说法，假设电路中无任何的扰动信号，晶振不可能起振。
实际上反相门电路中许多电路不加这个电阻也能起振，因为一般的电路都有扰动信号，但有个别的反和门电路不加这个电阻就不能起振，因为扰动信号强度不够。
需要指出的是，在低温环境下振荡电路阻抗也会发生变化，当阻抗增加到一定程度时，晶振就会发生起振困难或不起振现象。
这时，我们也需要给晶振并联IMQ电阻，建议为了增加振荡电路稳定性，给晶振同时串联一个IoOQ的电阻，这样可以减少晶振的频率偏移程度。
注：并联电阻不能太小，串联电阻不能太大。
否则，在温度较低的情况下不易起振。
晶振电路原理
晶体振荡器，简称晶振。
在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。
如在极板间所加的是交变电压，就会产生机械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电场。
晶振的工作原理
晶振的工作原理：晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
晶振的参数：晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
晶振的应用：一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC 的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
晶振的种类：谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。
晶振的工作原理
之勘阻及广创作晶振的工作原理：晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变更很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变更。
晶振的参数：晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
晶振的应用：一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不克不及忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称分歧，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才干发生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法其实禁绝确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
晶振的种类：谐振振荡器包含石英（或其晶体资料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体发生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上发生电场，这种现象称为压电效应。
晶振并联电阻的作用
晶振并联电阻的作用
晶振是一种电子元件，它可以产生稳定的频率信号，被广泛应用于电子产品中。
晶振的频率稳定性对于电子产品的正常运行至关重要，而晶振并联电阻则是晶振电路中的一个重要组成部分，它对晶振的频率稳定性起着至关重要的作用。
晶振并联电阻的作用主要有两个方面。
首先，它可以提高晶振电路的稳定性。
晶振电路中的晶振元件是一个非常敏感的元件，它对外界的干扰非常敏感。
而晶振并联电阻可以起到抑制干扰的作用，使晶振电路的稳定性得到提高。
其次，晶振并联电阻还可以调节晶振的频率。
晶振并联电阻的阻值大小会影响晶振电路的共振频率，从而影响晶振的频率。
因此，在晶振电路中，通过调节晶振并联电阻的阻值大小，可以实现对晶振频率的调节。
晶振并联电阻的阻值大小对晶振电路的稳定性和频率调节都有影响。
一般来说，晶振并联电阻的阻值越大，晶振电路的稳定性就越好，但是频率调节的范围就会变小。
相反，晶振并联电阻的阻值越小，频率调节的范围就越大，但是晶振电路的稳定性就会变差。
因此，在实际应用中，需要根据具体的需求来选择晶振并联电阻的阻值大小。
晶振并联电阻是晶振电路中的一个重要组成部分，它对晶振的频率稳定性和频率调节起着至关重要的作用。
在实际应用中，需要根据
具体的需求来选择晶振并联电阻的阻值大小，以实现最佳的性能表现。
晶振电容作用
晶振电容作⽤图1各种逻辑芯⽚的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。
晶振引脚的内部通常为⼀个反相器，或者是奇数个反相器串联。
在晶振输出引脚XO和晶振输⼊引脚Xi之间⽤⼀个电阻连接，对于CMOS芯⽚通常为数M到数⼗M欧姆之间。
很多芯⽚内部已经集成了该电阻，淫家外部就不⽤接了。
这个电阻是为了使反相器在振荡初始时与线性状态，反相器就如同⼀个很⼤增益的放⼤器，以便于起振。
⽯英晶体连接在晶振输⼊输出之间，等效为⼀个并联谐振回路，谐振频率应该是⽯英晶体的并联谐振频率。
晶体旁边的两个电容到地，实际上就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。
以接地点为参考点，振荡引脚的输⼊和输出时反向的，但从并联谐振回路即⽯英晶体来看，形成⼀个正反馈以保证电路持续振荡。
在芯⽚射设计时，这个电容就已经形成了，⼀般为两个电容相等，容量⼤⼩依靠⼯艺或者版图⽽不同，但都是⽐较⼩的，不⼀定适合很宽的频率范围。
外接是⼤约为⼏⼗pF的电容，依频率和⽯英晶体的特性⽽定。
需要注意的是：这两个电容传亮的值是并联在谐振回路上的会影响振荡频率。
当两个电容相等时，反馈系数是0.5，⼀般是可以满⾜振荡条件的，但如果不易起振或者是振荡不稳定，可以减⼩输⼊端对地的电容量，⽽增加输出端的电容值以提⾼反馈量。
晶振两端并联电阻的作⽤：由于连接晶振的芯⽚端内部是⼀个线性运算放⼤器，将输⼊反向180度输出，晶振出的负载电容电阻（⼀般为M欧级）组成的⽹络提供另外的180度的相移，同时起到限流的作⽤，放置反相器输出对晶振过驱动，损坏晶振，整个环路的相移360度，满⾜振荡的相位条件，同时要求闭环增益⼤于等于1，晶体才正常⼯作。
晶体元件的负载电容是指在电路中跨界晶体两端的总的外接有效动容。
是指晶振要正常振荡需要的电容。
⼀般外接电容，是为了是晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。
要求⾼的地⽅要来了IC输⼊引脚的对地电容。
应⽤时⼀般在给出负载电容值附近调整可以得到精确的频率。
有源晶振串联电阻
有源晶振串联电阻有源晶振是一种电子元件，通常用于电子设备中产生稳定的时钟信号。
在实际应用中，有源晶振往往需要串联电阻来保证其正常工作。
为了理解有源晶振串联电阻的作用，首先需要了解有源晶振的工作原理。
有源晶振是由晶振谐振器和放大器组成的，晶振谐振器负责产生稳定的振荡信号，而放大器则用于放大振荡信号。
晶振谐振器中的晶体通常是石英晶体，其具有稳定的振荡频率。
然而，由于晶体的特性，晶振谐振器在工作时也会受到外部环境的影响，例如温度变化和电源波动等。
这些外部因素可能会导致晶振谐振器的频率发生变化，进而影响整个电子设备的性能。
为了解决这个问题，可以在有源晶振的输入端串联一个电阻。
这个电阻通常被称为“串联电阻”或“接触电阻”。
串联电阻的作用是限制电流的流动，从而影响晶振谐振器的振荡频率。
通过调整串联电阻的阻值，可以精确地调节晶振谐振器的频率，使其保持稳定。
串联电阻的阻值选择需要根据具体的晶振谐振器和电子设备的要求来确定。
一般来说，串联电阻的阻值越大，对晶振谐振器的频率影响越大。
因此，在设计电子设备时，需要根据晶振谐振器的特性和工作环境的要求来选择合适的串联电阻。
串联电阻还可以起到抑制电磁干扰的作用。
在电子设备中，由于各种元件之间的布线和接触等原因，往往会产生电磁辐射或接收到外部的电磁干扰。
这些电磁干扰可能会影响有源晶振的正常工作。
通过在有源晶振的输入端串联电阻，可以有效地抑制电磁干扰的传导和辐射，提高电子设备的抗干扰能力。
有源晶振串联电阻在电子设备中起着重要的作用。
它可以帮助稳定晶振谐振器的频率，保证电子设备的正常工作。
同时，它还能抑制电磁干扰，提高设备的抗干扰能力。
因此，在设计电子设备时，需要合理选择串联电阻的阻值，以满足设备的要求。
通过对有源晶振串联电阻的研究和应用，可以进一步提高电子设备的性能和可靠性。
(整理)晶振的工作原理
晶振的工作原理：晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
晶振的参数：晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
晶振的应用：一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
晶振的种类：谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。
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晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用
一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
用来调整drive level和发振余裕度。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向?180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大？
下图所示的一个晶振电路中，
电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶体的Q值非常高,?如何理解Q值高呢?晶体的串联等效阻抗
是?Ze?=?Re?+?jXe,?Re<<?|jXe|,?晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。
Q一般达到10^-4量级。
为了避免信号太强打坏晶体的。
电阻一般比较大，一般是几百K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看?IC???spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策?。
可是转化为?并联等效阻抗后，Re 越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。
晶体的等效Rp很大很大。
外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值?-----＞?增大了Re?-----＞?降低了Q。
通过精确的分析还可以知道，对频率也会有很小很小的影响。
最后让我总结下晶振串联电子和并联电阻的四大作用：
1、电阻取值影响波形的脉宽。
2、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；?
3、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；
4、限流防止谐振器被过驱。
请问单片机晶震旁的2个电容有什么要求吗
这个是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。
最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。
太小了不容易起振。
在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。
串电阻是降低驱动功率，避免过激励，并电阻是为了帮助起振，串的电阻一般都是百欧姆级，并的一般都上M，很怀疑楼主这个电路是否能正常工作。