(完整版)第二章三极管练习题
第二章 晶体三极管和场效应晶体管
第二章晶体三极管和场效应晶体管
一、是非题
（1）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。（）（2）无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。（）（3）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。（）（4）晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。（）（5）晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。（）（6）对于NPN三极管，当V BE>0，V BE>V CE，则该管的工作状态是饱和状态。（）（7）已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30微安。（）（8）某晶体三极管的射极电流I B=10微安时，I C=0.44mA；当I B=20微安时，I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。（）（9）可以用两个二极管连接成一个三极管。（）（10）晶体三极管具有电压放大作用。（）
二、填空题
1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是，NPN管电位最高的一极是。此时，三极管发射结为偏置，集电结为偏置。晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。
2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为，该管属于管（PNP NPN）。
0.1mA
4mA
-
+
+ 10K20K
电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答
第二章
半导体三极管及其电路分析
题 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。你以为应选用哪个管子较稳固？
解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。
题 有甲、乙两个三极管一时识别不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =。试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们别离是NPN 型仍是PNP 型，是锗管仍是硅管？
解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题 共射电路如图题所示。现有以下各组参数：
（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =Ω，β=100
（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =Ω，β=100
（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =Ω，β=80
（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50
判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)；
(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)；
(3)工作在放大状态(工作在放大区)；
(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题 从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
三极管基础知识练习(2)
第二章晶体三极管练习（2）
1、如图所示是在电路中测出的各三极管的三个电极对地电位。试判断各三极管处于何种工作状态；按分析步骤，完成横线上的填空：
①___________型管；①___________型管；①___________型管；
②发射结_____偏，②发射结_____偏，②发射结_____偏，
集电结_____偏；集电结_____偏；集电结_____偏；
③状态：______________；③状态：______________；③状态：______________；
①___________型管；①___________型管；①___________型管；
②发射结_____偏，②发射结_____偏，②发射结_____偏，
集电结_____偏；集电结_____偏；集电结_____偏；
③状态：______________；③状态：______________；③状态：______________；
2、测得电路中几只三极管的各电极对地电位如图所示；试判断它们各工作在放大、饱和和截止中的哪个状态？
_____________ ______________ _______________ _______________
3、有两只三极管在放大电路中，看不出它的型号和标记，但测得放大电路中两只三极管的三个电极对地电位分别为如下：试判断它们是硅管还是锗管、是PNP型还是NPN型，并确定e、b、c极。
（1）V
1=-1.5V __________极（2）V
1
=2V ______________极
V 2=-4V ____________极 V
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案
一、填空题
1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。
二、判断题
1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√）
3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。（√）
三、选择题
1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=
2.7V，则三极管三个电极为（B）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；
模拟电子技术基础 第二章练习题
注意：答案仅供参考! 一、填空题
1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。
2. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时,其电压增益将变 小 。
4。 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 . 5。静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真;Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0。3V ，当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1。1mA ，管压降V CEQ = 3。2V ;若换上一个当β=80,静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1。46mA ，管压降V CEQ = 0。3V ，三级管工作在 饱和 状态。
8。对于下图所示电路,设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V,则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω .
9.对于下图所示电路,已知V
CC =12V，R
b1
=27 kΩ，R
c
=2 kΩ，R
e
=1 kΩ，V
BE
=0。7V,
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案
一、填空题
1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。
二、判断题
1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√）
3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。（√）
三、选择题
1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=
2.7V，则三极管三个电极为（B）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；
三极管练习题
阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善
失真，正确的做法是（ ）。 (a) 适当增加 Rb2，减小 Rb1 (b) 保持 Rb1 不变，适当增加 Rb2
C1
+ +
Vi
_
Rc +VCC
Rb1
+C2
+
Rb2 Re Ce
RL Vo
_
(c) 适当增加 Rb1，减小 Rb2
(d) 保持 Rb2 不变，适当减小 Rb1
6、FET 管属于（
）控制器件；BJT 管则可以认为是（
）控
制器件。
7、已知某基本共射放大电路
I
CQ
R
ຫໍສະໝຸດ Baidu' L
4V, VCEQ
6V
，现在输入一个正弦信号，
若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（
）；若要使该电路具有最
大的动态范围应使（
）=（
）。
8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图
交流信号相当于短路，对下面的问题选择
C1
正确的答案填空。
+
（1）在 Vi=0 时，用直流电压表分别 Vi
-
测量管压降 VCE 和输出端电压 Vo，设三
极管工作在线性放大区，则测出的两个数值应该（
+VCC
三极管,笔试
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三极管,笔试
篇一：三极管单元测试题
三极管单元测试题
一、单选题(每题2分)
1.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
a.u(bR)ceou(bR)cbou(bR)ebo
b.u(bR)cbou(bR)ceou(bR)eb o
c.u(bR)cbou(bR)ebou(bR)ceo
d.u(bR)ebou(bR)ceou(bR)cb o
2.某三极管的pcm100mw,icm20ma,u(bR)ceo15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。
a.uce3V,ic10ma
b.uce2V,ic40ma
c.uce6V,ic20ma
d.uce20V,ic2ma
3.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中
三极管的工作状态为（
）。
a.截止
b.饱和
c.放大
d.无法确定
4.（）具有不同的低频小信号电路模型。
a.npn管和pnp管
b.增强型场效应管和耗尽型场效应管
c.n沟道场效应管和p沟道场效应管
d.三极管和二极管
5.（）情况下，可以用h参数小信号模型分析放大电路。
a.正弦小信号
b.低频大信号
c.低频小信号
d.高频小信号
6.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压uce=0.3V，则此时三极管工作于（状态。
a.饱和
b.截止
c.放大
d.无法确定
7.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（
）。
a.增强型pmos
b.增强型nmos
c.耗尽型pmos
d.耗尽型nmos
8.下面的电路符号代表（）管。
１）
a.耗尽型pmos
b.耗尽型nmos
c.增强型pmos
三极管练习题
第二章 基本放大单元电路
一、填空题
1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。
2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。
3、三极管电流放大作用是指三极管的（ ）电流约是（ ）电流的β倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。
4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB 。
5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（ ）K Ω。
6、FET 管属于（ ）控制器件；BJT 管则可以认为是（ ）控制器件。
7、已知某基本共射放大电路V 6V ,V 4R I CEQ 'L CQ ==，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。
8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图
所示。根据图填空回答下列问题：
（1）电源电压V CC =（ ）；
（2）静态集电极电流I CQ =（ ）；静态管压降V CEQ =（ ）； （3）集电极负载电阻R C =（ ），负载电阻R L =（ ）； （4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（ ）； （5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（ ）失真现象； （6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（ ）。 9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x 。 （1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。（ ）
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
一、单项选择题
1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。(2 分)
A.NPN管的集电极
B.PNP管的集电极
C.NPN管的发射极
D.PNP管的基极
2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、
-14V,下列符合该三极管的有( )。(2 分)
A.PNP型三极管
B.硅三极管
C.1脚是发射极
D.2脚是基极
3.一般要求放大电路的( )。(2 分)
A.输入电阻大,输出电阻大
B.输入电阻小,输出电阻大
C.输入电阻大,输出电阻小
D.输入电阻小,输出电阻小
4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。(2 分)
A.用R×1挡或R×10挡
B.先判别出基极B
C.先判别出发射极E
D.不需判别是NPN还是PNP
5.三极管按内部结构不同,可分为( )。(2 分)
A.NPN型
B.PNP型
C.硅管
D.锗管
6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。(2 分)
A.51
B.100
C.-5000
D.1
7.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。(2 分)
A.频率相同
B.波形相似
C.幅度相同
D.相位相反
8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。(2 分)
A.β=50,I CEO=0.5 mA
B.β=140,I CEO=2.5 mA
C.β=10,I CEO=0.5 mA
9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。(2 分)
第二章、三极管
第二章、三极管
一、选择题（本大题共小题，每小题分，共分）
1、晶体三极管内部由（ ）个PN 结构成。
A 、一个
B 、二个
C 、三个
D 、多个
2、如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE ＜１Ｖ，则它处于（ ）。 A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态
3、有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大
B 、截止
C 、饱和
D 、损坏 4、三级管工作在放大区，要求（ ）
A 、发射结正偏，集电结正偏
B 、发射结正偏，集电结反偏
C 、发射结反偏，集电结正偏
D 、发射结反偏，集电结反偏
5、一只NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区
6、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）
A V C =0.3V ，V E =0V ， V
B =0.7V B V
C =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B =2.7V
7、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( )。
A. 83
B. 91
C. 100 D 、50 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）
A 、U C > U
半导体三极管及其基本电路试题及答案
第二章半导体三极管及其基本电路
一、填空题
1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8V，③5V，试判断：
a．①脚是，②脚是，③脚是（e,b，c）；
b．管型是（NPN，PNP）；
c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案
第二章半导体三极管及其基本电路参考答案一、填空题
1发射极，集电极，基，集电
2、共基电路，共射电路，共集电路。
3、输入特性，输出特性
4、I B，V BE
5、合适的静态工作点，幅度适中
6、截止，减小，增大
7、输出电压，输入电压
8、基极，集电极
9、电压，电流
10、发射，集电
11、饱和，NPN
12b，e，c ，NPN，硅
13、发射结正偏、集电结反偏，I E=I C+I B
14、增加，上移
15、增大，减小
16、电容，电源
17、信号源，负载
18、阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。
19、第一级，输入级，差动放大电路
20、阻容耦合，直接耦合，阻容耦合
22、提高（增加），增加
22、降低，降低
23、直流，负，串联
24、AF＞1，φA＋φF＝2nπ（n=0,1,2,…）
25、RC，LC
26、振幅平衡、相位平衡
27、放大器、反馈网络
28、甲类，乙类，甲乙类
29、PO输出功率，PD直流电源供给功率，η/效率，乙
30、甲类，甲乙类，乙类，甲乙类
二、选择题
1、A
2、B
3、C
4、C
5、D
6、D
7、D
8、A
9、A
10、C 11、B
12、A
13、D
14、B
15、C
16、A
17、B
18、C
19、C
20、D
21、A
22、B
23、B
24、B
25、B
26、D
27、C
28、A
29、B
30、C
31、A
32、D
33A
30、D
35、D
36、A
37、B
38、D
39、C
40、D、A
41、B
42、C
43、C
44、C
45、B
46、B
47、D
48、D
49、B
50、B
51、D
52、B
53、B
54、C
55、B
56、C
57、D
58、C
59、B
60、D
三极管练习题
第二章 基本放大单元电路
一、填空题
1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。
2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。
3、三极管电流放大作用是指三极管的（
）电流约是（ ）电流的β倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。
4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB 。
5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（ ）KΩ。
6、FET 管属于（ ）控制器件；BJT 管则可以认为是（ ）控制器件。
7、已知某基本共射放大电路V
6V ,V 4R I CEQ 'L
CQ ==，现在输入一个正弦信号，
若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。
8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图
所示。根据图填空回答下列问题：
V o
-
+
（1）电源电压V CC=（）；
（2）静态集电极电流I CQ=（）；静态管压降V CEQ=（）；
（3）集电极负载电阻R C=（），负载电阻R L=（）；
（4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（）；
（5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（）失真现象；
（6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（）。
第2章 晶体三极管的基础知识
第二章晶体三极管和单级低频小信号放大器
第一节晶体三极管的基础知识
知识点1 理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式
【典型例题】
【例1】判断题
（）在共发射极接法中，输入信号从基极入，集电极出。
【解析】
共发射极接法的公共端为发射极，信号从基极和发射极之间输入，从集电极和发射极之间输出。本题描述不清晰，易导致误会。
【答案】答案为×。
【例2】选择题
晶体三极管基本连接方式中既能放大电流又能放大电压的联接方式是（）。
A.共发射极
B.共集电极
C.共基极
D.共漏极
【解析】
共集电极接法只有电流放大作用，没有电压放大；共基极接法只有电压放大作用，没有电流放大;只有共发射极接法既能放大电流又能放大电压。
【答案】选择A。
【一课一练】
一、判断题
（）1.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是锗NPN和硅PNP 两种三极管。
（）2.晶体三极管的管脚有三个，分别是发射极、门极、基极。
（）3.晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。
（）4.晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用。
（）5.用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接三极管另外两电极，观察指针偏转情况。若两次的测量阻值都大或是都小，则引脚所接就是基极。
二、选择题
1.晶体三极管在三个掺杂区域中，位于中间的区域为（）。
A.发射区
B.集电区
C.基区
D.共极区
2.晶体三极管的图形符号中，有箭头的电极为（）。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.公共极
3.如图2-2-4所示，该电路为（）电路。
A.共基极
B.共发射极
三极管复习题
第二章 半导体三极管
一、单选题
1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管
D. 三极管和二极管
2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和
B. 截止
C. 放大
D. 无法确定
5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常
工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U
8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOS
B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS
D. 增强型NMOS
9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
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第二章练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件。
4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的
型的三极管。
9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：
a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；
b．管型是（NPN，PNP）；
c．材料是（硅，锗）。
二、选择题：
1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE B、V BE<0，V BE C、V BE>0，V BE>V CE时 D、V BE<0，V BE>V CE时 2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。 A、10 B、50 C、80 D、100 3、NPN型和PNP型晶体管的区别是。 A、由两种不同的材料硅和锗制成的 B、掺入的杂质元素不同 C、P区和N区的位置不同 D、管脚排列方式不同 4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是 A、B、 C、D、 5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将 A、增大 B、减少 C、反向 D、几乎为零 6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足 A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏，集电结正偏 C、发射结和集电结都正偏 D、发射结和集电结都反偏 7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。 A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定 8、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V，U B=3V，U C=0V，则此三极管一定是 A、PNP硅管 B、NPN硅管 C、PNP锗管 D、NPN锗管 9、电路如图所示，该管工作在。 A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定 10、测得三极管I B=30μA时，I C = 2.4mA ；I B=40μA时，I C = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。 A、80 B、60 C、75 D、100 11、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则。 A、1为e 2为b 3为c B、1为e 3为b 2为c C、2为e 1为b 3为c D、3为e 1为b 2为c 12、某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于 A、0.98 mA B、1.02 mA C、0.8 mA D、1.2 Ma 13、三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是。 A、V B = 0.7 V，V E = 0 V，V C = 0.3 V B、V B = - 6.7 V，V E = - 7.4 V，V C = - 4 V C、V B = -3 V，V E = 0 V，V C = 6 V D、V B = 2.7 V，V E = 2 V，V C = 2 V 14.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 15、三级管开作在放大区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 16.一NPN型三极管三极电位分别有V C =3.3V，V E =3V，V B =3.7V，则该管工作在（） A．饱和区B．截止区 C．放大区D．击穿区 17.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（） A V C=0.3V，V E=0V，V B=0.7V B V C=-4V，V E=-7.4V，V B=-6.7V C V C=6V，V E=0V，V B=-3V D V C=2V，V E=2V，V B=2.7V 18.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（） A．均为正偏B．均为反偏C．发射结正偏，集电结反偏D．发射结反偏，集电结正偏 19、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μ A增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为( ) 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、判断题 1、判断图示三极管的工作状态。 2V (c) (a) (b)