(完整版)第二章三极管练习题
第二章 晶体三极管和场效应晶体管
第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题（1）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）（2）无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）（3）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。
（）（4）晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。
（）（5）晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（）（6）对于NPN三极管，当V BE>0，V BE>V CE，则该管的工作状态是饱和状态。
（）（7）已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30微安。
（）（8）某晶体三极管的射极电流I B=10微安时，I C=0.44mA；当I B=20微安时，I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。
（）（9）可以用两个二极管连接成一个三极管。
（）（10）晶体三极管具有电压放大作用。
（）二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。
三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是，NPN管电位最高的一极是。
此时，三极管发射结为偏置，集电结为偏置。
晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。
2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为，该管属于管（PNP NPN）。
0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管，基极电流从20μA增大到40μA，集电极电流从1mA变为2mA，则该三极管的电流放大倍数为。
4、当晶体三极管工作在饱和状态时，其特点是集电结处于偏置，发射结处于偏置。
当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
电子技术基础试题
电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。
单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）N２、二极管是线性元件。
（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。
（）N４、二极管具有单向导电性。
（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。
（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管练习题
三极管练习题职业高中《电子技术基础》关于三极管的练习题晶体三极管一、填空题（40分后）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号就是。
2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。
3、三极管的三个管脚电流关系就是，直流电流放大系数β的定义式就是。
4、三极管处于正常放大状态，硅管的vbe约为v,锗管的vbe约为。
5、三极管的输出特性曲线可以分成、和三个区域。
6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具备压缩促进作用。
7、当uce不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当ib一定时，和之间的关系曲线称作三极管的输出特性曲线。
8、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管死区电压约v。
晶体三极管处在正常压缩状态时，硅管的导通电压约为v，锗管及约为v。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和状态区；发射结或、erf时，工作在截至区。
10、三极管的穿透电流iceo随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。
11、三极管的音速参数分别就是、和。
12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、判断题（5分）1、三极管存有两个pn结，因此它具备单向导电性。
（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）3、无论是哪种晶体三极管，当处在压缩工作状态时，b极电位总是低于e极电位，c 极电位也总是高于b极电位。
（）4、对于某晶体三极管的ib=10μa时，ic=0.44ma;当ib=20μa时，ic=0.89ma，则它的电流摆大系数为45。
（）5、未知某三极管的射极电流ie=1.36ma，集电极电流ic=1.33ma，则基极电流ib=30μa。
（）三、选择题（30分）1、三极管就是一种（）的半导体器件。
a电压控制b电流控制c既是电压又是电流控制2、三极管的（）促进作用就是三极管最基本和最重要的特性。
三极管——精选推荐
第二章一、填空题1．根据下图各三极管电极的实测对地电压数据填空：为NPN型的三极管是：，为饱和状态的三极管是：，为放大状态的三极管是：，为截止状态的三极管是：，已损坏的三极管是：。
2．某三极管的发射极电流 IE =1mA，基极电流 IB=20uA，则集电极电流IC= ，电流放大系数β= 。
3．晶体三极管是通过的变化去控制较大的变化。
4．有两个NPN三极管，甲管各极电位分别为VC =6V，VB=2.7V，VE=2V，则处于工作状态；乙管各极电位分别为VC =6V，VB=2V，VE=2V，则乙管处于工作状态。
（A.放大 B.饱和 C.截止）5．上题中甲管为管。
（A.锗 B.硅）6．设某晶体管处在放大状态，三个电极的电位分别是VE =12V，VB=11.7V，VC=6V则该管的导电类型为型，用半导体材料制成。
7．工作在线性放大区的某晶体管，当IB 从20uA增大至40uA时，Ic从1mA变成2mA，它的β约为。
8．温度升高时，三极管的β将（A.增加 B.减小 C.不变）9．某放大电路由三个单级放大电路组成，已知每级电压放大倍数为15ｄＢ，则总的电压放大倍数为ｄＢ，相当于倍。
10．在三级放大电路中，已知Au1=50，Au2=80，Au3=25，则总电压增益Au= ，折合为 dB。
11场效应管属于控制器件，而晶体管是控制器件。
12某放大电路的电压增益为120dB，相当于倍。
13多级放大器常用的耦合方式有__ _ ____、___ _ ___、___ ____和。
二、选择题1．晶体三极管的参数如下，正确的应选用（）(A)β=150 ICEO =20μV (B) β=50 ICEO=10μV(C)β= 50 ICEO=1μV2．如图所示电路，如果Ce虚焊，以下说法正确的是（）(A)Q点发生变化(B)Ri 减小，∣Au∣减小(C)Ri 增大，∣Au∣减小(D)Ri 增大，∣Au∣增大3．某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为40倍，则放大器总的增益为（）A：80dB B：1600dB C：4000倍 D：80倍4．某NPN型三极管构成电路中，测得各极对地电压分别为U C=2.3V、U B=2.7V、U E=2V，则此三极管（）（A）处于放大状态（B）处于截止状态（C）处于饱和状态（D）已损坏5．在共射电路中，当直流电压表测得UCE ≈VCC，可能原因是（），测得UCE=0，则有可能是（）（A）Rb开路（B）Rb过小（C）Rc开路6．晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是（）（A）放大状态（B）饱和状态（C）截止状态7．当晶体三极管工作在饱和状态时它的IC将（）（A）随IB 增加而增加（B）随IB增加而减小（C）与IB无关8．在放大电路中测得某管的三个极电位分别是-2.5V，-3.2V，-9V这个三极管的类型是（）（A）NPN锗管（B）NPN硅管（C）PNP锗管（D）PNP锗管9．某放大器的电压放大倍数为AV=100用分贝表示为（）（A）20dB （B）40dB （C）30dB10．由NPN型管组成共射放大器，输出电压波形如图所示，则该管是(A)截止失真(B)饱和失真(C)截顶失真 (D) 频率失真11．某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，正常工作时，它的集电极电流等于（）A：0.98 mA B: 1.02 m A C：0.8 mA D：1.2 mA12． NPN型三极管的放大电路中，已知三极管b极电压Ub =3.3V,发射极电压Ue=2.6V,要使该管能正常放大，集电极电压Uc=(A) 2V (B) 5V (C) -2V (D) -5V13．关于场效应管以下结论正确的是（）(A)场效应管多数载流子与少数载流子均参与导电(B)N沟道场效应管的漏极电流是由电子在电场作用下形成的(C)N沟道场效应管的漏极电流是由空穴在电场作用下形成的14．PNP型三极管工作于放大区时，三个电极的电位关系是（）(A)UE 〉UB〉UC(B) UC〉UB〉UA(C)UE〉UB〈UC15．如图所示电路，若输出电压Uo出现饱和失真，为使电路正常工作，应作（）调整。
电子技术试题及答案
电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
电子技术教考分离试题库.
<< 电子技术>>教考分离试题库第一部分：选择题部分第一章晶体二极管及其应用1．为使PN结正向偏置，就使P区接电源（），N区接电源（）A．正极、负极 B。
负极、正极C．正极、正极 D。
负极、负极2．在下图所示电路中，稳压管Dw1和Dw2的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压UO为（）。
A．6V B。
7V C。
0V D。
1V第二章晶体三极管及放大电路3．若分别测得放大电路中的NPN型硅管各极电位如下图所示，则管脚①②③分别为电极（）A．c、b、e B.e、c、b C.b、c、e D.b、e、c4．如下图所示各电路中，处于放大状态的三极管是（）5．为了消除基本共射放大电路的饱和失真，应（）A．减小基极偏置电阻 B。
增大基极偏置电阻C．减小集电极偏置电阻 D。
增大集电极偏置电阻6．温度升高时，三极管的部分参数的变化规律是（）A．β↑、ICEO ↑、UBE↑ B。
β↑、ICEO↑、UBE↓C．β↓、ICEO ↑、UBE↑ D。
β↑、ICEO↓、UBE↓18. 以下哪些不属于引入负反馈后对电路的影响（）A．使放大电路的放大倍数减小B．使放大电路通频带展宽C．改变放大电路的输入输出电阻D．使放大电路放大倍数增大19. 由NP管组成的基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真这种失真是（）A．饱和失真 B。
频率失真 C。
截止失真 D。
以上均不定第三章场效应管放大电路7．表征场效应管放大能力的重要参数是（）A．夹断电压Up B。
低频互导（跨导）gmC．饱和漏极电流IDSS D。
最大栅源电压BUGS8．源极输出器类似于（）A．共发射极放大电路 B。
共基极放大电路 C．共集电极放大电路 D。
共漏极放大电路9．N沟道结型场效应管处于放大状态要求（）A．UGS >0 B。
UGS=0 C。
UGS<0 D。
UDS=0第四章正弦波振荡电路10．LC正弦波振荡电路起振的振幅条件是（）A．︱AF︱=0 B.︱AF︱=1 C.︱AF︱<1 D. ︱AF︱>111．采用石英晶体振荡电路的主要目的是（）A．提高输出信号幅度 B。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
第二章、三极管
第二章、三极管一、选择题（本大题共小题，每小题分，共分）1、晶体三极管内部由（ ）个PN 结构成。
A 、一个B 、二个C 、三个D 、多个2、如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE ＜１Ｖ，则它处于（ ）。
A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态3、有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大B 、截止C 、饱和D 、损坏 4、三级管工作在放大区，要求（ ）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏5、一只NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区6、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V7、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( )。
A. 83B. 91C. 100 D 、50 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）A 、U C > UB > U E B 、UC < U B < U E C 、U B >U C > U ED 、U C > UE > U B 9、NPN 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 10、PNP 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 11、在三极管的共发射极输入特性曲线中，曲线与（ ）对应。
电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案
第二章半导体三极管及其基本电路参考答案一、填空题1发射极，集电极，基，集电2、共基电路，共射电路，共集电路。
3、输入特性，输出特性4、I B，V BE5、合适的静态工作点，幅度适中6、截止，减小，增大7、输出电压，输入电压8、基极，集电极9、电压，电流10、发射，集电11、饱和，NPN12b，e，c ，NPN，硅13、发射结正偏、集电结反偏，I E=I C+I B14、增加，上移15、增大，减小16、电容，电源17、信号源，负载18、阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。
19、第一级，输入级，差动放大电路20、阻容耦合，直接耦合，阻容耦合22、提高（增加），增加22、降低，降低23、直流，负，串联24、AF＞1，φA＋φF＝2nπ（n=0,1,2,…）25、RC，LC26、振幅平衡、相位平衡27、放大器、反馈网络28、甲类，乙类，甲乙类29、PO输出功率，PD直流电源供给功率，η/效率，乙30、甲类，甲乙类，乙类，甲乙类二、选择题1、A2、B3、C4、C5、D6、D7、D8、A9、A10、C 11、B12、A13、D14、B15、C16、A17、B18、C19、C20、D21、A22、B23、B24、B25、B26、D27、C28、A29、B30、C31、A32、D33A30、D35、D36、A37、B38、D39、C40、D、A41、B42、C43、C44、C45、B46、B47、D48、D49、B50、B51、D52、B53、B54、C55、B56、C57、D58、C59、B60、D61、B62、A63、A64、B65、C66、B三、判断题1、错2、对3、错4、错5、错6、错7、错8、对9、错10、错11、错12、错13、错14、对15、错16、对17、错18、错19、对20、错21、错22、错23、错24、错25、错26、错27、错28、错29、错30、对31、错32、对33、错34、对35、对36、对37、对38、错39、错40、错41、错42、错43、对44、错45、对46、错47、错48、对49、错四、简答题1、(2-1，中)什么是静态工作点？静态工作点对放大电路有什么影响？答：放大电路在没有输入信号时所处的状态称为静态，又称直流状态。
二极管三极管练习题(学生用)
一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
2．本征半导体的主要特性有、、。
3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。
5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。
6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。
图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。
8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。
9．PN结的电击穿包括和两类。
10．按材料不同，二极管可分为和两类。
11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。
12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。
14．三极管属控制型器件。
15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。
16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。
图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。
单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。
模拟电子技术综合复习(二)
9处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电 位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的 电位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 （ ）。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e 8．用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e
第2章 晶体三极管的基础知识
第二章晶体三极管和单级低频小信号放大器第一节晶体三极管的基础知识知识点1 理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式【典型例题】【例1】判断题（）在共发射极接法中，输入信号从基极入，集电极出。
【解析】共发射极接法的公共端为发射极，信号从基极和发射极之间输入，从集电极和发射极之间输出。
本题描述不清晰，易导致误会。
【答案】答案为×。
【例2】选择题晶体三极管基本连接方式中既能放大电流又能放大电压的联接方式是（）。
A.共发射极B.共集电极C.共基极D.共漏极【解析】共集电极接法只有电流放大作用，没有电压放大；共基极接法只有电压放大作用，没有电流放大;只有共发射极接法既能放大电流又能放大电压。
【答案】选择A。
【一课一练】一、判断题（）1.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是锗NPN和硅PNP 两种三极管。
（）2.晶体三极管的管脚有三个，分别是发射极、门极、基极。
（）3.晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。
（）4.晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用。
（）5.用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接三极管另外两电极，观察指针偏转情况。
若两次的测量阻值都大或是都小，则引脚所接就是基极。
二、选择题1.晶体三极管在三个掺杂区域中，位于中间的区域为（）。
A.发射区B.集电区C.基区D.共极区2.晶体三极管的图形符号中，有箭头的电极为（）。
A.发射极B.基极C.集电极D.公共极3.如图2-2-4所示，该电路为（）电路。
A.共基极B.共发射极C.共集电极图2-2-44.用指针式万用表的电阻档测量晶体三极管时，应该打的档位是（）。
A.R×1B.R×10C.R×100D.R×10K5.晶体三极管在组成放大器时，根据公共端的不同，连接方式有（）。
A.1B.2C.3D.4【知识点1参考答案】一、判断题ⅹⅹⅹⅹⅹ二、选择题 CACCC知识点2 识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系【典型例题】【例1】选择题三极管工作在放大状态时，其两个PN结必须满足（）。
三极管复习题
第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大B. 截止C. 饱和D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
三极管的工作原理练习题
三极管练习题班级 姓名 学号一、基础知识1．三极管按结构分为 和 两种类型，均有三个极（ 、 、 ）和两个PN 结（ 和 ）。
2.请同学画出两种类型三极管的电路符号并在旁边标上三极管导通时的三个极电流方向。
3.三极管的三种工作状态：饱和时发射结 偏；集电结 偏。
这时三极管相当于 的开关。
截止时发射结 偏；集电结 偏。
这时三极管相当于 的开关。
放大时发射结 偏；集电结 偏。
4.三极管的开关特性和非门作用（以NPN 为例把下表填写完整）5.三极管的检测：（1）将多用电表调至欧姆挡（×１００ 或×１ｋΩ 挡），用两个表笔分别接二极管两个电极，测得一个电阻值，再将两个表笔调换，测得另一个阻值。
比较两个阻值，小的那一次黑表笔所接一端为二极管的_________，另一端为_________。
若测得二极管的正、反向电阻值均很小或为０Ω，则说明二极管内部_________，若测得二极管的正、反向电阻值均很大，则说明二极管内部_________。
（2）确定三极管的管脚和三极管的类型：① 将万用表调到×１００Ω 挡，用表笔分别正反测量三个管脚，其中两个管脚正、反向电阻均较大，则剩下的那个管脚为_________；②黑表笔接基极b ，红表笔分别接另外两个电极，若测得的电阻均很小，则为_________型三极管，若测得的电阻均很大，则为_________型三极管。
二、典型习题1.三极管作为开关时工作区域是( )A ．饱和区和放大区B ．击穿区和截止区C ．放大区和击穿区D ．饱和区和截止区 2.工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）A ．Ｕc > Ub > Ue B.Ｕc< Ub < Ue C.Ub >Ｕc > Ue D.Ｕc > Ue > Ub 3.判断图示三极管的工作状态（填在横线上）。
（a ） （b ） （c ） （d ）（e）（f）（g）（h）4. 用万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=0.8V，V B=0.7V，V E=1.0V则晶体管工作在（）状态。
(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案
答案：×
60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）答案：×
三、解答题
r'
61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，试求：
（1）静态时T1管和T2管的发射极电流。
bb=100Ω，静态时｜UBEQ｜≈0.7V。
a zb 30MHzc 3MHz
52.单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在
量值上有度的附加值。
a180b 90c45
53 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的
a 晶体管的电流放大系数太大b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化答案：c
27.在放大电路中，直流负反馈可以
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点答案：c
28.可以放大电压，但不能放大电流的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：c
a 差b 好c 差不多
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第二章练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件。
4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的
型的三极管。
9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：
a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；
b．管型是（NPN，PNP）；
c．材料是（硅，锗）。
二、选择题：
1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时
B、V BE<0，V BE<V CE时
C、V BE>0，V BE>V CE时
D、V BE<0，V BE>V CE时
2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10
B、50
C、80
D、100
3、NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的
B、掺入的杂质元素不同
C、P区和N区的位置不同
D、管脚排列方式不同
4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是
A、B、
C、D、
5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将
A、增大
B、减少
C、反向
D、几乎为零
6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结反偏，集电结正偏
C、发射结和集电结都正偏
D、发射结和集电结都反偏
7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、无法确定
8、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V，U B=3V，U C=0V，则此三极管一定是
A、PNP硅管
B、NPN硅管
C、PNP锗管
D、NPN锗管
9、电路如图所示，该管工作在。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、无法确定
10、测得三极管I B=30μA时，I C = 2.4mA ；I B=40μA时，I C = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。
A、80
B、60
C、75
D、100
11、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则。
A、1为e 2为b 3为c
B、1为e 3为b 2为c
C、2为e 1为b 3为c
D、3为e 1为b 2为c
12、某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于
A、0.98 mA
B、1.02 mA
C、0.8 mA
D、1.2 Ma
13、三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是。
A、V B = 0.7 V，V E = 0 V，V C = 0.3 V
B、V B = - 6.7 V，V E = - 7.4 V，V C = - 4 V
C、V B = -3 V，V E = 0 V，V C = 6 V
D、V B = 2.7 V，V E = 2 V，V C = 2 V
14.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
15、三级管开作在放大区，要求（）
A、发射结正偏，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
16.一NPN型三极管三极电位分别有V
C =3.3V，V
E
=3V，V
B
=3.7V，则该管工作在（）
A．饱和区B．截止区
C．放大区D．击穿区
17.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）
A V C=0.3V，V E=0V，V B=0.7V
B V C=-4V，V E=-7.4V，V B=-6.7V
C V C=6V，V E=0V，V B=-3V
D V C=2V，V E=2V，V B=2.7V
18.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（）
A．均为正偏B．均为反偏C．发射结正偏，集电结反偏D．发射结反偏，集电结正偏
19、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μ
A增大到22μA时，IC从1mA
变为2mA，那么它的β约为( ) 。
A. 83
B. 91
C. 100
三、判断题
1、判断图示三极管的工作状态。
2V
(c)
(a) (b)
+7.5V-8V+7.1V+5V
+3.2V
(a)
+3.5V-3V
-2.3V
(b)
+6.9V
+4V
(c)
+5V
0V
(d)
2、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（）。
3、如图示，试判断工作在放大状态的管子（）。
四、识别题
用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图.
（1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向
（2）判断是PNP还是NPN管?
（3）图上标出管子的E.B.C.极
（4）估算管子的ß值.
+7.5V-8V+7.1V+5V
+3.2V
(a)
+3.5V-3V
-2.3V
(b)
+6.9V
+4V
(c)
+4V
0V
(d)。