第二章三极管
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模电 第二章
电流放大倍数：
1
3、共基极接法
基极：公共电极 发射极：输入端 集电极：输出端
iC 1 电流放大倍数： iE
iC i E i B i E i E 1
判断下列放大电路中三极管的连接方式。
VCC VCC
RB
RC C2 C1 RL RE CE vo
R1
——三极管处于饱和状态
N+ P N
I EnF
IE
、
I CnF
I CpR
I CnR
B C
IC
E
I EPF
I EnR
R1 V1
IB
V2
发射结和集电结都加正向偏压时三极管内载流子的运动示意图
V1、V2变化，IE和IC变化很小
四、发射结反偏，集电结正偏
——一般不用
因为集电区的掺杂浓度低，因此载流子的注 入量小，再加上发射结面积比集电结面积 小，所以载流子到达发射区的数量也较小。 所以这种状态在实际电路中一般不会使用
的电路。
放大器的示意图
基本放大电路:一般是指由一个三极管与相应元件组 成的三种基本组态放大电路。
2.4.1 放大器的各项指标
Vi （1）放大器的输入电阻 Ri Ii
ii 线 性 放 大 器 io
是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。 Ri大，放大电路从信号源吸取的电流则小，反之则大。
第二章_三极管放大电路
4. 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电 极电压，经电容滤波只输出交流信号。
(2-43)
如何判断一个电路是否能实现放大？
与实现放大的条件相对应，判断的过程如下： 1. 信号能否输入到放大电路中。 2. 信号能否输出。 3. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结 反偏。
4. 正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。
i =1
输入级
第二级
推动级
输出级
输 出
多级放大电路的组成框图
(2-51)
耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路 之间、放大器与负载之间的连接方式。 常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器 耦合。 静态：保证各级有合适的Q点 对耦合电 波形不失真 路的要求 动态: 传送信号 减少压降损失
(2-52)
iC
放大电路产生 截止失真
输入波形
uCE
ib
ib失真 uo 输出波形
(2-41)
2. Q点过高，信号进入饱和区 iC
放大电路产生 饱和失真
输入波形
ib
uCE
输出波形
uo
(2-42)
实现放大的条件
1. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结 反偏。 2. 正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。 3. 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
晶体三极管及其基本放大电路
3
6
9
IB=0 12 vCE(V)
区时, 有:VB>VC>VE
Rc
b
c
V
e Rb
+
－
UBB
Ma Liming
+ 对于PNP型三极管,工作在饱和区 UCC 时, 有:VB<VC<VE
－
Electronic Technique
13
例:如图，已知三极管工作在放大状态, 求:1).是NPN结构还是PNP结构?
负载上信号的变化规律是由输入信号决定的， 而负载上得到的较大的能量一般是由另一个直流 电源提供的。
Ma Liming
Electronic Technique
28
• 2.5.3、放大电路的主要性能指标
1、放大电路示意图
放大电路示意图
Ma Liming
Electronic Technique
29
一、放大倍数：表征放大器的放大能力的参数
解:(1) NPN结构; 由各电极电位可知发射结正偏 ,集电 结正偏,所以工作在饱和区;Si管;
解:(2) PNP结构; 由各电极电位可知发射结正偏 ,集电 结反偏,所以工作在放大区;Ge管;
解:(3) PNP结构; 由各电极电位可知发射结反偏 ,集电
极也反偏,所以工作在截止区;无法判断材料;
第二章半导体三极管与分立元件放大电路
2.1.3 三极管的输入、输出特性曲线 三极管的各个电极上电压和电流之间的关系曲线称为三极管的 伏安特性曲线或特性曲线。常用的是输入特性曲线和输出特性曲线 。三极管在电路中的连接方式（组态）不同，其特性曲线也不同。 用NPN型管组成的共射特性曲线测试电路如图2.1.3所示。
图2.1.3 三极管共射特性曲线测试电路
它反映静态时集电极电流与基极电流之比值。
2.共发射极电路交流电流放大系数
温度升高，β值增大。每升高1℃，β值增加0.5%～1%，
反映在输出特性曲线上就是各条曲线的间距增大。 3. 共基极电路电流放大系数 在共基极电路（即信号从发射极输入，集电极输出，基
极为输入输出的公共端）中，三极管的集电极电流IC与发射 极电流IE之比称为共基极电路直流电流放大系数。
Ri ui ii
相当于信号源的负载， 越大，信号源的电压更多地传输到放大 电路的输入端。在电压放大电路中，希望大一些。
3．输出电阻（Output resistance）
输出电阻就是从放大电路输出端（不包括负载）看进去的
交流等效电阻。输出电阻的求法如图2.2.2所示，即先将信号源 短路，保留内阻，将负载开路，在输出端加一交流电压uo，产 生电流io，输出电阻等于uo与io之比，即
Ro uo io
us 0,RL
图2.2.2 输出电阻的求法
2.2.2 共射基本放大电路的组成及工作原理 一、共射基本放大电路的组成
电子技术基础第二章基本放大电路的认识陈振源2版
中等职业教育国家规划教材 HEP
二、放大电路的静态工作点
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
静态工作点对波形影响实验电路
输入电流波形失真
输入电流波形正常
未设置静态工作点情况 第二章 晶体三极管及基本放大电路
设置静态工作点情况
4
Powerpoint Designed by Chen Zhenyuan
分压式偏置放大电路
11
第二章 晶体三极管及基本放大电路
Powerpoint Designed by Chen Zhenyuan
中等职业教育国家规划教材 HEP
2．稳定静态工作点
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
3.电路参数估算
（1）静态工作点的估算 分压式偏置放大电路的直流通路图所示，可推导出 下列静态工作点的估算公式。
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
二、估算分析法
估算分析法是利用电路中已知参数，通过数学方程式近似计算来分析放大电路。
常用来估算小信号放大器的静态工作点和放大倍数、输入电阻、输出电阻等。
1．估算静态工作点(VCC=Vc+VCEQ=Vb+VBEQ)
（1）画出直流通路 电容对直流电相当于开路，因此画直流通路时把电容支路断 开即可。
要改变分压偏置电路的静态工作点，通常的方法是调整上偏置电阻Rb1的阻值。 若该电路的静态工作点正常，而放大倍数严重下降，应重点检查射极旁路电 容Ce是否开路或失效。
《电子技术基础与技能》张金华主编-第二章
在三个掺杂区域中，位于中间的区 域称为基区，引出基极，两边的区域称 为发射区和集电区，分别引出发射极和 集电极；基区和发射区的PN结称为发射 结，基区和集电区的PN结成为集电结。
2.1.2 三极管中的电流分配和放大作用
一、放大的概念
只要给电路中的三极管外加合适
的电源电压，就会产生电流 I b 、I c
计中一般要求三极管的 fT高于电路工作频率3倍以上。
2. 三极管工作的安全性
对于工作在大电流场合的三极管，如驱动继电器等，应根据实际工作电
流选用I CM较大的管子，从而保证集电极工作电流IC ≤I CM 。
对于工作在大功率场合的三极管，应重点考虑三极管的集电极最大耗散
功率PCM，使三极管额定消耗功率PC≤PCM。同时，大功率三极管在使用时，
Uo2 U i1
Uo2 U i2
Ui2 U i1
U o2 U i2
Uo1 U i1
Au1 Au2
Au 2
Uo2 U i2
2.3.1 多级放大电路的耦合方式
二、输入和输出电阻 1. 输入电阻 由于输入级连接着信号源，它的主要任务是从信号源获得输入信号。 多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电阻，即
的基比极值电为流，变即化量iB的比值为β，即
iC
IC IB
UCE 常量
iB UCE 常量
2.1.4 三极管的使用常识
2.1.2 三极管中的电流分配和放大作用
一、放大的概念
只要给电路中的三极管外加合适
的电源电压，就会产生电流 I b 、I c
计中一般要求三极管的 fT高于电路工作频率3倍以上。
2. 三极管工作的安全性
对于工作在大电流场合的三极管，如驱动继电器等，应根据实际工作电
流选用I CM较大的管子，从而保证集电极工作电流IC ≤I CM 。
对于工作在大功率场合的三极管，应重点考虑三极管的集电极最大耗散
功率PCM，使三极管额定消耗功率PC≤PCM。同时，大功率三极管在使用时，
Uo2 U i1
Uo2 U i2
Ui2 U i1
U o2 U i2
Uo1 U i1
Au1 Au2
Au 2
Uo2 U i2
2.3.1 多级放大电路的耦合方式
二、输入和输出电阻 1. 输入电阻 由于输入级连接着信号源，它的主要任务是从信号源获得输入信号。 多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电阻，即
的基比极值电为流，变即化量iB的比值为β，即
iC
IC IB
UCE 常量
iB UCE 常量
2.1.4 三极管的使用常识
电子技术课件第二章三极管及基本放大电路
共集电极放大电路
共基极放大电路
（1）共发射极放大电路的电压、电流、功率放大倍数都较大，所以应用在多 级放大器的中间级。 （2）共集电极放大电路只有电流放大作用，无电压放大作用，它的输入电阻 大，输出电阻小，常用作实现阻抗匹配或作为缓冲电路来使用，也可作为多级放大 器的输入级和输出级。 （3）共基极放大电路主要是频率特性好，所以多用作高频放大器、高频振荡 器及宽频带放大器。
一、结构与分类
1 ．外形
近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装；大功率三极管多采用 金属封装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管制成螺栓形状。
塑料封装小功率管
塑料封装中功率管
金属封装小功率管
金属封装大功率管
2
2.结构
三极管的核心是两个互相联系的PN结，按两个PN结的组合方式不同，可分为 NPN型和PNP型两类。
五、三极管引脚与管型的判别
（1）先确定b极 （2）判断e极、c极
确定b极
判断e极、c极
13
第二节 三极管基本放大电路
一、基本放大电路的构成
1.电路元件作用
共发射极基本放大电路由三极管、电阻和电容所组成。 V—晶体三极管，起电流放大作用 +VCC—直流供电电源 Rb—基极偏置电阻 C1—输入耦合电容 C2—输出耦合电容 RC—集电极负载电阻
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
第二章 三极管及放大电路基础
第二章三极管及放大电路基础教学重点
1．了解三极管的外形特征、伏安特性和主要参数。
2．在实践中能正确使用三极管。
3．理解放大的概念、放大电路主要性能指标、放大电路的基本构成和基本分析方法。
4．掌握共发射极放大电路的组成、工作原理，并能估算电路的静态工作点、放大倍数、输入和输出电阻等性能指标。
5．能搭建分压式放大电路，并调整静态工作点。
教学难点
1．三极管的工作原理。
2．放大、动态和静态以及等效电路等概念的建立。
3．电路能否放大的判断。
学时分配
2.1三极管
2.1.1三极管的结构与符号 通过实物认识常见的三极管
三极管有三个电极，分别从三极管内部引出，其结构示意如图所示。
按两个PN 结组合方式的不同，三极管可分为PNP 型、NPN 型两类，其结构示意、电路符号和文字符号如图所示。
PNP 型 NPN 型
有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，由此可以判断管子是PNP 型还是NPN 型。
基区 发射区
e
基极 c
e
VT
e
基极 c
e
c
VT
《电子技术基础与技能》配套多媒体CAI 课件 电子教案
三极管都可以用锗或硅两种材料制作，所以三极管又可分为锗三极管和硅三极管。
2.1.2三极管中的电流分配和放大作用
动画：三极管电流放大作用的示意
做一做：三极管中电流的分配和放大作用
观察分析实验参考数据：
1）三极管各极电流分配关系：I E = I B + I C ，I E ≈ I C ≫I B
2）基极电流和集电极电流之比基本为常量，该常量称为共发射极直流放大系数β，定义为：B
C
I I =
β 3）基极电流有微小的变化量Δi B ，集电极电流就会产生较大的变化量Δi C ，且电流变化量之比也基本为常量，该常量称为共发射交流放大系数β，定义为：B
三极管PPT课件
硅管UCES=0.3V
锗管UCES=0.1V ③由于发射结正偏,故硅管UBE=0.7V,锗管UBE=0.3V
2021/6/24 (此特点放大区同样具有)
= IC IB
或
= IC IB
称
2021/6/24
为
14
共
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
（3）三极电流间的关系
根据KCL有：
IE=IB+IC 或 IE=IB+IC=（1+β）IB 若考虑集电结反向饱和电流ICBO的影响，各 极电流关系为： IC=（1+ β ）ICBO=ICEO （称 为集电结穿透电流），则：
19
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
输入特性曲线的讨论：
（1）当UCE＜1V时
三极管的发射结、集电结均正偏，此时的三极 管相当于两个PN结的并联，曲线与二极管相似， 所以增大UCE时，输入曲线明显右移。
（2）当UCE≥1V时
发射结正偏、集电结反偏，此时再继续增大
UCE特性曲线右移不明显，不同的UCE输入曲线
二、三极管结构特点
三极管制作时，通常它们的基区做 得很薄，且掺杂浓度低；发射区的杂质 浓度则很高；集电区的面积则比发射区
做得大。
2021/6/24
6
2.1.1 三极管的结构
三、三极管的分类
三极管及放大电路解析
ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数
C IC
ICBO
N
ICE IB
P
EC
B
ICEICICBO IC
RB
IBE
N
IBE IBICBO IB
EB
E IE
IC IB ( 1)IC BO IB ICEO
若IB =0, 则 IC ICE0
集－射极穿透电流, 温度ICEO
忽 IC略 E ， O IC 有 IB (常用公式)
O
t
UBE
IB
？ IC
UCE
O
tO
tO
tO
t
4、放大电路的组成原则
• 静态工作点合适：合适的直流电源、合适的 电路参数。
• 路径畅通：动态信号能够作用于晶体管的输 入回路，在负载上能够获得放大了的动态信 号。
• 对实用放大电路的要求：共地、直流电源种 类尽可能少、负载上无直流分量。
1. 下列a~f电路哪些具有放大作用？
三极管及放大电路解析
第二章 双极型三极管及放大电路基础
2.1、双极型三极管BJT 2.2、基本共射极放大电路 2.3、放大电路的分析方法 2.4、放大电路静态工作点的稳定问题 2.5、共集电极、共基极放大电路
2.1 双极型三极管BJT
一、BJT的结构简介
1、结构：
由2个PN结组成；
C IC
ICBO
N
ICE IB
P
EC
B
ICEICICBO IC
RB
IBE
N
IBE IBICBO IB
EB
E IE
IC IB ( 1)IC BO IB ICEO
若IB =0, 则 IC ICE0
集－射极穿透电流, 温度ICEO
忽 IC略 E ， O IC 有 IB (常用公式)
O
t
UBE
IB
？ IC
UCE
O
tO
tO
tO
t
4、放大电路的组成原则
• 静态工作点合适：合适的直流电源、合适的 电路参数。
• 路径畅通：动态信号能够作用于晶体管的输 入回路，在负载上能够获得放大了的动态信 号。
• 对实用放大电路的要求：共地、直流电源种 类尽可能少、负载上无直流分量。
1. 下列a~f电路哪些具有放大作用？
三极管及放大电路解析
第二章 双极型三极管及放大电路基础
2.1、双极型三极管BJT 2.2、基本共射极放大电路 2.3、放大电路的分析方法 2.4、放大电路静态工作点的稳定问题 2.5、共集电极、共基极放大电路
2.1 双极型三极管BJT
一、BJT的结构简介
1、结构：
由2个PN结组成；
三极管的结构及工作原理
唐东自动化教研室
电子技术基础
主编 吴利斌
输出特性曲线上一般可分为三个区：
IC /mA 饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 IB=100 A 4 时，三极管处于饱和 状态。此时集电极电 管子深度饱和时，硅管的VCE约为 0.3V，锗管约为0.1V, 80 A 3 流IC与基极电流IB之 由于深度饱和时 VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个 间不再成比例关系， 闭合的开关。 放 60 A 2.3 IB的变化对IC的影响 2 大 很小。 40 A 截止区。当基极电 IB=0 流IB等于0时，晶体 UCE / V 0 管处于截止状态。 实际上当发射结电 晶体管工作在放大状态时，发射结正 压处在正向死区范 此时 UCE小于UBE,规定： VCC VCES 围时，晶体管就已 I CS VCC / RC 偏，集电结反偏。在放大区，集电极电 UCE=UBE时，为临近饱和状态， 经截止，为让其可 RC 流与基极电流之间成β倍的数量关系， 用U （ 0.3 或 0.1 ）表示，此时 靠截止，常使 UBE CES 小于和等于零。 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。 临近饱和基极电流 I BS I CS / 集电极临近饱和电流是
A
IB UBE IE
IC /mA
IB IB1 IB2 IB3 IB=0
+
RB UBB
仍然调节UCC使UCE从0增 大，继续观察毫安表中IC 的变化并记录下来。 输出曲线开始部分很 陡，说明IC随UCE的增 加而急剧增大。
第二章三极管练习题
第二章练习题
一、填空题：
1晶体管工作在饱和区时发射结
—偏；集电结 —偏。
2 •三极管按结构分为 ______ 和 _____ 两种类型，均具有两个 PN 结，即 _______ 和 _______ 。 3. ___________________ 三极管是 控制器件。 4•放大电路中，测得三极管三个电极电位为 U I =6.5V,U 2=7.2V,U 3=15V ，则该管是 _______ 类型管子，其中 _____
极为集电极。
5•三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是 ____ 和 ______ 。
6•三极管有放大作用的外部条件是发射结 __________ ，集电结 _______ 。
7 •三极管按结构分为 ______ 和 ______ 两种类型，均具有两个 PN 结，即 _______________ 和 ________ 。 &若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处 于 状态。 8、某三极管3个电极电位分别为V E =1V,V B =1.7V,V c =1.2V 。可判定该三极管是工作于 _________________ 区的— 型的三极管。
9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①
3.5V ，②2.8 V ，③5V ，试判断:
a. _____________ ①脚是 ________ ，②脚是 _____ ，③脚是 (e, b , c );
b. ________________ 管型是 (NPN , PNP );
第2章 晶体三极管的基础知识
第二章晶体三极管和单级低频小信号放大器
第一节晶体三极管的基础知识
知识点1 理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式
【典型例题】
【例1】判断题
（）在共发射极接法中，输入信号从基极入，集电极出。
【解析】
共发射极接法的公共端为发射极，信号从基极和发射极之间输入，从集电极和发射极之间输出。本题描述不清晰，易导致误会。
【答案】答案为×。
【例2】选择题
晶体三极管基本连接方式中既能放大电流又能放大电压的联接方式是（）。
A.共发射极
B.共集电极
C.共基极
D.共漏极
【解析】
共集电极接法只有电流放大作用，没有电压放大；共基极接法只有电压放大作用，没有电流放大;只有共发射极接法既能放大电流又能放大电压。
【答案】选择A。
【一课一练】
一、判断题
（）1.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是锗NPN和硅PNP 两种三极管。
（）2.晶体三极管的管脚有三个，分别是发射极、门极、基极。
（）3.晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。
（）4.晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用。
（）5.用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接三极管另外两电极，观察指针偏转情况。若两次的测量阻值都大或是都小，则引脚所接就是基极。
二、选择题
1.晶体三极管在三个掺杂区域中，位于中间的区域为（）。
A.发射区
B.集电区
C.基区
D.共极区
2.晶体三极管的图形符号中，有箭头的电极为（）。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.公共极
3.如图2-2-4所示，该电路为（）电路。
A.共基极
B.共发射极
第二章半导体三极管及放大电路
3dB带宽 fL 下限截 止频率 上限截 fH 止频率 f
通频带： fbw=fH–fL
2.4 单管共射放大电路的工作原理
一．三极管的放大原理
三极管工作在放大区： 发射结正偏， 集电结反偏。
IC +△IC I B +△IB T
+ +
+△UCE UCE
+
放大原理：
Rb VBB
ui →△UBE→△IB
UBE+△ UBE -
Rc uo VCC
-
→△IC（△IB） ui →△UCE（-△IC×Rc）
→ uo
电压放大倍数： A u
Uo Ui
组成放大电路的原则： 1. 三极管工作在放大状态 2. 要有合适的静态工作点 3. 交流信号能够很好地输入输出
基极开路时，集电极到发射 极间的电流——穿透电流 。
b e
ICEO
其大小与温度有关。
I CEO＝(1 ) I CBO
3.极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM
Ic增加时， 要下降。当值下降到线性放大区值的70％ 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。
i C(mA)
（2）集电极最大允 许功率损耗PCM
iC Rb 150KΩ
+
uCE
相关主题
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上篇
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
放大电路——组成原则
➢ 外加直流电源的极性必须使三极管的发射结正 向偏置，集电结反向偏置，以保证三极管工作 在放大区。
➢ 输入回路的接法应使输入电压的变化量Δui产生 基极电流的变化量ΔiB。
➢ 输出回路的接法应使集电极电流的变化量ΔiC转 化为集电极电压的变化量ΔuCE，并传送到放大 电路的输出端。
➢ 输出电阻RO：在输入信号为零，负载开路的条件下，从放
大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻。它是描述 放大电路带负载能力的一项技术指标，放大电路的输出电 阻越小，放大电路的带负载能力越强。
上篇
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
放大电路——共射放大电路原理
➢ 单管共射放大电路组成：
直流通路
上篇
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
三极管——分类
➢ 按频率可分为： ▪ 高频管、低频管
➢ 按功率可分为： ▪ 大功率管、中功率管、小功率管
➢ 按材料可分为： ▪ 硅管、锗管
➢ 按结构可分为： ▪ NPN型、PNP型
上篇
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
三极管——内部结构特点与外部连接条件
穿电压U(BR)CEO
上篇
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
放大电路——主要性能指标
➢ 放大倍数：是衡量放大电路放大能力的指标。
▪ 电压放大倍数AU=UO/Ui ▪ 电流放大倍数Ai=IO/Ii ➢ 输入电阻：Ri=Ui/Ii，指从放大电路输入端口看进去的等 效电阻。它是衡量放大电路对信号源影响程度的一个指标， 其值越大，放大电路从信号源索取的电流就越小，对信号 源的影响就越小。
➢ 为保证放大电路正常工作，要合理地设置静态 工作点。
上篇
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
放大电路——分析方法
1.直流通路和交流通路 ▪ 直流通路：直流成分流过的通路。画直流通路
时，将电容看成是开路，电感看成是短路，其 它元件保留。 ▪ 交流通路：交流成分流过的通路。画交流通路 时，将电容和电压源看成是短路，电感和电流 源开路，其它元件保留。 ▪ 根据交流通路和直流通路，即可分别进行静态 分析和动态分析。
①三极管电流分配关系
集电极电流：IC=ICN+ICBO≈ICN
发射极电流：IE=IC+IB ②三极管电流放大系数
IC
I B
共射交流电流放大系数：
IC
共基交流电流放大系数： 两者之间的关系：
I E
1
③由于β>>1；又IC=βIB，故三极管具有电流放大作 用
上篇
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
上篇
交流通路
低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
放大电路——共射放大电路原理
➢ 单管共射电路的放大原理：
➢ 在电路中的参数使三极管工作在放大区时，则由输入特 性曲线可知，输入电压有很小的变化量Δui时，引起 ΔuBE的微小变化将使输入回路的电流产生一个较大的 变化量ΔiB，由于三极管的电流放大作用，将引起集电
极电流发生更大的变化，即ΔiC=βΔiB，这个集电极电
流的变化量流过集电极电阻RC，使集电极电压也产生相 应的变化量Δuo=ΔuCE，因而有Δuo>>Δui。可见，当 放大电路的输入端加上一个微小的变化量Δui时，在输 出端将得到一个较大的变化量Δuo，从而实现了信号放 大，这就是放大电路的放大原理。
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低频电子线路
第二章 三极管及其放大电路
放大电路——分析方法
2.静态工作点
▪ 所谓静态就是外加输入信号为零时，放大电路所处的状 态。
▪ 静态工作点：通常用Q表示，包含有IBQ、ICQ、UBEQ、 UCEQ 等三极管各极电压、电流值。
▪ 静态工作点分析分为两个步骤：第一是画直流通路；第
▪
二是根据直流通路求解。 求解的一般公式为：
第二章 三极管及其放大电路
内容提要：
➢ 双极型三极管 ➢ 放大电路基础 ➢ 共射放大电路 ➢ 放大电路分析方法 ➢ 工作点稳定电路 ➢ 基本放大电路三种组态 ➢ 场效应管放大电路 ➢ 放大电路频率响应
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第二章 三极管及其放大电路
三极管——结构与符号
NPN 型结 构与 符号
PNP 型结 构与 符号
➢ 三极管内部结构的两个特点：
▪ 内部发射区高掺杂，其中的多数载流子浓度很高 ▪ 基区薄且低掺杂，多数载流子浓度很低
➢ 三极管处于放大状态时，外部连接必须满足两 个条件：
▪ 发射结正偏——给发射结加正向电压 ▪ 集电结反偏——给集电结加反向电压
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第二章 三极管及其放大电路
三极管——电流分配与放大作用
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第二章 三极管及其放大电路
三极管——输出特性
➢ 当iB不变时，输出回路中的电流iC与电压uCE之间的关系
曲线称输出特性
Fra Baidu bibliotek①截止区：三极管的发射结与
集电结均处于反向偏置状态。
②饱和区：发射结与集电结均 处于正向偏置。饱和压降硅 管约0.3V，锗管约0.1V。
③放大区：发射结正向偏置而 集电结反向偏置，集电极电 流 iC 仅 受 iB 的 控 制 ， uCE 变 化 时 iC 基 本 不 变 ， 三 极 管 具 有 恒流特性。
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第二章 三极管及其放大电路
三极管——主要参数
➢ 共射交流电流放大系数β ➢ 反向饱和电流ICBO
三极管的安全工作区是 指在三极管的工作曲线 上，ICM、U(BR)CEO和 PCM围成的区域。
➢ 极限参数与安全工作区：
▪ 集电极最大允许电流ICM ▪ 集电极最大允许功耗PCM ▪ 集电极-发射极间反向击
三极管——输入特性
➢ 当uCE不变时，输入回路中的电流iB与电压uBE之间的关
系曲线称输入特性
① 当uCE=0V时，C、E短接，
这时相当于两个二极管并联，
故该特性与二极管的正向特
性相似；
② 当uCE>0V时，曲线形状基本 不变，曲线位置随uCE增加向 右平移，当uCE>1V后，曲线 基本重合；
③ 发射结也存在死区电压，硅 管 约 为 0 . 5 V， 锗 管 约 为 0.1~0.2V。
I BQ
VCC
U BEQ Rb
ICQ IBQ
U CEQ VCC ICQ RC
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第二章 三极管及其放大电路
放大电路——分析方法
3.图解分析法
▪ 静态分析：用作图的方法确定放大电路的静态工作点Q，