第二章 半导体三极管练习
习题2半导体三极管认知及应用
电子技术基础与技能习题2一、选择题1.当晶体管工作于饱和状态时，其（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏2．测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为（）A、 60B、 40C、703．（1）温度升高，晶体管输入特性曲线（）A、右移B、左移C、不变4.温度升高，晶体管输出特性曲线（）A、上移B、下移C、不变5.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔（）A、不变B、减小C、增大6．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是（）失真A、饱和B、截止C、饱和和截止7.失真的主要原因是（）A、输入电阻太小B、静态工作点偏低C、静态工作点偏高8.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是放大电路（）A、共射极B、共集电极C、共基极9．与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定_______A、不变B、变大C、变小10 图1-1所示放大电路中，已知I1>>I BQ，U BQ>>U BEQ，则当温度升高时，（）。
A．I CQ基本不变 B． I CQ减小 C．I CQ增大 D．U CEQ增大题图1-111、使用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图1-2所示，从而可判断出该晶体管工作在（）A、饱和状态B、放大状态C、截止状态D、倒置状态题图1-212、为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（）A、共射电路；B、共集电路；C、OCL电路；D、差动放大电路；13、差动放大电路用恒流源代替公共发射极电阻RE是为了（）A、提高共模电压放大倍数；B、提高差模电压放大倍数；C、提高差模输入电阻；D、提高共模抑制比；14、测得放大电路的开路电压为6V，若接入2KΩ的负载电阻后，测得输出电压为4V，则此放大器的输出电阻Ro为（）A、Ro=1KΩB、Ro=2KΩC、Ro=4KΩD、Ro=6KΩ15、差分放大电路，它是（）。
模拟电子技术基础 第二章练习题
注意:答案仅供参考！ 一、填空题1。
半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。
2。
放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6。
静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7。
对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω,V BE =0.7V ，V CE(sat ）=0.3V ，当β=50,静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3。
2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。
8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0。
7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282。
5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9。
对于下图所示电路，已知V CC =12V ，R b1=27 k Ω,R c =2 k Ω，R e =1 k Ω，V BE =0。
7V,现要求静态电流I CQ =3mA ，则R b2= 12 k Ω .10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE =0。
7V,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。
11。
当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β 增大 ,穿透电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE | 减小 。
电子技术第二章习题及答案
第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。
3.三极管各电极电流的分配关系是。
4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。
6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。
7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。
8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。
10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。
11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。
12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。
13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。
14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。
15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。
16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。
17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。
18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
第二章、三极管
第二章、三极管一、选择题（本大题共小题，每小题分，共分）1、晶体三极管内部由（ ）个PN 结构成。
A 、一个B 、二个C 、三个D 、多个2、如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE ＜１Ｖ，则它处于（ ）。
A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态3、有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大B 、截止C 、饱和D 、损坏 4、三级管工作在放大区，要求（ ）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏5、一只NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区6、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V7、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( )。
A. 83B. 91C. 100 D 、50 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）A 、U C > UB > U E B 、UC < U B < U E C 、U B >U C > U ED 、U C > UE > U B 9、NPN 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 10、PNP 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 11、在三极管的共发射极输入特性曲线中，曲线与（ ）对应。
电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答
第二章 半导体三极管及其电路分析题1.2.1 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA ；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳定。
题1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =6.7V ；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =6.2V 。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们分别是NPN 型还是PNP 型，是锗管还是硅管？解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题1.2.3 共射电路如图题1.2.3所示。
现有下列各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =3.1k Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =4.7k Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =3.9k Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题1.2.3解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)(3)工作在放大状态(工作在放大区)(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题1.2.4 从图题1.2.4所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1） 是锗管还是硅管？（2） 是NPN 型还是PNP 型？（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V -=>0.7V ；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
半导体三极管及其基本电路试题及答案
第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e,b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。
15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。
16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、(2-2，低)在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
电子技术基础第二单元《半导体三极管及其放大电路》测试卷
《电子技术基础》单元试卷班级: 姓名：学号：一、填空题：1、放大电路设置静态工作点的目的是。
2、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。
3、在共射极放大电路中，输出电压u o和输入电压u i相位。
4、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im，并且要大于发射结的。
5、画放大电路的直流通路时，把看成开路；画放大电路交流通路时，把和看成短路。
6、利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。
7、小功率三极管的输入电阻r be= 。
8、放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真；静态工作点设置的太低，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真。
基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。
9、若放大电路的电源电压U CC增大，其他条件不变，这放大器的静态工作点将移。
10、共射极基本放大电路中，若R B=240kΩ，R C=3Ω，U CC=12V，β=40,若忽略U BEQ,则I BQ= ，I CQ= ,U CEQ= ,A u= 。
11、在分压偏置电路中，已知R B1=20kΩ，R B2=10kΩ，R C=2kΩ，R E=2kΩ，U CC=12V,β=50,R L=2kΩ，设U BEQ=0,则I CQ= ,I BQ= ,Au= 。
12、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。
13、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2、……、A un，则总的电压放大倍数为A u= 。
二、选择题：1、三极管构成放大器时，根据公共端不同，可有（）种连接方式A、1B、2C、3D、42、放大器的静态是指（）A、输入信号为零B、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零3、表征放大器静态工作点的参数主要是指（）A、I BQB、I EQC、U CEQD、I CQ4、放大电路的静态工作点是指输入信号（）三极管的工作点A、为零时B、为正时C、为负时D、很小时5、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为（）A、直流分量大B、交流分量大C、直流分量和交流分量相等D、以上均可6、放大器输出信号的能量来源是（）A、电源B、晶体三极管C、输入信号D、均有作用7、在单管共发射极放大电路中，其输出电压与输入电压（）A、频率相同B、波形相似C、幅度相同D、相位相反8、放大器的交流通路是指（）A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径D、直流信号流通的路径9、某放大器的电压放大倍数为Au=-100，其负号表示（）A、衰减B、表示输出信号与输入信号相位相同C、放大D、表示输出信号与输入信号相位相反10、当放大电路设置合适静态工作点时，如加入交流信号，这时工作点将（）A、沿直流负载线移动B、沿交流负载线移动C、不移动D、沿坐标轴上下移动11、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图中（）A B C12、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）A、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变13、共发射极放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为（）A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真D、频率失真14、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图所示，则引起波形失真的原因是（）A、静态工作天太高B、静态工作点太低C、静态工作点合适、但输入信号太大15、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）A、β值B、穿透电流C、温度D、频率16、在分压式射极偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻的自动调节，会使（）A、U BE降低B、I B降低C、I C降低D、I C升高17、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为（）A、3AuB、Au3C、Au18、阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（）A、第一级输入电阻B、各级输入电阻之和C、各级输入电阻之积D、末级输入电阻19、一个三级放大器，工作时测得A u1=100，A u2= —50，A u3=1，则总的电压放大倍数是（）A、51B、100C、—5000D、120、多级放大器常见的耦合方式有（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合三、判断题：1、放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区电压和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真（）2、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升（）3、放大器具有能量放大作用（）4、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器（）5、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量（）6、放大电路的交流负载线比直流负载线陡（）7、放电电路静态工作点过高时，在U CC和R C不变情况下，可增加基极电阻R B（）8、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压的波动（）9、放大电路的静态工作点一经设定后，不会守外界因素的影响（）10、实际放电电路常采用分压式偏置电路，这是因为它的输入阻抗大（）11、采用阻容耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相影响（）12、采用直接耦合的放大电路，前后级的静态工作点相互牵制（）13、多级放大器总的电压放大倍数等于各级放大倍数之和（）14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定（）15、稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C （）四、综合题：1、画出如图所示电路的直流通路和交流通路2、如图所示，在电路中，U CC=15V，R B=300kΩ，R C=3KΩ,R L=3kΩ，晶体三极管的β=50，求：（1）放大单路的静态工作点（2）放电电路的输入电阻、输出电阻（3）分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数3、单管放大电路与三极管特性曲线如图所示，已知U CC=12V，R B=200kΩ，R C=4kΩ，RL=4kΩ(1) 在输出特性曲线上做出直流负载线，并确定静态工作点（2）当RC由4kΩ增加到6kΩ，工作点将移至何处（3）当RB由200kΩ变为100kΩ时，工作点将移至何处（4）当电源电压由12V变为6V时，工作点将移至何处（5）在输出特性曲线上做出交流负载线3、在图所示电路中，RB1=60kΩ,RB2=20kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，UCC=16V，β=50。
模拟电子技术综合复习(二)
9处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电 位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的 电位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 （ ）。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e 8．用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e
第二章 半导体三极管练习
型管； 。
5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 7. 某三极管的极限参数、、。当工作 电压时，工作电流IC不得超过 mA；当工作电压时， IC不 得超过_____ mA；当工作电流时， UCE不得超过 V 。 8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集 电极 电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；约为 。 11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途 径。 12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 13. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管 工作于 区 。 14. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导 电沟道的称为 型场效应管。 15. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2 U3=-6.2V，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。 16. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的 控制能力。 17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 四、计算分析题 1. 三极管电路如图所示，已知三极管的， UBE（on）=0.7V，rbe=1000Ω， 输入信号,电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工 作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出电路的微变等效电路，求ri和
11.放大电路存在着哪些类非线性失真现象？
12.多级放大电路有哪些耦合方式？各有什么特点？
13.用估算法求下图所示电路的静态工作点，电路中 =9V，RC=3k，RB=300 k，=50。
模电第二章三极管练习题
第二章三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。
4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。
5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。
7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。
9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。
10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
11.在正常工作范围内，场效应管极无电流12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。
14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。
16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。
二、选择题：1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管开作在放大区，要求（??? ）A、发射结正偏，集电结正偏????????B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏?????????D、发射结反偏，集电结反偏3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（）A 可变线性区B 截止区C 饱合区 D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）A．饱和区 B．截止区C．放大区 D．击穿区5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。
三极管练习题
第二章 基本放大单元电路一、填空题1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。
2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。
3、三极管电流放大作用是指三极管的（）电流约是（ ）电流的β倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。
4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB 。
5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（ ）KΩ。
6、FET 管属于（ ）控制器件；BJT 管则可以认为是（ ）控制器件。
7、已知某基本共射放大电路V6V ,V 4R I CEQ 'LCQ ==，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。
8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图所示。
根据图填空回答下列问题：V o-+（1）电源电压V CC=（）；（2）静态集电极电流I CQ=（）；静态管压降V CEQ=（）；（3）集电极负载电阻R C=（），负载电阻R L=（）；（4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（）；（5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（）失真现象；（6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（）。
9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x。
（1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。
（）（2）三极管的输入电阻r be是一个动态电阻，故与静态工作点无关。
（）（3）在基本共射放大电路中，为了获得较高的输入电阻，在R b固定不变的条件下，三极管的β应该尽可能大些。
(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案
答案：×
60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）答案：×
三、解答题
r'
61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，试求：
（1）静态时T1管和T2管的发射极电流。
bb=100Ω，静态时｜UBEQ｜≈0.7V。
a zb 30MHzc 3MHz
52.单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在
量值上有度的附加值。
a180b 90c45
53 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的
a 晶体管的电流放大系数太大b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化答案：c
27.在放大电路中，直流负反馈可以
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点答案：c
28.可以放大电压，但不能放大电流的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：c
a 差b 好c 差不多
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（ ）7. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交
流分析时可视为开路。
三、填空题
1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号
分别_______和
2. 反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。
3. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，会 ，导通电压会
ro,AV。
2. 三极管电路如图所示，已知β=100，UBE=0.7V，试求电路中IC、UCE 的值。
3. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极 管工作在什么状态。
5. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极 管工作在什么状态。
管的C、E两个电极互换使用。
（ ）4. 双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠
背相连构成一个三极管。
（ ）5. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电
流的变化而起到放大作用。
（ ）6. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分
析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
A. B.
C. D.Байду номын сангаас
7. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. B.
C. D.
8. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A. B. C. D.
9. （ ）情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号
10. 场效应管本质上是一个（ ）。
第二章 半导体三极管
一、单选题
1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN管和PNP管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D. 三极管和二极管
2. 放大电路如图所示，已知三极管的，则该电路中三极管的工作状态为 （ ）。
A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定
A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件
C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件
二、判断题
（ ）1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升
高而减小。
（ ）2. 三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎
不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
（ ）3. 三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极
4.
某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得IA=2mA，
IB=0.04mA，IC=2.04mA，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为
型管； 。
5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 7. 某三极管的极限参数、、。当工作 电压时，工作电流IC不得超过 mA；当工作电压时， IC不 得超过_____ mA；当工作电流时， UCE不得超过 V 。 8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集 电极 电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；约为 。 11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途 径。 12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 13. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管 工作于 区 。 14. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导 电沟道的称为 型场效应管。 15. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2 U3=-6.2V，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。 16. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的 控制能力。 17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 四、计算分析题 1. 三极管电路如图所示，已知三极管的， UBE（on）=0.7V，rbe=1000Ω， 输入信号,电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工 作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出电路的微变等效电路，求ri和
3.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 4. 放大电路如图所示，已知硅三极管的，则该电路中三极管的工作状态 为（ ）。
A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定
5. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 6. 某三极管的，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
6. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极 管工作在什么状态。
7.图中三极管均为硅管，试求各电路中的IC、UCE及集电极对地电压 UO。
8.什么是静态工作点？静态工作点对放大电路有什么影响？
9.分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？ 10.试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时， 三极管中的两个PN结所具有的特点。
11.放大电路存在着哪些类非线性失真现象？
12.多级放大电路有哪些耦合方式？各有什么特点？
13.用估算法求下图所示电路的静态工作点，电路中 =9V，RC=3k，RB=300 k，=50。
14.放大电路如下图所示，已知 ， ， ，=50， ，试求放大电路不接负载电阻 时的电压放大倍数，放大电路接有负载电阻 时的电压放大倍数，放大电路的输入电阻 和输出电阻 。