第二章晶体三极管分解
第二章 双极型晶体三极管
第二章 双极型晶体三极管（BJT ）§2.1 知识点归纳一、BJT 原理·双极型晶体管（BJT ）分为NPN 管和PNP 管两类（图2-1，图2-2）。
·当BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。
在放大偏置时，NPN 管满足C B C V V V >>；PNP 管满足C B E V V V <<。
·放大偏置时，作为PN 结的发射结的V A 关系是：/BE T v V E ES i I e =（NPN ），/E B T v VE ES i I e =（PNP ）。
·在BJT 为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流E i 将几乎转化为集电流C i ，而基极电流较小。
·在放大偏置时，定义了CNE i i α=（CN i 是由E i 转化而来的C i 分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：C E CBO i i I α=+(1)C B CBO B CEO i i I i I βββ=++=+其中1αβα=-，CEO I 是集电结反向饱和电流，(1)CEO CBO I I β=+是穿透电流。
·放大偏置时，在一定电流范围内，E i 、C i 、B i 基本是线性关系，而BE v 对三个电流都是指数非线性关系。
·放大偏置时：三电极电流主要受控于BE v ，而反偏CB v 通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。
影响的规律是；集电极反偏增大时，C I ，E I 增大而B I 减小。
·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态。
二、BJT 静态伏安特性曲线·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。
BJT 常用CE 伏安特性曲线，其画法是：输入特性曲线：()CE B BE V i f v =常数（图2-13）输出特性曲线：()B B CE I i f v =常数（图2-14）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。
晶体三极管
晶体三极管晶体三极管简称三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
一、三极管的结构三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，这两个PN结为：发射结和集电结。
两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
根据三个区半导体材料性质的不同，三极管排列方式有PNP型和NPN 型两种，如图所示。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
两种类型管子符号的区别：NPN型管发射极箭头向外，PNP型管发射极箭头向内。
箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向。
NPN型和PNP型两种管子的工作原理是相同的。
为保证三极管具有放大作用，三极管的内部结构具有如下两个特点：（1）三极管的基区做得很薄，约为几到几十微米。
（2）发射区掺入杂质的浓度远大于基区掺杂浓度。
例如，NPN型管发射区（N型区）的电子浓度大于基区（P型区）的空穴浓度。
另外，由于集电区的掺杂浓度不是远大于基区掺杂浓度，集电结的面积比发射结的面积大，所以在使用三极管时，集电极和发射极是不能对调使用的。
NPN型和PNP型两种类型的三极管按照选用半导体材料的不同，有硅管和锗管之分。
目前应用较多的是NPN型硅管。
二、晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
三、晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
《晶体三极管》课件
晶体三极管的分类
有两种主要的晶体三极管 类型：PNP和NPN。
2. 晶体三极管的工作原理
1
简单电路
晶体三极管可以作为放大器、开关和振荡器在各种电路中发挥作用。
2
放大器电路
晶体三极管可以放大信号的幅度，使其更适合其他电路的输入。
3
开关电路
晶体三极管可以控制电流的通断，用于构建开关电路。
3. 晶体三极管的应用
5. 晶体三极管的优缺点
1 优点
小巧、高频响应、低功耗、可靠性高、成 本低。
2 缺点
温度敏感、容易受到噪声干扰、容易烧毁。
6. 结论
总结
晶体三极管是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电路和电子设备中。
展望
随着科技的发展，晶体三极管不断改进，将在更广泛的领域发挥作用。
《晶体三极管》PPT课件
晶体三极管是电子学中重要的元器件之一，本课件将介绍晶体三极管的结构、 工作原理、应用、特性以及优缺点，帮助您全面了解晶体三极管。
1. 介绍晶体三极管
ห้องสมุดไป่ตู้
什么是晶体三极管？
晶体三极管是一种半导体 器件，可用作放大，开关 和振荡器。
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个不同掺 杂的半导体区域构成：发 射区，基区和集电区。
放大器
晶体三极管可用于构建各类放 大器，如音频放大器、射频放 大器等。
开关
晶体三极管可以用于构建数字 电路和模拟电路中的开关。
振荡器
晶体三极管可以作为振荡器的 关键元件，产生无线电频率信 号。
4. 晶体三极管的特性
基本参数
• 电流放大倍数 • 最大可承受电压 • 最大可承受功率
变化规律
• 输入特性曲线 • 输出特性曲线 • 电流-电压关系
第二章 晶体三极管和场效应晶体管
第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题（1）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）（2）无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）（3）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。
（）（4）晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。
（）（5）晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（）（6）对于NPN三极管，当V BE>0，V BE>V CE，则该管的工作状态是饱和状态。
（）（7）已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30微安。
（）（8）某晶体三极管的射极电流I B=10微安时，I C=0.44mA；当I B=20微安时，I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。
（）（9）可以用两个二极管连接成一个三极管。
（）（10）晶体三极管具有电压放大作用。
（）二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。
三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是，NPN管电位最高的一极是。
此时，三极管发射结为偏置，集电结为偏置。
晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。
2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为，该管属于管（PNP NPN）。
0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管，基极电流从20μA增大到40μA，集电极电流从1mA变为2mA，则该三极管的电流放大倍数为。
4、当晶体三极管工作在饱和状态时，其特点是集电结处于偏置，发射结处于偏置。
当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
第二章半导体三极管与分立元件放大电路
IC IB
IE(1)IB
三、三极管的电流放大作用
（1）三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控 制了集电极电流IC较大的变化。
（2）三极管放大电流时，被放大的IC是由电源VCC提供 的，并不是三极管自身生成的，放大的实质是小信号对大信 号的控制作用。
（3）三极管是一种电流控制器件。
UB
Rb 2V CC Rb1 Rb2
若电路满足I1≥（5~10）IB，UB≥（5~10）UBE由上式可知， UB由Rb1、Rb2分压而定，与温度变化基本无关。
如果温度升高使IC增大，则IE增大，发射极电位UE=IERe升 高，结果使UBE=UB－UE减小，IB相应减小，从而限制了IC的增 大，使IC基本保持不变。上述稳定工作点的过程可表示为
这个值时，放大性能下降或损坏管子。
（2）反向击穿电压（Reverse breakdown voltage） U(BR)CBO ： 发射极开路时，集电极－基极之间允许施加的最高 反向电压，超过此值，集电结发生反向击穿。 U(BR)EBO ： 集电极开路时，发射极－基极之间允许施加的最高反 向电压。 U(BR)CEO：基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反 向电压。为可靠工作，使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特 性曲线中，iB＝0的曲线开始急剧上翘所对应的电压即为U(BR)CEO ， 其值比U(BR)CBO小。T↑，U(BR)↓。
图（b）的电路，由于C1的隔断直流作用，VCC不能通过Rb 使管子的发射结正偏即发射结零偏，因此三极管不工作在放大 区，无放大作用。
2.2.4 共射基本电路的静态工作点
一般，三极管的UBE可视为已知量，硅管│UBE│取0.7V， 锗管│UBE│取0.2V，VCC>>UBE。
第二章_双极型晶体三极管(BJT)
传输到集电极的电流 发射区注入的电流
ICn
Rb
IE
IC ICBO IC
EB
IE
IE
一般要求 ICn 在 IE 中占的比例尽量大
ICBO IB
b IBn
c
IC
ICn
IEn e IE 一般可达 0.95 ~ 0.99
Rc EC
13
（2） i与C 的i关B 系
输入
b
+
cUCE 输出
e
V 回路UCE
回路
V
UBE
电流，UCE是输出电压；
VCC
25
1、共射输入特性曲线
I B f (U BE ) UCE 常数
(1) UCE = 0 时的输入特性曲线
Rb IB b c
VBB
+e
UBE _
IB/A
UCE 0
类似为PN结正偏时的伏安特性曲线。
O
U BE / V
IE = IC + IB IC IE ICBO
IB＝IBn－ICBO
当IE=0时，IC=ICBO
IC ( IC IB ) ICBO
1
IC 1 IB 1 ICBO
IC IB (1 )ICBO
= IB ICEO
穿透电流。
其中：
1
共射直流电流放大 系数。
14
IC IB ICEO
• 直流参数
– 直流电流放大系数 和
– 极间反向电流 和ICBO ICEO
• 交流参数
– 交流电流放大系数 和
– 频率参数 和 f
fT
• 极限参数
集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压
第二章 三极管及放大电路基础
第二章三极管及放大电路基础教学重点1．了解三极管的外形特征、伏安特性和主要参数。
2．在实践中能正确使用三极管。
3．理解放大的概念、放大电路主要性能指标、放大电路的基本构成和基本分析方法。
4．掌握共发射极放大电路的组成、工作原理，并能估算电路的静态工作点、放大倍数、输入和输出电阻等性能指标。
5．能搭建分压式放大电路，并调整静态工作点。
教学难点1．三极管的工作原理。
2．放大、动态和静态以及等效电路等概念的建立。
3．电路能否放大的判断。
学时分配2.1三极管2.1.1三极管的结构与符号 通过实物认识常见的三极管三极管有三个电极，分别从三极管内部引出，其结构示意如图所示。
按两个PN 结组合方式的不同，三极管可分为PNP 型、NPN 型两类，其结构示意、电路符号和文字符号如图所示。
PNP 型 NPN 型有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，由此可以判断管子是PNP 型还是NPN 型。
基区 发射区e基极 ceVTe基极 cecVT《电子技术基础与技能》配套多媒体CAI 课件 电子教案三极管都可以用锗或硅两种材料制作，所以三极管又可分为锗三极管和硅三极管。
2.1.2三极管中的电流分配和放大作用动画：三极管电流放大作用的示意做一做：三极管中电流的分配和放大作用观察分析实验参考数据：1）三极管各极电流分配关系：I E = I B + I C ，I E ≈ I C ≫I B2）基极电流和集电极电流之比基本为常量，该常量称为共发射极直流放大系数β，定义为：BCI I =β 3）基极电流有微小的变化量Δi B ，集电极电流就会产生较大的变化量Δi C ，且电流变化量之比也基本为常量，该常量称为共发射交流放大系数β，定义为：BCΔi i ∆=β1．三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制较大的集电极电流信号，实现“以小控大”的作用。
2．三极管电流放大作用的实现需要外部提供直流偏置，即必须保证三极管发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。
电子技术课件第二章三极管及基本放大电路
2．三极管的主要参数
（1）直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主 要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响 （2）电源电压波动 （3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
第二章-晶体管
（1）共基直流放大系数 IC
IE
（2）共基交流放大系数
IC
I E
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
二、极间反向电流
1 ICBO
发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集 电极反向饱和电流。
2 ICEO
基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集 电极穿透电流。
T
( 0.5 ~ 1) / C
2.3.2 晶体管的主要参数 一、电流放大系数
1.共射电流放大系数
（1） 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。
（2） 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
2. 共基电流放大系数
a. 受控特性：iC 受iB的控制
uCE＝uBE 4
放
IB＝40μ A
iC iB
饱 和3
30μ A
区
大 20μ A
iC iB
2
区
10μ A
1
b. 恒流特性:当 iB 恒定时，
0
uCE 变化对 iC 的影响很小
0μ A iB＝－ICBO
5
10
15
uCE/V
截止区
即iC主要由iB决定，与输出环路的外电路无关。
iC主要由uCE决定 uCE ↑→ iC ↑
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
=20μA
25℃
uCE /V
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动 到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，
此后uCE再增加，电流也没有明显得增加，特 性曲线几乎平行于与uCE轴
晶体三极管
晶体三极管晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
一、三极管的电流放大原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图1、晶体三极管（NPN）的结构①图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
②当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
③在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
④由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管及放大电路解析
6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC PCM =IC UCE
硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC
ICM
ICUCE=PCM
安全工作区 O
ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数
C IC
ICBO
N
ICE IB
P
EC
B
ICEICICBO IC
RB
IBE
N
IBE IBICBO IB
EB
E IE
IC IB ( 1)IC BO IB ICEO
若IB =0, 则 IC ICE0
集－射极穿透电流, 温度ICEO
忽 IC略 E ， O IC 有 IB (常用公式)
（3）通频带 衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。
由于电容、电感及放大管PN结的电容效应，使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降， 并产生相移。
下限频率
fbwfHfL
（4）最大不失真输出电压Uom：交流有效值。 （5）最大输出功率Pom和效率η：功率放大电路的主要指标参数
上限频率
二、基本共射极放大电路 1、基本放大电路组成及各元件作用
问题：
将两个电源合二为
1. 两种电源
一
2. 信号源与放大电路不“共地”
共地，且要使信号驮载在静 态之上
－＋ UBEQ
有交流损失
有直流分量
静态时(ui=0)，
UBEQURb1
动态时，VCC和uI同时作用于晶体管的输入回 路。
（2）阻容耦合放大电路
晶体管(三极管)内部结构、管脚识别及电流放大原理图文说明
晶体管(三极管)内部结构、管脚识别及电流放大原理图文说明晶体管实物如图2.2 所示。
图2.2晶体管实物1.晶体管的结构与电路符号半导体晶体管由于在工作时半导体中的电子和空穴两种载流子都起作用，所以属于双极型器件，也称双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)。
晶体管的种类很多，按照半导体材料的不同，可分为硅管、锗管；按功率分为小功率管、中功率管和大功率管；按照频率分为高频管和低频管；按照制造工艺分为合金管和平面管等。
通常按照结构的不同分为两种类型：NPN型管和PNP 型管。
图2.3给出了NPN和PNP 管的结构示意图及其图形和文字符号，符号中的箭头方向是晶体管的实际电流方向。
文字符号有时也采用大写。
图2.3晶体管的结构示意与图形和文字符号2.晶体管的判别要准确地了解一只晶体管的类型、性能与参数，可用专门的测量仪器进行测试，但一般粗略判别晶体管的类型和引脚，可直接通过晶体管的型号简单判断，也可利用万用表测量的方法判断。
下面具体介绍其型号的意义及利用万用表简单测量的方法。
⑴晶体管型号的意义晶体管的型号一般由五大部分组成，如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。
下面以3DG110B 为例来说明各部分的命名含义。
3D G110B电极数材料与类型功能序号规格号①第一部分由数字组成，表示电极数。
“3”代表晶体管。
②第二部分由字母组成，表示晶体管的材料与类型。
A表示PNP型锗管，B表示NPN 型锗管，C表示PNP型硅管，D表示NPN型硅管。
③第三部分由字母组成，表示晶体管的类型，即表明管子的功能。
④第四部分由数字组成，表示晶体管的序号。
⑤第五部分由字母组成，表示晶体管的规格号。
⑵判别晶体管的引脚、管型及好坏晶体管的引脚必须正确辨认，否则，不但接入电路不能正常工作，还可能烧坏晶体管。
当晶体管上标记不清楚时，可以用万用表来初步确定晶体管的类型(NPN型还是PNP 型)，并辨别出e、b、c三个电极。
晶体三极管的结构及工作原理
晶体三极管的结构及工作原理晶体三极管，这个名字听起来就像个科技巨头，别小看它，里面可是藏着不少的“绝活”。
想象一下，咱们平常用的电器、手机、甚至是电脑，里面的“心脏”之一就是它。
这玩意儿可不是凭空而来的，它的结构和工作原理都是经过深思熟虑的。
咱得聊聊它的结构。
三极管的名字里就有个“三”，对吧？没错，三极管有三个部分，分别是发射极、基极和集电极。
发射极，听起来像个明星，没错，它就是电流的发源地。
基极嘛，咱可以把它想象成一个调音台，负责控制流量。
集电极呢，就是最终接收电流的地方，咱可以把它看作是个接待员，把流过来的电流好好接住。
它们之间的关系就像是一个乐队，每个部分都得齐心协力，才能演奏出美妙的乐章。
说到这里，咱得来点细节。
晶体三极管一般是用硅或者锗做的，听起来高大上，其实就是常见的材料。
这些材料的特点就是能导电，但也能根据外部条件调节导电性。
就是这个调节的过程，让它在电路中能起到放大和开关的作用。
电流经过发射极进入基极，就像一颗小石子投进了水中，水面上会荡起涟漪，基极在这里起到了放大的作用。
涟漪再经过集电极，形成更强的电流输出。
咱们再来聊聊工作原理，真心说，晶体三极管的原理其实不复杂，关键是理解它如何“听话”。
想象一下，你在家里按开关，电流就像听话的孩子，马上就会动起来。
实际上，基极的电压就是控制电流的开关。
当基极的电压增加时，发射极到集电极之间的电流也随之增加，像打开了水龙头，水流量变大。
相反，如果基极的电压降低，电流就会减少，简直就像是关了水龙头，瞬间变得安静。
有趣的是，晶体三极管还能用来放大信号。
这就像是在一个大舞台上，发射极就像是一位小歌手，声音小得可怜。
可当它经过基极的放大，就成了大歌星，瞬间嗓音嘹亮。
你把一个小信号送进去，经过它的“调音”，最后出来的信号可就大得多了，真是太神奇了。
再说说它的应用。
晶体三极管在咱们生活中可谓无处不在。
你看，手机里有它，电视里也有，甚至冰箱里都能找到它的身影。
第二章半导体三极管及放大电路
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
现以iB=60uA一条加以说明。
（1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。
（2） uCE ↑ → Ic ↑ 。
i C(mA)
IB =100uA IB =80uA
（3） 当uCE ＞1V后， 收集电子的能力足够强。 这时，发射到基区的电 子都被集电极收集，形 成iC。所以uCE再增加， iC基本保持不变。 同理，可作出iB=其他值的曲线。
3dB带宽 fL 下限截 止频率 上限截 fH 止频率 f
通频带： fbw=fH–fL
2.4 单管共射放大电路的工作原理
一．三极管的放大原理
三极管工作在放大区： 发射结正偏， 集电结反偏。
IC +△IC I B +△IB T
+ +
+△UCE UCE
+
放大原理：
Rb VBB
ui →△UBE→△IB
UBE+△ UBE -
IC IB
i ＝ C i B
△ iC
2.3 1.5
△ iB
IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
I C 2.3mA 38 I B 60A
iC (2.3 1.5)mA ＝ 40 iB (60- 40)A
（2）共基极电流放大系数：
放大区——
放大区
IB =100uA IB =80uA IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有：
IC＝IB
截止区
四. BJT的主要参数
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珙县职业高级中学教案）电子技术基础》授课教师：电子专业部1.掌握三极管的结构、分类和符号。
2.理解三电流放大作用极管的。
3 •掌握三极管的基本连接方式。
6•了解片状三极管。
7•了解场效晶体管结构特点和类型。
8. 理解场效晶体管电压放大原理。
1提高学生学习电子技术的兴趣。
2.培养学生积极参与，主动请教的态度。
3•创设各种合作学习的活动，促使学生互相学 习、互相帮助、发展合作精神。
和积极性。
5.尊重每个学生，关注性格内向或学习有困难的 学生，尽可能多地给他们实践的机会。
1.三极管的电流放大作用。
2.三极管的基本连接方式。
1.三电流放大作用极管的。
2.三极管的特性曲线和主要参数。
3.场效晶体管电压放大原理。
第一步：每次上课果，检查出勤、教具、学具、多媒体设施等,第二步：每次上课时，通过设问、复习、情景创设等方法营造晶体三极管4•掌握三极管的特性曲线和主要参数。
知识目标5•掌握三极管的测试方法。
教学目标技能目标1学会三极管的基本连接方式。
2.学会三极管的测试方法。
情感目标4.鼓励学生在学习中的尝试，保护他们的自尊心教材重、难点3.三极管的测试方法。
教学组织与过程营造企业化管理的学习情景。
已具备知识晶体二极管1多媒体、三极管、万用表、彩色粉笔。
教学方法与实施过程环节教师活动学生活动备注任务准备1.检查出勤、教具、学具、多媒体2.总结上节课完成情况，提出改进措施进行工作准备；渐入工作角色。
组织课堂，营造企业化管理的学习情景；任务引入与任务引出通过设冋、启发，复习上次课内容或视具体情况结合生产生活实际引入新课，并提出本节课的目标与希望，为本节课作准备：1.思考回答问题2.学生接受任务创设教学情境学习氛围。
第三步：提出学习任务，让学生明确学习目的，明白应知、应会要求。
第四步：让学生自己根据学习任务，制定学习方法与步骤。
第五步：组织学生交流、讨论、各抒己见、取长补短，确定学习方法与步骤。
第六步：组织学生进行理论学习与操作。
第七步：学生自评、互评。
第八步：学生互动相互交流，指出不足。
第九步：教师总结。
教学教法任务驱动法方法学法自学、讨论、交流、总结教学媒体及辅件2.音乐门铃套件（实习用）。
1.三极管有哪两个结?2.三极管有哪三个极?3.三极管怎样分类?4.三极管各电极的电流之间有何关系？5.三极管放大作用的实质是什么?6.三极管截止区、放大区、饱和区的工作电压是多少?7.三极管开关作用的实质是什么?8.三极管有哪些极限参数？各自的含义是什么?9.怎样判断三极管各电极?10.怎样判断三极管的好坏?11.三极管的各电极排列有何规律?12.三极管电流放大作用的实质是什么？13.三极管各电极电压与工作状态之间有什么关系?14.基本放大电路中各元件的作用是什么?15.放大电路的直流与交流符号各是什么?16.各类放大电路的特点各是什么?17.设置静态工作点的目的是什么?18.电路放大原理是什么?19.放大电路的放大倍数的计算方法是什么?20.放大电路的输入与输出电阻的计算方法是什么?21.静态工作点的估算方法是什么?22.怎样计算放大电路的输入与输出电阻?23.怎样计算电路的电压放大倍数?24.怎样测量与调整静态工作点？静态工作点不稳定的原因是什么?25.稳定静态工作点的原理什么?26.单级放大器的放大能力如何？多级放大电路的耦合方式有哪些？各有什么特点?27.阻容耦合式放大电路的电压放大倍数怎样计算?任务研究教师带领学生分析本节课任务、目标，讨论学习方法学生讨论本节课的学习方法各抒己见、明确分工方案交流组织学生介绍各自的学习方法与完成任务方法任务实施引导、巡视、帮助、启发、协调; 各学生说明自己完成任务的使各组可以取任务交流组织学生讨论、展示、交流、总结任务评价组织学生对本节课的完成过程进行评价方法长补短1.各自完成自己的任务;2.学生交流,汇聚成果学生就自己的学习心得或成果向全班同学呈现解说分别对自己、对他人进行评做中学，做中教，教师巡视指导协调展示成果，学生互动自评、互评、师评，肯定成绩，指出不足取长补短，共PN结和两种结构形式（NPN和PNP）的半导体器件。
2.三极管内电流分配关系为:3 •三极管实现放大作用的条件是: 三极管的发射结要加正向电压，集电结要加反向电压。
4•三极管有三种基本连接方式：共发射极电路、共基极电路和共集电极极管的伏安特性曲线相似。
7.三极管的输出特性曲线，分为饱和区、放大区和截止区。
8.场效晶体管分为结型场效晶体管和绝缘栅型场效晶体管。
9.场效晶体管具有电压放大作用。
10.场效晶体管与三极管比较，具有温度稳定性好，输入电阻高，易于集成化等优点二、教学内容同进步1 .三极管是一种有三个电极、两个课业总结电路。
5.三极管的特性曲线表示管子各极电流与各极间的电压的关系。
包括输入和输出特性曲线。
6.三极管的输入特性曲线与普通二学生根据自己学习与完成任务的过程对所用到知识进行整理完成自评，写出总结第二章晶体三极管新课A .引入在半导体器件中，有一种广泛应用于各种电子电路的重要器件，那就是半导体三极管，通常也称为晶体管。
B.新授课2.1半导体三极管2.2.1半导体三极管的基本结构与分类1结构及符号PNP型及NPN型三极管的内部结构及符号如图所示。
集电极P卷电熙基区尹占yji»~jF•聶F 发射区N基討晨N发射区发射结" BE如射极' DO-发射极三区：发射区、基区、集电区。
三极：发射极E、基极B、集电极C。
两结：发射结、集电结。
实际上发射极箭头方向就是发射结正向电流方向。
2.分类:按半导体基片材料不同：NPN型和PNP型。
按功率分：小功率管和大功率管。
按工作频率分：低频管和高频管。
(4) 按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。
(5) 按结构工艺分：合金管和平面管。
(6) 按用途分：放大管和开关管。
3 •外形及封装形式三极管常采用金属、玻璃或塑料封装。
常用的外形及封装形式如图所示。
JAGI 3AXIL 3IX1I2 SAG43 SAXSI 3AXfi 3CG23 300LSA aobtfff V MX)前】R闘JDC16E JcA3 ADII222三极管的电流放大作用 1三极管各电极上的电流分配 (1)实验电路JcNPNT BB(2)实验数据I B / mA0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 I C / mA0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 I E / mA0.010.571.161.772.372.96表1-1三极管三个电极上的电流分配(3)结论：I E =I B +I C三极管的电流分配规律：发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。
A ：4NPN 管I 42.三极管的电流放大作用由上述实验可得结论:基极电流I B的微小变化控制了集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大原理。
注意:(1)三极管的电流放大作用, 实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。
(2)要使三极管起放大作用, 必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
2.2.3三极管的基本连接方式利用三极管的电流放大作用，可以用来构成放大器，其方框图如图所示。
放大器lb输入端-O-B三极管在构成放大器时，有三种基本连接方式:1.共发射极电路(CE):把三极管的发射极作为公共端子。
2.共基极电路( CB):把三极管的基极作为公共端子。
Ao%BO3.共集电极电路(CC):把三极管的集电极作为公共端子。
Afr1 *卡A .新授课 2.2.4三极管的特性曲线 1输入特性曲线输入特性：在V CE 一定条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压 V BE和它产生的基极电流I B 之间的关系。
(1)实验电路改变R p2可改变V cE ，V cE 一定后，改变R pi 可得到不同的I B 和V BE 。
(2)输入特性曲线三极管的输入特性曲线与二极管的十分相似，当 V BE 大于导通电压时,pfl — y盟三极管才出现明显的基极电流。
导通电压：硅管0.7 V，锗管0.2 V。
2.输出特性曲线输出特性：在I B一定条件下，集电极与发射极之间的电压V cE与集电极电流I c之间的关系。
(1)实验电路3DG12, ------- L10 tn VE©卩旦卫_ Fee先调节R pi，使I B为一定值，再调节R P2得到不同的V cE和I c值。
(2)输出特性曲线定。
a.b.C.a.b.截止区：I B= 0以下的区域。
发射结和集电结均反向偏置，三极管截止。
IB =0，I C工0，即为I CEO，穿透电流。
三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止。
放大区：指输出特性曲线之间间距接近相等，且互相平行的区域。
I c与I B成正比增长关系，具有电流放大作用。
恒流特性：V cE大于1 V左右以后，I B一定，I c不随V cE变化，I c恒C.发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态。
d.电流放大倍数饱和区：指输出特性曲线靠近左边陡直且互相重合的曲线与纵轴之间的区域。
a. I c不随I B的增大而变化，这就是所谓的饱和。
b. 饱和时的V cE值为饱和压降V cES, V cES :硅管为0.3 V，锗管为0.1 V。
C.发射结、集电结都正偏，三极管处于饱和状态。
总结:截止区：发射结和集电结均反偏。
放大区：发射结正偏，集电结反偏。
饱和区：发射结和集电结均正偏。
3.三极管的主要参数(1)共射极电流放大系数用P表示，选用管子时，P值应恰当，一般说来，P值太大的管子工作稳定性差。
(2)极间反向饱和电流①集电极-基极反向饱和电流I cBO 0②集电极-发射极反向饱和电流I CEO 。
两者关系:(3)极限参数① 集电极最大允许电流I cM当Ic过大时，电流放大系数P将下降。
在技术上规定，P下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最大允许电流。
②反向击穿电压当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压集电极所消耗三极管最大损V（B R）CEO。
当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反向电压V（B R）CBO。
当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最向反向电压V（B R）EBO。
③集电极最大允许耗散功率P C M在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时, 的最大功率称集电极最大允许耗散功率。
三极管应工作在三极管最大损耗曲线图中的安全工作区。
耗曲线如图所示。
20102.2.5三极管的简易测试1用万用表判别三极管的管型和管脚(1)万用表置于“ R< 1 k”挡或“ R% 100”挡。
(2)方法:①黑表笔和三极管任一管脚相连，红表笔分别和另外两个管脚相连测其阻值，若阻值一大一小，则将黑表笔所接的管脚调换重新测量，直至两个阻值接近。