集成电路分析与设计课程实验(一)
实验1：组合逻辑电路的测试与分析
ຫໍສະໝຸດ Baidu
2014年12月
广东石油化工学院
6
逻辑电平开关
• 由10组逻辑电平开关组成（S0-S9），逻辑开关用于输出逻 辑电平“1”和“0”。接电平指示，并左右拨动开关（H为 高电平+5V，L为低电平0V），则红绿灯相应亮灯。用一组 （4位）逻辑开关分别接数码显示的译码输入ABCD （8421BCD），拨动开关组合，输入0000～1001，则数码 显示为0～9。
• 然后选择实验用的集成电路，按自己设计的实验接线 图接好连线，特别注意 VCC及地线不能接错。实验中 改动接线须先断开电源，接好线后再通电实验。
2014年12月
广东石油化工学院
9
2014年12月
广东石油化工学院
10
测试门电路逻辑功能
1. 2. 3. 4. 选用双四输入与非门 74LS20一只，插入插座 按图1．1接线、输入端接S1～S4（电平开关输出插口）输出 端接电平显示发光二级管（D1～D8任意一个） 将电平开关按表1．1置位，分别测输出电压及逻辑状态 输入 1 2 3 4 Y 输出 电压（V）
2014年12月
广东石油化工学院
电子科技大学集成电路实验报告――模拟集成电路
电子科技大学集成电路实验报告――模拟集成电路
CMOS模拟集成电路设计及HSPICE使用
实验学时：4学时
实验一CMOS工艺参数测量一、实验目的：
学习和掌握EDA仿真软件Hspice；了解CMOS工艺技术及元器件模型，掌握MOSFET工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得CMOS中NMOS和PMOS的工艺参数kp,kn, p, n,Vtp,Vtn，为后续实验作准备。
二、实验内容：
1）通过Hspice仿真，观察NMOS和PMOS管子的I-V特性曲线；
2）对于给定长宽的MOSFET，通过Hspice仿真，测得几组栅-源电压、漏-源电压和漏-源电流数据，代入公式IDSn
1W
Kn()n(VGS Vtn)2(1 nVDS)，求得对应的工艺参数2L
kp,kn, p, n,Vtp,Vtn 。
三、实验结果：
本实验中所测试的NMOS管、PMOS管L=1u，W由学号确定。
先确定W。W等于学号的最后一位，若学号最后一位=0，则
W=10u。所以，本实验中所测试的NMOS管、PMOS管的尺寸为：（1）测0.5um下NMOS和PMOS管的I-V特性曲线
所用工艺模型是TSMC 0.50um。
所测得的Vgs=1V时，NMOS管Vds从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：
所测得的Vds=1.2V时，NMOS管Vgs从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：
所测得的Vsg=1V时，PMOS管Vsd从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：
所测
得的Vsd=1.2V时，PMOS管Vsg从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：
数字集成电路设计实验报告
数字集成电路设计实验报告
摘要：
本实验旨在设计一个数字集成电路，实现特定功能。本报告将介绍实验目的、背景和理论知识、设计方法、实验步骤、结果分析和讨论以及实验总结。
1.实验目的：
设计一个数字集成电路，实现特定功能，并通过实验验证设计的正确性和可行性。
2.背景和理论知识：
简要介绍数字集成电路的基本概念和原理，并介绍与本实验相关的理论知识，包括逻辑门、布尔代数、时序电路等。
3.设计方法：
本部分将详细介绍实验中采用的设计方法，包括采用的逻辑门类型、布尔代数的转换方法、时序电路的设计方法等。
4.实验步骤：
本部分将详细描述实验的具体步骤，包括电路图的绘制、器件的选择和布局、逻辑设计的步骤、时序电路的设计方法、电路的仿真等。
5.结果分析和讨论：
本部分将对实验结果进行分析和讨论，比较设计与实际结果的差异，分析可能的原因，并讨论实验的局限性和改进方向。
6.实验总结：
总结实验过程中的收获和经验，评估实验的结果和设计的可行性，并提出对未来工作的展望和建议。
通过对数字集成电路设计实验的详细介绍和分析，本报告旨在提供一份完整的实验报告，帮助读者理解实验过程和结果，并为今后的设计工作提供参考。
集成电路分析与设计实验指导书
集成电路分析与设计实验指导书
电子科学与技术实验中心
2015.2
本课程实验分为数字集成电路设计实验与全定制设计实验两部分。
实验1—4为基于Cadence的数字集成电路设计实验部分，主要内容为通过一个简单数字低通滤波器的设计、综合、仿真，让学生熟悉数字集成电路前段实际设计流程，以培养学生实际设计集成电路的能力。具体为：
实验1Matlab 实现数字低通滤波器算法设计。
实验2Linux 环境下基本操作。
实验 3 RTL Compiler 对数字低通滤波器电路的综合。
实验4NC 对数字低通滤波器电路的仿真。
其中，实验 1 主要目的是为了展示算法分析的方法和重要性。使用Matlab 实现数字滤波器的算法设计和HDL 代码生成。由于Matlab 工具可以在Windows 环境下工作，而其他集成电路EDA 工具均需要在linux 下工作，故建议本实验在课堂演示和讲述，学生课下练习。实验2 的主要目的是学习linux 下的基本操作。包括目录管理、文件管理、文件编辑以及文件压缩等在使用集成电路EDA 工具时所需要的操作。本实验是实验3 和实验4 的基础，建议在实验室完成。实验3 的主要目的是学习综合工具RTL Compiler 的使用。其中包括RTL Compiler 命令行模式启动，设计读入，IP 库引入，设计约束设定，设计综合，综合结果报表及分析，综合结果输出等完整综合过程。通过实验学习利用综合工具对设计（本实验中为数字滤波器）时序、面积、功耗的权衡及优化。实验 4 的主要目的是学习仿真工具NClaunch 的使用。主要完成目标滤波器功能仿真（RTL 级，即仿真HDL 代码）、综合后仿真（门级，即仿真门级网表，由sdf 文件反标电路延迟信息）。通过实验学习数字电路的仿真方法。
集成电路课程设计
集成电路课程设计
1. 目的与任务
本课程设计是《集成电路分析与设计基础》的实践课程，其主要目的是使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基础上，训练综合运用已掌握的知识，利用相关软件，初步熟悉和掌握集成电路芯片系统设计→电路设计及模拟→版图设计→版图验证等正向设计方法。 2. 设计题目与要求
2.1设计题目及其性能指标要求
器件名称：含两个2-4译码器的74HC139芯片 要求电路性能指标：
（1） 可驱动10个LSTTL 电路（相当于15pF 电容负载）； （2） 输出高电平时，|I OH |≤20μA ，V OH ，min =4.4V ； （3） 输出底电平时，|I OL |≤4mA ，V OL ，man =0.4V ； （4） 输出级充放电时间t r =t f ，t pd ＜25ns ；
（5） 工作电源5V ，常温工作，工作频率f work =30MHz ，总功耗P max ＝
150mW 。 2.2设计要求
1. 独立完成设计74HC139芯片的全过程；
2. 设计时使用的工艺及设计规则： MOSIS:mhp_n12；
3. 根据所用的工艺，选取合理的模型库；
4. 选用以lambda(λ)为单位的设计规则；
5. 全手工、层次化设计版图；
6. 达到指导书提出的设计指标要求。 3. 设计方法与计算 3.1 74HC139芯片简介
74HC139是包含两个2线-4线译码器的高速CMOS 数字电路集成芯片，能与TTL 集成电路芯片兼容，它的管脚图如图1所示，其逻辑真值表如表1所示：
【精品】集成电路版图分析与设计实验指导书08(1)
集成电路版图分析与设计
实验指导书
本科
上海建桥学院
机电学院
2015年8月
目录
实验一熟悉Unix操作命令 .................................... 错误!未指定书签。实验二建立设计库及绘图技术 ................................. 错误!未指定书签。实验三Virtuoso设计CMOS反相器版图 ......................... 错误!未指定书签。实验四CMOS门电路版图设计 .................................. 错误!未指定书签。实验五版图DRC/LVS验证..................................... 错误!未指定书签。实验六高级门级电路版图设计 ................................. 错误!未指定书签。实验七CMOS模拟电路版图设计（一） .......................... 错误!未指定书签。实验八CMOS模拟电路版图设计（二） .......................... 错误!未指定书签。
实验一熟悉Unix操作命令
一、实验目的
1、熟悉Unix系统环境；
2、了解目录和文件的操作命令,並要掌握常用的目录操作命令和文件操作命令；
3、学会使用Vi编辑器。
二、实验原理
Unix操作系统是Cadence软件工具安装的平台，使用Cadence工具创建、生成文件需要保存成文件。
（一）文件及目录操作
1、Unix系统以目录树结构组织文件和目录，如图1-1所示。
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告
模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验报告
1. 引言
在现代电子工程领域中，模拟CMOS集成电路设计一直是一个备受关注的研究领域。本文将对模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验进行全面评估，并撰写一份有价值的实验报告。通过这篇文章，我们将
深入探讨模拟CMOS集成电路设计的原理、方法和实践，为读者带来深刻而全面的理解。
2. 实验内容
本次课程实验旨在通过实际操作，让学生深入理解模拟CMOS集成电路设计的基本原理和流程。实验包括了对CMOS集成电路的基本认识、基于SPICE仿真工具的电路模拟设计、以及实际电路的布局与布线等
内容。在实验中，学生需要掌握CMOS集成电路的工作原理、信号传输特性、电路设计的基本流程以及布局与布线的关键技术。
3. 深度评估
通过对实验内容的深度评估，我们可以认识到模拟CMOS集成电路设计的复杂性和重要性。学生需要理解CMOS技术在集成电路设计中的核心地位，以及其在实际电路中的应用。SPICE仿真工具在电路设计中的作用和优势也是本次实验的重要内容。电路的布局与布线对于电路性能的影响不可忽视，学生需要深入理解布局布线的原理和方法。
4. 文章撰写
在文章的撰写过程中，我们将按照知识的文章格式进行，使用序号标注，并在内容中多次提及模拟CMOS集成电路设计这一主题。在文章的开头，我们将对模拟CMOS集成电路设计的重要性和实验的背景进行介绍，为读者带来对主题的直观了解。我们将从CMOS集成电路的基本原理和工作特性入手，逐步展开对实验内容的深入解析。在文章的结尾，我们将总结实验的收获和体会，共享对模拟CMOS集成电路设计的个人观点和理解。
集成电路分析与设计实验
集成电路分析与设计
实验报告
班号：_________
学号：_____
姓名：___
成绩：___________________
完成日期：年月
目录
实验2：Linux环境下基本操作 (1)
实验3：RTLCompiler对数字低通滤波器电路的综合 (3)
实验4: NC对数字低通滤波器电路的仿 (6)
实验2：Linux环境下基本操作
集成电路设计发展过程中，EDA工具对设计效率的提高起到了巨大推动作用，继而成为现代集成电路设计中不可或缺的一环。用于集成电路设计的EDA工具多数基于UNIX、Solaris、linux平台。为了帮助同学学习和使用基于此类平台的集成电路EDA 工具，本实验介绍了linux下的基本操作、命令等。
本实验是实验3和实验4的必要组成部分。实验中主要对命令行模式下的linux基本操作作了介绍。命令行模式简单易行，是理解基于脚本的高效率使用EDA工具的方法的基础。
一、目的：
1. 熟悉linux文件、目录管理命令；
2. 熟悉linux文件链接命令；
3. 熟悉linux下文件编辑命令。
二、实验设备与软件
集成电路设计终端
Linux RedHat 9
三、实验内容和步骤
1. 系统登陆
启动计算机，选择启动linux
输入用户名：cdsuser，输入密码：cdsuser
至此，完成系统启动，并作为用户cdsuser登录
一下简述各种操作。
2. 创建终端和工作文件夹
在桌面区域单击右键，选择New Terminal，至此进入命令行模式（可根据需要打开多个）
键入察看当前目录命令：
pwd ↙
说明：此时出现的是当前用户的根文件夹路径。路径指的是一个文件夹或文件在系统中的位置。Linux根路径为“/”;当前路径为“./”; 当前路径的上一级路径为“../”。使用从根路径开始的路径名称成为绝对路径，如“/home/holygun/”。利用“../”，“./”等方式定义的路径名称成为相对路径，如“../holygun/”。
集成电路实验(模拟)(1)
模拟集成电路实验
实验一Hspice的熟悉和使用
一、实验目的
通过本实验，能够对模拟电路仿真工具Hspice的使用方法有比较熟悉的了解。
二、实验预备知识
1、Hspice介绍
Hspice（现在属于Synopsys 公司）是模拟IC设计中最常使用的工业级电路仿真工具，用以对模拟电路的稳态、瞬态及频域的仿真和分析。Hspice 输入网表文件为.sp 文件，模型和库文件为.inc 和.lib，Hspice 输出文件有运行状态文件.st0、输出列表文件.lis、瞬态分析文件.tr#、直流分析文件.sw#、交流分析文件.ac#、测量输出文件.m*#等。其中，所有的分析数据文件均可作为AvanWaves 的输入文件用来显示波形。
2、输入网表文件
输入网表（Netlist）文件主要由以下几部分组成：
3、电路元器件及模型描述
Hspice要求电路元器件名称必须以规定的字母开头，其后可以是任意数字或字母。除了名称之外，还应指定该元器件所接节点编号和元件值。
①、电阻，电容，电感等无源元件描述方式如下：
R1 1 2 10k (表示节点1 与2 间有电阻R1，阻值为10k 欧)
C1 1 2 1pf (表示节点1 与2 间有电容C1，电容值为1pf)
L1 1 2 1mh (表示节点1 与2 间有电感L1，电感值为1mh)
②、二极管描述语句如下：
DX N+ N- MNAME <AREA> <OFF> <IC=VD>
D为元件名称，N+和N-分别为二极管的正负节点，MNAME是模型名，后面为可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，IC=VD 是瞬态分析的初始条件。
苏州科技学院-集成电路设计实验
实验一芯片基本结构测试
实验目的：1、了解芯片的基本结构
2、掌握微分析设备显微镜的使用
3、掌握集成电路反向设计中的图片提取
实验内容：观察芯片的表面结构。
实验要求：（1）装好的芯片，并用在显微镜下观察记录芯片形貌。
（2）拼合拍摄下来的芯片表面图，还原原始芯片整体图。
实验原理：参照显微镜结构，利用CCD数字图像系统显示微观图形。
实验仪器：VM3000显微镜、
IBM服务器计算机、
晶圆样品、
镊子等常用工具
实验步骤：（1）连接好显微镜系统。
（2）打开电源启动计算机、显示仪和显微仪。
（3）放置好晶圆样品。
（4）显微镜粗调焦距。
（5）显微镜细调焦距。
（6）控制显微镜载物台，进行扫描观察芯片表面结构，并用计算机保存各块图像
（7）打印所有图片并拼合。
实验报告：
( 1 )实验目的；
（2）实验内容；
（3）所用仪器设备；
（4）实验步骤；
（5）图片拼合总体图；
（6）小结。
（每个小组交一份报告）
实验二 CMOS 电路版图设计
实验目的：1、学习CMOS 电路的版图设计方法和设计流程。
2、学习版图设计软件L-edit 使用。
3、理解CMOS 电路中MOS 器件的纵向结构和工艺流程。
4、掌握P 阱CMOS 工艺下的设计规则。
5、设计CMOS 电路中异或门的逻辑结构和版图。
实验内容：1、设计CMOS 电路中异或门的电路能够实现同或逻辑功能，
2、设计的版图满足P 阱CMOS 电路的λ版图设计规则。
实验原理：1、异或门逻辑功能：Y=A ⊕B
2、P 阱CMOS 工艺下CMOS 电路版图结构(反相器为例)
A B Y 00 0 1 1 0 1
集成电路设计实践1_187401985
本科电子线路课程 基本电路理论
集成电路课程设计 版图, 设计工具
高等模拟电路 集成电路设计
集成电路设计实践 全流程的设计训练
课程简介
课堂讲授：
设计实践：
设计流程介绍
实验课
第2~9周
版图设计基础 约24学时
电路模块设计
OPA LDO ADC 频综
项目选题
第4~5周
设计
第6~18周
流水加工
测试总结
秋季学期
• Corner参数变化
– 设计规则
要提高设计质量，必 须要熟悉所用的工艺
– 寄生效应
有关CSMC 0.5um工艺，请一定阅读 st02_reference_manual.pdf，已上传到网络学堂
基本概念 设计理论 设计方法
设计维度高，灵 活性大
设计、加工周 期长、投入大
调试灵活，代价低
绝对避免低级错误
适合小批量
适合大批量
集成电路设计内容
电源管理(PMU)：Bandgap, LDO, Charge-Pump, DC-DC, AC/DC 时钟：Oscillator, PLL, DDS 放大：Opamp, LNA, PGA, Instrument Amp, PA 频率选择：Filter 频率变换：Mixer 数模转换：ADC, DAC 接口： ESD, Impedance matching, LVDS, Serdes, SPI, I2C… 控制/运算/存储：State-Machines, MCU, DSP, Memory 系统：SOC集成技术
数字集成电路设计实验报告
哈尔滨理工大学数字集成电路设计实验报告
学院：应用科学学院
专业班级：电科12 - 1班
学号：32
**：**
****：**
2015年5月20日
实验一、反相器版图设计
1.实验目的
1）、熟悉mos晶体管版图结构及绘制步骤；
2）、熟悉反相器版图结构及版图仿真；
2. 实验内容
1）绘制PMOS布局图；
2）绘制NMOS布局图；
3）绘制反相器布局图并仿真；
3. 实验步骤
1、绘制PMOS布局图：
(1) 绘制N Well图层；(2) 绘制Active图层； (3) 绘制P Select图层；
(4) 绘制Poly图层； (5) 绘制Active Contact图层；(6) 绘制Metal1图层；
(7) 设计规则检查；(8) 检查错误； (9) 修改错误； (10)截面观察；
2、绘制NMOS布局图：
(1) 新增NMOS组件；(2) 编辑NMOS组件；(3) 设计导览；
3、绘制反相器布局图：
(1) 取代设定；(2) 编辑组件；(3) 坐标设定；(4) 复制组件；(5) 引用nmos组件；(6) 引用pmos组件；(7) 设计规则检查；(8) 新增PMOS基板节点组件；(9) 编辑PMOS基板节点组件；(10) 新增NMOS基板接触点； (11) 编辑NMOS基板节点组件；(12) 引用Basecontactp组件；(13) 引用Basecontactn 组件；(14) 连接闸极Poly；(15) 连接汲极；(16) 绘制电源线；(17) 标出Vdd 与GND节点；(18) 连接电源与接触点；(19) 加入输入端口；(20) 加入输出端口；(21) 更改组件名称；(22) 将布局图转化成T-Spice文件；(23) T-Spice 模拟；
集成电路设计实验报告
集成电路设计实验报告
20.检查没有错误，表示所画版图正确。
21. 如果不能通过DRC，则点击此叉图来查找问题，并改正。
五、实验中遇到的问题和解决办法
按照实验内容画好没有错误，如下：
六、实验体会：
1.通过本次实验，初步了解了集成电路版图设计L-EDIT软件工具栏的菜单功能及使用方法，还有一些操作指令和快捷命令。
2.掌握了L-EDIT的设计方法，知道了NMOS管的版图设计，熟悉了NMOS的工艺过程及设计法则，加深了对课程知识的感性认识。
实验一 简单电阻负载共源放大器设计
模拟集成电路分析与设计实验报告
姓名林丽珠学号:_2011850036_班级：_电科1112_
指导教师：唐凯、陈建容_ 实验日期:_2013.3.24
实验一简单电阻负载共源放大器设计
一、实验原理图
二、理论计算
1. 电源电压VDD =3.3V，Vthn=0.55V,Vthp=0.75V
2. 电阻作为负载的简单共源放大器参数设定
假设共源放大器的静态电流为10uA，输出静态工作电压0.5VDD，根据欧姆定律电阻阻值为
当输出电压等于0.5VDD 时，此时的输入电压就是该电路的静态偏压。在此，我们先将NMOS的尺寸设置为10u/2u。
3.确定输出电压和静态电流后，考察NMOS 电流方程：
电阻负载的小信号增益计算：
Av=gm(ro//Rd)=gm(gds//Rd)
三、仿真过程
1、绘制电阻作为负载的简单共源放大器
2、DC分析
电阻作为共源放大器党输入变化时，输出曲线如下：
输入电压为667.5V时，输出电压为1.646V。
3、交流小信号分析
结果如下图：
低频小信号增益约为18.2869倍。
4、交流小信号放大倍数验证
瞬态分析结果如下：
将2mV的峰峰值信号放大为35.21mV的峰峰值，增益为18.31倍，这个AC分析的结果是一致的。
四、实验结果分析
在软件中查看跨导和输出电阻：
手算：
Av=（0.0001166）((1/（3.1442*10^-7））||165000)=18.29 发现计算值与实验值存在误差不大。
集成电路原理与设计实验指导书
电子科技大学微电子与固体电子学院
实验实验指导书
课程名称：集成电路原理与设计
电子科技大学教务处制表
实验名称集成运算放大器参数的测试
一、实验目的与意义
运算放大器是一种直接耦合的高增益放大器，在外接不同反馈网络后，就组成不同的运算功能。运算放大器除了可对输入信号进行加、减、乘、除、微分、等数学运算外，还在自动控制、测量技术、仪器仪表等各个领域得到广泛应用。
为了更好地使用运算放大器，必须对它的各种参数有一个较为全面的了解。运算放大器结构十分复杂，参数很多，测试方法各异，需要分别进行测量。
本实验正是基于如上的技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置，目的在于：
（1）了解集成电路测试的常用仪器仪表使用方法及注意事项。
（2）学习集成运算放大器主要参数的测试原理，掌握这些主要参数的测试方法。
通过该实验，使学生了解运算放大器测试结构和方法，加深感性认识，增强学生的实验与综合分析能力，进而为今后从事科研、开发工作打下良好基础。
二、实验原理
运算放大器符号如图1所示，有两个输入端。一个是反相输入端用“-”表示，另一个是同相输入端用“+”表示。可以是单端输入，也可是双端输入。若把输入信号接在“-”输入端，而“+”端接地，或通过电阻接地，则输出信号与
输入信号反相，反之则同相。若两个输入端同时输入信号电压为V
- 和V
+
时，其
差动输入信号为V
ID = V
-
- V
+
。开环输出电压V
=A
VO
V
ID
。A
VO
为开环电压放大倍数。
运算放大器在实际使用中，为了改善电路的性能，在输入端和输出端之间总是接有不同的反馈网络。通常是接在输出端和反相输入端之间。
集成电路实验报告
λn
Kn Vtn
λp
Kp |Vtp |
0.11 47.1 0.39
实验二：反相器版图设计
1. 设计工艺与要求： 画一个反相器的版图 2. 仿真结果
3. 结果分析： 对 l_Edit 的操作不是很熟练，画的图像与 ppt 要求的图像有些许差别。
实验三：设计差分集成放大器
.END 5. 结果分析： 0.18 工艺
( )1 = ( )2 =6.68
L L
W
W
( )3 = ( )4 =10.6
L L
W
W
( )5 =2.46
L
W
的设计参数，满足设计要求。 增益为：44 漏极电流Ids 5 ：135uA 转换速率：67.5 功率：0.243mw
.LIB "..\tsmc_018um_model.lib" CMOS_MODELS .END
PMOS PMOS I-V Characteristic M2 OUT IN VDD VDD CMOSP L=0.24U W=2U VIN VDD IN 0.8 VOUT VDD OUT 1 .OPTIONS LIST NODE POST .DC VOUT 0 1.8 0.1 sweep VIN 0.8 1.0 0.2 .PRINT DC I(M2) .LIB "..\tsmc_018um_model.lib" CMOS_MODELS .END 5、结论和分析：
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集成电路分析与设计
课程实验1（2010-03-18）
熟悉Cadence设计软件中的Schematic Editing进行原理图编辑，并使用Spectre工具进行仿真验证。
要求及说明：
1. NMOS和PMOS晶体管的1级模型参数参考教材(拉扎维，P32)中表
2.1，相应的Spectre 模型为hquicmodel_v1.0.scs。
2. 假设VDD=3V，NMOS和PMOS器件的衬底端子（B，除非另有说明）分别接地和VDD （或最正的电压节点），（W/L）=50/2（即W=50u，L=2u）。
3. 采用直流扫描（DC Sweep，改变VX），画出IX和晶体管的跨导关于VX的函数曲线图。
4. 解释分析结果，比较仿真分析结果与你的手工计算结果。
5. 报告截止提交日期为2008年3月25日。
题目：
（参考拉扎维的模拟CMOS集成电路设计P34-35）
2.5 对图2.42的每个电路，画出I
X 和晶体管跨导(g
m
)关于V
X
的函数曲线。V
X
从0变化到V
DD
。
+1.9V
x
V
(b)
1V
x
V 2.42
图
2.6 对图2.43的每个电路，画出I
X 和晶体管跨导(g
m
)关于V
X
的函数曲线。V
X
从0变化到V
DD
。
I 原理图绘制篇
1.右键open Terminal
2.输入icfb&
3.回车启动Cadence
4.Tools – Library Manager…
5.File-Library新建项目
6.输入建立的项目的名称-OK
7.选择Don’t need a Techfile-OK
8. File-Cell View新建项目
9.输入建立的子项目名称-OK
10.输入器件按快捷键I
11.选择Browse – analoglib-nmos4-symbol输入nmos器件
12.在属性框里填写器件的模型和参数：模型名称：nmos、参数W=50u L=2u 点Hide完成
13.修改器件参数如果想修改器件参数，选择该器件后按快捷键q，可以在属性框里修改
14.输入直流电源：快捷键I – analoglib – vdc – symbol
15.放置直流电压源，如果放置位置不满意可以按快捷键m移动位置，移动到指定位置后按ESC 退出
16.修改电压源参数：按q,然后逐一修改
17.输入接地符号GND
18. 按W进行连线
19.Check and Save
请确认保存，不保存仿真无法正常进行
II 仿真验证篇
1.Tools – Analog Environment启动模拟电路仿真环境ADE
2.在ADE中选择Setup-Model Libraries
3.按浏览Browse选择我们需要的模型：hquicmodel_v1.0.scs-OK
4.Add - OK
5.Analyses-Choose…
6.选择DC – Component Parameter
7.通过选择Select Component，选择需要进行参数扫描的电压源，然后在弹出页选DC项，OK
或者自己手动在Choosing Analyses中填写也行
8.填写DC扫描的起止值Start = 0 Stop = 3 OK
9.选择输出节点波形OUTPUTS-To Be Plotted – Select on Schhematic
10.在原理图上选择输出节点波形，电压选连线电流选器件的节点，我们需要器件电流，所以我们选择NMOS的漏端。
11.设置完成后选择netlist and Run运行
12.输出结果