模拟电子技术 华成英 童诗白2基本放大电路
模拟电子技术总结(华成英)
； 理解基本放大电路的组成和工作原理； 掌握放大电路的静态、动态指标的分析计算（含 图解法和小信号模型分析法）； 理解共E、共C、共B三种基本放大电路的组成及其 特点； 掌握多级放大电路的分析计算； 掌握放大电路频率响应的分析方法。
第五章场效应管放大电路
重点 了解场效应管的工作原理和场效应管的输出特 性、转移特性和主要参数 掌握场效应管放大电路的组成、工作原理和电 路特点，以及分析放大电路静态和动态参数的 一般办法。
第九章信号处理与信号产生电路
重点
理解有源滤波电路的有关概念、幅频特性和用途，掌握滤 波电路的识别和分析方法。
理解正弦波振荡电路的组成和各部分的作用，掌握RC正 弦波振荡电路、LC正弦波振荡电路、石英晶体正弦波振 荡电路的工作原理和是否能产生正弦波振荡的判别方法。 掌握单门限电压比较器（含过零比较器）、迟滞比较器的 分析和电压传输特性的求解方法。 理解与普通运放比较，集成电压比较器的特点。 掌握矩形波、三角波和锯齿波等非正弦波产生电路的工作 原理、波形分析和主要参数的求解方法。
第十章直流稳压电源
重点
掌握单相整流电路的工作原理和分析方法；
了解典型滤波电路的工作原理，掌握电容滤波 电路输出电压平均值的估算； 理解线性串联型稳压电路的工作原理。掌握集 成稳压器的应用。
第七章反馈放大电路
重点 掌握反馈的基本概念及反馈的判别方法。 理解负反馈放大电路的四种组态及增益的一般 表达式。 理解负反馈对放大电路性能的影响。 掌握深度负反馈条件下增益的近似计算。 理解负反馈放大电路稳定性判别方法和自激振 荡的消除方法。
第八章功率放大电路
重点 掌握OCL功率放大电路的组成、工作原理、最 大输出功率和效率的估算以及功放管的选择。 了解各种功率放大电路的特点。
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
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第 2 章 基本放大电路
2.1 复习笔记
本章首先介绍了放大的概念，放大电路的分析方法，然后重点阐述了双极型晶体管和单 极型晶体管基本放大电路的组成、工作原理、动态参数和性能特点，以及放大电路静态工作 点和动态参数的一般分析方法。本章是整本书的重点及难点，也是贯穿于整个课程的重要基 础，通过本章的学习，读者应熟悉放大的概念、放大电路的组成原则和主要性能指标，熟练 掌握放大电路的分析方法和晶体管、场效应管的基本放大电路的特点。
2．稳定静态工作点的措施（见表2-1-5） 表 2-1-5 稳定静态工作点的措施
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五、晶体管放大电路的三种基本接法（见表2-1-6） 表 2-1-6 晶体管放大电路的三种基本接法
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号源短路但要保留内阻。
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输入信号作用下动态量流经的通路为交流通路，电路中大容量电容短路，直流电源短路
处理。
直流通路用于分析静态工作点，交流通路用于分析动态参数。
2．放大电路的静态分析 分析静态工作点时，首先要画出直流通路，然后通过估算法或图解法求出Q点，见表 2-1-3。
六、场效应管放大电路 场效应管通过栅-源之间电压uGS来控制漏极电流iD，所以它和晶体管一样可以实现能量 的控制，构成放大电路，通常作为高输入阻抗放大器的输入级。 场效应管放大电路三种基本接法的典型电路、动态分析、性能参数、判断等归纳如表 2-1-7所示。
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《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路中的反馈题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第六章 放大电路中的反馈自测题一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。
（1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ ）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（ ）（3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ ）（4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
（ ）解：（1）× （2）√ （3）× （4）√二、已知交流负反馈有四种组态：A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。
解：（1）B （2）C （3）A （4）D三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或fs u A 。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T6.3解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 L 31321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ⋅++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。
图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 12f 2 1R R A R F u -≈-= 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
华成英模电-2-基本放大电路
c-e间的电导
分清主次，合理近似！什么情况下h12和h22的作用可忽略不计？
华成英 hchya@
简化的h参数等效电路－交流等效模型
基区体电阻
发射结电阻
发射区体电阻 数值小可忽略
利用PN结的电流方程可求得
U be UT rbe rbb' rb'e rbb' (1 ) Ib I EQ
华成英 hchya@
一、电路的组成及各元件的作用
VBB、Rb：使UBE＞ Uon，且有 合适的IB。 VCC：使UCE≥UBE，同时作为 负载的能源。 Rc：将ΔiC转换成ΔuCE(uo) 。 动态信号作用时：uI ib ic u Rc uCE (uo ) 输入电压ui为零时，晶体管各极的电流、b-e间的电 压、管压降称为静态工作点Q，记作IBQ、 ICQ（IEQ）、 UBEQ、 UCEQ。
' o ' o
将输出等效 成有内阻的电 压源，内阻就 是输出电阻。
空载时输出 电压有效值
带RL时的输出电 压有效值
华成英 hchya@
3. 通频带
衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。 由于电容、电感及放大管PN结的电容效应，使放大电路在信 号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降，并产生相移。
t
减小Rb能消除截止失真吗？
华成英 hchya@
• 饱和失真 ：饱和失真是输出回路产生失真。
Rc↓或VCC↑
Q '''
Q ''
Rb↑或 β↓或 VBB ↓
这可不是 好办法！
• 消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β，减小VBB，增大VCC。 • 最大不失真输出电压Uom ：比较UCEQ与（ VCC－ UCEQ ），取 其小者，除以 2 。
模拟电电子技术基础第5章(第四版)童诗白 华成英
模拟电子技术基础
放大电路的频率特性包括两部分： 幅度频率特性
幅频特性是描绘输入信号幅度 固定，输出信号的幅度随频率变化 而变化的规律。即 i ∣= ∣Vo /V∣= f ( ) ∣A
相位频率特性
相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即 ∠A ∠Vo ∠Vi f ( )
Ic gm jC bc 所以 I b 1/rbe j (C be C bc )
Ib
Rb
Ic I b Rc
RL VO
Rb >> rbe
固定偏流共射极放大电路
100Hz
1kHz 10kHz 100kHz 1MHz
79.62
7.962 0.796 0.08 0.008
f Xc1 Ib AV f <100Hz Xc1 与rbe = 863 不能短路 f 100Hz Xc1 <<rbe = 863 可以短路
当输入信号的频率等于上限频率或下限频率时，放大电路的 增益比通带增益下降3dB,或下降为通带增益的0.707倍，且 在通带相移的基础上产生-45°或+45°的相移．
3． 工程上常用折线化的近似波特图表示放大电路的频率响应。
模拟电子技术基础
5 放大电路的频率响应
5.1频率响应概述 5.2晶体管的高频等效模型
s s 1/ R2C2
AVL 1 1 ( fL / f ) 2
幅频响应
相频响应
H arctg ( fL / f )
输出超前输入
模拟电子技术基础
RC低通电路的幅频响应
RC高通电路的幅频响应
RC低通电路+ RC高通电路的幅频响应？
模拟电子技术基础(第四版)完整 童诗白ppt课件
4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
11
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3. 空间电荷区产生内电场
空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。
4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。
少子的运动 与多子运动方向 相反
阻挡层
P
空间电荷区
N
内电场
Uho
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第一章 常用半导体器件
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3 10
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第一章 常用半导体器件
小结
带负电的自由电子
1. 半导体中两种载流子
带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
模拟电电子技术基础第1章(第四版)童诗白 华成英
iD/mA 1.0
0.5 iD=– IS 1.0 D/V
–1.0
–0.5
0
0.5
PN结的伏安特性
模拟电子技术基础
在一定的温度条件下，由本征激发决定的少 子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定 的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电 流也称为反向饱和（saturation）电流。
• Majority carriers---holes (mostly generated by ionized acceptor and a tiny small portion by thermal ionization) • Minority carriers--- free electrons (only generated by thermal ionization.)
+4
+4
共价键有很强的结合力，使原子规则 排列，形成晶体。
+4
+4
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。
三、 本征半导体中的两种载流子
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
三、 本征半导体中的两种载流子
P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼） 的半导体(P-type semiconductor) 。
模拟电子技术基础
1.1.2 杂质半导体
模拟电子技术基础
一、 N型半导体
因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而 多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形 成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子(carrier)，它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子， 因此五价杂质原子也称为施主杂质(donor impurity)。
模拟电电子技术基础第8章(第四版)童诗白 华成英
2. RC串并联选频网络的选频特性
FV 32 ( 1
模拟电子技术基础
0 2 ) 0
(
f arctg
RC
0 ) 0
3
当 0 1 或 f f0 幅频响应有最大值
FVmax 1 3
1 2RC
相频响应
f 0
模拟电子技术基础
Rds 1k
模拟电子技术基础
桥式振荡电路如图所示， 设A为理想运放， （1）标出A的极性 （2）场效应管的作用 是什么？其d、s 间的等效电阻的 最大值为多少？ （3）电路的振荡频率为 多少？
1 1 f 6 3 1061Hz 2 RC 2 0.003 10 50 10
1. 单门限电压比较器 特点：
开环，虚短和虚断不成立 增益A0大于105
vI
模拟电子技术基础
+VCC + A -VEE vO
VEE vO VCC
运算放大器工作在非线性状态下
8.2 电压比较器
1. 单门限电压比较器
（1）过零比较器
vI
模拟电子技术基础
+VCC + A -VEE vO
假设 V
1. 单门限电压比较器 （2）门限电压不为零的比较器 电压传输特性
vO VOH
模拟电子技术基础
+VCC vI + VREF A -VEE vO
O VOL
VREF
vI
输入为正负对称的正弦波 时，输出波形如图所示。
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
分析任务及方法
求传输特性 方向
输出电平VOH 、VOL
又，放大器为反相比例电路 a = 180° 所以: a + f = 360°或0°
模拟电子技术(童诗白)第2章
设形置合适的静态工作点
RB
——电源、电阻 不失真地放大交流
ui + V BB
——均处于放大状态
RC + V CC
◇ Amplification: Vs
vBE
iB
iC
Vout
vCE
iB
iC
Saturation
vCE
IC curve for one value of IB with VCE changing 精选版课件ppt
精选版课件ppt
RB1
RB2
RE
14
2.5 三种基本接法
2.5.1 共集电路
一、静态分析
二、动态分析
精选版课件ppt
15
三、与共射电路的比较
① 共射电路具有较大的电压放大倍数和电流放 大倍数，输入电阻和输出电阻值也适中，所以 被广泛地用作各种低频放大器的输入级、中间 级或输出级。
② 共集电路的电压放大倍数虽然略小于1，但
它有电流放大能力。并且由于其输入电阻很高，
输出电阻很低这些特点，常常可以作为连接高
内阻信号源的输入级或驱动大负载的输出级，
常用的功率放大电路均采用这种射随器的电路
形式。Biblioteka 精选版课件ppt16
2.5.2 共基放大器
一、静态分析
二、动态分析
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17
③ 共基电路的主要特点是它的输入阻抗特别 低，三极管的发射结上的电容效应就不明显， 这样信号在很宽的频率范围内变化时，电路 的放大性能基本可以保持不变，所以共基组 态常用于宽频带放大器中。
RL
+V CC RC C2
RL
精选版课件ppt
6
2.3 放大电路的分析方法
模拟电子技术华成英童诗白2基本放大电路市公开课一等奖省赛课微课金奖PPT课件
是频率函数。在低频段和高频段放大 2
倍数都要下降。当A(f)下降到中频电压放大倍数Aum 1/
时，2 对应频率fL称为下限频率，fH称为上限频率
Au
放大倍数随 频率改变曲
Aum
线
0.7Aum
fL 下限截止
上限截止 fH
f
频率பைடு நூலகம்
频率
通频带： fbw=fH–fL
8/69
§ 2.2 基本放大电路工作原理
三极管放 大电路有 三种形式
C2
RL uo
CE
CE作用：交流通路中， CE将RE短路，RE 对交流不起作用，放大倍数不受影响。
48/69
去掉
CE
后交流通路和微变等效电路：
Ii
Ib
Ic
RB1 ui
RB2 RE
RL uo
RC
U i
R'B
rbe
Ib RL Uo
RE
RC
Ui Ibrbe (1 )Ib RE Uo Ib RL
Au
43/69
分压式偏置电路：
一、静态分析
+VCC
+VCC
RB1
RC
C1
ui RB2
RE
C2
RB1 I1 RC
C1
IB
T
RL
uo
RB2
I2
RE
CE
直流通路 44/69
+VCC
RB1 I1 RC
C1
IB
T
RB2 I2
RE
直流通路
I2 IB
I1
I2
VCC RB1 RB2
U B I2RB2
RB 2 RB1 RB2
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路的频率响应题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，o U 与iU 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'πC ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
模拟电子技术基础课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)2章 基本放大电路题解
基础课程教学资料第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
模拟电子技术基础 第二章 基本放大电路
思考：
Rc C1
Uo
VCC VCC R1 R3 RL
1.上方三极管的引入会 改变共射放大电路输出 电压关系式吗？ 2.R3和R4什么作用？
Ui
C1 R4 C3
3.米勒效应还存在吗？ 4.怎样在一个复杂电路
R2
Re
中看待三极管？
差分输入、沃尔曼化、推挽输出放大电路
VCC Rc1 VCC R2 VCC R3 C2
1、共射放大电路
Rc Uo Ui Ve
VE = U i −U BE= U i − 0.7V VE U i − 0.7V = IC ≈ I E ≈ RE RE RC ( U i − 0.7V ) U O = VCC − I C × RC = VCC − RE
Re
RC ∆uO = − × ∆ui RE
问题： 1、怎样保证iB一定存在？ 2、Uo是交流还是直流？？
Uo
-
共射放大电路的优缺点
输入输出阻抗怎么测？
• 输入阻抗：当ui=2ui’时，待测电路输入阻抗 为Ri。 • 输出阻抗：空载输出电压为uo，带载输出 电压为uo’，如果uo=2uo’，那么输出阻抗就 是Ro。 Ro
2、共集放大电路（射随电路）
U O = U i − 0.7V
∆uO = ∆ui
Rc2
1、当输入量Ui不变而温度变化时，可得
Uo1 Ui1
Ve1 Ie1 Re1 Ve Ve2 Re2
Uo2 Ui2
ΔuBE=ΔVE，那么加载在RE上的电压就不会变， 那么IE1就不变，那么UO1 或UO2都不变，达到了 消灭温漂的神奇作用。 2、当只有一个输入量Ui1变化时，可得 Δui1=2ΔVE，也就是加载在RE上的电压将变化
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+VCC
开路
对交流信号(输入信号ui)
RB RC C1
+VCC
置零
C2
短路
T 短路
ui
交流通路
uo
RB
RC RL
2.3.2 直流负载线和交流负载线
一、直流负载线
+VCC
UCE~IC满足什么关系？ 1. 三极管的输出特性。
RB RC IC
2. UCE=VCC–ICRC 。
V CC IC
与输出
RC UCE
但是，电容对交、直流的作用不同。如果电 容容量足够大，可以认为它对交流不起作用，即 对交流短路。而对直流可以看成开路，这样，交 直流所走的通道是不同的。
交流通道：只考虑交流信号的分电路。
直流通道：只考虑直流信号的分电路。
例： 对直流信号（只有+VCC）
+VCC
直流通道
RB C1
RC
C2
T
开路
RB RC
放大倍数都要下降。当A(f)下降到中频电压放大倍数Aum的
1/ 2 时，相应的频率fL称为下限频率，fH称为上限频率
Au
放大倍数随 频率变化曲
Aum
线
0.7Aum
fL 下限截止
上限截止 fH
f
频率
频率
通频带： fbw=fH–fL
§ 2.2 基本放大电路的工作原理
三极管放 大电路有 三种形式
共射放大器 共基放大器 共集放大器
2.3.4 动态分析
一、三极管的微变等效电路
1. 输入回路 iB
iB
当信号很小时，将输入特性 在小范围内近似线性。
rbe
这条直线通过Q点，称为交流负载线。
交流负载线的作法
IC
V CC RC
交流负载线 Q IB
UCE VCC
1 过Q点作一条直线，斜率为：
R L
2.3.3 静态分析
一、估算法
（1）根据直流通道估算IB
+VCC
RB RC
IB
VCC UBE RB
IB UBE
直流通道
VCC 0.7 V CC
RB
RB
3. 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
4. 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电 极电压，经电容滤波只输出交流信号。
§2.3 放大电路的分析方法
估算法
放大 电路 分析
静态分析
动态分析 计算机仿真
图解法 微变等效电 路法
图解法
2.3.1 直流通道和交流通道
放大电路中各点的电压或电流都是在静态直 流上附加了小的交流信号。
第二章
基本放大电路
§ 2.1 概论
2.1.1 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大 成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四 端网络表示，如图：
ui
Au
uo
2.1.2 放大电路的性能指标
一、电压放大倍数Au
|
Au
|
Uo Ui
Ui 和Uo 分别是输入和输出电压 的有效值。
+VCC
RB C1
(IBQ,UBEQ) UBEQ
RC IBQ
ICQC2
T
( ICQ,UCEQ )
UCEQ
各点波形
iC
+VCC
t
RB
RC
C1 iB
iC C2
ui
ui
iB
uC uC
t
uo
uo
t
t
t
实现放大的条件
1. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结 反偏。
2. 正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。
以共射放 大器为例 讲解工作 原理
2.2.1 共射放大电路的基本组成
C1 输入 ui
+EC
RC
C2
T RB
EB
uo 输出
RB C1
+VCC
RC
C2
T
单电源供电电路
耦合电容C1 、
C2输入耦合电
容C1保证信号 加到发射结，
不影响发射结
偏置。输出耦 合电容C2保证 信号输送到负
载，不影响集
电结偏置。
VCC
UCE
例：用估算法计算静态工作点。 已知：VCC=12V，RC=4k，RB=300k，
=37.5。
解： IBV R C BC 3 10 20 0.0m 4 A 40A
ICIBIB3.5 7 0 .0 4 1 .5mA
U C E V C C IC R C 1 1 2 .5 4 6 V
请注意电路中IB 和IC 的数量级。
US ~
Au
ro US' ~
如何确定电路的输出电阻ro ？ 方法一：计算。 步骤： 1. 所有的电源置零 (将独立源置零，保留受控源)。 2. 加压求流法。
.
Ro
=
Vo
.
RL ,
Io
VS 0
方法二：测量。 步骤： 1. 测量开路电压。 2. 测量接入负载后的输出电压。
ro Uo' ~
ro Uo’ Uo' ~
RB称为偏置电阻，IB称为偏 置电流。
（2）根据直流通道估算UCE、IB
RB RC
IC
ICIBICEO
IB
UCE
UCEVCCICRC
直流通道
二、图解法
先估算 IB ，然后在输出特性曲线上作出直 流负载线，与 IB 对应的输出特性曲线与直流负 载线的交点就是Q点。
IC
V CC RC
Q
IB
VCC UBE RB
偏置电路VCC 、Rb
提供电源，并使三极管 工作在线性区。
负载电阻RC、RL
将变化的集电极电流 转换为电压输出。
三极管 T
起放大作用。
2.2.2 基本放大电路的工作原理
一、静态工作点
由于电源的
存在IB0
RB
C1
+VCC
RC
IC0 ICQC2
T
IBQ ui=0时
IEQ=IBQ+ICQ
(IBQ,UBEQ) 和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输 出特性曲线上的一个点称为静态工作点。
RL Uo
3. 计算。
ro
(Uo' Uo
1)RL
输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro大 表明放大电路带负载的能力差，反之则强。
注意：放大倍数、输入电阻、输出电阻通常 都是在正弦信号下的交流参数，只有在放大电路 处于放大状态且输出不失真的条件下才有意义。
四、通频带
放大电路的增益A(f)
是频率的函数。在低频段和高频段 2
二、输入电阻ri
放大电路一定要有前级（信号源）为其提供信号，
那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大
电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大，
从其前级取得的电流越小，对前级的影响越小。
US ~
Ii
Ui
Au
ri
Ui Ii
三、输出电阻ro
放大电路对其负载而言，相当于信号源，我们 可以将它等效为戴维南等效电路，这个戴维南 等效电路的内阻就是输出电阻。
特性的 交点就 是Q点
直流
Q IB
直流通道
负载线
UCE VCC
二、交流负载线 ic
uce
uo
ui
RB
RC RL
交流通路
ic 1
uce
RL
其中： RL RL//RC
iC 和 uCE是全量，与交流量ic和uce有如下关系
ic iC uce uCE
iC 所以：uCE
1 RL
即：交流信号的变化沿着斜率为： 1 的直线。 R L