材料科学基础 第三章 晶体缺陷00

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第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础

第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础

位错运动导致晶体滑移的方向;该矢量的模|b|表示
了畸变的程度,即位错强度。
② 柏氏矢量的守恒性:柏氏矢量与回路起点及其具体途 径无关。一根不分岔的位错线,不论其形状如何变化 (直线、曲折线或闭合的环状),也不管位错线上各 处的位错类型是否相同,其各部位的柏氏矢量都相同; 而且当位错在晶体中运动或者改变方向时,其柏氏矢 量不变,即一根位错线具有唯一的柏氏矢量。
18

3.2 位错
三 章
3.2.1 位错的基本类型和特征
1. 位错的概念:位错是晶体的线性缺陷。晶体中

某处一列或若干列原子有规律的错排。

• 意义:对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等

起着决定性的作用,对材料的扩散、相变过程有较大

影响。
• 位错的提出:1926年,弗兰克尔发现理论晶体模型刚
b l
positive
b
l
negative
Edge dislocations


b
b
right-handed left-handed Screw dislocations
26
3.2
3. 伯氏矢量的特性 位 ① 柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理

量。该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向,即
性切变强度与与实测临界切应力的巨大差异(2~4个 数量级)。1934年,泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时 提出位错的概念。1939年,柏格斯提出用柏氏矢量表 征位错。1947年,柯垂耳提出溶质原子与位错的交互 作用。1950年,弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。 之后,用TEM直接观察到了晶体中的位错。
➢ 特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内,

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节
一个位错滑出表面,在表面沿切应力 方向形成一个宽度为b的台阶
位错的运动
滑移面由位错线和柏氏矢量决定,刃型位错
的滑移面是唯一的。滑移方向与位错线垂直,与
柏氏矢量、切应力方向和晶体的滑移方向平行。
(2)螺位错的滑移(只要很小外力就能运动)
同刃 型位 错, 形成 一个 台阶
位错的运动
位错的移动方向与柏氏矢量、切应力方向及 晶体的滑移方向垂直。
用力只有6个是独立的,分别为σxx、σyy、σzz、
位错的应力场
Τxy、τxz、 τyz、而τxy= τyx,τxz=τzx, τyz=τzy。 同样柱坐标: ②应变分量: 直角坐标:
柱坐标:
2、螺位错的应力场
位错的应力场
滑移面:xoz,位错线在z轴,柏 氏矢量b。则圆柱上各点产生两种 切应变,
第一节点缺陷
教学内容: 点缺陷,线缺陷,面缺陷的定义;点缺陷的
形成,分类,特征和性质;点缺陷平衡浓度的 概念与计算;点缺陷运动的实现,点缺陷浓度 与过饱和浓度,点缺陷与扩散的关系,其他晶 体的缺陷 教学目的:
初步建立材料微观缺陷的概念,系统了解 点缺陷的特性 重点难点:
点缺陷平衡浓度的计算
第一节点缺陷
时形成的间隙外,还可 由外表面或内界面处的 原子迁移到晶体内部间隙位置形成。 自间隙原子:晶体本身固有的同类原子。 异类间隙原子:外来原子。 3、点缺陷形成能:由点缺陷形成所引起的内能 增加的那部分能量。空位形成能小于间隙形成能
点缺陷
二、点缺陷的平衡浓度 经过推导得出:晶体在一定温度下空位的平衡浓 度为:Ce=Aexp[-Ev/KT],A=(exp△Sf/k),Ev 是空位形成能。空位形成能愈大空位平衡浓度愈 小,温度愈高,空位平衡浓度愈大。 同理可得出间隙的平衡浓度:

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

点缺陷(零维缺陷)--原子尺度的偏离.
按 缺
例:空位、间隙原子、杂质原子等
陷 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离.

例:位错等
几 何
面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱.

例:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等
态 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性
例:异相夹杂物、孔洞、亚结构等
1、 固溶体的分类
(1) 按杂质原子的位置分: 置换型固溶体—杂质原子进入晶格中正常结点位置而取代基
质中的原子。例MgO-CoO形成Mg1-xCoxO固溶体。 间隙型固溶体—杂质原子进入晶格中的间隙位置。
有时俩
(2)按杂质原子的固溶度x分: 无限(连续)固溶体—溶质和溶剂任意比例固溶(x=0~1)。
多相系统
均一单相系统
Compounds AmBn
原子间相互反应生成
均一单相系统
结构
各自有各自的结构
A structure
structure
+ B structure
结构与基质相同 A structure
结构既不同于A也不同于B New structure
化学计量 A/B
不定
固溶比例不定
m:n 整数比或接近整数比的一定范围内
四、固溶体Solid solution(杂质缺陷)
1、固溶体的分类 2、置换型固溶体 3、间隙型固溶体 4、形成固溶体后对晶体性质的影响 5、固溶体的研究方法
①固溶体:含有外来杂质原子的单一均匀的晶态固体。 例:MgO晶体中含有FeO杂质 → Mg1-xFexO
基质 溶剂 主晶相
杂质 溶质 掺杂剂
萤石CaF2(F-空位)

材料科学基础第3章

材料科学基础第3章

3.2 位错
晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动产
生的应力作用,或由于晶体受到打击、切削、 研磨等机械应力的作用,使晶体内部质点排列 变形,原子行列间相互滑移,即不再符合理想 晶格的有序排列,由此形成的缺陷称位错。
3.2.1 位错的基本类型和特征
刃型位错 螺型位错
刃型位错结构的特点: 1) 刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面 上边的称为正刃型位错,记为“┻”;而把多出在下边的称为负刃 型位错,记为“┳”。
螺型位错
a. 位错中心附近的原子移动小于一个原子间距的距离。 b. 位错线在滑移面上向左移动了一个原子间距。
c. d. e. 当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时,就会在晶体表面沿柏氏矢 量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶。 螺型位错的运动方向始终垂直位错线并垂直于柏氏矢量。 螺型位错线与柏氏矢量平行,故其滑移不限于单一的滑移面上,所 有包含位错线的晶面都可成为其滑移面。
晶体中的位错环
晶体中的位错网络
3.柏氏矢量的表示法
•柏氏矢量的大小和方向可用与它同向的 晶向指数来表示。
[
a a a [2 2 2 ]
]
a [1 1 1] 2
例如:
在体心立方中, 柏氏矢量等于从体心 立方晶体的原点到体 心的矢量。
b=
a [1 1 1] 2
a •一般立方晶系中柏氏矢量可表示为b= n <u v w>
4)
5)
2.螺型位错
设立方晶体右侧受到切 应力的作用,其右侧上 下两部分晶体沿滑移面 ABCD发生了错动,如图 所示。这时已滑移区和 未滑移区的边界线 bb´(位错线)不是垂直而 是平行于滑移方向。
F
C D

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

第3章晶体缺陷-点缺陷和位错

第3章晶体缺陷-点缺陷和位错

(3)左、右旋螺型位错的规定 左旋螺型位错:符合左手定则(上图) 右旋螺型位错:符合右手定则(下图)
螺位错的 左右螺是 绝对的。
(4)螺型位错特征
1)螺型位错没有多余原子面,原子错排呈轴对称。 2)螺型位错线与滑移矢量平行,故一定是直线。 3)螺型位错的滑移面不是唯一的。 4)螺位错周围的点阵也发生弹性畸变,但只有平
KCl 晶 体 是 透 明 的 , 用杂质辍饰后可以见 到白色的“位错”。
氟化锂表面浸蚀出的 位错露头的浸蚀坑
TEM观察到的钛合金 中的位错
TEM观察到的位错 与第二相相互作用
3.2 位错
位错是晶体已滑移区与未滑移区的分界线。 位错的类型:
刃型位错(edge dislocation) 螺型位错(screw dislocation) 混合位错(mixed dislocations)
二、位错概念的提出
2、对其进行修正(主要考虑了原子间短程力)计 算出τm约有G/30,与实验值仍相差很大。
二、位错概念的提出
3、1934年,M.Polanyi,E.Orowan和G.Taylor等提 出位错的局部滑移理论。
二、位错概念的提出 4、1956年,位错模型为实验所验证。
透射电镜下钛合金中的位错 线(黑线)
F = nEv-TS S = Sc + nSv
热力学上有: Sc = klnΩ k 为玻尔兹曼常数,k = 1.38 ×10-23J/K;Ω为系
统的微观状态数目。n 个空位形成后,整个晶 体将包含 N+n 个点阵位置。N 个原子和 n 个 点阵位置上的排列方式为(N +n)! ,由于N 个 原子的等同性和 n 个空位的等同性,最后可以 识别的微观状态数为:
行于位错线的切应变,无正应变。 5)位错线的移动方向与晶体滑移方向、应力矢量

材料科学基础-晶体缺陷

材料科学基础-晶体缺陷

位错的攀移:在垂直于滑移面方向上运动. 攀移的实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小. 刃位错的攀移过程:正攀移,向上运动;负攀移, 向下运动。
(1)攀移方式
原子扩散离开(到)位错线—半原子
面缩短(伸长)—正(负)攀移 空位扩散离开(到)位错线 —半原子面伸长(缩短)—负(正)攀移 注意:只有刃型位错才能发生攀移;滑移不涉及原子扩散, 而攀移必须借助原子扩散;外加应力对攀移起促进作用, 压(拉)促进正(负)攀移;高温影响位错的攀移.
螺型位错滑移动态示意图
螺型位错滑移特征 a) 位错逐排依次滑移,实现原子面的滑移;
b) 滑移量=柏氏矢量的模;
c)τ // b,位错线//τ ,位错线运动方向⊥τ ; d)τ一定时,左、右螺位错位错运动方向相反,但 最终滑移效果相同; e) 滑移面不唯一。
(3)混合位错的滑移
正刃
右螺
b
τ 左螺
正负均为相对而言,位错线方向改变,正负随之改变。
正刃
L
负刃
L
4. 位错运动
基 本 形 式 : 滑 移 ( slip ) 和 攀 移 ( climb ) , 还 有 交 割 (cross/interaction)和扭折(kink)
位错的滑移(slipping of dislocation):位错在滑移面上的运动。滑 移面即位错线和柏氏矢量构成的平面。任何类型的位错均可进 行滑移. (1) 刃位错的滑移过程(教材图 3.13 ) ∥ b 、 b⊥ 、 滑移方 向⊥ 、滑移方向∥b,单一滑移面。 (2) 螺型位错的滑移过程(教材图 3.14 ) ∥ b 、 b ∥ 、滑 移方向⊥ 、滑移方向⊥ b ,非单一滑移面。可发生交滑移。 (3) 混合位错的滑移过程(教材图 3.15 )沿位错线各点的法 线方向在滑移面上扩展,滑动方向垂直于位错线方向。但滑动 方向与柏氏矢量有夹角。

材料科学基础第三章 晶体缺陷

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贵州师范大学
化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
贵州师范大学
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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材料科学基础_第三章晶体结构缺陷

材料科学基础_第三章晶体结构缺陷
方程式
2、缺陷反应方程式的写法
书写缺陷反应方程式必须遵守三个原则:
缺 陷 种 类
有效 电荷 缺陷 位置
①位置关系——在化合物MaXb中,无论是否存在缺陷,M格点 数与X格点数保持正确的比例关系,即M的格点数:X格点数 =a:b (看下标)

格点数,不是原子个数 ,形成缺陷时,原子数会发生变化
e’、h•、Mi和Xi等不在正常格点上,对格点数的多少无影响
按 缺 陷 的 几 何 形 态
例:空位、间隙原子、杂质原子等 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离. 例:位错等 面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱. 例:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性 例:异相夹杂物、孔洞、亚结构等 热缺陷 杂质缺陷 非化学计量缺陷 其它原因:电荷缺陷,辐照缺陷等
1、固溶体的分类
2、置换型固溶体
3、间隙型固溶体
4、形成固溶体后对晶体性质的影响
5、固溶体的研究方法
①固溶体:含有外来杂质原子的单一均匀的晶态固体。
例:MgO晶体中含有FeO杂质 → Mg1-xFexO
基质 溶剂 主晶相 杂质 溶质 掺杂剂
②固溶体的基本特征

不同组分在原子尺度上的混合 不破坏主晶相的晶体结构,只晶胞参数有少许改变
一摩尔原子缺陷形成能(J)
气体常数 R=8.314
结论:缺陷浓度与缺陷形成能△Gf、温度T密切相关。
思考
MX型晶体的肖特基缺陷缺陷浓度:
1ev=1.6x10-19J T:绝对温度
G f n exp( ) N 2kT
一对正负离子空位形成能(J)
玻尔兹曼常数K=1.38x10-23

材料科学基础第三章晶体缺陷

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和缺陷数量变化呈非线与振动熵有关的常数玻尔兹曼常数变化每增加一个空位的能量阵点总数平衡空位数exp点缺陷并非固定不动而是处在不断改变位置的运动过程空位周围的原子由于热振动能量的起伏有可能获得足够的能量而跳入空位并占据这个平衡位置这时在这个原子的原来位置上就形成一个空位
材料科学基础第三章晶体缺陷
本章要求掌握的主要内容
b. 由于存在着这两个互为矛盾的因素,晶体中的点缺陷在一定温度下有一定的平衡数目,这时点 缺陷的浓度就称为它们在该温度下的热力学平衡浓度。
c. 在一定温度下有一定的热力学平衡浓度,这是点缺 陷区别于其它类型晶体缺陷的重要特点。
图 空位-体系能量曲线
1.形成缺陷带来晶格应变,内能U增加,一个缺陷带来的内能
过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照缺陷)还提高了 金属的屈服强度。
例1:Cu晶体的空位形成能Ev为1.44×10-19J/atom, 材料常数A取为1,波尔兹曼常数为k=1.38×10-23J/K, 计算:
1)在500℃下,每立方米Cu中的空位数目; 2)500℃下的平衡空位浓度。 (已知Cu的摩尔质量63.54,500℃ Cu的密度为 8.96×106g/m3)
增加为u,所以内能增加
,故内能增加是线性的。
Unu
2.缺陷存在使体系的混乱度增加,引起熵值增加,缺陷存在使 体系排列方式增加,即熵值显著增加。和缺陷数量变化呈非线 性的。
C
n N
A exp( Ev / kT )
n 平衡空位数
N 阵点总数
Ev 每增加一个空位的能量 变化 K 玻尔兹曼常数
A 与振动熵有关的常数
晶体结构的特点是长程有序。结构基元或者构成物体的粒子(原子、离子或分子等)完全按照空间点阵 规则排列的晶体叫理想晶体。 在实际晶体中,粒子的排列不可能这样规则和完整,而是或多或少地存在着偏离理想结构的区域,出 现了不完整性。 把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。 实际晶体中虽然有晶体缺陷存在,但偏离平衡位置很大的粒子数目是很少的,从总的来看,其结构仍 可以认为是接近完整的。

材料科学基础课件-ch3 晶体缺陷

材料科学基础课件-ch3 晶体缺陷
式中Qf=NAEv为形成1摩尔空位所需作的功,单位为J/mol;R=kNA为气体常数
(8.31J/mol·K)
点缺陷
间隙原子的平衡浓度为:
C′
=
n′ N′
=
A exp( − E ′v
/ kT )
式中N′为晶体中间隙位置总数;n' 为间隙原子数;E′v为形成一个间隙原子
所需的能量
在一般的晶体中间隙原子的形成能E′v较大(约为空位形成能Ev的3~4 倍)。因此,在同一温度下,晶体中间隙原子的平衡浓度C′ 要比空位的平衡 浓度C低得多。因此,在通常情况下,相对于空位,间隙原子可以忽略不计;但
1956年Menter 直接在电镜观察了铂钛花青晶体中位错的存在,Hirsch等应 用相衬法在电镜观察到位错的运动,位错理论就在更坚实的基础上发展了。
近几十年,随着实验设备和计算机的发展,研究位错核心的组态以及在复 杂结构中的位错方面取得很多很有成效的结果。
位错
位错的基本类型和特征
从位错的几何结构来看,可将它们分为两种基本类型,即刃型位错和螺型 位错。 1.刃型位错 刃型位错结构的特点:
Taylor注意到这种实验现象,根据设想的位错排列形状,计算了位错运动所产生 的晶体硬化曲线。
1939 年Burgers 提出描述位错的一个重要特征量提出描述位错的一个重要特征 量-柏氏矢量,同时引入了螺位错。
1940 年Peierls提出后来在1947年由Nabarro修正的位错点阵模型,它突破了一 般弹性力学范围,提出了位错宽度的概念,估算了位错开动的应力,这一应力正 是和实际晶体屈服应力的同一数量级
刃位错 螺位错
垂直 平行
混合位错
一定角度
畸变应力场
主要是正应力 纯剪应力 复杂

材料科学基础课件第三章晶体缺陷

材料科学基础课件第三章晶体缺陷
虽然从几何图象上,我们已经认识了诸 如空位、间隙原子等点缺陷。那么,你能 回答下面的问题吗?
(1)点缺陷形成的物理本质是什么? (2)点缺陷形成的驱动力来自何处? 下面将对这些内容进行阐述。
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动。
在第二章的学习中我们已经知道:晶体中 的原子在其所处的原子相互作用环境中受 到两种作用力:
第一节 概 述
一、缺陷(Defect)的概念 大多数固体是晶体,晶体正是以其特殊的构
型被人们最早认识。因此目前(至少在20世纪80年 代以前)人们理解的“固体物理”主要是指晶体。 当然这也是因为客观上晶体的理论相对成熟。在 晶体理论发展中,空间点阵的概念非常重要。
空间点阵中,用几何上规则的点来描述晶体 中的原子排列,并连成格子,这些点被称为格点, 格子被称为点阵,这就是空间点阵的基本思想, 它是对晶体原子排列的抽象。空间点阵在晶体学 理论的发展中起到了重要作用。可以说,它是晶 体学理论的基础。现代的晶体理论基于晶体具有 宏观平移对称性,并因此发展了空间点阵学说。
考虑一具有 N 个点阵位置的晶体,形成 n 个 空位后,系统的自由能的变化为:
F = nEv-TS S = Sc + nSv
(3-201) (3-202)
下面考虑组态熵的计算。热力学上有:
Sc = klnΩ
(3-203)
其中,k 为玻尔兹曼常数,k = 1.38 ×1023J/K;Ω为系统的微观状态数目。对于我们考虑 的体系,n 个空位形成后,整个晶体将包含 N+n 个点阵位置。N 个原子和 n 个点阵位置上的排列 方式为(N +n)! ,但由于N 个原子的等同性和 n 个 空位的等同性,最后可以识别的微观状态数为:
当这对矛盾达到统一时,系统就达到平衡。 因为系统都具有最小自由能的倾向,由此确定的 点缺陷浓度即为该温度下的平衡浓度。

材料科学基础 第三章

材料科学基础 第三章

山 3.混合位错 3.混合位错 东 科 技 大 学
材 料 学 院
滑移矢量既不垂直于位错线也不平行于位错线—一条曲线
一、位错的基本类型和特征
山 东 科 技 大 学
材 料 学 院
一、位错的基本类型和特征
山 东 科 技 大 学
位错的性质: 位错的性质: (1)形状:不一定是直线,位错及其畸变区是一条管道。 (2)是已滑移区和未滑移区的边界。 (3)不能中断于晶体内部。可在表面露头,或终止于晶界和相界, 或与其它位错相交,或自行封闭成环。
山 东 科 技 大 学
1.线缺陷: 1.线缺陷:在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外 线缺陷 两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 2.意义: 2.意义:(对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等起着决定性 意义 的作用,对材料的扩散、相变过程有较大影响。) 3.位错的提出: 3.位错的提出:1926年,弗兰克尔发现理论晶体模型刚性切变强度与与 位错的提出 实测临界切应力的巨大差异(2~4个数量级)。 1934年,泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时提出位错的概念。 1939年,柏格斯提出用柏氏矢量表征位错。 1947年,柯垂耳提出溶质原子与位错的交互作用。 1950年,弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。之后,用TEM直接观察 到了晶体中的位错。
机分布,大量晶粒的综合作用, 整个材料宏观上不出现各向异 性,这个现象称为多晶体的伪 各向同性。
材 料 学 院
维纳斯“无臂”之美深入人 心
晶体缺陷赋予材料丰富内容
第3章 晶体缺陷
山 东 晶体中的缺陷概论 科 (corncob) 技 晶体缺陷:在每个晶粒的内部,原子并不是完全呈现周期性的规 大 则重复的排列。把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体 学 缺陷。

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解
表示 ,模的大小表示该晶向上原子间的距离。
b a u2 v2 w2 n
六方晶系中: b=(a/n)[uvtw]
同一晶体中,柏氏矢量愈大,表明该位错导致点阵畸变愈 严重,它所在处的能量也愈高。
3.2.3 位错的运动
基本形式:滑移和攀移
滑移(slip):三种位错的滑移过程 攀移(climb):在垂直于滑移面方向上运动,
第三章 晶体缺陷
晶体缺陷分类及特征(几何形态、相对于晶体的尺寸、影响范围) :
1. 点缺陷:特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小,尺寸
范围约为一个或几个原子尺度,包括空位、间隙原子、杂质 和溶质原子。
2. 线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上
很大,如各类位错。
3. 面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小,另外两个方向上
晶界:属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面 称为晶界。
亚晶界:每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的 亚晶粒所组成,相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。
确定晶界位置方法: (1)两晶粒的位向差θ (2)晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ。
晶界分类(按θ的大小): 小角度晶界θ<10º 大角度晶界θ>10º
(3)刃型位错标记 正刃型位错用“⊥”表示,负刃型位错用“┬”表示;其
正负只是相对而言。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错;
② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直;
③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
表面能(γ):产生单位面积新表面所做的功。 表示法:①γ= dw/ds ②γ= T/L (N/m) ③γ= [被割断的结合键数/形成单位新表面]×[能量/每个键] 影响γ的因素: (1)晶体表面原子排列的致密程度。 (2)晶体表面曲率。 (3)外部介质的性质。 (4)晶体性质。

材料科学基础点缺陷

材料科学基础点缺陷
11
第 三 章
点缺陷的平衡浓度
2 点缺陷的平衡浓度 ( 1 )点缺陷是热力学平衡的缺陷- 在一定温度下, 晶体中总是存在着一定数量的点缺陷(空位),这时体系 的能量最低-具有平衡点缺陷的晶体比理想晶体在热力学 上更为稳定。(原因:晶体中形成点缺陷时,体系内能的 增加将使自由能升高,但体系熵值也增加了,这一因素又 使自由能降低。其结果是在G-n曲线上出现了最低值,对 应的n值即为平衡空位数。) (2)点缺陷的平衡浓度 C=Aexp(-∆Ev/kT)
6
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
第三章 晶体结构缺陷
一 点缺陷
第 一 节 点 缺 陷
第 三 章
7
第 三 章
第三章 晶体结构缺陷
一 点缺陷
肖脱基空位 弗兰克尔空位
第 一 节 点 缺 陷
8
第 三 章
点缺陷的形成
构成晶体的所有原子总是以其平衡位置为中心 进行热振动 原子热振动的平均能量与晶体所 处的温度有关,温度越高,平均能量越大。当 温度一定时,原子热振动的平均能量是一定的 但是各原子在同一瞬间的热振动能量并不相同, 面且同一原子在不同瞬间的能量也不相同,也 就是说各原子的能量总是处于不断起伏变化之 中,这种现象称为能量起伏.由于能量起伏, 总有一些原子的能量大到足以克服周围原子对 它的束缚,就有可能迁移到别处,这样在原来 的平衡位置上出现空结点,称为“空位”。
9
其它点缺陷
晶体中的点缺陷除了包括空位、 间隙原子、置换原子外,还包括 由这些基本点缺陷组成的三维方 向上的尺寸都很小的复杂缺陷, 例如空位对或空位片等.
10
点缺陷对晶体结构的影响
空位和间隙原子都将使周围原子间作 用力失去平衡,点阵产生弹性畸变, 形成应力场,引起晶体内能升高。 点缺陷形成能:点缺陷的引入使得晶 体内能升高,这部分增加的能量称为 点缺陷形成能。通常空位引起的晶格 畸变小于间隙原子的晶格畸变,空位 形成能也小于间隙原子形成能。

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节
为中心的管道。 正刃型位错“┴”,负刃型位错“┬”。
位错:宏观看是线状,从微观看是管状 Figure 5.7
1) 棱位错(刃位错 Edge Dislocation) 位错线与滑移方向(柏格斯矢量)垂直
EF ⊥ BB’
压力、拉力
位错的结构
2、螺型位错 位错线与滑移方向平行,右螺旋位错(右手法
则),左螺旋位错(左手法则)
刃位错攀移示意图
(c)负攀移(半 原子面伸长)
位错的运动
例:如图,求(1)位错环的各边分别是什么位错? (2)如何局部滑移才能得到
这个位错环?(3)在足够大的切 应力τ作用下,位错将如何运动? 晶体如何变形?(4)在足 够大拉应力σ作用下, 位错环将如何运动?它 将变成什么形状?晶体 将如何变化?
1010~1012cm-2
第三章 晶体结构缺陷
第三节 位错的运动
位错的运动
位错运动产生晶体的范性变形,运动的难 易程度关系到晶体的强度。 运动形式:滑移和攀移 一、作用在位错上的力 位错的运动方向总是垂直于位错线。 由虚功原理导出作用在位错的假想作用力。 W1=(τLds)b,W1=Fds 由上两式推出:F=τLb,Fd=τb=F/L
第三章 晶体结构缺陷
理想晶体:绝对规则排列 实际晶体:某些区域不规则排列——晶体缺陷 缺陷类型:
(1)点缺陷:1个或几个原子间距——零维缺 陷,空位、间隙原子、置换原子等。
(2)线缺陷:一维方向上尺寸较大——一维缺 陷,位错。
(3)面缺陷:两维方向性上尺寸较大——二维 缺陷,晶体表面、晶界、相界和堆垛层错等。
错、晶界及外表面等晶体缺陷处而消失。 点缺陷运动造成的原子迁移正是扩散现象
的基础。 2、作用:
点缺陷

武汉理工大学考研材料科学基础重点 第3章-晶体结构缺陷

武汉理工大学考研材料科学基础重点 第3章-晶体结构缺陷

第二章晶体结构缺陷缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。

理想晶体:质点严格按照空间点阵排列的晶体。

实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。

本章主要内容:2.1 晶体结构缺陷的类型2.2 点缺陷2.3 线缺陷2.4 面缺陷2.5 固溶体2.6 非化学计量化合物⏹ 2.1 晶体结构缺陷的类型分类方式:几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷等形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、电荷缺陷和辐照缺陷等●一、按缺陷的几何形态分类1. 点缺陷(零维缺陷)缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。

包括:空位:正常结点没有被质点占据,成为空结点间隙质点:质点进入正常晶格的间隙位置,成为间隙质点错位原子或离子杂质质点:指外来质点进入正常结点位置或晶格间隙,形成杂质缺陷双空位等复合体点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。

2. 线缺陷(一维缺陷)位错指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维方向上很短,如各种位错。

线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。

3.面缺陷面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维方向上很小。

如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。

面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。

4.体缺陷体缺陷亦称为三维缺陷,是指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。

如第二相粒子团、空位团等。

体缺陷与物系的分相、偏聚等过程有关。

●二、按缺陷产生的原因分类1. 热缺陷定义:热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。

类型:弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。

弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置,其特征是空位和间隙质点成对出现。

肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表面位置,在晶体表面形成新的一层,同时在晶体内部留下空位。

814材料科学基础-第三章 晶体缺陷知识点讲解

814材料科学基础-第三章 晶体缺陷知识点讲解

北京科技大学材料科学与工程专业814 材料科学基础主讲人:薛老师第三章晶体缺陷本章主要内容与要求:内容:(1)点缺陷;(2)线缺陷;(3)面缺陷要求:(1)熟悉三种缺陷的概念、特点;(2)掌握点缺陷中空位浓度的计算;(3)掌握线缺陷中位错的运动,增殖;(4)熟悉各种面缺陷。

知识点1 缺陷定义:实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整,常常存在各种偏离理想结构的情况,这种情况我们就称为晶体缺陷。

作用:晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结构敏感的性能,如屈服强度、断裂强度、塑性等有很大的影响。

根据几何特征,可以分为:点缺陷、线缺陷、面缺陷三类。

知识点2 点缺陷定义:点缺陷是最简单的一种晶体缺陷,主要是结点上或者邻近的微观区域内偏离晶体的正常结构排列的一种缺陷。

主要包括:空位、间隙原子、杂质或溶质原子。

空位:当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时,就可能克服周围原子对它的制约作用,跳离原来的位置,使阵点中形成空结点,这种空的结点就是空位。

间隙原子:在晶格非结点的位置,往往是间隙,此时在间隙的位置出现了多余的原子,这种多余的原子就是间隙原子。

离开平衡位置的原子有三个去处:(1)肖脱基缺陷:迁移到表面—在内部形成空位(2)弗兰克尔缺陷:原子迁移到间隙中,在晶体中形成数目相等的空位-间隙原子;(3)跑到其他空位,使空位消失。

知识点3 空位平衡浓度空位形成能Ev:在晶体内取出一个原子放在晶体表面上所需要的能量。

通常材料的熔点越高,结合能越大,空位的形成能也越大。

间隙原子会使周围点阵产生弹性畸变,而且畸变程度要比空位引起的畸变大得多,也会改变其周围电子能量,因此,它的形成能大,在晶体中浓度一般很低。

空位的形成过程原子的热振动克服约束,迁移到新的位置成为空位、间隙原子引起局部点阵畸变少部分原子获得足够高的能量结果晶体中点缺陷的存在:(1)一方面造成点阵畸变,使晶体内能升高,降低了晶体热力学的稳定性;(2)另一方面,由于原子排列顺序的混乱程度,并改变了其周围原子的振动频率,引起熵值的增大,这又增加了热力学的稳定性。

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点缺陷从一个平衡位置到另一个平衡位置的移动,必须 获得足够的能量来克服周围势垒的障碍,故称这一增大 的能量为点缺陷的迁移能 E 。
m
Sm Em 0 Z exp( ) exp( ) kT k
0 为点缺陷周围原子的振动频率
Z 为点缺陷周围原子的配位数
S m 为点缺陷的迁移熵
§3.1.3 点缺陷对性能的影响
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
第二节 线缺陷



线缺陷就是在两个方向上尺寸很小,在一个方向上尺 寸很大的缺陷。 线缺陷是各种类型的位错。 位错是晶体内部一种有规律的管状畸变区。原子发生 错排的范围,在一个方向上尺寸较大,而另外两个方 向上尺寸较小,是一个直径为3~5个原子间距,长几 百到几万个原子间距的管状原子畸变区。 最简单的位错是刃型位错和螺型位错。
4
晶体结构的特点是长程有序。结构基元或者构成物体的粒
子(原子、离子或分子等)完全按照空间点阵规则排列的晶体
叫理想晶体。
在实际晶体中,粒子的排列不可能这样规则和完整,而是
或多或少地存在着偏离理想结构的区域,出现了不完整性。
把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。
实际晶体中虽然有晶体缺陷存在,但偏离平衡位置很大的
够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
螺型位错与刃型位错的区别
(1)螺型位错中不存在多余半原子面,而是垂直于 位错线的原子平面发生了螺旋状的扭曲。 (2)螺位错线的b与其位错线相平行,而刃位错线的 b与其位错线相互垂直,这是区别螺位错与刃位的主 要依据。 (3)螺型位错可分为左螺型位错和右螺型位错,与 正负刃位错不同,左右螺型位错是不能相互转化的, 不管从哪个方向看,旋转的方向是不会变的。 (4)刃型位错的位错线可以是直线、折线和缺陷而 螺型位错的位错线只能是直线。
点缺陷的存在使晶体体积膨胀,密度减小。
点缺陷引起电阻的增加,这是由于晶体中存在点缺陷
时,对传导电子产生了附加的电子散射,使电阻增大。
空位对金属的许多过程有着影响,特别是对高温下进
行的过程起着重要的作用。
金属的扩散、高温塑性变形的断裂、退火、沉淀、 表面化学热处理、表面氧化、烧结等过程都与空位的
Ev Ev ne N A exp N exp kT kT
19 1.4410 28 8.4910 exp / m 3 1.381023 773
1.2 10 / m
23
3
第一节 点缺陷
§3.1.1 点缺陷的类型及形成
点缺陷的定义
点缺陷:在三维方向上尺寸都很小(远小于晶体或晶粒的
线度)的缺陷。
1.点缺陷的类型
常见的基本点缺陷有空位、间隙原子和置换(杂质)原子。 1.空位:正常结点位置出现的原子或离子的空缺;
2.间隙原子:指原子进入正常格点位置之间的空隙位置; 3. 置换原子:位于晶体点阵位置的异类原子 。
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
2)计算空位浓度
ne 1.4410 Ce exp 23 N 1.3810 773
19
e
13.5 6
1.4 10
即在500℃时,每106个原子中才有1.4个空位。
例2:Nb的晶体结构为bcc,其晶格常 数为0.3294nm, 密度为8.57g/cm3,试求每106Nb中 解:设单个晶胞内空位分数为x, 所含的空位数目。 2(1 x) Ar 3
b. 由于存在着这两个互为矛盾的因素,晶体中的点 缺陷在一定温度下有一定的平衡数目,这时点缺陷的
浓度就称为它们在该温度下的热力学平衡浓度。
c. 在一定温度下有一定的热力学平衡浓度,这是点缺
陷区别于其它类型晶体缺陷的重要特点。

空位-体系能量曲线
1.形成缺陷带来晶格应变,内能U增加,一个缺陷带来的内能 增加为u,所以内能增加 U nu ,故内能增加是线性的。 2.缺陷存在使体系的混乱度增加,引起熵值增加,缺陷存在使 体系排列方式增加,即熵值显著增加。和缺陷数量变化呈非线 性的。
1. 已知bcc的Fe的密度为7.87g/cm3,求一个晶胞内 包含的空位数为多少?每cm3中包含的空位数为多 少?(铁的点阵常数为2.866×10-8cm,铁原子的摩 尔质量为55.847g)
2. 已知某晶体中形成一个空位所需要的激活能为 0.32×10-18J。在800℃时,1×104个原子中有一个 空位。在何种温度时103个原子中含有一个空位? 3. MgO为NaCl型结构,其密度为3.58g/ cm3,点阵 常数为0.42nm,Mg的相对质量为24.305,O为 15.9994。试求每个MgO单胞内包含的肖特基缺陷数。
粒子数目是很少的,从总的来看,其结构仍可以认为是接近 完整的。
根据几何形态特征,可以把晶体缺陷分为三类:点缺 陷、线缺陷和面缺陷。 点缺陷(point defect):特征是三维空间的各个 方面上尺寸都很小,尺寸范围约为一个或几个原子尺 度,又称零维缺陷,包括空位、间隙原子、杂质和溶 质原子。 线缺陷( line defect ):特征是在两个方向上尺 寸很小,另外一个方向上很大,又称一维缺陷,如各 类位错。 面缺陷( planar defect):特征是在一个方面上 尺寸很小,另外两个方面上很大,又称二维缺陷,包 括表面、晶界、亚晶界、相界、孪晶界等。
主讲:赵建果
本章要求掌握的主要内容
一.需掌握的概念和术语 1、点缺陷、Schottky空位、Frankel空位、间隙原子、置换 原子 2、线缺陷、刃型位错、螺型位错、混合型位错、伯氏矢量、 位错运动、滑移、(双)交滑移、多滑移、攀移、交割、割 阶、扭折、塞积;位错应力场、应变能、线张力、作用在 位错上的力、位错密度、位错源、位错生成、位错增殖、 位错分解与合成、位错反应、全位错、不全位错、堆垛层 错 3、面缺陷、表面、界面、界面能、晶界、相界 4、关于位错的应力场、位错的应变能、线张力等可作为一 般了解 5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
8.96×106g/m3)
解:首先确定1m3体积内原子Cu原子总数 (已知Cu的摩尔质量MCu=63.54g/mol, 500 ℃ 下Cu的密度为8.96×106g/m3).
N A Cu 6.02310 8.9610 N 3 M Cu 63.54m
23
6
1)将N代入,计算空位数目ne
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。
图 不同形状的刃型位错
3).滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面,在 其它面上不能滑移。由于在刃型位错中,位错线与滑移矢量 互相垂直,因此,由它们所构成的平面只有一个。 4).晶体中存在刃型位错之后,位错周围的点阵发生弹性畸 变,既有切应变,又有正应变。就正刃型位错而言,滑移面 上方点阵受到压应力,下方点阵受到拉应力;负刃型位错与 此相反。 5).在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原子具有较大的 平均能量。但该区只有几个原子间距宽,畸变区是狭长的管 道,所以刃型位错是线缺陷。
存在和运动有着密切的联系。
过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照缺陷)还提高了 金属的屈服强度。
例1:Cu晶体的空位形成能Ev为1.44×10-19J/atom, 材料常数A取为1,波尔兹曼常数为k=1.38×10-23J/K, 计算: 1)在500℃下,每立方米Cu中的空位数目; 2)500℃下的平衡空位浓度。 (已知Cu的摩尔质量63.54,500℃ Cu的密度为
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.位错的基本类型

位错可分为刃性位错和1)刃型位错
图 含有刃型位错的晶体
刃型位错的概念:
在某一水平面以上多出了垂直方向的原子面,犹如插入的
刀刃一样,EF称为刃型位错线。位错线附近区域发生了原子 错排,因此称为“刃型位错” 。 把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正刃型位错,用 符号“┻”表示,反之为负刃型位错,用“┳”表示。 含有多余半原子面的晶体受压,原子间距小于正常点阵常 数;不含多余半原子面的晶体受张力,原子间距大于正常点 阵常数。 位错在晶体中引起的畸变在位错线中心处最大,随着离位 错中心距离的增大,晶体的畸变逐渐减小 。
§3.2.1 位错的基本概念
1.位错学说的产生 1926年弗仑克尔利用理想晶体的模型估算了理论抗剪屈 服强度,与实验结果相比相差3~4个数量级。 1934年泰勒,波朗依和奥罗万三人几乎同时提出晶体中 位错的概念。 泰勒等把位错与晶体塑变的滑移联系起来,认为位错在 切应力作用下发生运动,依靠位错的逐步传递完成了滑移。 与刚性滑移不同,位错的移动只需邻近原子作很小距离 的弹性偏移就能实现,而晶体其他区域的原子仍处在正常 位置,因此滑移所需的临界切应力大为减小。
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