TFT Cell制程原理详细介绍
Cell制程原理介绍
主要用途 玻璃基板清洗(PI 印刷前) PI 印刷(for LC 排列) PI 配向(for LC 排列) 配向后玻璃基板清洗 间隙子洒布(cell gap 控制) 框胶塗布供基板组合黏著 组合TFT & CF 将玻璃基板切割成cell 液晶注入(cell 內) 封闭液晶注入口 Cell 表面清洗与液晶重排列 偏光板贴附 强化偏光板与玻璃表面黏著&气泡去除
15
9.Injection
抽真空
高真空
破真空 至常压
16
10.End-seal
液晶挤出擦拭
封口胶塗布
封口胶渗入
封口胶硬化
17
11.磨边道角
【制程目的】藉磨轮的旋转将玻璃的尖锐边磨成钝角，以避免锐角碰撞 缺角或锐角将FPC割断；并将Cell-tester所使用之Shorting-Bar磨除。
18
加压
UV燈 上压版
对位CCD
UV胶
下压版
11
Press Unit
Kevlar
Cushion
Heater
上定盘 Cushion
Belt 下定盘
Heater
12
6.Hot-Press
【制程目的】利用气囊、压板或抽真空等方式加压，使cell之框胶部 份形成所须之gap值，并加热使框胶硬化以维持框胶之固 定gap值。
课程介绍
一、Panel的基本结构 二、LCD制造流程与制程目的 三、区间的制程差异 四、名词解释
1
一、Panel的基本结构
（3）
（4）
（1）
（2）
（7）
（5）
（6）
（9）（8）
2
1. Introduction of LCD
CELL制程简介
展色, 便開始印刷,將PI液均勻的印在基板上為面板最複雜的製程。
★預烤爐
將PI膜的溶劑烤乾。
★檢查機
運用光源掃描, 檢查印刷欠陷, 如果發現則將基板回收運
用剝膜機,剝膜後再投入。
★硬烤爐
將PI膜完成最終乾燥, 加強附著性。
PI轉寫方式
★PI轉寫主要的作用是在玻璃基板上形成配向膜 , 經過配向工 程產生液晶分子所需之預傾角。
PANEL一部工程 製程概要
LCD 液晶顯示原理圖
Y 偏光板(一)
液晶
偏光板(二)
X 光行進方向
Z
亮
*不施加電場，液晶 Twist 光線沿液晶光軸偏轉
偏光板(一)
Y
X 光行進方向
液晶
偏光板(二)
Z
暗
*施加電場，液晶 Tilt 光線直進不偏轉
TFT CF之結構
BM
GB
RG
B
R
GB
R
BM →塗佈(RGB)→ SiO2→ ITO
1. 製程流程示意圖(一)：
TFT基板投入及一次切裂
CF基板投入
(TFT HALF SIZE由此投入)
Multi Loader (PTM 1)
雷射Marking
(TFT FULL SIZE由此投入)
PI前基板洗淨
PI前基板洗淨
Multi Loader (PTM 2)
Multi Loader (PCM 2)
2. WET(2)部 : WET(1)至WET(2) 有風刀清除WET(1)殘存水分
a. 流程 : 純水 US → CJ → MS
清除
b. 純水US(US cleaner)係使用兩台超音波產生器 超音波震盪
TFT--cell制程简介
16
Cell TEST-2 CELLtest-1
WO/SB TEST Waveform
data c b scan 63.5us 16.7ms a
com
19
CELL TEST-2
WO/SB TEST 的 作 用 (一)
• 有些產品 shorting bar 受傷使信號無法傳 遞 , 故借由導電橡皮將線路short .
metal film
O-ring
flat heater
4-6a.Scribe & Break
【製程目的】將組合熱壓完成之大片基板組，切裂成最終尺寸之cell。
4-6b.切割方式
切割是以硬度比玻璃高的工具，在玻璃表面施加壓力行走，使玻璃產生線狀 crack；基本上cell與單板的切割方法相同。 1、diamond scriber(point tool)：其median crack深度會有各種變化，因 diamond尖端會磨耗，故難以得到穩定的銳利度。 2、超硬/diamond wheel chip：現行LCD之切割皆採用此方式。 3、Laser criber：尚在基礎實驗中。
Scan driver(Gate-line)
CF ITO電極 Source Gate 液晶分子 Pixel電極 Drain
2-4.TFT-LCD剖面圖
3-2.LCD流程-Overall
TFT基板
PI塗布
PI配向
框膠/銀點
TFT/CF 組合/ 熱壓/切裂
CF基板 PI塗布 PI配向 Spacer撒布
4-6c.裂片方式
Cell的裂片方法，是在產生引張應力的地方，施加局部壓縮應力進行裂片。Cell進行裂 片時，切割面接觸裂片檯面，上方以樹脂製成之加壓片施加壓縮荷重；此時因Glass與 檯面的縱向彈性係數不同，會沿著切割線形成引張應力及彎曲應力。
《CELL制程简介》课件
未来Cell制程的发展将更加注重环保、高效、智能化。随着技术的不断进步和应用领域的拓展，Cell制程将不断向更高效、更环保、更智能化的方向发展。
随着Cell制程技术的不断发展，也面临着诸多挑战，如技术瓶颈、成本问题、伦理问题等。解决这些挑战需要不断探索和创新，同时也需要政府、企业和社会各界的共同努力。
流体力学
细胞培养
细胞培养是Cell制程中的重要技术之一，通过模拟细胞生长的环境条件，促进细胞的增殖和代谢。
酶促反应
酶促反应在Cell制程中起到重要作用，酶能够加速生物体内的代谢过程，从而影响细胞生长和产物生成。
基因工程
基因工程在Cell制程中用于对细胞进行遗传改造，以实现高产、高表达或具有特殊功能的细胞系建立。
总结词
05
CHAPTER
Cell制程的实验操作与注意事项
确保实验环境整洁、安全，准备好所需的实验器材和试剂。
实验准备
实验操作
实验结束
按照规定的步骤进行实验，注意观察实验现象，记录实验数据。
清理实验现场，确保实验室安全。
03
02
01
穿戴好实验服、护目镜等防护装备，避免皮肤直接接触化学试剂。
注意个人防护
总结词
常见的分离设备包括离心机、过滤器、萃取塔、蒸馏塔等。这些设备通过物理或化学的方法，将反应产物和副产物从反应液中分离出来，并进行纯化处理，以获得高纯度的产品。分离设备的效率和效果直接影响到产品的质量和产量。
详细描述
总结词
检测仪器用于检测和监测Cell制程中的各项参数，如温度、压力、浓度、流速等。
详细描述
检测仪器包括温度计、压力计、流量计、浓度计等。这些仪器通过测量和监测Cell制程中的各项参数，帮助操作人员了解反应过程和产品情况，及时发现和解决问题，确保制程的稳定性和安全性。
TFTLCD制造技术Cell工艺
2.2 DISPENSER LINE
2.2.1 SPACER PROCESS 2.2.2 SEAL&TR PROCESS 2.2.3 LC DROP PROCESS
2.2.1 SPACER PROCESS
一、目的：
维持CELL均一稳定的盒厚
Post Spacer
BM
ITO
R/G/B PI
二、ODF用Spacer type
TR: 一种导电胶，作用是为C/F提供电信号，导通 ITO电极.
2.2.2 SEAL&TR PROCESS
二、材料
SEAL: 主要成分为树脂，种类有热固化型和光（UV）固化型。 热固化型接着强度高，但固化时间长； 光固化型接着强度低，但固化时间短； 5G采用混合型。
GLASS FIBER: ALKALI金属氧化物含有量1%以下的GLASS， 与sealant混合共同维持cell gap
2.1.1 PI COATING PROCESS
一、目的 在TFT & C/F基板上形成取向层，达到液晶分子取 向的作用.
二、流程 PI COATING PRECURE INSPECTION
MAINCURE
REWORK
流程：
玻璃基板涂布PI液后， 经过PRECURE工程挥发 部分溶剂，在检测部检 测涂布效果，良品进入 MAINCURE工程挥发溶 剂使PI固化，不良品进 行REWORK后重新流品。
2.1.2 PI RUBBING PROCESS
二、设备结构原理
④
①
③
②
TFT基板
CF基板
回数
ROLL结构： ① Roll 直径 ② 两面tape ③ Winding gap ④ Rubbing
TFTCell制程原理
TFTCell制程原理引言TFTCell（薄膜晶体管电池）是一种非常重要的电子组件，广泛应用于液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等显示技术中。
本文将介绍TFTCell的制程原理，包括其结构、制造过程以及工作原理。
结构TFTCell的基本结构由三个主要元件组成：薄膜晶体管、电容和像素电极。
薄膜晶体管是TFTCell的核心部件，它负责控制电流流过电容和像素电极，从而达到控制像素点的亮度和颜色的目的。
电容存储电荷，而像素电极是通过对电容上的电荷进行驱动来控制每个像素点的亮度。
制造过程TFTCell的制造是一个复杂的过程，涉及到多个步骤。
下面将介绍TFTCell的制造过程的主要步骤。
1. 基板制备TFTCell的制造通常以玻璃作为基板，因为玻璃具有良好的透明性和平整度。
制造过程的第一步是在玻璃基板上涂覆一层透明导电薄膜，通常使用氧化锌（ZnO）或二氧化锡（SnO2）等材料的薄膜来实现。
2. 薄膜晶体管的形成在涂覆导电薄膜的基板上，通过光刻和蒸发等技术，制造薄膜晶体管。
薄膜晶体管通常由一层绝缘层、一层半导体层和一层金属电极组成。
绝缘层用于隔离半导体层和金属电极，确保电流只流过晶体管的通道部分。
3. 像素电极的制造在薄膜晶体管的制造完成后，需要制备像素电极。
像素电极通常是由透明导电材料制成的，例如氧化铟锡（ITO）等，可以通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出一个个微小的像素电极。
4. 电容的形成在像素电极的制造完成后，需要在像素电极和薄膜晶体管之间形成一个电容。
电容是由两个金属层之间的绝缘层组成，通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出。
工作原理TFTCell的工作原理是基于薄膜晶体管的开关特性。
当TFTCell中的薄膜晶体管通电时，电流流过绝缘层到达半导体层，通过控制垂直方向的电场的强度，可以调节半导体层的导电特性。
当半导体层导电时，电流可以流过像素电极和电容，从而改变像素点的亮度和颜色。
TFTCell的工作原理可以通过外部电源和信号控制电流的开闭，从而实现TFTCell的快速响应和高精度的亮度调节。
tft 制程工艺
tft 制程工艺标题：理解与探索：TFT制程工艺详解一、引言TFT（Thin Film Transistor）即薄膜晶体管，是液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示技术中的关键组件。
TFT制程工艺是制造这些显示器的核心技术，涉及到多个复杂的步骤和精密的工艺流程。
本文将深入探讨TFT制程工艺，帮助读者理解这一高科技领域的奥秘。
二、TFT的基本结构TFT主要由栅极绝缘层、活性层和源/漏极组成。
栅极绝缘层通常由二氧化硅构成，活性层主要使用硅或新型材料如氧化物半导体，源/漏极则由金属材料制成。
这些层通过精细的制程工艺沉积在玻璃基板上，形成一个个微小的晶体管。
三、TFT制程工艺流程1. 基板清洗：首先，玻璃基板需要经过严格的清洗，以去除任何可能影响后续步骤的杂质。
2. 靶材沉积：然后，通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等方法，在基板上沉积各种材料，形成所需的薄膜层。
3. 光刻：接着，利用光刻技术，将设计好的电路图案转移到薄膜层上。
这个过程需要精确控制，以确保每个晶体管的位置和尺寸准确无误。
4. 蚀刻：光刻后，通过蚀刻工艺，将不需要的部分薄膜去除，留下预定的电路图案。
5. 金属化：在源/漏极位置沉积金属，形成导电路径。
6. 终止和测试：最后，进行封装和测试，确保每个TFT的功能正常。
四、TFT制程工艺的挑战与发展趋势TFT制程工艺面临着精度要求高、环境污染控制严格、成本控制等挑战。
随着科技的进步，新的材料和工艺，如低温多晶硅（LTPS）和铟镓锌氧化物（IGZO）等，正在推动TFT技术向更高分辨率、更低功耗、更小尺寸的方向发展。
五、结论TFT制程工艺是现代显示技术的基础，其复杂性和精确度体现了人类科技的精妙之处。
随着科技的不断进步，我们期待看到更多创新的TFT工艺和技术，为我们的生活带来更优质的显示体验。
TFT制造原理和流程
目录
• TFT技术原理 • TFT制造流程 • TFT工艺技术 • TFT制造设备与材料 • TFT制造中的问题与对策 • TFT制造的应用与发展趋势
01
TFT技术原理
TFT定义与特性
01
TFT（Thin-Film Transistor）即薄 膜晶体管，是一种电子器件，具有 高响应速度、低功耗、高集成度等 特性。
金属诱导晶体技术
金属诱导晶体技术是一种利用金属原 子诱导非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜 的工艺技术。通过在非晶硅薄膜上沉 积金属原子，可以促进硅原子的重排 和结晶化，形成多晶硅薄膜。
VS
金属诱导晶体技术的优点在于其高结 晶速度和低成本，适用于大规模生产。 此外，金属诱导晶体技术还可以与其 他工艺技术相结合，如激光退火技术， 进一步提高TFT的性能。
其物理和化学性质。
TFT制造材料
金属材料
用于制造TFT的电极和引线，如铝、铜等。
光敏材料
用于光刻工艺，如光刻胶。
非金属材料
用于制造绝缘层和钝化层，如氧化硅、氮化 硅等。
其他辅助材料
如稀释剂、清洗剂等。
设备与材料的选取原则
01
02
03
兼容性
设备与材料应相互兼容， 以确保制造过程中不会发 生不良反应。
04
TFT制造设备与材料
TFT制造设备
溅射设备
用于制造TFT薄膜，通 过物理或化学方法将金 属或非金属元素溅射到
基材上。
光刻设备
用于将设计好的电路图 案转移到光敏材料上， 以便进行后续的刻蚀和
剥离。
刻蚀和剥离设备
用于将不需要设备
用于在制造过程中对薄 膜进行热处理，以改变
Cell制程介绍
➢具重工加压脱泡制程功能 ➢具充足保养与破片清理空间 ➢符合 华星光电工安规定 ➢易人员维修、操作与更换耗材设计
基板切割
磨边导角
洗净
一次点灯
将大基板变成小 panel
修整锐角以 利IC bonding 及预防裂片
去除前制程 之碎屑
LCM
二次点灯
炉子 烘烤
贴附偏 光板
确认品质状 态
洗净
确认品质状 态
利用温度去除 偏光板贴附间 的bubble
将偏光板贴附 Panel 两侧
保持panel表面 洁净以利偏光 板贴附
2. PI制程简介
3. 6框胶固化
UV照射部相关参数: * UV波长cut (300nm以下cut(DUV filter),800nm以上cut(IR UV filter). * UV照射强度 (85~130mw/cm2). * UV照射能量 (照射强度*时间 mj/cm2). * UV照射均一度 (±20%以下). * Seal胶材使用UV波长 (365nm).
3.5贴合
在高真空状态下，利用机台对位系统读取Mark，将CF 和TFT 基板准确的压合在一起，要确保Stage 表面平行度和压合后组 立基板脱离状况良好，对位精度质量才会稳定。
①上下基板投入
②上下基板真空吸着
③基板位置贴合（非接触）
《画像处理：５μm程度》
④Chamber内抽真空 →实施对位
⑤大气开放（大气压力）
CELL段制程简介
ODF制程生產流程
切割
清洗
轉TRATY
面檢
TEST
切裂罐制程
作業流程
一.切割站：将组立后基板切成所需尺寸的小面板 二.真空淬火站：高温抽真空对面板进行油渍赃物的清 洁 三.注入站：对面板进行液晶的注入 四.压合站：对面板进行压合及封口处理. 五.清洗站：用洗剂加超声波对面板进行夹缝中残留液 晶的清洁 六.再定向站：使液晶依配向方向有序排列 七.點燈站：通過測具來測試检查出电訊不良及点类 MURA内面板. 八.面检站：外观检
CF/BM TFT 切割線SCRIBE LINE
裂片BAR裂片方向
一.切割站
玻璃基板
切割刀輪
一.影響切割品質因素
製程參數 切割壓力 切割深度 原物料特性 玻璃材質 機台因素 切割機/刀輪型式 刀輪材質角度
切割速度
切割機 臺面
一.切割注意事項
注意事項
HSD切割先切CF侧再切TFT侧，防止剥边条造成ITO
TFT-LCD 結構
簡單的說TFT-LCD面板的基本結構為兩片玻璃基板 中間夾住一層液晶。前端LCD面板貼上彩色濾光 片﹐後端TFT面板上製作薄膜電晶體(TFT) 。當施 電壓于電晶體時﹐液晶轉向﹐光線穿過液晶後在前 端面板上產生一個畫素。背光模組位於TFT-Array 面板之後負責提供光源。彩色濾光片給予每一個畫 素特定的顏色。結合每一個不同顏色的畫素所呈現 出的就是面板前端的影像。
排片 (背光下檢查) 上壓合架 加壓
減壓
下壓合架
曝光
點膠
擦拭封口
OM下抽檢
收片
壓合封口制程
制程原理：
利用壓力將多餘液晶壓出玻璃外以控制cell飽和度,同時以
TFT的基本驱动原理和ASIC的功能介绍
一、主旨：今天主要学习的是TFT的基本驱动原理和ASIC的功能介绍。
二、內容：TFT-LCD的面板构造主要分为背光板、下偏光板、液晶、滤光片、上偏光板组成。
每个液晶面板由一个个液晶单元构成，每个单元由TFT、SOURCE线、GATE线、液晶电容、存储电容构成。
TFT有5道光罩制程, 每道的具体制程为GE(Gate层电极)、SE(Gate层绝缘极、Channel、通道与电极之接触界面)、SD(Source/Drain电极)、CH(Contact hole)、PE(画素电极)。
TFT的基本物理特性⏹温度上升-载子飘移率(ufe)亦上升⏹温度上升-临限电压(Vth)下降⏹照光越強-光漏电流(Iph)越大⏹电压频率越高-闸源与电极电容(Cgd, Cgs)越小⏹a-Si:H的能隙为1.7eV(~800nm)⏹a-Si:H的介电常数为11.7⏹SiNx的介电常数为6.9-7.5(根据N的不同比例)TFT的基本驱动原理TFT元件的动作类似一个开关，液晶元件的作用类似一个电容，借开关的ON/OFF对电容存储的电压值进行更新/保持。
SW ON时信号写入(加入、记录)在液晶电容上，在以外时间SW OFF，可防止信号从液晶电容泄漏。
在必要時可将保持电容与液晶电容并联，以改善其保持特性。
信号传输格式主要有四种●Analog interface（类比讯号）—传统的界面，如CRT。
●Digital interface（数字讯号）—TTL/CMOS，最基本的数字信号，优点：最直接的信号，可直接测量；缺点：易受外界干扰，易向外界干扰，消耗功率大。
●LVDS : Low Voltage Differential Signaling（低压差分信号）— 6bits为4对，8bits为5对，摆幅为250、350、450mV，数据传输速度是7倍的CLK速度，使用这种方式可以减少功率消耗及减低EMI。
●RSDS : Reduced Swing Differential Signaling（低摆幅差分信号）—基于LVDS上，一对Data，RSDS的电压摆幅只有200mV，比LVDS更低，减小电源消耗和辐射，减小计算成分和基板的尺寸。
Cell工程工艺简介课件
9
Cell工艺简介
洗净效果的评价：
评价项目
评价内容
评价方法
有机污染物除去能力
EUV照度和有机膜除去性的相关评价
药液温度和洗浄能力的相关评价（CF側）
搬送速度和洗浄能力的相关评价
接触角測定
缩小时间測定
异物粒子的除去能力
Brush的压入量和洗浄能力的相关评价
带电量在适当范围以内
带电量过大，将造成静电破坏
22
Cell工艺简介
2.5 摩擦后洗净
摩擦后洗净目的：
除去摩擦工程后基板上的异物及污染物，防止异物不良和配向不良，包
括有机污染物（摩擦布）和异物粒子（摩擦布、配向膜残屑）、离子性不纯物
等。在摩擦洗净工程中，为了保证配向的均一性，必须保证洗净的均一性。
23
可能造成的不良
对策
烧成温度稳定性
烧成温度均一性
温度Profile
温度低：Imide化不足
温度高：PI分解
IR温度，时间调节
Imide化稳定性
红外吸收光谱
未反应物造成污染
炉内洁净度
Particle检测装置
发尘相关的异物不良
处理枚数管理，空烧
基板冷却
基板表面温度测试
Rubbing，配向不良
IR温度时间，搬送速度
在TFT基板的配线上涂布Ag胶,
使TFT基板与CF基板导通。
Ａｇ涂布后形状
Ａｇ涂布前
Ｐａｄ状态
Ａｇ ｐａｄ
量ＮＧ（多）
↓
盒厚不均
正
正常
常
Ａｇ ｐａｓｔｅ
Ａｇ ｐａｓｔｅ
量ＮＧ（少）
TFT的基本原理及制程原理
Ids
线性区
Up=8v |Uds-Ugs|=|Up|
饱和区 Vgd<Vth(开启电压) Vgs=Vth+8 Vgs=Vth+6 Vgs=Vth+4 Vgs=Vth+2
G
一 Vgs<Vth:感应通道未形成 Ids=0 二 Vgs&Vgd>Vth:形成感应通道
|Up|
Vgs〈Vth
VDS
影响Ids之重要参数 1. Vth
SPC/芝蒲
TEL/Nikon
DNS 光洋 DNS 光洋 DNS TEL/PSC 20 DNS
Mask 6:DC(保护层形成)
A
A'
A
A'
1. 成膜前洗净 2. 成膜SiNx 3. 光阻涂布/曝光/显影 4. 显影检查 Nikon/Hitachi 5. 蚀刻(DRY) 6. 光阻去除 7. 退火
SPC/芝蒲 Barlzers TEL/Nikon
12
VID C GS
1.△V的大小关系如下: CGD:闸极与汲极间电容 CLC:液晶电容 CST:保持电路
VG
CGD
VP
CST
CLC
VCOM
(b)电路图
2.此下降电压△V与影像信号的极 性无关,永远比画素电位VP 下 降此一电压值.因此,只要将彩 色滤光片的共用电极电位VCOM设 定成相对於信号线的中心电压VC 低一偏移值△V,便可以使加在 画素电极上的电压成为正负对称 的波形,使直流位准的电压降误 差到最小值. 13
VSD D VGS〈Vth G S
(2)Vgs<Vth:讯号保持
D
S G
D
S
D S CLC G com
TFT屏幕工艺标准流程经过
第二章TFT 显示器的制造工艺流程和工艺环境要求清洗—成膜—光刻—刻蚀—剥离阵列段是从投入白玻璃基板，到基板上电气电路制作完成。
具体见下图：CF 工序是从投入白玻璃基板，到黑矩阵、三基色及ITO 制作完成。
具体见下成膜[膜[Glass 基[PR 塗布曝光 [Mask現像 刻蚀 剥離[TFT 基重复[Glass 基Cell工序是从将TFT基板和CF基板作定向处理后对贴成盒，到切割成单粒后贴上片光片。
具体见下图：Module工序是从LCD屏开始到驱动电路制作完成，形成一个显示模块。
具体示意图如下：第一节阵列段流程一、主要工艺流程和工艺制程（一）工艺流程上海天马采用背沟道刻蚀型（BCE）TFT显示象素的结构。
具体结构见下图：C'Storage capacitorITO pixel electrodeCros-s ection -C’a-Si TFTSelect lineData line对背沟道刻蚀型TFT结构的阵列面板，根据需要制作的膜层的先后顺序和各层膜间的相互关系，其主要工艺流程可以分为5个步骤（5次光照）：第一步栅极（Gate）及扫描线形成具体包括：Gate层金属溅射成膜，Gate光刻，Gate湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。
经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成扫描线和栅电极，即Gate电极。
工艺完成后得到的图形见下图：第二步 栅极绝缘层及非晶硅小岛（Island ）形成具体包括：PECVD 三层连续成膜，小岛光刻，小岛干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。
经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成TFT 用非晶硅小岛。
工艺完成后得到的图形见下图：CCross-section CC’CSiN第三步 源、漏电极（S/D ）、数据电极和沟道（Channel ）形成 具体包括：S/D 金属层溅射成膜，S/D 光刻，S/D 湿刻，沟道干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。
Cell制程介绍
基板印加电压的情况下，施以UV照射使基板内液晶形成预倾角
4.2电压控制
Probe 驱动系统： Probe位置可调整，以及Probe施加电压大小和时序可编程实现，能保证面板内所 需电压的可以精确的控制
HVA Curing Pad
Probe Bar APS-1102/PST3201 可编程直流&交流电源
慢挥发。若升温条件太快，PI内的溶剂挥发速度太快，容易在PI膜表面留下气 泡状痕迹，造成质量不良；若升温条件太慢，溶剂尚未挥发完全就被送入检查 装置内，容易造成检查机的误判。
2.6 PI Inspection
CCD接受到光子后，利用光电效应的原理转换成电子，再经 由电容储存电子后的电压改变量，转换成电子讯号
• PI液放入冰箱冷却,需待12小时后方可取出。 • PI液由冰箱取出退冰后须等待8小时以上,方可使用。 • PI液由冰箱取出超过16小时须回冰.如要再拿出使用,PI回冰需满12小时。 • 不同时间点退冰之PI液,不可混在同一瓶中。
2.3 Before PI Cleaner
※以毛刷(混合洗剂)-高压水柱-二流体-风刀的配置进行湿洗制程 利用IR炉内高温(Max.150度)将 水气去除
框胶作用：
利用பைடு நூலகம்胶黏着性将Cell 上下两片玻离基板组合固 定;保护液晶不和外界水气及杂质接触，防止 液晶外流
AU点胶制程目的： 导通CF与TFT上之COM电极形成控制液晶分 驱 动之电场
液晶分子在不同方向的介电系数不同，外加电场可 改变液晶分子的排列方向，从而可以控制光的方向。
CHINA STAR
※利用CCD撷取影像后，以周期性比对方式找出Defect
2.7 PI Postbake Oven
TFT的基本原理及制程原理
22
Panel主要内容
1.panel等效电路 2.防静电回路 3.5道光罩
23
SPC/芝蒲
TEL/Nikon
DNS 光洋 DNS 光洋 DNS TEL/PSC 20 DNS
Mask 6：DC(保護層形成)
A
A’
A
A’
1. 成膜前洗淨 2. 成膜SiNx 3. 光阻塗佈/曝光/顯影 4. 顯影檢查 Nikon/Hitachi 5. 蝕刻(DRY) 6. 光阻去除 7. 退火
SPC/芝蒲 Barlzers TEL/Nikon
6
掃描線 信 號 線 S G D
RON ROFF
1.
TFT TFT ON 線
掃描線 線 TFT TFT (ROFF) 105
7
2.
3.
(RON) OFF TFT 線 RON ROFF
認識 TFT
D S
D S D S
G
G
G 1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。
8
TFT元件的運作原理
12
VID C GS
1.△V的大小關係如下: CGD:閘極與汲極間電容 CLC:液晶電容 CST:保持電路
VG
CGD
VP
CST
CLC
VCOM
(b)電路圖
2.此下降電壓△V與影像信號的極 性無關，永遠比畫素電位VP 下 降此一電壓值。因此，只要將彩 色濾光片的共用電極電位VCOM設 定成相對於信號線的中心電壓VC 低一偏移值△V，便可以使加在 畫素電極上的電壓成為正負對稱 的波形，使直流位準的電壓降誤 差到最小值。 13
18
Mask 4：CH (Contact Hole形成)
CELL制程原理
breaker End seal
scriber LC clean
breaker isotropic
Beveling
Cleaner
Polarizer Attach
Auto clave
Cell test
清洗製程
裝置
brush-washing with detergent unit
目的 有機物除去 5um以上particle除去
PI 塗佈-PI Coating(TFT&CF)
PI膜(Polyimide)
滾輪 APR版
PI製程原理
Dispenser: PI Anilox roll
GLASS 基板
滴入 Doctor roll
Print roll
APR板
• 原理: 將PI液滴在anilox roll上
doctor roll將anilox roll上PI液整平
氣囊熱壓
115~200度C 4小時,一 次可壓18~20片壓完後 ,CF和TFT板之間的距 離變成約4.85μm 二廠使用真空熱壓法
壓力表
大片組合之基板
4.85μm
熱壓機hot pressor
Hot pressure製程
利用氣囊或抽真空方式加壓，使cell之框膠 部份形成所須之gap值，並加熱使框膠硬化以 維持框膠之固定gap值。
氮氣 (N2)
銀膠
框膠
玻璃基板
針頭 Nozzle
SPACER SPRAY
SPACER 灑佈
ARRAY玻璃
SPACER是小塑膠球 又稱為“間隙粒子”
Spacer
PI膜
Spacer spray製程
撒佈主要目是將塑膠間隔物，均勻地分佈在基板上，以 作為TFT與CF間之支撐，並始整面面板擁有均勻的間隙。