触摸屏ITO制程
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触摸屏ITO制程
1.1 触控面板原材料介绍
类似LCM封装 制程
1.5 触控面板专利分布情况
1978～2008年的有效专利件数中，日本的专利件数占整体的52％。第二位为美国的23％，第三位为南韩的 20％。日本和美国的专利网遍布于面板、相关部材以及用户介面等触控面板相关的各领域，而南韩的触控面 板相关专利较偏重于面板部分，其占全部的76％。
On Cell Capacitive Touch Panel Technology Structure
END
电阻式触摸屏的主要两大原材料是上层的ITO膜和下层的ITO玻璃， 它们占触摸屏材料成本的一半以上，电阻式触摸屏的总可见光透过率一 般在80%左右。
ITO玻璃区域划分
ITO玻璃侧ITO刻蚀
玻璃上印刷Spacer
印刷玻璃面Ag线
玻璃印刷绝缘胶 ins-1
玻璃印刷绝缘胶 ins-3
ITO Film侧ITO刻蚀
端电阻取决于ITO面阻抗值、pattern长度及长宽比例 ITO pattern端电阻值愈小, 则电容感应讯号愈强& IC处理反应时间愈短 质量较佳的电容式触控解决方案取决于Touch IC感测及pattern设计 现阶段应用于2.8” Film-Type Sensor之ITO-Film面阻抗值约300Ω/ □
3.8内嵌式多点触控面板
所谓内嵌式多点触控面板(In-Cell Multi-Touch Panel) ，是指触控功能直接整合于面板
生产制程中，不需校正，不必再加一层触控玻璃，从而可维持原面板的薄度仅2.2mm，相 对轻薄，且光能利用率更高。 具体是在先前TFT LCD 用ITO电极的基础上，再加上一层 ITO 作为电容触控层，这是在TFT LCD工厂现有设备制程上非常容易实现，只是由于TFT本 身噪声非常高，对电容感测控制电路有干扰，使得大面积In-Cell Multi-Touch Panel难度更 高。 In Cell Capacitive Touch Panel Technology Structure
印刷ITO Film侧Ag线
3.1 投射电容式触摸屏结构、原理
在两个不同导电基材上（或同一导电基材的正反两面），分别有平行的X导线与Y导线
；导线相互垂直但却不在同一表面，每个X、Y相交处即形成一电容节点。对导电基材上的 导线（驱动线driver line）供以特定振幅与频率的交流电压，另一组导线此时即形成回路以 侦测电容改变量（感应线sense line）。 操作时控制器交互提供电压至其中一组导线，使每个节点上的电容耦合（coupling）造 成驱动线和每一相交的感应线有微小电流；当手指接近一个或多个节点时，会吸走部份电流 ，进而改变了节点上的电容值。控制器交互扫描感应在线每个节点电容值改变，利用3个以 上电容改变的节点来估计触动的实际位置。 投射电容式触摸屏最大的优势是触动无须直接接触、支持多点触控，面板可置于透明基 材下方而得到良好的保护，触动可经由手指或特殊笔，即便是带着手套亦可以使用投射电容 式面板。投射电容触摸面板的核心工艺是双面ITO玻璃多层膜制程。
MoNb sputter
A side Exp. & Dev.
A side Metal Etching
A side Striper
A side ITO Etching
A side Exp. & Dev.
A side PR coater
A side Striper
A side SM printing
B side SM peeling
B side PR coater
B side Exp. & Dev.
B side ITO Etching
Pre SIO2 clean
SM peeling
B side Striper
SIO2 Sputter
A/B side 10s etching
Organic coater
Film att. Laser scriber
视区的走线。其中双层ITO和MO/AL/MO层都需要在后续制程中通过光刻进行图形化，不
同的厂家在外围电路走线材料方面的选取会有所差异。
3.3 双面ITO玻璃制程
Glass kitting Initial clean ITO sputter
ຫໍສະໝຸດ Baidu
A side PR coater
B side SM printing
3.2 双面ITO玻璃的多层膜结构
最内层SiO2膜厚约为15nm，主要是起增加Glass与ITO膜的附着力和平整性的作用； 最外层SiO2膜厚约为100nm，主要是起表面钝化和保护作用； 正反面ITO层膜厚约为15nm，用于屏的可视区ITO Pattern凸显的走线，做电极用； 背面驱动层中Mo/Al/Mo三层膜厚约为350nm(50nm/250nm/50nm)，用于屏的外围非可
Exp. & Dev.
电容触控面板另一种ITO制程
3.4 ITO图形形状
原则：图形之间的相互连线避免过长，连线太长，扫描电阻大， 扫描时间长；通常菱形是最常见的图形形状。
3.5 菱形ITO图形的 具体要求
3.6 ITO图形与外围金属线的连接
3.7 触控面板大尺寸化对ITO镀膜质量要求更高
1.1 触控面板原材料介绍
类似LCM封装 制程
1.5 触控面板专利分布情况
1978～2008年的有效专利件数中，日本的专利件数占整体的52％。第二位为美国的23％，第三位为南韩的 20％。日本和美国的专利网遍布于面板、相关部材以及用户介面等触控面板相关的各领域，而南韩的触控面 板相关专利较偏重于面板部分，其占全部的76％。
On Cell Capacitive Touch Panel Technology Structure
END
电阻式触摸屏的主要两大原材料是上层的ITO膜和下层的ITO玻璃， 它们占触摸屏材料成本的一半以上，电阻式触摸屏的总可见光透过率一 般在80%左右。
ITO玻璃区域划分
ITO玻璃侧ITO刻蚀
玻璃上印刷Spacer
印刷玻璃面Ag线
玻璃印刷绝缘胶 ins-1
玻璃印刷绝缘胶 ins-3
ITO Film侧ITO刻蚀
端电阻取决于ITO面阻抗值、pattern长度及长宽比例 ITO pattern端电阻值愈小, 则电容感应讯号愈强& IC处理反应时间愈短 质量较佳的电容式触控解决方案取决于Touch IC感测及pattern设计 现阶段应用于2.8” Film-Type Sensor之ITO-Film面阻抗值约300Ω/ □
3.8内嵌式多点触控面板
所谓内嵌式多点触控面板(In-Cell Multi-Touch Panel) ，是指触控功能直接整合于面板
生产制程中，不需校正，不必再加一层触控玻璃，从而可维持原面板的薄度仅2.2mm，相 对轻薄，且光能利用率更高。 具体是在先前TFT LCD 用ITO电极的基础上，再加上一层 ITO 作为电容触控层，这是在TFT LCD工厂现有设备制程上非常容易实现，只是由于TFT本 身噪声非常高，对电容感测控制电路有干扰，使得大面积In-Cell Multi-Touch Panel难度更 高。 In Cell Capacitive Touch Panel Technology Structure
印刷ITO Film侧Ag线
3.1 投射电容式触摸屏结构、原理
在两个不同导电基材上（或同一导电基材的正反两面），分别有平行的X导线与Y导线
；导线相互垂直但却不在同一表面，每个X、Y相交处即形成一电容节点。对导电基材上的 导线（驱动线driver line）供以特定振幅与频率的交流电压，另一组导线此时即形成回路以 侦测电容改变量（感应线sense line）。 操作时控制器交互提供电压至其中一组导线，使每个节点上的电容耦合（coupling）造 成驱动线和每一相交的感应线有微小电流；当手指接近一个或多个节点时，会吸走部份电流 ，进而改变了节点上的电容值。控制器交互扫描感应在线每个节点电容值改变，利用3个以 上电容改变的节点来估计触动的实际位置。 投射电容式触摸屏最大的优势是触动无须直接接触、支持多点触控，面板可置于透明基 材下方而得到良好的保护，触动可经由手指或特殊笔，即便是带着手套亦可以使用投射电容 式面板。投射电容触摸面板的核心工艺是双面ITO玻璃多层膜制程。
MoNb sputter
A side Exp. & Dev.
A side Metal Etching
A side Striper
A side ITO Etching
A side Exp. & Dev.
A side PR coater
A side Striper
A side SM printing
B side SM peeling
B side PR coater
B side Exp. & Dev.
B side ITO Etching
Pre SIO2 clean
SM peeling
B side Striper
SIO2 Sputter
A/B side 10s etching
Organic coater
Film att. Laser scriber
视区的走线。其中双层ITO和MO/AL/MO层都需要在后续制程中通过光刻进行图形化，不
同的厂家在外围电路走线材料方面的选取会有所差异。
3.3 双面ITO玻璃制程
Glass kitting Initial clean ITO sputter
ຫໍສະໝຸດ Baidu
A side PR coater
B side SM printing
3.2 双面ITO玻璃的多层膜结构
最内层SiO2膜厚约为15nm，主要是起增加Glass与ITO膜的附着力和平整性的作用； 最外层SiO2膜厚约为100nm，主要是起表面钝化和保护作用； 正反面ITO层膜厚约为15nm，用于屏的可视区ITO Pattern凸显的走线，做电极用； 背面驱动层中Mo/Al/Mo三层膜厚约为350nm(50nm/250nm/50nm)，用于屏的外围非可
Exp. & Dev.
电容触控面板另一种ITO制程
3.4 ITO图形形状
原则：图形之间的相互连线避免过长，连线太长，扫描电阻大， 扫描时间长；通常菱形是最常见的图形形状。
3.5 菱形ITO图形的 具体要求
3.6 ITO图形与外围金属线的连接
3.7 触控面板大尺寸化对ITO镀膜质量要求更高