光检测器和光接收器ppt课件

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4.1.2 APD光检测器 APD光检测器也称为雪崩光电二极管 （Avalanche Photodiode），其工作机理如下：入射信 号光在光电二极管中产生最初的电子-空穴对，由于光 电二极管上加了较高的反向偏置电压，电子-空穴对在 该电场作用下加速运动，获得很大动能，当它们与中性 原子碰撞时，会使中性原子价带上的电子获得能量后跃 迁到导带上去，于是就产生新的电子-空穴对，新产生 的电子-空穴对称为二次电子-空穴对。这些二次载流子 同样能在强电场作用下，碰撞别的中性原子进而产生新 的电子-空穴对，这样就引起了产生新载流子的雪崩过 程。也就是说，一个光子最终产生了许多的载流子，使 得光信号在光电二极管内部就获得了放大。 从结构来看，APD与PIN的不同在于增加了一 个附加层P，如图4.1.3所示。在反向偏置时，夹在I层 与N+层间的PN+结中存在着强电场，一旦入射信号光 从左侧P+区进入I区后，在I区被吸收产生电子-空穴对， 其中的电子迅速漂移到PN+结区，PN+结中的强电场便 使得电子产生雪崩效应。
4.1.1 PIN光检测器 PIN光检测器也称为PIN光电二极管，在此，PIN的意义是表明半导体材料的结构，P+ 和N型半导体材料之间插入了一层掺杂浓度很低的半导体材料（如Si），记为I，称为 本征区，如图4.1.2所示。
图4.1.2 PIN光电二极管 在图4.1.1中，入射光从P+区进入后，不仅在耗尽区被吸收，在耗尽区外也被吸收，它 们形成了光生电流中的扩散分量，如P+区的电子先扩散到耗尽区的左边界，然后通过 耗尽区才能到达N区，同样，N区的空穴也是要扩散到耗尽区的右边界后才能通过耗 尽区到达P+区。我们将耗尽区中光生电流称为漂移分量，它的传送时间主要取决于耗 尽区宽度。显然扩散电流分量的传送要比漂移电流分量所需时间长，结果使光检测 器输出电流脉冲后沿的拖尾加长，由此产生的时延将影响光检测器的响应速度。设 w t 耗尽区宽度为w，载流子在耗尽区的漂移时间可由下式计算，即 （4.1.1） v
tr d
v 是载流子的漂移速度；
d源自文库
t tr
的典型值为100ps。
如果耗尽区的宽度较窄，大多数光子尚未被耗尽区吸收，便已经到达了N区，而在这 部分区域，电场很小，无法将电子和空穴分开，所以导致了量子效率比较低。
实际上，PN结耗尽区可等效成电容，它的大小与耗尽区宽度的关系如下： A C （4.1.2） w 式中， 是半导体的介电常数；A是耗尽区的截面积。Cd的典型值为1～2pF。可见， 耗尽区宽度w越窄，结电容越大，电路的RC时间常数也越大，不利于高速数据传输。 考虑到漂移时间和结电容效应，光电二极管的带宽可以表示成 1 B （4.1.3） 2( w / v ) R (A / w) 式中，RL是负载电阻。 由上述分析可知，增加耗尽区宽度是非常有必要的。 由图4.1.2可见，I区的宽度远大于P+区和N区宽度，所以在I区有更多的光子被吸收， 从而增加了量子效率；同时，扩散电流却很小。PIN光检测器反向偏压可以取较小的 值，因为其耗尽区厚度基本上是由I区的宽度决定的。 当然，I 区的宽度也不是越宽越好，由式（4.1.1）和式（4.1.3）可知，宽度w越大， 载流子在耗尽区的漂移时间就越长，对带宽的限制也就越大，故需综合考虑。由于 不同半导体材料对不同波长的光吸收系数不同，所以本征区的宽度选取也各不相同。 例如 Si PIN 光吸收系数比 InGaAs PIN 小两个数量级，所以它的本征区宽度大约是 40m，而InGaAs PIN本征区宽度大约是4m。这也决定了两种不同材料制成的光检 测器带宽和使用的光波段范围不同， Si PIN 用于 850nm 波段， InGaAs PIN 则用于 1310nm和1550nm波段。
图4.1.3 APD光电二极管
与PIN光检测器比较起来，光电流在器件内部就得到了放大，从而避免了由外部电子 线路放大光电流所带来的噪声。我们从统计平均的角度设一个光子产生M个载流子， 它等于APD光电二极管雪崩后输出的光电流 IM与未倍增时的初始光电流IP的比值 I M （4.1.4） I 式中，M称为倍增因子。倍增因子与载流子的电离率有关，电离率是指载流子在漂移 的单位距离内平均产生的电子-空穴对数。电子电离率与空穴电离率是不相同的，分 别 用 和表示，它们与反向偏置电压、耗尽区宽度、掺杂浓度等因素有关，记为 k （4.1.5） k 式中，kA为电离系数，它是光检测器性能的一种度量。对 M的影响可由下式给出，即 1 k M （4.1.6） e k w 1 1 e 当 0 时，仅有电子参与雪崩过程，M ， 增益随w指数增长；当 且k 时，由式 （4.1.6）可得，出现雪崩击穿。通常，M值的范围在10~500之间。 APD光电二极管出现雪崩击穿是因为所加的反向偏置电压过大，考虑到M与反向偏置 电压之间的密切关系，常用经验公式描述它们的关系，即 1 M （4.1.7） 1 (V / V ) 式中，n是与温度有关的特性指数，n = 2.5～7；VBR是雪崩击穿电压，对于不同的半 导体材料，该值从70 ～200V 不等；V 为反向偏置电压，一般取其为 VBR 的 80%～90%。 APD管使用时必须注意保持工作电压低于雪崩击穿电压，以免损坏器件。
图4.1.1 光检测器的工作原理 左侧入射的信号光透过P＋区进入耗尽区，当PN结上加反向偏置电压时， 耗尽区内受激吸收生成的电子-空穴对分别在电场的作用下做漂移运动，电子向N 区漂移，空穴向P＋区漂移，从而在外电路形成了随光信号变化的光生电流信号。 耗尽区的宽度由反向电压的大小决定。符号P＋表示重掺杂区。
4.1 光检测器的工作原理
光检测器的作用是将接收到的光信号转换成电流信号。其工作过程的基 本机理是光的吸收，见第1章1.1节。当能量超过禁带宽度Eg的光子入射到半导 体材料上时，每一个光子若被半导体材料吸收将会产生一个电子-空穴对，如果 此时在半导体材料上加上电场，电子-空穴对就会在半导体材料中渡越，形成光 电流。图4.1.1说明了光检测器的工作原理。