CuI晶体的生长与表征【开题报告】
中子探测晶体铈掺杂硼酸镥鲤的生长与性能研究的开题报告
中子探测晶体铈掺杂硼酸镥鲤的生长与性能研究的开题报告
一、研究背景及意义 中子在核物理、医学、工业等领域都有广泛的应用，因此中子探测器的需求也越来越大。晶体探测器因其高分辨率、高效率、较好的时间分辨等优点而广泛应用于中子探测。其中铈掺杂硼酸镥鲤晶体因其高中子效应截面、高能量分辨率和较长的机械强度等优点成为了一种比较理想的中子探测器材料。
铈掺杂硼酸镥鲤晶体的生长和性能研究对于研制高性能、高效率的中子探测器具有重要意义。目前，国内外对铈掺杂硼酸镥鲤晶体生长和性能的研究还比较少，因此本文旨在研究铈掺杂硼酸镥鲤晶体的生长过程和性能表征，为该材料的应用提供理论依据和实验数据。
二、研究内容和方法 （一）研究内容 本文的研究内容包括以下几个方面： 1.优化铈掺杂硼酸镥鲤晶体生长过程，探究影响晶体质量的因素。 2.利用X射线衍射仪、扫描电镜等技术对晶体的结构、形貌等进行表征，分析晶体的生长机制。
3.评估铈掺杂硼酸镥鲤晶体的光谱性能，比较其与其他中子探测器材料的性能差异。
4.利用光电倍增管、电荷耦合器件等器件，对铈掺杂硼酸镥鲤晶体的中子探测性能进行测试。
（二）研究方法 1.优化晶体生长过程：通过改变生长条件，如熔体温度、冷却速度等，探究晶体质量的影响因素，提高晶体生长效率和质量。
2.晶体表征：采用X射线衍射仪、扫描电镜等技术对晶体的结构和形貌进行表征，分析其生长机制。
3.光谱性能测试：通过能量分辨率、时间分辨率、光输出等性能指标，对铈掺杂硼酸镥鲤晶体的光谱性能进行评估，并与其他中子探测器材料进行比较。
4.中子探测性能测试：采用光电倍增管、电荷耦合器件等器件，对铈掺杂硼酸镥鲤晶体的中子探测性能进行测试。
三、预期结果 本文研究预计可以得到以下几个方面的结果： 1.优化铈掺杂硼酸镥鲤晶体生长条件，提高晶体生长效率和质量。 2.了解铈掺杂硼酸镥鲤晶体的结构和形貌，分析其生长机制。 3.评估铈掺杂硼酸镥鲤晶体的光谱性能，比较其与其他中子探测器材料的性能差异。
Cu2S及铜族纳米晶的制备的开题报告
Cu2S及铜族纳米晶的制备的开题报告
一、研究背景
随着纳米科技的发展，铜族纳米晶在能源、环境、生物等领域展现出了广阔的应用前景。
其中，Cu2S作为一种具有良好光催化活性和光电化学性能的半导体材料，被广泛地应用于太阳能电池、光催化降解有机污染物等领域。
因此，对于Cu2S及铜族纳米晶的制备技术研究具有重要的意义。
二、研究目的
本研究的主要目的是探究制备Cu2S及铜族纳米晶的方法，优化制备工艺，并研究其光催化性能以及光电化学性能，为其在太阳能电池、光催化降解有机污染物等领域的应用提供技术支持。
三、研究内容
本研究的主要内容包括以下几个方面：
1、Cu2S及铜族纳米晶的制备方法的比较研究，包括水热法、共沉淀法、电沉积法等多种方法的比较研究；
2、优化制备工艺，以获得高质量的Cu2S及铜族纳米晶材料；
3、对制备的Cu2S及铜族纳米晶进行表征分析，包括红外光谱、X 射线衍射、扫描电镜等表征方法，分析其物理结构和化学组成；
4、研究制备的Cu2S及铜族纳米晶的光催化性能和光电化学性能，评估其在太阳能电池、光催化降解有机污染物等领域的应用价值。
四、研究意义
本研究对于促进铜族纳米晶在能源、环境、生物等领域的应用具有一定的推动作用。
同时，研究过程中得到的制备Cu2S及铜族纳米晶的方
法和工艺优化方案，也会对其他半导体材料的制备和应用提供借鉴和参考。
dast晶体的生长与表征
dast晶体的生长与表征
晶体生长与表征是材料学中重要的研究领域，它不仅涉及晶体的长大和表征，而且还涉及对相应表征的解释和分析。
本文将就晶体的生长与表征两方面展开讨论。
首先，介绍晶体的生长。
从计算机模拟的角度来看，晶体生长需要考虑层状物质之间渗入、脱附水平之间的平衡，还要考虑主客反应机制和表面活性剂在沉积过程中的作用等等问题。
而在原理上，对晶体生长的影响还有生长参数、温度、压力等参数。
晶体生长过程可以划
分为结晶、枝叶、分裂、压延折弯等几个阶段，计算机模拟和实验的研究结果可以帮助我们了解晶体生长的机理，预测晶体的微结构，从而为晶体生长的控制提供参考。
其次，再看晶体表征。
对晶体的表征主要有X射线衍射技术、透射电子显微镜、拉曼光谱、扫描电镜等方法。
X射线衍射技术主要可以测量晶体的晶面尺寸大小、晶体的晶格常数、
晶面倾斜角度等；透射电子显微镜可以观察纳米结构、二次结构等；拉曼光谱则适用于对
化学性质有表征性需求的材料最好；扫描电镜也能观察晶体的特征，如晶间偏析和晶粒大
小等。
总而言之，晶体生长与表征是材料学不可缺少的研究领域，它关系到晶体的性质的优化，以及材料的性质的改善和优化。
而计算机模拟和实验技术不仅在晶体的生长上有指导作用，还能提供更丰富、准确、客观地表征信息，从而有助于材料设计、性能优化和详细研究。
Ba0.77Ca0.23TiO3铁电晶体生长及其性能研究的开题报告
Ba0.77Ca0.23TiO3铁电晶体生长及其性能研究的开
题报告
一、研究的背景和意义
铁电材料是一种特殊的材料，具有重要的应用价值。
铁电材料的特
殊性能源于其晶体结构。
铁电晶体具有极化性能，在外电场作用下，可
以通过电极化来改变和储存能量，具有广泛的应用前景，如电极容器、
电荷耦合器件等。
因此，铁电材料已成为材料科学和电子工程领域中的
研究热点之一。
BaTiO3是最早被发现和研究的铁电材料之一。
然而，约束材料方程限制了BaTiO3的正压相变温度，因此无法充分发挥其潜力。
通过掺杂元素，可以改变其晶体结构和性能，进一步提高其应用性能。
钙元素的掺
杂可以提高BaTiO3的晶体质量，提高其铁电性能和稳定性。
本研究的主要目的是通过熔盐法制备Ba0.77Ca0.23TiO3晶体，研究其生长特性和性能，挖掘钙元素掺杂对BaTiO3晶体性能的影响，为铁电材料的应用和研究提供新思路和新方向。
二、研究内容和方法
1.以熔盐法制备Ba0.77Ca0.23TiO3晶体。
2.对晶体进行结构表征，包括X射线衍射、扫描电镜等方法。
3.测量晶体的铁电性能，包括电滞回线、介电常数、损耗角等性质。
4.研究Ca掺杂对BaTiO3晶体的铁电性能的影响。
三、预期成果和意义
1.成功制备Ba0.77Ca0.23TiO3晶体，对其生长过程进行分析。
2.探讨Ca掺杂对BaTiO3晶体的结构和性能的影响。
3.分析铁电性能和稳定性，并评估其在电子器件中的应用潜力。
4.为BaTiO3及其改性铁电材料的开发提供新思路和新方向。
Ca2Al2SiO7晶体的生长和性能研究的开题报告
Ca2Al2SiO7晶体的生长和性能研究的开题报告一、研究背景Ca2Al2SiO7是一种具有广泛应用前景的无机功能材料，其具有良好的光学、电学、磁学等性质，因此广泛应用于光学、电子、通讯等领域。
目前，针对Ca2Al2SiO7晶体的生长和性能研究已经展开，但针对其晶体结构、生长机制及结构特点的详细研究仍然需要进一步探索，特别是其光学、电学、磁学等性质的调控和改进等方面也需要深入研究。
因此，本研究拟在前人研究的基础上，对Ca2Al2SiO7晶体的生长和性能进行进一步探索和研究，为其在材料科学领域的应用提供更为全面的支持和帮助。
二、研究内容本次研究将主要从以下几个方面进行探索和研究：1. Ca2Al2SiO7晶体的生长技术研究。
通过比较分析已有生长方法，并结合自身的实验条件和研究需求，选择出适合本研究的Ca2Al2SiO7晶体生长技术，并对其进行实验验证。
2. Ca2Al2SiO7晶体的结构特点研究。
通过多种方式对Ca2Al2SiO7晶体的结构进行表征，探究其结构稳定性、晶体形态、生长过程等方面的特点。
3. Ca2Al2SiO7晶体的光学、电学、磁学等性能研究。
通过对Ca2Al2SiO7晶体的光学、电学、磁学等性能的测试和分析，探究其在实际应用中的表现及其性质的改进策略。
三、研究意义和价值本次研究可以为Ca2Al2SiO7晶体在材料科学领域的应用提供更为全面的支持和帮助，具有以下几方面的价值：1. 对Ca2Al2SiO7晶体的生长技术进行优化，提高其生长效率和晶体质量；2. 探究Ca2Al2SiO7晶体的结构特点，为其在材料科学领域的应用提供更加详细的结构指导；3. 通过对Ca2Al2SiO7晶体的光学、电学、磁学等性能的研究，为其在材料科学领域的应用提供更多改进策略和思路。
四、研究方法和步骤1. Ca2Al2SiO7晶体的生长技术研究采用溶液法、熔融法、加压法等方式进行实验探究，以生长出晶体为目标，通过比较三种方法的生长效率和晶体质量，选择最为合适的生长方式，并对其进行实验验证。
晶体生长总结报告范文
晶体生长总结报告范文一、引言晶体是一种由定期排列的原子、离子或分子组成的固体结构，具有高度有序性和周期性。
晶体生长是指在适当的条件下，通过物质分子或离子逐渐凝聚形成晶体的过程。
晶体生长具有广泛的应用领域，如微电子器件、激光技术、生物医学等。
本报告旨在总结晶体生长实验，分析实验结果并提出对实验的改进意见，为进一步探索晶体生长机制和优化晶体生长过程提供参考。
二、实验方法实验使用了常见的溶液法晶体生长方法，选用了三种重要的晶体：NaCl、液晶薄膜和蓝宝石。
1. NaCl晶体：通过将NaCl溶解在水中形成饱和溶液，并逐渐降低温度，观察并记录晶体生长过程。
2. 液晶薄膜：将液晶溶液涂覆在玻璃基板上，控制液晶分子的排列方向和密度，通过调节温度和电场来实现晶体生长。
3. 蓝宝石晶体：使用气相传输法，选择适当的基片和气氛条件，通过高温环境中的物理和化学反应，促使蓝宝石晶体的生长。
三、实验结果与分析1. NaCl晶体生长实验：通过实验观察发现，随着温度的降低，NaCl晶体的生长速度逐渐减慢。
当温度达到一定值时，晶体生长停止，形成稳定的晶体。
2. 液晶薄膜生长实验：实验过程中，逐渐增大电场强度和控制温度，观察到液晶薄膜晶体的生长和分子排列的变化。
实验结果表明，电场和温度是控制液晶晶体生长的关键因素。
3. 蓝宝石晶体生长实验：通过精确控制基片的材料和形状，以及气氛条件，观察到高质量的蓝宝石晶体生长。
实验结果表明，基片和气氛对蓝宝石晶体的生长起到至关重要的作用。
四、实验改进意见1. 在NaCl晶体生长实验中，可以进一步探索温度对晶体生长速度的影响，以及温度与溶液饱和度的关系。
2. 在液晶薄膜生长实验中，可以尝试不同强度的电场和温度组合，以实现更精确的液晶分子排列和更高质量的晶体生长。
3. 蓝宝石晶体生长方面，可以进一步优化气氛条件和基片材料，以提高晶体生长的效率和品质。
五、结论通过对晶体生长实验的研究和分析，我们了解到晶体生长是一个复杂且受多种因素影响的过程。
晶体的生长与形态晶体的美丽奇迹
晶体的生长与形态晶体的美丽奇迹晶体的生长与形态：晶体的美丽奇迹晶体，是指由一定结构和组成的原子、分子、离子等排列有序而形成的固态物质。
晶体的结构和形态对人类而言一直是一个引人入胜的研究领域，其中所蕴含的美丽奇迹令人惊叹。
本文将探讨晶体的生长过程以及形态的形成原理，并从中窥见晶体这一自然界的奇迹。
一、晶体的生长过程晶体的生长是指晶体从无序的状态逐渐转化为有序的晶体结构的过程。
晶体的生长过程分为三个主要阶段：核化、生长和完全发育。
1. 核化阶段核化是晶体生长的起始点，它是指在适当的条件下，溶液中的溶质（固态物质）发生聚结形成初生晶核。
在溶液中的溶质浓度超过一定限度时，就会引起过饱和，导致初生晶核的形成。
初生晶核的质量和形状往往会对晶体的后续生长过程产生重要影响。
2. 生长阶段生长阶段是指初生晶核在过饱和的溶液中逐渐吸附和聚集溶质，以形成晶体的有序排列过程。
在晶体的生长过程中，晶界是一个重要的概念。
晶界是指晶体中两个不同晶粒的交界面，它们会通过吸附、扩散以及其他化学反应来增长晶体的体积和尺寸。
晶体的生长速率取决于晶面的生长速率，而晶面的生长速率与其在溶液中的活度、界面张力以及溶液的饱和度等因素密切相关。
3. 完全发育阶段完全发育阶段是指晶体在一定条件下达到完全生长状态。
在这个阶段中，晶体的形态已基本确定，达到了最大的稳定状态，晶体形状的变化很小。
此时，晶体的内外部形态已经逐渐趋于稳定，并具备了一定的物理、化学性质。
二、晶体形态的形成原理晶体的形态由其内部的晶格结构和外界的生长条件共同决定。
晶体形态的研究领域主要包括对形态发生规律的研究和晶体生长条件的探究。
1. 形态发生规律形态发生规律主要研究晶体不同晶面的生长速率以及晶体内部结构对晶体形态的影响。
晶体的晶格结构决定了晶体内部不同晶面之间的生长速率差异。
在晶体生长过程中，生长速率较快的晶面趋向于生长得更快，从而导致晶体形态的特定形状。
2. 生长条件的影响晶体生长条件的影响主要包括温度、浓度、pH值等因素。
Cu基双金属纳米晶的制备及相关生长机理研究中期报告
Cu基双金属纳米晶的制备及相关生长机理研究中期
报告
自双金属纳米晶的制备成为研究热点以来，它已被广泛应用于光电子、催化、传感等领域。
其中，Cu基双金属纳米晶因具有较好的电子传输性质和优异的催化活性而备受关注。
本文的研究内容是针对Cu基双金属纳米晶的制备及相关生长机理的中期报告。
在前期的研究中，我们采用化学还原法制备了不同形状和大小的Cu-Ag双金属纳米晶，并对其表面形貌、结构、组成和光学性质进行了表征。
结果表明，Cu-Ag双金属纳米晶表面可形成层状结构和孪晶结构，呈现出显著的表面增强拉曼散射效应，其催化性能也得到了初步研究。
在本阶段，我们将重点围绕以下几个方面进行深入研究：
1. 探究制备过程中反应物质量比、溶液浓度、还原剂类型等制备条件对Cu-Ag双金属纳米晶生长的影响；
2. 通过表面等离子共振吸收光谱和拉曼光谱等技术进一步研究Cu-Ag双金属纳米晶的表面结构和电荷转移行为；
3. 深入探究Cu-Ag双金属纳米晶的催化性能，针对其在电池、传感等领域的应用进行初步探索；
4. 系统地研究Cu-Ag双金属纳米晶的成核、生长和相互作用机理，揭示其在制备过程中的关键环节与作用机制。
本研究有望对双金属纳米晶制备及相关机理的深入研究提供新思路和实验依据，并为其在催化、传感等领域的应用提供理论指导和技术支持。
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开题报告
应用化学
CuI晶体的生长与表征
一、选题的背景与意义
闪烁晶体是由放射线激发产生高效发光的荧光晶体。晶体产生的荧光经光导管送至
光电倍增管，将光信号转变为放大的电脉冲，通过电子仪器记录下来。近10 多年来，新
发现的闪烁体数量猛增。在新型闪烁晶体的探索研究方面，欧洲核子研究中心的Crystal
Clear Collaboration (CCC) 小组、美国劳伦斯伯克利国家实验室(Lawrence Berkeley
Nationallaboratory ,LBNL) 的Derenzo小组以及荷兰Delft 理工大学的vVan Eijik 小组等都
做了大量出色的工作，令人瞩目。
近年来，随着核科学技术及相关技术的飞速发展，闪烁晶体的应用领域不断拓宽。
与此同时，不同应用领域对闪烁晶体也提出了更高的要求，使闪烁晶体的研究和开发出
现了前所未有的热潮。闪烁晶体主要用于核物理、高能物理、天体物理、地质勘探、石
油测井、核医学成像、工业无损检查、港口安检等领域。与普通的塑料高分子、液体、
液晶以及荧光粉等闪烁材料相比，闪烁晶体具有密度高、体积小、物化性能和闪烁性能
优良等显著特点，使其在所有的闪烁材料中占据重要的地位（主要是无机闪烁晶体）。在
闪烁晶体的开发和性能改进方面，俄国的Bogoroditsk 技术化工厂，中国的上海硅酸盐所
和北京玻璃研究院，以及乌克兰的Amcrys H，美国的Bicron 和CTI，捷克的Crytur，日本
的Hi2tachi等公司也做了大量出色的工作。在闪烁晶体界具有较高知名度。自20世纪80年
代初，我国也先后成功地开发了多种闪烁晶体，如: Bi4Ge3O12 (BGO)，BaF2，CeF3，CsI∶Tl
以及PbWO4 (PWO)等，为国际高能物理实验装置以及核医学成像仪器(PET)提供了大量的
晶体，在国际核探测器界，特别是高能物理实验领域享有盛誉。
离子液体（室温离子液体）（Room Temperature Ionic Liquids），是指在室温或接近
常温时呈液态，由有机阳离子与无机或有机阴离子组成的盐。又称低温熔盐、室温熔盐。
与固态物质相比较，它是液态的；与传统的液态物质相比较，它又是离子的。
1914年P.walden等人报道了在室温下呈液态的有机盐类--硝酸乙基胺
([EtNH3]+[NO3]-)，这是关于离子液体的最早报道；但是对离子液体的研究却始于1951
年，Wier和Hurley合成的氯化铝类离子液体。70年代以后，离子液体进入快速发展阶段。
离子液体具有很多独特的物理化学性质 ,如蒸汽压低、不挥发、不可燃、热容量大、
离子导电率高、电化学窗口宽、物质溶解性好、萃取能力好、相稳定性好、热稳定性好、
水稳定性好、酸碱稳定性好等优点，使离子液体的研究和应用领域迅速扩展，而广泛应
用于有机合成，分离分析，电化学以及功能材料等领域。
二．研究的意义
新型闪烁晶体探索的主要目标是获得高密度、快衰减的晶体。过去人们研究的晶体
几乎全部是绝缘体基质的，发现很少有闪烁晶体是亚纳秒( < 1 ns) 级衰减的。尽管在BaF
2
晶体(4. 88 g/ cm3) 中发现了亚纳秒(0. 6 ns) 的超快衰减，但是在闪烁光中占的比例不大，
强度较弱。后来，人们发现一些宽带隙直接跃迁的半导体材料如ZnO(Ga)，CdS(In)，CuI，
PbI2，Hg2I2等，能利用激子发射或边带发射，从而获得纳秒甚至皮秒级快发光，使得超
快衰减的半导体基闪烁晶体成为闪烁晶体今后研究和开发的一个重要方向。
其中，γ晶相CuI（通常所指的CuI闪烁晶体）发光衰减时间仅为90皮秒，且没有慢成
分，是目前人们所知的最快的无机闪烁晶体。CuI的光产额虽然比CsI(Tl)低。但在t<0.1ns
时间内发出的光子数却比CsI(Tl)晶体高40多倍。是一种有非常应用前景的超快闪烁晶体。
碘化亚铜共有α、β、γ三种晶相，其中低温γ相的CuI具有超快的闪烁特性。它是在温度低
于350℃合成的立方结构的p型半导体材料，具有3.leV的直接能隙。空间群为F-43m，属
于立方晶系。
本课题旨在获得大尺寸的具有高质量品质的CuI晶体，并对其进行表征。一方面可
评估CuI单晶体的应用前景，促进CuI晶体的应用研究。另一方面，对开展宽带隙直接跃
迁的半导体型超快闪烁晶体的研究具有重要的意义。
三、研究的基本内容与拟解决的主要问题：
（一）研究内容：
本实验主要以卤代二烷基咪唑类离子液体为主要研究对象，遴选出对CuI具有较好
的的溶解性和结晶性能的溶剂体系。采用惰性气体保护—降温法，结合紫外-可见透过
谱（Uv-Vis）分析、红外、热重与差热分析等方法，研究溶液生长状态，分析生长过程
中各粒子的动态变化及可能的生长机理。获得厘米尺寸高品质的CuI晶体，并通过
DTA/TG/DSC对晶体进行表征。
（二）研究难点：
1. CuI在卤化烷基类离子液体中的生长及相关规律
根据离子液体的酸碱原理、络合原理、极化理论，研究和解决CuI在卤化二烷基类
咪唑类离子液体中的溶解性、结晶性、稳定性问题。揭示CuI在离子液体中溶解性、结
晶性等与离子液体的物化特性之间的规律性关系。
2. 半导体型CuI闪烁晶体的超快发光机理
3
通过CuI单晶的激发光谱，研究晶体中电子能级结构与能量转换规律。总结宽带隙
直接跃迁的半导体型闪烁晶体的发光特性。结合能级结构和缺陷类型判断晶体超快衰减
的发光机理。
四、研究的方法与技术路线：
（一）文献分析法
查阅相关文献。分析和整理国内外研究状况，为本题的研究提供借鉴。
（二）实验法
采用惰性气体保护--降温法生长CuI单晶体。使用DTA/TG/DSC分析CuI晶体对光
和热的稳定性，测量CuI晶体的透过、紫外激发发射、X射线激发发射、X射线激发衰
减等光谱，分析单晶中的能量吸收、传递和跃迁规律。
五、研究的总体安排与进度：
第一阶段：收集并整理资料，确定选题
2010年6月—10月：通过协商确定毕业论文的指导老师，并确定论文选题。
1. 收集相关文献。
2. 按照文献设计可行的实验方案。
第二阶段：做实验，同时完成开题报告
1. 2010年9月1日 开始做实验
2. 12月31号之前完成开题报告资料。
3. 2011年1月6日 进行开题报告。
第三阶段：写论文，准备答辩。
2011年4月- 5月 测试晶体性能，完成论文及答辩任务。
六、主要参考文献：
[1] M. Maillard, S. Giorgio, M.P. Pileni, J. Phys. Chem. B 107 (2003) 2466.
[2] O.Guillot-Noel et al., Optical and scintillation properties of cerium-doped LaCl3,LuBr3
and LuCl3,J.Lumin., 1999(85):21-35
[3] Carel W.E. van Eijk, Inorganic-scintillator development, Nucl.Instr. Meth.
A,2001(460):1-14
[4] 沈定中，任国浩. 无机闪烁晶体的研究现状与应用前景(上)[J]. 上海化工，23：24-27
[5] 张玉龙、唐磊. 人工晶体——生长技术、性能与应用. 化学工业出版社, 171
[6] Kiyoshi Shimamura , Encarnación G. Víllora , Satoshi Nakakita , Martin Nikl and Noboru
Ichin. Growth and scintillation characteristics of CeF3, PrF3 and NdF3 single
crystals[J] . Journal of Crystal Growth, 2004, 264(1-3): 208-215.
[7] 廖晶莹，叶崇志，杨培志. 锗酸铋闪烁晶体的研究综述[J]. 化学研究2004,15（4）：
52-58
[8] A. Chahid, R.L. Mcgreevy, Physica B 234(1997)87
[9] B. Bouhafs, H. Heireche, W. Sekkal, H. Aourag, M. Certier, Phys. Lett. A 240(1998)257
[10] W. Sekkal, A. Zaoui, Physica B 315(2002)201
[11] 潘建国,杨书颖等，中国发明专利：一种超快闪烁晶体CuI及生长方法。申请号：
200810002159.1
[12] 藏竞存，钨酸盐闪烁单晶材料的现状和发展. 材料导报，1995（6），35-39
[13] 华王祥,范世皑.无机闪烁体的发展[J]. 上海化工，23(5): 36-39
[14] 顾浩．室温离子液体的性质和应用[J].精细与专用化学品，2005，13(7)1：10~12
[15] HURLEY F H, WIER T P. The eleetrodeposition of aluminium from nonaqueous
solutions at room temperature [J]. J. Electrochem. Soc. 1951, 98(2):203-208.
[16] 李汝雄,王建基. 绿色溶剂离子液体的制备与应用[J]. 化工进展,2002,21 (1):43-48.