太阳能多晶硅国标
多晶硅能耗限额标准
多晶硅能耗限额标准
根据国家相关政策规定，多晶硅能源消耗限额标准包含两个方面的要求：一是针对多晶硅的能源消耗总量限制，二是对单位多晶硅产量的能源消耗限额要求。
具体标准如下：
1. 多晶硅能源消耗总量限制：多晶硅生产企业应当按照国家相关政策和法规的要求，严格控制多晶硅生产过程中的总能耗。
能源消耗总量限制一般是以年度或者季度为周期进行限制，企业在该周期内需要确保能源消耗总量不超过规定的限额数值。
2. 单位多晶硅产量的能源消耗限额：针对单位多晶硅的生产情况，也有对能源消耗的限额要求。
一般以度电/吨（或吨标煤/吨）的形式来衡量，规定企业在生产1吨多晶硅时所消耗的能源不得超过规定的限额数值。
以上是一般的多晶硅能耗限额标准，具体的限额数值可能会因地区和政策的差异而有所变化。
有关太阳能的国标号
第I 条名称含有太阳能的标准GBT 26264-2010 通信用太阳能电源系统- 5577KBQB/T 4051-2010 太阳能热水器用温控混合阀1917KBGBT 25969-2010 家用太阳能热水系统主要部件选材通用技术条件- 3107KBGBT 25967-2010 带辅助能源的家用太阳能热水系统热性能试验方法1146KBGBT 25966-2010 带电辅助能源的家用太阳能热水系统技术条件1568KBGBT 25074-2010 太阳能级多晶硅- 579KBJGJ 203-2010 民用建筑太阳能光伏系统应用技术规范6236KBGB/T 24716-2009 公路沿线设施太阳能供电系统通用技术规范(单行本完整清晰扫描版) 1196KBQX/T 89-2008—太阳能资源评估方法633KBGB/T 24767-2009 太阳能重力热管(单行本完整清晰扫描版) 566KBGB/T 24798-2009 太阳能热水系统用橡胶密封件(单行本完整清晰扫描版) 476KBGB 24460-2009 太阳能光伏照明装置总技术规范(单行本完整清晰扫描版) 655KBGB 50495-2009 太阳能供热采暖工程技术规范6710KBDG/TJ08-2004B-2008 (J11326-2009) 民用建筑太阳能应用技术规程(光伏发电系统分册) 2330KBGB/T 23888-2009 家用太阳能热水系统控制器(单行本完整清晰扫描版) 961KBGJB 5939-2007 军用便携式太阳能供电设备通用规范(单行本完整清晰扫描版) 709KBGB/T 2680-1994 建筑玻璃可见光透射比、太阳光直接透射比、太阳能总透射比、紫外线透射比及有关窗玻璃参数的测定330KBDB11T 635-2009 村镇住宅太阳能采暖应用技术规程.pdf 1239KBDB11/ 635-2009 村镇住宅太阳能采暖应用技术规程1763KBJT/T 594-2004 公路沿线设施太阳能供电系统通用技术规范211KBGJB 5939-2007 军用便携式太阳能供电设备通用规范(单行本完整清晰扫描版).pdf 661KBDB11/T 542-2008 太阳能光伏室外照明装置技术要求307KBGAT 580-2005 太阳能道路交通标志348KBGB/T 6424-2007 平板型太阳能集热器12259KBGB 50364-2005 民用建筑太阳能热水系统应用技术规范1913KBGB/T 4271-2007 太阳能集热器热性能试验方法(单行本完整清晰扫描版) 5797KBGB/T 17581-2007 真空管型太阳能集热器(单行本完整清晰扫描版) 6580KBGB 50364-2005 民用建筑太阳能热水系统应用技术规范- 1622KBNY/T 651-2002家用太阳能热水系统安装、运行维护技术规范351KBGB/T 19813-2005 太阳能突起路标387KBGB/T 19064-2003 家用太阳能光伏电源系统技术条件和试验方法1116KBYS/T 612-2006太阳能电池用浆料170KBGB/T 20321.2-2006 离网型风能、太阳能发电系统用逆变器第2部分：试验方法2648KBGB/T 20321.1-2006 离网型风能、太阳能发电系统用逆变器第1部分：技术条件1131KBSJ 2572-85太阳能电池用硅单晶棒、片277KBNY/T 1146.2-2006 家用太阳能光伏系统第2部分：试验方法829KBNY/T 1146.1-2006 家用太阳能光伏系统第1部分：技术条件1497KBGB/T 12936-2007 太阳能热利用术语1792KBGB 50364-2005 民用建筑太阳能热水系统应用技术规范1050KB 2。
《太阳能级多晶硅》国家标准
《太阳能级多晶硅》国家标准前言本标准是为习惯我国光伏产业日益进展的需要，在修改采纳SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国多晶硅生产、试验、使用的实际情形而制定的。
本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。
本标准考虑了目前市场上的大部分用于太阳能光伏产业的多晶硅料，包括：棒状料、块状料、颗粒料、粉状料等，按照不同种类的多晶硅加工、生产太阳能电池其转换率情形，将太阳能级多晶硅纯度分为三级。
与SEMI 16-1296相比增加了基体金属杂质内容。
本标准的术语与有关标准和谐一致。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、中国电子材料行业协会、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限公司。
太阳能级多晶硅1 范畴本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。
产品要紧用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓舞按照本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试直流两探针法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸取测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸取测量方法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 14264 半导体材料术语SEMI MF1389 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法SEMI MF1630 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1723 利用区熔生长和光谱法评判多晶硅产品规范SEMI MF1724 利用酸提取原子吸取光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法3 要求3.1分类产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，按照等级的差别分为三级。
《太阳能级多晶硅》光伏组件国标
太阳能级多晶硅光伏组件国标是指在太阳能光伏领域中，对于多晶硅光伏组件的产品规范和标准制定的国家标准。
太阳能光伏技术作为清洁能源的重要组成部分，对于光伏组件的质量和性能有着严格的要求，因此制定一套科学合理的国家标准对于行业发展和产品质量保障都具有重要意义。
一、多晶硅光伏组件国标是什么？多晶硅光伏组件国标是我国国家标准化管理委员会依据国家法律法规，针对太阳能光伏领域中的多晶硅光伏组件的设计、生产、检测和使用等方面的技术要求和规范，经过充分调研和讨论，由行业专家和相关企业共同制定的一套国家标准。
该标准主要包括多晶硅光伏组件的尺寸、电气特性、机械强度、耐候性等多个方面的技术要求和测试方法。
二、多晶硅光伏组件国标的重要性1. 促进光伏产业技术进步太阳能光伏技术是清洁能源领域的重要技术之一，而光伏组件是太阳能光伏发电系统中的核心部件。
多晶硅光伏组件国标的制定有助于规范行业内产品的质量和性能，促进光伏产业的技术进步，从而推动整个清洁能源产业的发展。
2. 提高产品质量和市场竞争力在市场经济条件下，产品质量是企业竞争力的核心。
制定多晶硅光伏组件国标能够统一产品的技术标准和质量要求，提高产品的一致性和可比性，有助于提升企业的产品质量和市场竞争力。
3. 保障用户权益和安全性光伏组件作为太阳能发电系统中的重要组成部分，直接关系到系统的发电效率和安全性。
多晶硅光伏组件国标的制定能够明确光伏产品的技术要求和性能指标，有效保障用户的权益和安全使用光伏产品。
三、多晶硅光伏组件国标的制定与应用1. 制定过程多晶硅光伏组件国标的制定是一个系统工程，一般由国家标准化管理委员会牵头，并组织专家和相关企业进行研究和讨论。
制定过程中需充分调研国内外相关行业标准和技术要求，并结合国内光伏产业的实际情况，制定适合国内市场需求和技术水平的多晶硅光伏组件国标。
2. 应用推广多晶硅光伏组件国标一旦制定完成，将通过国家标准化管理委员会正式发布和实施。
太阳能多晶硅片质量等级分类方法
BA1A2B1、B2、B3…B91导电类型P P硅片分选设备抽检2隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3崩边长度≤1 mm，深度≤0.5 mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤2 处；B1— 1mm＜崩边长度≤5mm，1mm＜深度≤2mm，1＜崩边总数≤3目测全检4TTV ≤30 μm ≤30 μm B2— 30μm＜TTV≤50μm；硅片分选设备抽检5厚度200±20 μm 200±20 μm B3— 厚度偏差超过±20μm但小于±40μm硅片分选设备抽检6尺寸156±0.5 mm 156±0.5 mm B4— 硅片尺寸偏差超过±0.5mm但小于±1.0mm 硅片分选设备抽检7倒角1±0.5 mm、45°±10º1±0.5 mm、45°±10ºB5— 倒角尺寸偏差超过±0.5mm但小于±0.8mm 硅片分选设备抽检8线痕深度≤8 μm 深度≤15 μmB6— 15μm＜深度≤30μm目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检9电阻率0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cm0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cmB7— 电阻率＜0.5Ω.cm硅片分选设备抽检10少子寿命≥2μs≥2μsB8— 0.5μs≤少子寿命＜2μs少子寿命测试仪按硅块检验规程进行抽检11表面质量状况硅片表面及侧面无凹坑，无沾污，无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；硅片表面及侧面无凹坑，无明显沾污（表面沾污总面积小于3mm 2，每一百片单边侧面沾污总面积小于20mm 2）（判断时参照沾污样本片进行判定），无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；B9— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有3处，每处沾污或其他赃物面积≤1mm2目测全检12弯曲度≤80 μm ≤80 μm ≤80 μm塞尺抽检13氧碳含量氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm3氧含量≤8x1017atoms/cm 3；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧碳含量测试仪客户要求时才抽检检测方法检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级表1 太阳能多晶硅片质量等级分类方法序号检验项目A CD。
太阳能级多晶硅-标准部分
GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅主要内容分类：棒状、块状、颗粒状，按等级分三级牌号1. 尺寸范围1.1破碎的块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为3mm，最大为200mm。
分布范围为：a.3-25mm的最多占重量的15%；b.25-100mm的占重量的15-35%；c.100-200mm的最少占重量的65%。
1.2颗粒状硅粒度范围为1-3mm。
1.3棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。
2. 表面质量2.1块状、棒状多晶硅断面结构应致密。
2.2多晶硅免洗或经表面清洗，都应达到直接使用要求。
所有多晶硅的外观应无色斑、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面。
2.3多晶硅中不允许出现氧化夹层。
3. 引用标准3.1 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法3.2 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法3.3 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法3.4 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法3.5 GB/T 1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法3.6 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验方法3.7 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法3.8 GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法3.9 GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法3.10 GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法3.11 SEMI MF 1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法4. 测试方法4.1多晶硅导电类型检验按GB/T 1550测试。
4.2多晶硅电阻率测量按GB/T 1551测试。
4.3少数载流子寿命测量按GB/T 1553或SEMI MF 1535测试。
4.4多晶硅中氧浓度测量按GB/T 1557测试。
4.5中碳浓度测量按GB/T 1558测试。
太阳能级多晶硅的国家标准
太阳能级多晶硅的国家标准 链接：/tech/9067.html
5.1.1 产品应有供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。 5.1.2 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起一个月内向供方提出， 由供需双方协商解决。 5.2 组批 产品应成批提交验收，每批应有同一牌号、具有相同标称纯度和特性，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的硅多 晶或同一反应炉次的硅多晶组成。 5.3 检验项目 每批产品应进行N型电阻率、P型电阻率、少数载流子寿命、氧碳浓度、结构、表面质量和尺寸的检验，基体金属杂 质进行抽检或由供需双方协商。 5.4 取样与制样 5.4.1 供方取样、制样时，对棒状硅多晶N型电阻率、P型电阻率、制样应按GB4059、GB4060 、GB4061进行，铸造块状硅多晶应在具有代表性的部位参照GB4059、GB4060取样、制样。 5.4.2 仲裁抽样方案由供需双方商定，取样部位和制样按6.4.1进行。 5.5 检验结果判定 5.5.1 多晶硅的纯度由N型电阻率、P型电阻率、氧碳浓度判定，少数载流子寿命和基体金属杂质属参考项目。 5.5.2 在判定项目中若检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。若重复试验仍不合格， 则该批产品为不合格或降级使用。 6 包装、标志、运输及贮存 6.1 包装 硅多晶免洗或经过一定方式洗净、干燥后，装入洁净的聚乙烯包装袋内，密封，然后再将包装袋装入包装箱或包装桶 内。块状硅多晶包装规格为每袋净重为5000g±25g或10000g±50g。棒状硅多晶每根单独包装，并用箱子固定、封状。 包装时应防止聚乙烯包装袋破损，以避免产品外来沾污，并按最佳方法提供良好保护。 6.2 标志 包装箱（桶）外应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标志，并标明： a）需方名称； b）产品名称、牌号； c）产品数量、净重； d）供方名称 6.3 质量证明书 每批产品应附有质量证明书，注明： a）供方名称；
国家标准《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》.doc
《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》编制说明-工作概况：1、任务来源根据国家标准化管理委员会关于下达(国标委综合【2011】82号)《2011年第三批国家标准制修订计划的通知》文件,东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司承担制定项目编号为“20111477—T—469”的国家标准《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》的任务。
2、制定单位概况东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司经过四十多年的建设和发展，现资产总额达30 多亿元，已形成硅材料(多晶硅、单晶硅、硅片)、高(超)纯金属材料、化合物半导体材料及高纯气体、高纯试剂等4大产品系列，产品品种及规格达650多个。
目前主要产品年生产能力已达到：多晶硅2200吨，单晶硅600吨、硅片3600万片、高纯金属65吨，是全国较大的多晶硅和高纯金属生产供应商，也是目前国内少数几个能独立生产全系列半导体材料和太阳能级硅材料的生产厂家之一。
在检验检测方面拥有辉光放电质谱仪(GD-MS)、电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)、电感耦合等离子体光谱仪(ICP-0ES)、低温傅里叶变换红外光谱仪、气相色谱仪、原子吸收分光光度仪、极谱仪、硅片分选测试仪、少子寿命测试仪等大型检测设备及多种微量便携式检测设备，产品分析检测体系完善，并多次主持和参与国家及行业标准的制定和修改。
3、编制过程3.1、2011年12月，根据任务要求制定编制工作计划，填写并上交《落实任务书》。
3.2、收集国内外相关标准及技术资料，了解检测设备的设备结构、设备性能及操作等情况对各种影响测试的因素进行分析。
3.3、2012年5月，完成《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》草案稿的编写工作。
3.4、2012年6月，在上海完成了《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》讨论稿的评审工作。
3.5、2012年7月，根据专家对《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》讨论稿意见，对原标准进行修订。
GB／T 25074-2017《太阳能级多晶硅》标准解读
多 晶 硅 不 仅 能 满 足 太 阳 能 级 的 要 求 ，部 分 产 品 甚 至 突 破 了 电 子 术的普及 ，越 来越少 的多晶硅生产方进行 电阻率的测试 ，因此标
级 。ＧＢ／Ｔ ２５０７４｛太 阳能 级 多晶硅 》正 是基 于 此 ，在 充 分调 研 准 修 订 中将 电阻 率 的 判 定 指 标 作 为 资 料 性 的 参 考 项 目列 在 附 录
伏 装 机 量 ５３ＧＷ ，同 比 增 长 超 过 ５３．６％ ，连 续 ５年 位 居 世 界 第 一 。
电 阻 率 的 表 示 方 法 虽 然 直 观 ，但 是 其 换 算 过 程 中 ，尤 其 是 Ｎ
随着光 伏行业竞争 的 日趋激烈 ，高 效率 、高 品质的太阳能 电池 对 型 电阻率 与施 主杂质 浓度 的换算 需要 Ｐ型 电阻率 下受 主杂质 浓
学 气相 沉积 炉为 反应器 生产 的棒 状太 阳能 级多 晶硅 ，同时删 除 性能 ，但 不会形成 复合中心 ，而 且在铸 锭或直拉过程 中也会引入
了 ２０１０年版标 准中颗粒状 多晶硅相关 的内容 。
碳 。碳作 为 自然界 中存 在最广 、存 在形 式最 多 、最 复杂 的物质 ，
２ 增 加 “特级 品” ，修订 １、２、３级 品技术指标 ＧＢ／Ｔ １２９６３｛电子级 多晶硅 》的 ２０１４年 版较 ２００９年版 对
１ 修 订 适 用范 围
需 要掺 杂来 控制 电池片 的导 电性能 。随着 太阳能 电池 转化 率的
２０１０年版 的标准适 用于 “以氯硅烷为原 料采用 （改 良 ）西门 子法和硅 烷法等工 艺生产的棒 状多晶硅 、块状 多晶硅 、颗粒状 多 晶硅 产 品”。颗 粒状 多晶硅 与棒状 、块 状 多晶硅在 后续 的铸锭 或 拉 晶过程 中配合使用 ，可 提高装 料量 ，有效 降低成 本 ，其生产 工 艺 、技 术 指 标 与 棒 状 、块 状 多 晶 硅 有 较 大 差 异 ，而 且 有 单 独 的 标 准 ＧＢ／Ｔ ３５３０７—２０１７｛流化 床 法颗 粒 硅 》。因此 修改 标准 适 用
太阳能级硅多晶-最新国标
太阳能级硅多晶1范围本文件规定了太阳能级硅多晶的术语和定义、牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。
本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状硅多晶或经破碎形成的块状硅多晶。
2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率测定方法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T24574硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法GB/T24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法GB/T24582酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程GB/T29849光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法GB/T31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法GB/T35306硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法GB/T37049电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4牌号及分类4.1牌号太阳能级硅多晶产品牌号参照GB/T14844的规定表示。
太阳能级硅多晶根据外形分为块状和棒状，根据导电类型分为n型和p型，按技术指标的差别分为4级4.2分类。
5技术要求5.1技术指标5.1.1太阳能级硅多晶的等级及对应技术指标应符合表1的规定。
太阳能级多晶硅标准
太阳能级多晶硅标准
太阳能级多晶硅是太阳能电池的主要原料，其质量和性能直接影响着太阳能电池的转换效率和稳定性。
因此，制定和执行太阳能级多晶硅标准对于保障太阳能电池的质量和推动太阳能产业的发展至关重要。
首先，太阳能级多晶硅标准需要明确多晶硅的化学成分和物理性能要求。
多晶硅的纯度、晶格结构、杂质含量等关键指标需要在标准中进行详细规定，以确保多晶硅的质量稳定和可控。
其次，太阳能级多晶硅标准还需要规定多晶硅的加工工艺要求。
多晶硅在制备太阳能电池时需要进行切割、抛光、清洗等多道工序，这些工艺对多晶硅的表面质量和纯度要求极高，因此标准需要对加工工艺进行严格规定，确保多晶硅的加工质量符合太阳能电池制造的要求。
此外，太阳能级多晶硅标准还需要考虑多晶硅的环境适应性和耐久性。
多晶硅在太阳能电池中需要长期暴露在室外环境下，因此其耐候性和抗老化性能也是制定标准时需要考虑的重要因素。
总的来说，太阳能级多晶硅标准的制定需要考虑多方面的因素，包括多晶硅的化学成分、物理性能、加工工艺、环境适应性和耐久性等。
只有通过严格的标准规范，才能保障太阳能电池的质量和性能，推动太阳能产业的健康发展。
因此，制定太阳能级多晶硅标准是当前太阳能产业发展的迫切需求，也是提高太阳能电池质量和竞争力的关键举措。
希望相关部门和行业组织能够加强合作，制定出科学合理的太阳能级多晶硅标准，为太阳能产业的发展注入新的动力。
多晶硅标准
多晶硅标准
多晶硅（Polycrystalline silicon）是一种晶体结构不完整的硅材料，由多个小晶体（晶粒）组成。
多晶硅是太阳能电池、集成电路等高技术领域的关键材料之一。
为了保证多晶硅材料的质量和性能，制定了一系列的标准和规范。
1. 多晶硅质量标准（GB/T 5420-2010）：该标准规定了多晶硅的分类、包装、标志、试样制备和性能测试等要求，对多晶硅的质检提供了参考依据。
2. 多晶硅材料及其中晶粒度测定方法（GB/T 6699-2017）：该标准规定了多晶硅材料的晶粒度测试方法，包括显微镜观察法和X射线衍射法等方法。
3. 太阳能电池用多晶硅片（GB/T 16532-2017）：该标准规定了太阳能电池用多晶硅片的分类、要求、检验方法等内容，包括外观、尺寸、电气性能等方面的要求。
4. 半导体级多晶硅材料（GB/T 16534-2017）：该标准规定了半导体级多晶硅材料的分类、要求、检验方法等内容，主要涉及杂质含量、电阻率、位错密度等方面的要求。
这些标准和规范旨在保证多晶硅材料的质量和稳定性，为相关行业的产品生产和质检提供统一的技术要求，促进多晶硅技术的发展和应用。
同时，这些标准也为消费者选择和购买多晶硅产品提供了参考依据。
太阳能级多晶硅 标准
太阳能级多晶硅标准
太阳能级多晶硅是太阳能电池的主要材料之一，其质量和性能直接影响着太阳
能电池的转换效率和稳定性。
因此，对太阳能级多晶硅的标准化要求非常严格，以确保太阳能电池的质量和性能达到预期的要求。
首先，太阳能级多晶硅的晶体结构需要符合一定的标准。
晶体结构的完整性和
稳定性对于硅片的电学性能和机械性能至关重要。
因此，标准需要规定太阳能级多晶硅的晶体结构应具有一定的晶格完整性和无明显的晶界缺陷，以确保硅片的质量和稳定性。
其次，太阳能级多晶硅的杂质含量也是一个重要的标准。
杂质的存在会影响硅
片的载流子寿命和电学性能，因此标准需要规定太阳能级多晶硅中各种杂质元素的含量限制，以确保硅片的纯度和稳定性。
此外，太阳能级多晶硅的晶粒尺寸和晶界特性也需要被纳入标准范围。
晶粒尺
寸的大小和均匀性对硅片的光电转换效率有着直接的影响，而晶界的性质则关系着硅片的机械强度和稳定性。
因此，标准需要规定太阳能级多晶硅的晶粒尺寸和晶界特性应符合一定的要求，以确保硅片的性能和稳定性。
最后，太阳能级多晶硅的表面质量和平整度也是一个重要的标准。
表面质量的
好坏直接关系着硅片的光电转换效率，而平整度则关系着硅片的加工和组装性能。
因此，标准需要规定太阳能级多晶硅的表面质量和平整度应符合一定的要求，以确保硅片的性能和稳定性。
总的来说，太阳能级多晶硅的标准化是保障太阳能电池质量和性能的重要手段。
通过严格的标准要求，可以确保太阳能级多晶硅的质量和性能达到预期的要求，从而推动太阳能电池产业的健康发展。
希望未来能够有更加严格和完善的标准体系，为太阳能电池产业的可持续发展提供有力支持。
多晶硅制备炉衬用银板材国标
多晶硅制备炉衬用银板材国标多晶硅制备炉衬用银板材国标一、引言作为太阳能光伏行业的重要材料，多晶硅制备炉衬用银板材国标一直备受关注。
银是一种重要的导电材料，其在太阳能电池的制造中起着至关重要的作用。
而多晶硅制备炉衬用银板材国标的制定对于太阳能光伏产业的发展具有重要意义。
本文将从多个方面对多晶硅制备炉衬用银板材国标进行全面评估，并撰写一篇有价值的文章，以期能更深入地理解这一重要主题。
二、多晶硅制备炉衬用银板材国标的深度评估1. 行业需求分析多晶硅制备炉衬用银板材在太阳能光伏行业中扮演着重要的角色，其国标的制定与太阳能光伏产业的发展息息相关。
当前，全球对清洁能源的需求不断增加，太阳能光伏产业愈发受到重视，多晶硅制备炉衬用银板材的需求也随之增加。
制定多晶硅制备炉衬用银板材国标具有紧迫性和重要性。
2. 国内外标准现状比较在多晶硅制备炉衬用银板材国标的制定过程中，需要对国内外相关标准进行深入比较，从而借鉴国外先进经验，提高国内标准的水平。
通过对国内外标准现状进行全面比较，可以更好地把握行业发展的脉络，为多晶硅制备炉衬用银板材国标的制定提供参考和借鉴。
3. 技术要求和标准制定在多晶硅制备炉衬用银板材国标的制定过程中，需要对技术要求进行详尽地分析和总结。
炉衬用银板材的材质、厚度、尺寸精度、表面质量等方面的要求都需要细致入微地考量。
还需要对标准的制定程序、依据、实施和监督进行全面规划，以确保多晶硅制备炉衬用银板材国标的科学性和合理性。
4. 标准实施和推广制定多晶硅制备炉衬用银板材国标只是第一步，其实施和推广是更为重要的环节。
在标准实施和推广过程中，需要加强对相关企业和生产线的指导和培训，提高他们对多晶硅制备炉衬用银板材国标的认识和理解，以保证标准的有效实施和全面推广。
三、多晶硅制备炉衬用银板材国标的广度评估1. 产业发展影响多晶硅制备炉衬用银板材国标的制定将直接影响太阳能光伏产业的发展。
制定科学、合理、严格的国标，可以有效规范行业内的生产和质量管理，提高产品的质量和竞争力，从而推动整个太阳能光伏产业朝着更加健康和可持续的方向发展。
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6.4供方取样、制样应按GB/T 4059、GB/T 4060 、GB/T 4061进行或由供需双方协商。
6.5检验结果判定
6.5.1多晶硅的等级由基磷电阻率或施主杂质浓度、基硼电阻率或受主杂质浓度、少数载流子寿命、氧浓度、碳浓度判定；表面金属和基体金属杂质属参考项目，由供需双方协商。
c) 100～200mm的最少占重量的65%。
4.2.4颗粒状硅粒度范围为1～3mm。
4.2.5棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。
4.3结构及表面质量
4.3.1块状、棒状多晶硅断面结构应致密。
4.3.2多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。所有多晶硅的外观应无色班、变色，无肉眼可见的污染物和氧化的外表面。
基磷电阻率，Ω·cm ≥100 ≥40 ≥20
基硼电阻率，Ω·cm ≥500 ≥200 ≥100
少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥30
氧浓度，atoms/cm3 ≤1.0×1017 ≤1.0×1017 ≤1.5×1017
4.3.3多晶硅中不允许出现氧化夹层。
5 测试方法
5.1多晶硅导电类型检验按GB/T 1550测试。
5.2多晶硅电阻率测量按GB/T 1552测试。
5.3少数载流子寿命测量按GB/T 1553测试。
5.4多晶硅中氧浓度测量按GB/T 1557测试。
7.2标志
包装箱（桶）外应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标志，并标明：
a）供方名称；
b）产品名称；
c）产品牌号；
d）产品数量；
e）产品净重。
7.3质量证明书
每批产品应附有质量证明书，注明：
碳浓度，atoms/cm3 ≤2.5×1016 ≤4.0×1016 ≤4.5×1016
太阳能级多晶硅等级指标（二）
项目（二）
1级品 2级品 3级品
施主杂质浓度ppba ≤1.5 ≤5.4 ≤50.4
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
SEMI MF1724 利用酸提取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法
3 要求
3.1分类
产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，根据等级的差别分为三级。
3.2牌号
多晶硅牌号表示为：
SGPSi—□—□
阿拉伯数字表示多晶硅等级
Hale Waihona Puke 字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状
表示太阳能级多晶硅
4 技术要求
4.1等级
太阳能级多晶硅的等级及相关技术要求应符合表1的规定。
表1
太阳能级多晶硅等级指标（一）
项目（一）
1级品 2级品 3级品
5.5多晶硅中碳浓度测量按GB/T 1558测试。
5.6多晶硅断面夹层检验按GB/T 4061测试。
5.7多晶硅中的Ⅲ-Ⅴ族杂质含量按照SEMI MF1389测试。
5.8少数载流子寿命测量按SEMI MF1535测试。
5.9单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质含量测量按SEMI MF1630测试。
太阳能级多晶硅
1 范围
本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。
受主杂质浓度ppba ≤0.5 ≤2.7 ≤27
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn Fe、Cr、Ni、Cu、Zn Fe、Cr、Ni、Cu、Zn
基体金属杂质， TMI(Total metal TMI(Total metal TMI(Total metalppmw impurities)总金属杂质含impurities)总金属杂质含 impurities)总金属杂质含
6.5.2在判定项目中若检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格的项目进行复验。对复验结果仍不合格的产品，应直接判定为不合格。
7包装、标志、运输及贮存
7.1包装
多晶硅应装入洁净的聚乙烯包装袋内，密封；免洗料装入双层聚乙烯包装袋内，然后再将包装袋装入包装箱或包装桶内。块状多晶硅包装规格为每袋净重为5000g或10000g。包装时应防止聚乙烯包装袋破损，以避免产品外来沾污，并提供良好保护。
SEMI MF1389 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质
SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法
SEMI MF1630 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质
SEMI MF1723 利用区熔生长和光谱法评价多晶硅产品规范
GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试 直流两探针法
GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试 直排四探针法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
5.10棒状多晶硅的尺寸用游标卡尺测量，块状多晶硅、粒状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验，或由供需双方商定的方法检验。
5.11多晶硅的表面质量用肉眼检查。
6 检验规则
6.1检查和验收
6.1.1产品应有供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。 6.1.2需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。
6.2组批
产品应成批提交验收，每批应有同一牌号，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的多晶硅组成。
6.3检验项目
每批产品应进行基磷电阻率或施主杂质浓度、基硼电阻率或受主杂质浓度、少数载流子寿命、氧浓度、碳浓度、结构、表面质量和尺寸的检验；表面金属和基体金属杂质由供需双方协商。
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法
GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法
GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 14264 半导体材料术语
量：≤0.05 量：≤0.1 量：≤0.2
注：
1，基体金属杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析，由供需双方协商解决。
2，每个等级的产品应该同时满足本等级的要求，若某项超出指标，则降为下一级。
3, 3级品主要应用于多晶硅锭的生产。
4.2尺寸范围
4.2.1破碎的块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为3mm，最大为200mm。
4.2.3块状多晶硅的尺寸分布范围为：
a) 3～25mm的最多占重量的15%；
b) 25～100mm的占重量的15%～35%；
a）供方名称；
b）产品名称、牌号；
c）产品批号；
d）产品毛重、净重；
e）各项检验结果及检验部门印记；
f）本标准编号；
g）出厂日期。
7.4运输
产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震措施。7.5贮存
产品应贮存在清洁、干燥环境中。