模拟电路总结复习
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是(空隙), 而少数载流子是(自由电子)。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是(电子), 而少数载流子是(空隙)。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接( N )区, 电源的负极应接( P )区。
4.当PN结正向偏置时, 电源的正极应接( P )区, 电源的负极应接( N )区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结(正向)偏置, 集电结(反向)偏置。
6.根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为(反向饱和)电流, 在室温下约等于( 26mV )。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极)、(栅极)和(源极)与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用(电压取样)负反馈, 为稳定输出电流, 应采用(电流取样)负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用(串联-电压求和)负反馈, 为减少输出电阻, 应采用(电压取样)负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. )。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
(共射)组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中,.共集电. )组态的电压放大倍数小于1,.共.)组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR=(), 通常希望差分放大电路的共模克制比越(大)越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区(高掺杂), 二是基区很(薄)并掺杂浓度(最低)。
15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将(不变), 而共模放大倍数将(减小), 共模克制比将(增大)。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容), (变压器)和(直接)耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是(零点漂移)。
模电总复习(二)
模电总复习(二)模电总复习(二)1.晶体管工作在放大区时的偏置状态为()A. b与e极,b与c极间均正向偏置B. b与e极,b与c极间均反偏C. b与e极间正偏,b与c极间反偏D. b与e极间反偏,b与c极间正偏2.放大电路中的晶体管应工作在()A. 饱和区B. 放大区C. 载止区D. 夹断区3.电子电路里常用的双极型三极管是()A. 电压控制器件B. 电流控制器件C. 其它物理量控制器件D. 以上各项都不是4.在单管共射放大器中()A. i o与v i反相B. v o与i o同相C. v o与v i同相D. v o与v i反相5. 某放大电路中的一只三极管,三个引线的标号分别为1、2、3,它们对公共端的电位分别是V1= - 4V,V2= -3.3V,V3= - 8V,该三极管是()A. NPN型硅管B. NPN型锗管C. PNP型硅管D. PNP型锗管6.分压式共射放大电路如下图所示。
若更换晶体管使β由50变为100,则电路的电压放大倍数()A. 约为原来的一半B. 基本不变C. 约为原来的2倍D. 约为原来的4倍8. 晶体管中电流分配关系为()A. I B=I C+I EB. I C=I B+I EC. I E=I C+I BD. I B≥I C+I E9.某放大电路如下图所示。
设V CC=12V,I CEO≈0,则在静态时该三极管处于()。
A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D. 区域不定10.运算放大器理想化条件为()。
A. A vo=∞r i=∞r o=∞K CMR= 0B. A vo=0 r i=∞r o=0 K CMR=∞C. A vo=∞r i=∞r o= 0 K CMR=∞D. A vo=∞r i=0 r o=∞K CMR=011.要想稳定放大器的输出电压,并同时提高其输入电阻,则需引的负反馈应为()。
A. 电流串联B. 电压串联C. 电流并联D. 电压并联12.射极输出器不具备以下哪一个特点()A. 输入电阻高B. 输出电阻低C. 电压放大倍数大于1D. 输出电压与输入电压同相13.若要求仅在输入电压过零时,输出电压发生跳变,除此之外输出电压保持不变,则应当选用()。
模拟电子电路复习题及答案
模拟电子电路--2022年第二学期期末考试复习题1、放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同?什么情况下两条负载线重合?答案:答:直流负载线:由直流通路确定,其斜率等于-1/Rc的一条直线。
交流负载线:由交流通路确定,其斜率等于的一条直线。
由于,故交流负载线的斜率大于直流负载线的斜率。
当负载RL断路时,交流负载线与直流负载线重合。
2、能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT?答案:答:不能,因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外,还需满足三个内部条件。
3、P型半导体空穴是多数载流子,故带正电。
答案:正确4、硅晶体二极管的导通电压为0.7V。
答案:正确5、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
答案:正确6、因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
答案:错误7、PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
答案:正确8、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
答案:错误9、由于三极管包含2个PN结,可采用2只二极管背靠背连接构成1只三极管。
答案:错误10、三极管在电路中有3种接法,分别为:共发射极、共集电极、共基极接法答案:正确11、放大电路中接有一个三极管,不知其型号,测出它的三个管脚的电位分别是10.5V、6V、6.7V,则三极管是NPN锗管。
答案:错误12、射极输出器也就是共发射极放大电路,电压放大倍数通常可以达到几十到几百。
答案:错误13、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。
答案:正确14、无关项对最终的逻辑结果无影响,因此可任意视为0或1。
答案:正确15、已知逻辑功能,求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。
答案:错误16、若集成运放在使用时不接负反馈,则电路中的电压增益称为开环电压增益。
答案:错误17、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
18、可以说任何放大电路都有功率放大作用。
答案:正确19、放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外,uN
R R Rf
uo,uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示,各引入那种组态的负反馈?设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V,填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为:-R2/R1。
(3)交流负反馈是指 。 A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大交流信号时才有的负反馈 C.在交流通路中存在的负反馈
解:(1)D (2)B (3)C
4、选择合适答案填入空内。
A.电压 B.电流 C.串联 D.并联
(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈;
(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入 负反馈;
解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中,已知晶体管β,rbe,RB,RC=RL,VCC。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)当考虑信号源内阻为RS时,Aus的数值。
6. 电路如图所示,晶体管的=100,=100Ω。
模电复习
模电复习————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:一、填空题:(每空1分,共30分)1.二极管的单向导电性为:外加正向电压时__导通____,外加反向电压时_截止______。
2.晶体管工作在饱和区时发射结正偏;集电结反偏。
3.三极管按结构分为_ pnp 和 npn 两种类型,均具有两个PN结,即__集电结______和____发射结____。
4.晶体管输出特性曲线分饱和;截止和放大三个区。
5.差动放大电路是有两个结构完全对称的单管放大器组成,因此能有效克服共模信号。
6.共射放大电路三极管静态工作点Q1过低,容易发生截止失真7.为稳定静态工作点应加直流(直流还是交流)反馈。
8.多级放大器常见的耦合方式有直接、阻容和变压器三种。
9.射极输出器是共集电极放大电路。
10.N型半导体中__自由电子_______是多子,P型半导体的主要导电方式是___空穴导电_____。
11.三极管有放大作用的外部条件是发射结__加正向电压______,集电结__加反向电压____。
12.并联电流负反馈可使放大电路的输出电阻增大,输入电阻减小得到电压稳定。
13.直接耦合放大电路存在的两个问题是______级间耦合_____和____零点漂移______。
14.三极管是______电流_____控制器件。
15.选择负反馈的四种基本类型之一填空:(1)需要一个电流控制的电压源,应选____电压并联负反馈_____。
(2)某仪表放大电路要求R i大、输出电流稳定,应选_____电流串联负反馈___。
二、单项选择题:(每题2分,共20分)16.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=0.7V,V E=1V 则晶体管工作在( C )状态。
A、放大B、截止C、饱和D、损坏17.电压放大电路和功率放大电路都可用微变等效电路法和图解法进行动态分析(B )A、正确B、不正确C、无法确定D、基本正确18.要使放大电路输出电流稳定,且输入电阻增大,则采用(A )A、串联电流负反馈B、并联电流负反馈C、并联电压负反馈D、串联电压负反馈19.如图电路中存在( D )负反馈。
模电总结复习资料 模拟电子技术基础
第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1。
半导体—--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性———光敏、热敏和掺杂特性。
3。
本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子—--—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体————在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度--—多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关.*体电阻-——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7。
PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0。
6~0.8V,锗材料约为0。
2~0。
3V。
* PN结的单向导电性——-正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二。
半导体二极管*单向导电性--——-—正向导通,反向截止.*二极管伏安特性-———同PN结。
*正向导通压降---——-硅管0.6~0。
7V,锗管0。
2~0。
3V.*死区电压——--—-硅管0.5V,锗管0。
1V。
3.分析方法-——-——将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳〉V阴(正偏),二极管导通(短路);若 V阳〈V阴(反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段————将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳〉V阴( 正偏),二极管导通(短路);若 V阳〈V阴(反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电知识点复习总结
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化,得到二极管特性的 等效模型。 (1)理想模型
(a)V-I特性 (b)代表符号 (c)正向偏置时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型
(2)恒压降模型
(3)折线模型
(a)V-I特性 (b)电路模型
漂移运动: 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导 体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
特别注意: ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
(一)稳压二极管
I/mA
1 结构:面接触型硅二极管
2 主要特点: (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿 具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
, IC
IB
是另一个电流放大系数。同样,它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示; 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示.
模拟电路复习资料
一、填空题1、画放大器的直流通路时,将视为开路,画出直流通路是为了便于计算;画交流通路是为了便于计算、和三个交流性能指标。
2、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为、和三类。
3、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
4、当三极管的发射结、集电结时,工作在放大区;发射结、集电结时,工作在饱和区;发射结、集电结时,工作在截止区。
5、放大器的静态是指时的工作状态,分析静态工作点的方法有两种,一种是法,另一种是法。
6、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻些,以减轻信号源的负担,输出电阻些,以增加带负载的能力。
7、三极管具有两PN结:结、结;还有三个区:、,。
8、固定偏置放大电路如图(a)所示,三极管的输出特性曲线及直流负载线MN,交流负载线AB如图(b)所示,由图可知,电源电压V G= ,I CQ= ,V CEQ= ,R C= ,R L= ,β=(a)(b)二、判断题1、PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
()2、二极管具有单向导通性。
()3、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压波动。
()4、当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小,当反向电压大于反向反向击穿电压时,其反向电流迅速增大。
()5、 二极管加正向电压时一定导通。
( )6、 晶体三极管有两个PN 结,因此它具有单向导电性。
( )7、放大器具有能量放大作用。
( )8、晶体三极管集电极和发射极可以互换使用。
( )9、发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。
( ) 10、放大器在工作时,电路同时存在直流和交流分量。
( ) 三、选择题1、把电动势为1.5V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。
A 、基本正常B 、将被击穿C 、将被烧坏D 、电流为零 2、当硅二极管加上0.4V 正向电压时,该二极管相当于( )。
A 、很小的电阻 B 、很大的电阻 C 、短路 D 、电阻 3、PN 结的最大特点是具有( )。
模拟电路复习范围解读
模拟电路复习范围第一章1、四种放大电路模型各用于什么场合?四种放电电路分别为:电压放大电路,电流放大电路,互导放大电路,互阻放大电路。
电压放大电路适合:信号源内阻小,负载电阻大的场合。
电流放大电路适合:信号源内阻大,负载电阻小的场合。
互导放大电路适合:(理想状态下)Ri=无穷,Ro=无穷。
//信号源内阻与输入电阻串联,输出电阻与负载电阻并联。
互阻放大电路适合:(理想状态下)Ri=0,Ro=0。
//信号源内阻与输入电阻并联,输出电阻与负载电阻串联。
2、放大电路输出电阻的大小决定它带什么的能力?放大电路的输出电阻的大小决定了它带负载的能力。
3、频率失真是由于什么引起的?频率失真又称线性失真,是由于线性电抗元件所引起的4、下限频率为零的放大电路是什么耦合放大电路?直接耦合电路。
5、周期信号的频谱有什么特点?是离散的,谐波,收敛的6、习题1.5.3第二章1、同相放大电路和反相放大电路的重要特征是什么?在同相放大电路中,加到两输入端的电压大小接近相等,相位相同是它在闭环工作状态下的重要特征。
在反相放大电路中,虚地的存在是反相放大电路的在闭环工作状态下的重要特征。
2、集成运算放大器是一种高增益什么耦合放大器?集成运算放大器是一种高增益直接耦合放大电路。
3、由理想运放组成的线性应用电路输出与输入的关系只取决于什么电路的元件值?由理想运放组成的线性应用电路输出与输入的关系只取决于运放外部电路的元件值,而与运放内部的特性没有关系。
4、运放电路工作在线性区的条件是什么?需要引入深度负反馈,运放工作在线性区,结果导致两输入之间的电压差(Vp-Vn->0),由此才可以导出虚断和虚短两个重要的概念。
5、理想运放线性应用电路输出与输入的关系与什么有关,与什么无关?由理想运放组成的线性应用电路输出与输入的关系只取决于运放外部电路的元件值,而与运放内部的特性没有关系。
6、例题2.3.3第三章1、理想、恒压降、折线和小信号二极管模型分别用于什么场合?当电源电压远比二极管的管压降大时,利用理想模型近似分析还是比较可行的。
模拟电子技术综合复习(二)
9处于放大状态的NPN型晶体管,各电极的电 位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管,各电极的 电位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 ( )。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V,V2=1.3V,V3=-5V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e 8.用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e
模拟电路-期末复习资料
模拟电路—期末复习资料一、判断题1.构成各种半导体器件的基础是PN 结,它具有单向导电和反向击穿特性。
( )2.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
( )3. 在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
( )4.由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻,因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。
( )5.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是输入电压幅值不变,改变频率。
( )6. 一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。
( )7.反馈量仅仅决定于输出量。
( )8.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
( )9. 运放的共模抑制比c d CMR A A K 。
( ) 10. 图题图1所示电路中,若Ce 突然开路,则中频电压放大倍数usmA &减小。
( )11. 运算电路中一般均引入负反馈。
( ) 12.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
( )13.功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。
( )14. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
()15.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
()16.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
()17.当集成运放工作在非线性区时,输出电平不是高电平,就是低电平。
()18.在稳压管稳压电路中,其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。
()19. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
20.电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流。
21.在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。
()22.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是,N型半导体的少子是,PN结具有特性。
2. 在P型半导体中,电子浓度空穴浓度;在N型半导体中,电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于,少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时,耗尽层将,反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种,即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容,分别叫作电容和电容。
7.在PN结形成过程中,载流子扩散运动是由于作用下产生的,漂移运动是由于作用下产生的。
8.当环境温度升高时,二极管的死区电压将,二极管的反向饱和电流将。
9.稳压二极管有作用,在电路中是将其阳极接于电源的极,阴极接于电源的极。
10.利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高,极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是失真,失真的主要原因是。
14.若三级放大电路中A u1= A u2=30dB,A u3==30dB ,则其总电压增益为dB,折合为倍。
15.在三极管的三种基本组态放大电路中,组态电压增益最小,组态输入电阻最小。
16.在三极管的三种基本组态放大电路中,组态输入电阻最大,组态放大倍数最大且为正。
17.实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管,其β值为。
18.场效应管属于____控制型器件,它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19.耗尽型N沟道FET的导电载流子是,一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻;P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
(整理)模电各章重点内容及总复习外加试题和答案
(整理)模电各章重点内容及总复习外加试题和答案《模电》第⼀章重点掌握内容:⼀、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发:环境温度变化或光照产⽣本征激发,形成电⼦和空⽳,电⼦带负电,空⽳带正电。
它们在外电场作⽤下均能移动⽽形成电流,所以称载流⼦。
5、P型半导体:在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能⼒⼤⼤加强,此类半导体,空⽳为多数载流⼦(称多⼦)⽽电⼦为少⼦。
6、N型半导体:在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能⼒⼤⼤加强,此类半导体,电⼦为多⼦、⽽空⽳为少⼦。
7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截⽌。
所以正向电流主要由多⼦的扩散运动形成的,⽽反向电流主要由少⼦的漂移运动形成的。
8、⼆极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。
9、⼆极管由⼀个PN结组成,所以⼆极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈⼩电阻,⼤电流,反偏时截⽌,呈⼤电阻,零电流。
其死区电压:S i管约0。
5V,G e管约为0。
1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。
其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是⼯作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的⼆极管。
(压降为0.7V,)②加反向电压时截⽌,相当断开。
③加反向电压并击穿(即满⾜U﹥U Z)时便稳压为U Z。
11、⼆极管主要⽤途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。
⼆、应⽤举例:(判⼆极管是导通或截⽌、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第⼆章再判)参考答案:a、因阳极电位⽐阴极⾼,即⼆极管正偏导通。
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第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降,用U CES表示放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。
I CEO、I C以及β均增加。
温度升高I三. 低频小信号等效模型(简化)h ie---输出端交流短路时的输入电阻,常用r be表示;h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1)改变R b:Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变R c:Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变V CC:直流负载线平移,Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法---减小R b,提高Q。
(2)饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围(1)U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围*当(U CEQ-U CES)>(V CC’ - U CEQ)时,受截止失真限制,U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当(U CEQ-U CES)<(V CC’ - U CEQ)时,受饱和失真限制,U OPP=2U OMAX=2 (U CEQ-U CES)。
*当(U CEQ-U CES)=(V CC’ - U CEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足R B>βRc。
2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1.静态分析2.动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1.静态分析2.动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。
* 输入电阻高,输出电阻低。
第四章多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。
但不便于集成,低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。
体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好,便于集成。
各级静态工作点不独立,互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。
第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o,I CQ大,管耗大,效率低。
2.乙类工作状态I CQ≈0,导通角为180o,效率高,失真大。
3.甲乙类工作状态导通角为180o~360o,效率较高,失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态任意状态:U om≈U im尽限状态:U om=V CC-U CES理想状态:U om≈V CC2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P c1m=0.2P om5.效率理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2,并且取代了OCL 功放中的负电源-V CC。
动态指标按乙类状态估算,只是用V CC/2代替。
四. 复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0,则U E=-0.7V,得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1:对于VT2:3. 动态分析1)差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出:从VT2单端输出:2)差模输入电阻3)差模输出电阻•双端输出:•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间,运放工作在线性区域:四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞;* 差模输入电阻R id→∞;* 输出电阻R o→0;* 共模抑制比K CMR→∞;2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短”---“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时,u o=+U om当u+<u-时,u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立*开环放大倍数---A*闭环放大倍数---Af*反馈深度---1+AF*环路增益---AF:1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。
2.当AF=0时,表明反馈效果为零。
3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。
4.当AF=-1时,Af→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二.反馈的形式和判断1. 反馈的范围----本级或级间。
2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3. 反馈的取样----电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。
(输出短路时反馈消失)电流反馈:反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
(输出短路时反馈不消失)4. 反馈的方式-----并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
R s越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端)串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
R s越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端)5. 反馈极性-----瞬时极性法:(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号的频率在中频段。
(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升高用 + 表示,降低用-表示)。
(3)确定反馈信号的极性。
(4)根据X i与X f的极性,确定净输入信号的大小。
X id 减小为负反馈;X id增大为正反馈。
三. 反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串联(并联)负反馈。