扩散炉培训
扩散炉培训
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扩散炉培训
扩散—太阳能电池制造核心工序
1.28使用中的注意事项
8.压缩空气、 高纯N2 、高纯O2等各种气体进气压力设定值（气源柜 减压阀表读数）均应调在0.3～0.4Mpa 之内，太小会使得气动阀难以 开启以及质量流量控制器流量显示不稳定，太大则有可能损坏过滤器 及质量流量控制器。
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扩散炉培训
扩散—太阳能电池制造核心工序
1.27使用中的注意事项
5. 桨的位置调好后，基座上下、前后以及端头的俯仰调节螺钉均不得再 随意调动，否则在进出舟过程中极易造成石英挡板以及硅片的损坏，严 重的还会直接损坏石英管和桨。
6.石英炉门与桨的接触部位请定期进行清洗，防止由于工艺残留物堆积使 得滑动不畅造成石英门损坏。运行工艺时必须摇动挡板。
2. 测量方块电阻： 将“I”的指示灯切换至R□/ρ档，读取稳定值，并记录在
电池生产记录中， 重复以上步骤（注意炉里、炉中、炉口加以
区分。
3.判断是否返工 根据规定的工艺要求判断是否要返工，并及时调节扩散
的温度。将测试完的硅片卸到承载盒中，测量过程完毕。
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扩散炉培训
扩散—太阳能电池制造核心工序
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扩散炉培训
扩散—太阳能电池制造核心工序
1.18气路部分
氧气
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三氯氧 磷
三氯乙 烷
氮气
气路部分从左到右分别是氧 气. 清洗小氮. 扩散小氮. 大 氮. 需要用到气体时，系统会 自动开启气动阀。 清洗小
CT扩散炉培训教材(设备中英文版) ppt课件
17
1 operation panel 4 keyboard
2 Touch screen
5 touch screen
button
3 USB socket
PPT课件
18
The equipment has the following button
1 Stop action --All the mechanical action of loading box are stop
centrotherm扩散炉设备培训
equipment training of centrotherm Diffusion furnace
PPT课件
1
A．Loading box 推舟部分
B. TGA 有毒气体排放
C. Heating furnace 加热部分
D. Gas cabinet 气柜
PPT课件
Information field
5 pushbutton shift
3 Pushbutton brightness
ABC keyboard call---calls up\closses the keyboard on the touchscreen, keyboard
entries can be carried out directly on the touchsceen.
4 Allows to unlock-- Press this button ,to unlock the car
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1 pushbutton ABC keyboard call 4 pushbutton right mouse button
2 Pushbutton task change
扩散工艺培训以及常见异常分析处理20151122
1.3 扩散方式
替位式扩散
这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内 晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不 改变原来硅材料的晶体结构。
硼、磷、砷等是此种方式。
杂质原子 Si原子
晶格空位
1.3 扩散方式
填隙式扩散 这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体
原因
1.炉门没关紧，有源被抽风抽走。
2.携带气体大氮量太小，不能将源带到管前。 3.管口抽风太大。 偏高。1.扩散温度偏低。 2.源量不够，不能足够掺杂。 3.源温较低于设置20度。 4.石英管饱和不够。 偏低。 1.扩散温度偏高。
2.源温较高于20度。
扩散温度不均匀
扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀。
1.1 扩散的基本概念
扩散系统：
扩散物质、扩散介质
扩散的概念：
当物质内有梯度（化学位、浓度、应力梯度 等）存在时，由于物质的热运动而导致质点的定 向迁移过程。
扩散是一种传质过程 扩散的本质是质点的热运动
1.2 扩散的基本特点
不同物态下质点的迁移方式 气（液）体中： 对流、扩散
固体中 ：扩散
注：对流（convection）：流体各部分之间发生相对位移，依靠冷热流体互相 掺混和移动所引起的热量传递方式。
液态磷源扩散工艺
1.5 PN结的形成
扩散炉操作规则扩散炉操作规则
20. 在温区-SV“数据录入” 界面上点击“炉体保 温”，再点击“确定”按 钮，完成温度600℃设定 。
开机操作（十一）
21.按下各管操作面板的“加热开”
12
按钮，“加热开”的指示灯亮， 开始升温。
注意
单台扩散只能两 管同时加热！
开机操作（十二）
22.将气柜内恒温水槽的黑色
13
开关由“切”拨为“入”， 启动恒温水槽。
关机操作（四）
7. 按下各管操作面板
的“加热关”按钮， “加热关”的指示 灯亮，开始降温。
8 关闭源瓶阀门，依 次松开进、出气口 的螺母，拔出进出 气管，并分组包扎 捆好。
关机操作（五）
9. 将内恒温水槽的黑色 开关由“入”拨为 “切”，关闭恒温水槽。
10.在“状态设置”界面点击“退 出”按钮，弹出“操作提示” 界面。
M511-4W/UM闭管扩散炉 开机、关机培训
2009.06.10
开机操作（一）
1. 打开墙壁面板上压缩空气相
2
应的手动阀，并调节相应的 调压阀使其压力为： 0.7±0.1MPa。
2. 打开墙壁面板上氮气相应的 手动阀，并调节相应的调压 阀使其压力为0.4±0.1MPa。
开机操作（二）
3. 打开墙壁面板上氧气相应的 手动阀，并调节相应的调压 阀使其压力为0.4±0.1MPa。
23.检查并设定温度20℃，按
下“启动”按 钮，启动 恒温水槽 。
24.设备炉温升值设定值，待
生产。
二：关机操作
关机操作（一）
1. 检查并确定各管 工艺已运行结束。
2. 在状态界面上点 击“推舟速度”显 示框，弹出“数据 录入”界面。
关机操作（二）
3. 在“数据录入”界
扩散部工艺培训
----主要设备、热氧化、扩散、合金扩散部 2002年7月前言：扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成，其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。
扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。
本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。
目录第一章：扩散区域设备简介……………………………………第二章：氧化工艺第三章：扩散工艺第四章：合金工艺第一章：扩散部扩散区域工艺设备简介炉管设备外观：扩散区域的工艺、设备主要可以分为：炉管：负责高温作业，可分为以下几个部分：组成部分功能控制柜→对设备的运行进行统一控制；装舟台：→园片放置的区域，由控制柜控制运行炉体：→对园片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温源柜：→供应源、气的区域，由控制柜控制气体阀门的开关。
FSI：负责炉前清洗。
第二章：热氧化工艺热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。
热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。
硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。
2. 1氧化层的作用2．1．1用于杂质选择扩散的掩蔽膜常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。
利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。
1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。
同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。
作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。
2．1. 2缓冲介质层其一：硅与氮化硅的应力较大，因此在两层之间生长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力，如二次氧化；其二：也可作为注入缓冲介质，以减少注入对器件表面的损伤。
CT扩散炉培训教材(设备中英文版)
1
a
9
Cooling water inlet and water system冷却水系统
Cooling to the top of the furnace body and furnace 对炉膛顶部和炉体
进行冷却
a
10
Thermostatic bath恒温槽
Door cylinder炉门气缸
a
7
Heating furnace炉膛
1、CMS module
3、Power connection
cover
2、Thermocouple connection
4、a Temperature sensor
8
Gas cabinet气源柜
2
1、 Flow meter 气体流量计
centrotherm扩散炉设备培训
equipment training of centrotherm Diffusion furnace
a
1
Centrotherm扩散炉的组成
A．Loading box 推舟部分
B. TGA 有毒气体排放
C. Heating furnace 加热部分
D. Gas cabinet 气柜
2、The main fan 5、Electronic
devices
3、Coaoling the air passage
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Alarm lamp information
Indicator lamp color
action
meaning
green open
Ready to operate
twinkle pause
扩散生产培训
产品监控
1、扩散后方块电阻 检测仪器：方块电阻测试仪 方块电阻值一般在40-60 Ω /sq范围内,每片测量五 个点。批次间扩散方块电阻不均匀度≤3Ω /sq，片 内扩散方块电阻不均匀度≤3.5Ω /sq，不同设备所 生产的硅片均匀性有所差异。 2、扩散后外观检测(目测部分) 1）表面手印和沾污（不能下传） 2）蓝斑片（一般可下传但效率低点） 3）黑斑片（一般可下传但效率低点）
扩散车间操作培训
编 写 人：王子连
目的及意义
培训的目的 了解扩散原理 介绍扩散车间操作流程 熟悉人员、生产、设备安全的要求和危险预防措 施 培训的意义 简单介绍扩散车间的生产流程，强调生产安全 问题
内容提纲
一．
二．
三．
扩散原理 扩散车间的基本生产流程 人员、生产、设备的安全培训
单晶硅太阳能电池
开机准备 器件清洁 物料准备
开机 返工流程 上料 不 合 格
自动生产
下料
检验 合格
扩散后清洗
关机
清洗
扩散原理
主要操作要求
插片：戴好手套，手套的戴 法为：内层汗布手套外层PVC 手套。调节插片台风量，然 后用石英吸笔吸取硅片后轻 轻插入石英舟的槽中，每槽 一片插入石英舟（做单面扩 散时每槽插两片）。
扩散车间产品安全
按照车间要求正确穿戴工作服和劳保用品。 操作人员根据岗位操作要求正确操作。 坚守自己的岗位，不能随意串岗。 从事危险工作时，应按照规定，正确作业，包括 不单独作业、正确穿戴防护服等等。 正确操作设备。按照设备维护要求定期检查和维 护设备。 所有的工作，除了日常维护外，都要有负责人员 执行监管。 保证车间的干净整洁。 保证产出产品的合格检验。
扩散培训讲义
Chint Solar Confidential
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高温氧化/扩散系统的设备简介
•气路（其他管相同）
Chint Solar Confidential
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高温氧化/扩散系统的设备简介
2 4PCl 5O 2P O 10Cl
5 2 2 5 2
过量O
•
生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅 玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 。由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3 充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流 量的氧气 。
Chint Solar Confidential
2
高温氧化/扩散系统的安装条件
• 工作条件要求 供电：3Ф＋零线+地线，50HZ；单台(4管)总功率≤140KVA。 供水：3／4“管供自来水，水压0.1～0.3MPa，冷却用；去离子水，清洗 及工艺用。 供气：N2、O2 、压缩空气，进气压力0.3～0.6Mpa，工艺气体（POCL3) 纯度99.99% 。 气源柜、废气室、净化台顶部均应接入排毒、排气管道。
4
高温氧化/扩散系统的工艺原理
• 扩散的工艺原理
• 制造PN结原理：实质上就是想办法使受主杂质(P型)，在半导体晶体内的 一个区域中占优势，而使施主杂质(N型)在半导体内的另外一个区域中占优 势，这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触，而 此时半导体晶体内部就形成PN结。
• 利用磷原子(N型) 向晶硅片(P型)内部扩散的方法，改变晶硅片表面层的导 电类型，从而形成PN结。这就是用POCl3液态源扩散法制造P-N结的基本 原理。
扩散炉操作培训
关机操作（ 关机操作（一）
1、检查并确定各管工艺已运行完毕，设定“Paddle”温度为500℃： 按下“Manual/T_Paddle/All/Setpoint”,输入“500”并按 “ENTER” 确认。 2 2、逆时针旋转TGA顶部调压阀，关闭炉门的压缩空气，使压力为零。 TGA
关机操作（ 关机操作（二）
维护保养（ 维护保养（一）
1、清理冷却瓶和过滤瓶的偏磷酸。 、清理冷却瓶和过滤瓶的偏磷酸。 2、检查并更换聚四氟密封圈。 、检查并更换聚四氟密封圈。
维护保养（ 维护保养（二）
3、检查并清理气柜抽风管道下部的偏磷酸。 、检查并清理气柜抽风管道下部的偏磷酸。 4、清理冷阱内部和盛放冷凝瓶的接液盘。 、清理冷阱内部和盛放冷凝瓶的接液盘。
开机操作（ 开机操作（五）
9、当温度到达500℃ 时，用手推动炉门 的气缸，使炉门关 闭。 10、顺时针打开TGA 上部调压阀，使压 缩空气压力恢复到 4Bar左右。
开机操作（ 开机操作（六）
11、打开恒温箱控制器的 黑色电源开关，检查 并确认设定温度20℃； 按下“RUN”按钮， 启动恒温箱。当实际 温度达到设定温度后， 才可生产。 12、当源瓶的磷源用尽需 要更换时，恒温控制 器会有液位报警提示， 需更换新的磷源。
生产操作（ 生产操作（八）
15、当工艺运行完，自动取舟到“Storage”位置冷却；冷却后“Slider”自动取舟到下料 位置并伴有蜂鸣提示，进行取舟卸片和测试方块电阻；再放上需要扩散的舟。 16、同时CMI电脑弹出“Boat Info”界面，点击“Unload done”按钮，在软件中完成卸 舟信息。 17、进入“Boat Info Mode Select”界面，选择“Wafer（Production wafer with host validation）”项，点击“OK”按钮。
电器设备部扩散三级安全培训考试题答案
德信诚培训网更多免费资料下载请进： 好好学习社区电器设备部扩散三级安全培训考试题一、 单项选择题 （15分）1、对电击所致的心博骤停病人实施胸外心脏挤压法，应该每分钟挤压（ A ）次。
A 、60-80次B 、30-50次C 、120次以上2、三氯氧磷的危险特性是（ A ）。
对很多金属尤其是潮湿空气存在下具有腐蚀性。
A 、遇水猛烈分解，产生大量的热和浓烟，甚至发生爆炸B 、有毒C 、易燃3、《安全生产法》立法的目的是为了加强安全生产监督管理，防止和减少（ C ），保障人民群众生命和财产安全，促进经济发展。
A 、 重大、特大事故B 、火灾、交通事故C 、生产安全事故4、《安全生产法》规定：安全生产管理，坚持（ C ）的方针。
A 、安全生产、人人有责B 、安全为了生产、生产必须安全C 、安全第一、预防为主5、石英管清洗机现工艺采用（ A ）溶液清洗石英件。
A 、HFB 、HCLC 、NaOH6、安全生产责任制是最基本的安全生产制度，是其他各项安全规章制度得以实施的基本保证。
安全生产责任制要在（ C ）上下功夫，这是关键的关键。
A 、健全、完善B 、分工明确C 、贯彻落实7、《安全生产法》规定，生产经营单位应当在较大危险因素的生产经营场所和有关设施、设备上，设置明显的（ C ）。
A 、 安全宣传标语B 、安全宣教挂图C 、安全警示标志8、氢氟酸与石英的主要生产物是（ A ）。
这是一种溶解性络合物。
A 、H2SiF6B 、P2O5C 、 PCL59、《安全生产法》规定，特种作业人员必须经专门的安全作业培训。
取得特种作业（ A ）证书，方可上岗作业。
A 、 操作资格B 、许可C 、安全。
扩散培训资料
CT扩散工艺培训一、工艺介绍：1.1扩散炉气流平面图图一为CT扩散炉简易平面图图二为通过扩散炉气体流动方向1.2扩散原理：1.2.1化学反应方程式：POCl 3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl 5）和五氧化二磷（P 2O 5），其反应式如下：5253O P 3PCl C6005POCl +−−−→−︒>；生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：↓+→+4P 5S iO 5S i O 2P 252；PCl 5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。
因此通入过量O 2 ，使PCl 5进一步分解为我们所需要的物质，其反应式如下：↑+−−−−→−+2522510Cl O 2P 2O 过量5O 4PCl 。
1.2.2 磷扩散过程：首先在硅片表面形成一层磷硅玻璃，如下图所示：然后经过一系列的高温推进后，杂质再重新分布，形成一层薄的N 型硅，如下图所示：1.3 扩散工艺控制：温度影响扩散方块电阻的温度有Deposition温度；Drive-in 的温度；时间影响扩散方块电阻的时间有Deposition时间；Drive-in 的时间；浓度影响扩散方块电阻的浓度有小氮流量，影响方阻的均匀性有小氮流量和大氮流量；源温主要是指三氯氧磷的温度，三氯氧磷的饱和蒸汽压随源温的变化而变化，最终决定通往扩散炉的磷源流量；小氮流量小氮流量的决定了所携带磷源的大小，最终直接影响方块电阻的大小；扩散炉内的压力扩散炉内的气压会影响扩散均匀性；1.4 典型工艺1.5 不同方阻磷浓度曲线分布图：1.6 工艺结果表面有一层磷硅玻璃；磷掺杂形成发射极；方块电阻大小由馆内温度和气体浓度决定；二、作业步骤：2.1 正常生产：2.1.1 激活石英舟，验证舟的ID，类型，状态和承载位置，如下图所示：2.1.2 选择炉管，石英舟的位置，承载模式和舟的状态，如下图所示：2.1.3 检验工艺选择及信息概要，如下图所示：2.2 特定生产：2.2.1 激活舟并定义硅片承载模式，如下图所示：2.2.2 检验舟的ID，类型，承载位置及状态：2.2.3 工艺选择及信息概要：2.3 结束特定作业：2.3.1 勾选’set boat to inactive after unloading ‘2.3.2 点击卸片按钮2.4 删除作业信息：勾选’delete load information of this boat ‘2.5 重新开始项目解决好J&R操作错误后的步骤：2.5.1 确认J&R与CMI上的错误信息；2.5.2 删除失败的作业项目；2.5.3 手动把舟移动到存储架2-7上；2.5.4 重新加载作业信息，设置舟当前的位置；2.5.5 重新开始自动运行；2.5.6 如果有其它作业项目即将结束，CMI会先完成，然后再重新开始原来重新加载的项目；三、记录分析及工艺编辑：3.1 记录分析：3.1.1 打开Protgraf 软件，如下图标所示：3.1.2 用Protgraf分析，点击如下图标：3.1.3 选择要分析的管号和时间段：3.1.4 选择需要列表输出或者图形显示的项目：3.1.5 记录分析3.1.6 重要事件记录：3.1.7 列表显示：3.1.8 事件显示：3.1.9 图形显示：3.2 工艺编辑：3.2.1 工艺调整：3.2.1.1打开程序，点击桌面CCC-RM图标3.2.1.2第二步：选择左上角第二个菜单栏，输入密码，60653.2.1.3打开工艺控制菜单后，在右边菜单栏内选定，需要调整的工艺号：3.2.1.4选定后，点击右边菜单栏下的“check out ”键，将工艺导出：3.2.1.5点击中间菜单栏下的“”，待更改工艺即出现以下界面的左栏，点击向右箭头，将工艺导导至修改栏，点击“Edit”，开始工艺修改：3.2.1.6工艺更改好后，点击“save”保存：3.2.1.7点击向右箭头，放回：3.2.1.8回到工艺界面，选定工艺，点击中间栏下部的“check in”，将工艺放回至程序库：3.2.2 复制工艺：在生产过程中，有可能出现工艺出错，无法修改，甚至无法调出的情况，可以将其他炉管同一系列工艺进行复制，然后修改，再将新复制的工艺倒回程序库即可。
CT扩散炉培训教材(设备中英文版)
检测某个范围 内是否有物体， 避免出现撞舟 现象，些范围 可进行调节
Communication Network Overview 通信网络总览
position, as well as Tube = ready SLS = UP TGA = YES then operation.
8.机械臂运动时不要上料，以免上料时抖动机械臂撞到舟。
As mechanical arm movement not feeding,in order to avoid feeding time jitter mechanical arm hit the boat。
CT操作注意事项 CT operation matters needing attention
1.SLS处于“UP”位置时，管内有舟时不可手动进桨
SLS in the "UP" position, the inner tube has a boat can not be manually into the paddle. 2.SLS处于“DOWN”位置时，桨上有舟时不得手动进舟。
设备 平面结构Equipment plane structure
1、CMI电脑 2、Loading box
上料箱 3、Toxic gases
有毒气体排放 4、Furnace
炉体 5、Gas box
气源柜
Loading box上料箱 Baddle head 舟头
Loading wafer
加栽的硅 片
扩撒工艺培训资料2011
影响扩的因素
管内气体中杂质源的浓度 扩散温度 扩散时间
太阳电池磷扩散方法
三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 喷涂磷酸水溶液后链式扩散 丝网印刷磷浆料后链式扩散
POCl3 的特性
POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发。
装片
戴好防护口罩和干净的塑料手套，将清洗甩干的硅片从传递窗口取出，放在洁净台上。 用石英吸笔或夹子依次将硅片从硅片盒中取出，插入石英舟。
送片
用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上，保证平稳，缓缓推入扩散炉。
回温
打开O2，等待石英管升温至设定温度。
扩散
打开小N2，以设定流量通小N2（携源）进行扩散
什么是扩散？
扩散是一种材料通过另一种材料的运动，是一种自然的化学过程 是掺杂的一种工艺方法
扩散的条件是什么？
一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度 系统内部有足够高 的能量可以使高浓度的材料进入或通过另一种材料 常见的扩散现象 气相扩散：充压喷雾罐（空气清新剂之类） 液相扩散：墨水与水混合 固相扩散：金链子与皮肤
4：调整电流
操作提示：确定“R□”“I”“EXCH.1各个指示灯亮。把电流档位从0.1MA调至10MA。用手轻轻旋转调节按钮使电流值为4.530MA。
5：切换指示灯
操作提示： 把”I“的指示灯切换至R□/P
6：准备硅片
操作提示：缓慢从承载盒中抽取出要进行测量的硅片.
7：显示数值
操作提示：待R□数值稳定时读取数值。
淀积工艺的影响因素？
四十八所扩散炉教程
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2.方块电阻的异常.
方块电阻的异常在扩散间异常中是占很大比例,方块电阻的异常的种类、可
能的原因及解决措施如下: (1)整舟方块电阻高 可能的原因：1.大氮保护开着。2.四探针测试仪没有调整好（如电流）或 故障3. 源量过少.4.扩散温度低. 解决方法：1.关闭大氮保护.2.按要求调整或让相关人员维修3. 让员工经常 检查源瓶，按要求更换源瓶.4.调整扩散温度. (2)整舟方块电阻低 可能的原因：1.换源后没有及时降低温度.2. .四探针测试仪没有调整好.3. 工艺运行完该出舟时，因其他原因没有退舟，导致扩散后的片子长时间处 在高温的管子里.4.恒温箱缺水或各种故障导致的温度升高.5. 误用方块电阻 低的工艺号.6.二次扩散.7.扩散温度高. 解决方法：1. 换源后按要求调整温度.2. 按要求调整并定时确认.3.员工应 经常关注各个扩散管的运行状态，及时发现问题.4.添水或通知设备维修.5. 让员工按流程卡上标注的工艺运行.6. 属于员工误操作.返工.7.调整扩散温 度.
按照每立方米（或每升）空气中，大于等于0.5μm的尘粒数量来划分
8
人员方面 1.扩散间员工出扩散间必须穿鞋套.其他岗位、部门员工
进入扩散间必须按要求穿洁净服、戴鞋套 2.进入扩散间时要风淋30s 3.严禁同时打开传递窗及风淋门;传递窗的两边不能同时 打开 4.员工工作服穿着整洁,头发严禁露在衣服外面 5.清洗间小车禁止推入扩散间使用 6.袖子不能高挽
可能的原因：1.进舟时间设定短.2.限位开关故障.3. 丝杠故障. 处理措施： 1.设定合适的进舟时间.2.3.通知设备人 员维修.
24
6.有关三氯氧磷方面的异常：
(1).有三氯氧磷的气味.(冒烟)
可能的原因：1.炉门密封不严. 2.气路部分连接不紧密.3.抽风小. 4.当有扩散管运行 到通扩散小氮时，其他管出舟，造成抽风相对小.5.石英炉门有缺口.6.源瓶的阀门装反 并且没有检查出来.导致三氯氧磷以液态进入石英管内. 处理措施： 1.通知设备人员调整.2.安装源瓶及四通等气路时要确保连接紧密.3.通知设 施人员处理.4.合理安排进出舟时间.5.通知设备人员更换后运行清洗工艺.6.换源时按要 求认真操作.
捷佳伟创晶体硅电池高温扩散炉的培训资料ppt课件
ppt精选版
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注意事项
▪ 首先进行第二通道的PID,这个时候,第二通道一定是在本地摸式. ▪ 1. 设定为本地模式。・・・・・・・・・・・・・・ r-L = LoC ▪ 2. 设定第二通道的设定値的温度。・・・・・・・ 2. SV = 目标温度 ▪ 3. 进行第二通道的AT(自整定演算)。 ・・・・・・・ 2.ATU = on ▪ 整定完成后,进行第一通道的自整定, 这个是在串级的情况下做自整
加热点（6个）
炉体加热部分
该部分主要配置 有： 炉管 控温热电偶、 超温保护热电偶
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（5个）热电偶（外偶的分布位置由5个控温点组成）
五块温控表，相对应五个温度点。温控表主要用于温度的整定，PB 值的设置等。如果实际温度偏离设置值温度幅度很大，在排除其他加热 正常的情况下，一般重新进行恒温即可。
成。 (当CH2温度达300度后，稳定5分钟，再次设为600
度，此时把CH2自整定打开，CH2自整定AT完成后，按 R/S键切换进行远程控制，进行CH1的自总定，CH1设为 860度，此时CH2可设为0度)
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▪ 二：按住∠mode键3秒以上：ATU=ON。CH1， CH2分别进行自整定。
2.外围
3.工装夹具： 石英舟 舟托架
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DS-300A型管式高温扩散炉
控制部分
推舟净化pp部t精分选版
炉体加热部分
气源部分 14
控制部分
位于控制柜的计算机控制系统分布 于各个层面，但每个层面的控制系统都 是相对的独立部分，每层控制对应推舟、 炉温及气路部分，是扩散/氧化系统的控 制中心。
数字式MFC的运用，确保了反应气体流量的控制 精确、稳定、无干扰，对工艺生产的重复稳定控 制具有非常有益的帮助，通过配合串级温度控制， 可极大的提高工艺批次间的品质。同时具备手动 设置调整功能，极大的方便设备测试、维护工作 的开展。
扩散课工艺培训培训内容
高；电容极板之间的介质，对电容的大小有较大影响氧化工艺-4氧化膜的作用隔离介质：工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜,达到器件氧化工艺-5氧化方法2 == SIO 2扩散课工艺培训 培训内容扩散部设备介绍氧化工艺介绍 扩散工艺介绍 合金工艺介绍 氧化层电荷介绍LP CVD 工艺介绍扩散部设备介绍卧式炉管立式炉管炉管工艺和应用氧化工艺-1氧化膜的作用选择扩散和选择注入。
阻挡住不需扩散或注入的区域，使离子不能进入。
氧化工艺-2氧化膜的作用缓冲介质层二次氧化等，缓冲氮化硅应力或减少注入损伤氧化工艺-3氧化膜的作用器件结构的一部分：如栅（Gate ）氧化层，非常关键的项目，质量要求非常隔离的目的。
干氧氧化 SI+O结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好， 但生长速率较慢,一般用于高质量的氧化，如栅氧化等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也 使用此法。
水汽氧化 2H 2O+SI == SIO 2+2H 2 生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，氧化层有较 多缺陷。
对光刻胶的粘附性较差。
氧化工艺-6氧化方法湿氧氧化（反应气体：Q +H20H 2O+SI == SIO 2+2H2 SI+O2 == SIO 2N度不同，a值会略-9氯化物的影响加入氯化物后，氧化速率明显加快，这可能是质量有了很大提高压力影响压力增大，氧化速率增大；温度温度升高，氧化速率增大；排风&气体HCL和02生成水汽的原因；但同时氧化排风和气体很重要，会影响到厚度和均匀性；氧生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；H2O的由H2 和02的反应得到；并通过H2和02的流量比例来调节氧化速率，但比例不可超过以保安全；对杂质掩蔽能力以及均匀性均能满足工艺要求；多使用在厚层氧化中。
HCL氧化（氧化气体中掺入HCL加入HCL后，氧化速率有了提高，并且氧化层的质量也大有改善。
目前栅氧化基本采用02+HCL方法。
扩散工艺培训
扩散工艺培训一、扩散目的。
在P型衬底上扩散N型杂质形成PN结。
达到合适的掺杂浓度ρ/方块电阻R□即获得适合太阳能电池PN结需要的结深和扩散层方块电阻。
R□的定义：一个均匀导体的立方体电阻,长L，宽W，厚d R= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W）成正比，比例系数为（ρ /d）。
这个比例系数表示：叫做方块电阻，用R□R□= ρ / dR = R□（L / W）L= W时R= R□，这时R□表示一个正方形薄层的电阻，与正方形边长大小无关。
单位Ω/□，方块电阻也称为薄层电阻Rs在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。
制造一个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一起就能形成的。
必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N 型区域。
也就是晶体内部形成P型和N型半导体接触。
目前绝大部分的电池片的基本成分是硅，在拉棒铸锭时均匀的掺入了B(硼)，B原子最外层有三个电子，掺B的硅含有大量空穴，所以太阳能电池基片中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，是P型半导体.在扩散时扩入大量的P(磷)，P原子最外层有五个电子，掺入大量P的基片由P型半导体变为N型导电体，多数载流子为电子,少数载流子为空穴。
在P型区域和N型区域的交接区域，多数载流子相互吸引，漂移中和，最终在交接区域形成一个空间电荷区，内建电场区。
在内建电场区电场方向是由N 区指向P区。
当入射光照射到电池片时，能量大于硅禁带宽度的光子穿过减反射膜进入硅中，在N区、耗尽区、P区激发出光生电子空穴对。
光生电子空穴对在耗尽区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被进入N区，光生空穴则被推进P区。
光生电子空穴对在N区产生以后,光生空穴便向PN结边界扩散，一旦到达PN结边界，便立即受到内建电场作用，被电场力牵引做漂移运动,越过耗尽区进入P区，光生电子(多子)则被留在N区。
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扩散—太阳能电池制造核心工序
1.25闭管炉尾挡板的装卸
D管炉尾挡板的拆 卸必须要两人一起 操作。一人负责固 定住挡板，另外一 人负责拧螺丝。以 防挡板掉下砸断进 气石英管和尾气管。
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1.26使用中的注意事项
1.进舟时保证净化风机开启。 2.温控仪没有工艺人员允许严禁乱调。 3.控制柜面板上的“消声”按钮是当系统出现故障，发出声 光报警后，按下它，蜂鸣器便不再发声；但此时并不表示故 障已经解除，必须在排除故障后将其松开。正常运行时，保 证消声按钮是弹起的。 4.急停按钮是当进、出舟过程中出现意外时，手动停止用的， 在正常工艺时，请注意保持该按钮不要按下。
9. POCL3扩散源具有极强的腐蚀性，如果磷源洒在了恒温槽内，应马 上拔下恒温槽的电源插头，将槽内的水倒掉并清洗干净，否则会造成 恒温槽内的致冷铜管因受腐蚀而穿孔。
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1.29设备的安全使用
设备外壳一定要有良好的接地。
出现故障时必须先切断电源再分步检查，严禁在未弄清故 障原因的情况下带电检测。
根据规定的工艺要求判断是否要返工，并及时调节扩散 的温度。将测试完的硅片卸到承载盒中，测量过程完毕。
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2.3四探针工作原理
方块电阻：扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常用 Rs或R口表示。所谓薄层电阻，就是表面为正方 形的半导体薄层在电流方向上所呈现的电阻。 金属导体的电阻公式 R=ρl /s，与之类似， 薄层电阻的大小为： Rs=ρl / at，如右图： 当l=a即为一个方块时：
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1.4气路结构
三种气体：
氮气（N2） 氧气（O2） 压缩空气
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1.5气路结构各阀门名称
减压阀
干燥器
波纹管 手动阀 常开电磁阀
手动截止阀 浮子流量计
质量流量控制器
气动阀
单向阀 石英源瓶 防腐单向阀
石英管
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1.6系统控制原理
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1.27使用中的注意事项
5. 桨的位置调好后，基座上下、前后以及端头的俯仰调节螺钉均不得再 随意调动，否则在进出舟过程中极易造成石英挡板以及硅片的损坏，严 重的还会直接损坏石英管和桨。
6.石英炉门与桨的接触部位请定期进行清洗，防止由于工艺残留物堆积使 得滑动不畅造成石英门损坏。运行工艺时必须摇动挡板。
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1.21石英挡板
石英挡板与桨接触 的地方经常容易损 坏，特别是排气管， 装挡板时应该扶住 挡板，以免损坏。
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1.22开管炉口抽风系统
炉口抽风连接着外部 的抽风系统，是运行 工艺时废气的排放出 口。由于长时间的使 用，管道内部沉积了 可凝物，由于时间长 没有人清理，会低落 下磷酸，污染片子和 石英舟。甚至是石英 管。所以炉口抽风应 经常擦拭。
1.14断点启动界面
在中途退出或者因断 电、死机等原情况下 使用
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1.15用户管理界面
可以添加用户 删除用户 修改密码
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1.16切换用户界面
低级别切换，需 输入当前用户密 码
高级别直接输入 用户密码切换
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连续可调； 净化工作台净化级别： 100级 （环境10000级）
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1.7扩散软件系统主界面
温度设定与监控 流量设定与监控 进退舟操作 净化风机开关 温度、流量曲线
图 功能菜单
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1.8扩散软件系统主界面
温度设定与监控 流量设定与监控 压力检测 进退舟操作 净化风机开关 温度、流量曲线
1.17报警窗口
控制热偶短路或温 控仪温度显示异常
扩散小N2检测值与 设定值偏差大于 20%
超温 断偶 扩散小氮超压 清洗小氮超压
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1.18气路部分
三氯氧 三氯乙 氮气
气路部分从左到右分别是氧
氧气
磷
烷
气. 清洗小氮. 扩散小氮. 大 氮. 需要用到气体时，系统会
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1.2推舟净化部分
推舟净化柜的顶部装有照明灯；正面是水平层流的高效过滤器及四 层推舟的丝杠、导轨副传动系统及SiC悬臂桨座，丝杠的右端安装 有驱动步进电机，导轨的两端是限位开关。
柜子的下部装有控制电路转接板及净化用风机。 电阻加热炉部分 电阻加热炉柜共有六层。顶层配置有水冷散热器及排热风扇，废气
室顶部设有抽风口，与外接负压抽风管道连接后，可将工艺过程残 余的废气带走。 中间部分分四层放置四个炉管，每层由四个坡面支架托起并固定住 炉管，其位置在安装时已经与推舟送片机构——丝杠、导轨副调好 对中，因此切不可轻易挪动
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1.3气源部分
气源柜分为五层。顶部设置有排毒口，用以排除在换源 过程中泄漏的有害气体。
Rs=ρ/t
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2.4四探针探头
这就是我们常用的四探针针头，它由钨钢 制造，四根针分别连接着设备内部的四个 接口。其中1针和4针测试时通过电流。2针 和3针测试时通过电压。数值输入进设备后 经过计算，由显示屏显示出来
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三、石英管清洗机
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柜
进气
炉体 柜
电源总进 线
净化操作 台
计算机控制 柜
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1.1控制部分
整个控制柜分为五层，计算机控 制部分分上层、中上层、中下层 及下层四个独立部分，每层控制 对应层的推舟、炉温及气路部分， 是扩散/氧化系统的控制中心。
在控制柜的底层，安装有 四管控制系统的推舟控制 装置、保护电路及电路转 接控制板, 前盖板上装有三 相电源指示灯及照明、净 化、抽风开关等。
当系统出现报警时，必须在彻底排除故障后，方可重新开 机。
运行工艺过程中，炉口废气室及源柜的排气口，一定要与 排风系统相通，保证抽气排毒畅通。
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1.30设备的安全使用
5 对超温保护系统应作定期检查，看是否工作可靠。如 果晚上设置自动保温，要求设置的最高报警温度小于 1120℃，在进入自动保温前应先测试一下超温保护系统 是否灵敏可靠。 6、气柜下方是380V电压，打扫时一定要小心，谨防水 和其他导电的物品落入下方。引起短路和人员伤害。
3.1石英管清洗机控制面板
控制面板由开关.电 源按钮.急停和操作 面板组成。开机时 先开总电源，再按 电源开关。关机时 先按电源开关，再 关总电源。遇到紧 急情况时按急停按 钮，记住复位。
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3.2石英管清洗机控制面板操作方法
JO-1腐蚀槽进水 J1-1清洗槽进水 C0-1腐蚀槽排水 C1-1清洗槽排水 DO-1腐蚀槽转动 D1-1清洗槽转动 前：机械臂移动到腐蚀槽 中：机械臂停止 后：机械臂移动到清洗槽
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1.31使用保养
保持净化台面的清洁卫生。 检查恒温水槽是否稳定在设定温度，有无报警。 工艺运行前，检查石英挡板、石英门是否完好。 定期清理废气室排出的偏磷酸（每月）。 定期检查恒温水槽冷却水的水质，必要时更换（每月）。 定期清理净化滤网，保证净化台的洁净度（每月） 。 保持气柜干净，检查各阀件、三通、四通等密封性。 进退舟期间检查丝杠是否灵活，有异响。
0.1mA调至10mA，将待测量的硅片取出放在测试台上（扩散面 向上），按下降按钮，使针头平压在硅片上（四针平齐），校 准电流，调整电流值为4.530mA。（根据硅片尺寸规格进行调 整）。 2. 测量方块电阻：
将“I”的指示灯切换至R□/ρ档，读取稳定值，并记录在 电池生产记录中， 重复以上步骤（注意炉里、炉中、炉口加以 区分。 3.判断是否返工
柜顶设置有三路工艺气体及一路压缩空气的进气接口， 接口以下安装有减压阀、截止阀，用以对进气压力进行 控制及调节。对应于气路，各层分别装有相应的电磁阀、 气动阀、过滤器、单向阀、质量流量控制器、及源瓶冷 阱等。
柜子的底部装有质量流量控制器电源、控制开关、保险 等电路转接板以及设备总电源进线转接板。
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扩散设备使用
云南天达光伏科 技股份有限公司
扩散—太阳能电池制造核心工序
主要内容
1 高温扩散炉结构及注意事项
2 四探针的使用和注意事项
3 石英管清洗机的使用和安全
4
扩散炉的使用安全
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高温扩散炉外观
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扩散炉的四部分
控制柜 推舟净化台 电阻加热炉 气源柜
图 功能菜单
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1.9数据编辑窗口
编辑工艺号 打开工艺号 可存储99条工
艺
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1.10数据编辑窗口
编辑工艺号 打开工艺号 可存储99条工
艺 限定修改数据
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1.11工艺运行界面
显示工艺运时间 和工艺剩余时间
工艺运行中察看 温度和流量值
温度曲线实时监 控
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1.12工艺运行界面
显示工艺运时间 和工艺剩余时间
工艺运行中察看 温度和流量值
温度曲线实时监 控
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1.13历史记录界面
记录每条运行过的 工艺数据
察看相应的工艺曲 线
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自动开启气动阀。 清洗小
氮和扩散小氮出气口装有单
向阀门。防止倒灌，损坏流
量计。大氮作为保护气体，