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[计算机软件及应用]第 二章-端口(1)
P0口结构
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
DQ CK /Q
地址/数据 控制
Vcc 3
4
T1
MUX
T2
1
读引脚
引脚P0.X
P0口某位由1个输出锁存器，2个三态输入缓冲器，1个输出驱 动电路和1个输出控制电路组成。
输出驱动电路由一对FET（场效应管）T1和T2组成。
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻） 输出时一切照常，仅在作输入口用时要先对其
写“1”。
读锁存器
输出数据 = 1 时
Vcc 内部上拉电阻
内部 总线 1
写锁 存器
2
DQ 1
CK /Q
0
=1
截 引脚P1.X 止
1
读引脚
单片机的引脚（P1口）
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻）
输出控制控制电路由1个与门电路、1个反相器和1个多路开关 MUX组成
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉）
功能1、寻址外部程序存储器时分时作为输出低8位地址
和双向8位数据口复用口；
功能2、不接外部程序存储器时可作为8位双向I/O口
使用。
读锁存器 2
地址/数据 控制 3
2 用作地址/数据复用总线,为一个准双向口.作数据输 入时有上拉电阻,口也不是悬浮状态.作数据总线用 时输入/输出8位数据D0-D7.作地址总线用时,输出 低8位地址A0-A7.
3 当P0口用作地址/数据总线后,就再也不能作为I/O 口使用.
4 用作I/O口时与其他口的区别:输出时为漏极开路输 出,与NMOS电路接口必须用电阻上拉,才能有高电 平输出,输入时为悬浮状态,为一个高阻抗的输入口
写“1”。
输入数据时，要先对其写“1”
读锁存器
Vcc 内部上拉电阻
2
内部 总线 1
写锁 存器
DQ 1
CK /Q
0
截 引脚P1.X 止
1
读引脚 =1
P1口的特点
1 输出锁存,输出时没有条件.
2 输入缓冲,输入时有条件:需要先将该口设为输入状 态,先输出1.
3 工作过程无高阻悬浮状态,也就是该口不是输入态 就是输出态具有这种特性的口不属于真正的双向 口而被称为准双向口.
4
Vcc 引脚P0.X
内部 总线
DQ
写锁 存器
CK /Q
1
读引脚
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉） 控制信号=1,P0口作为地址/数据总线使用. 输出:地址/数据,不需要外接上拉电阻 输入:数据,通过读引脚完成.
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
单片机的引脚（P1口）
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻） 只有一种功能：数据的输入/输出 P1口与P0口的 不同:不再需要MUX,有内部上拉电阻.相同:作输 入口时也需要先向其锁存器写入1
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
1
读引脚
Vcc 内部上拉电阻
引脚P1.X
单片机的引脚（P1口）
输出时一切照常，仅在作输入口用时要先对其
写“1”。P1口能驱动4个LSTTL门电路。
输出数据 = 0 时
Vcc
读锁存器
内部上拉电阻
内部 总线 0
写锁 存器
2
DQ 0
CK /Q
1
=0
导 引脚P1.X 通
1
读引脚
单片机的引脚（P1口）
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻）
输出时一切照常，仅在作输入口用时要先对其
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
地址/数据 控制=1
=1
31
1 4
0
0
Vcc 导 通
=1
截 引脚P0.X 止
读引脚 =0
1
控制=1时，此脚作地址/数据复用口：
（2）输出地址/数据 =1 时
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉）
寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口 和输出低8位地址复用口；不接外部程序存储器 时可作为8位准双向I/O口使用。
地址/数据 控制=1
=0
30
1 4
1
1
Vcc 截 止
=0
导 引脚P0.X 通
读引脚 =0
1
控制=1时，此脚作地址/数据复用口：
（1）输出地址/数据 =0 时
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉） 寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口 和输出低8位地址复用口。
P1口读引脚操作和读锁存器操作
P1口有两种读口的操作:读引脚和读锁存器
读引脚:执行前必须将端口的锁存器置1,否则会损坏 引脚而且信号也无法正确读出.
这类类型的指令有
MOV A,P1
MOV direct,P1
读锁存器:CPU首先完成将锁存器的值通过缓冲器读 入总线内部,进行修改,然后重新写到锁存器中,这就 是读-修改-写指令
这种指令包括所有口的逻辑操作(ANL ORL XRL)和 位操作(JBC CPL SETB CLR)等
单片机的引脚（P2口）
P2.0—P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻）
功能1：寻址外部程序存储器时输出高8位地址； 功能2：不接外部程序存储器时可作为8位准双 向I/O口使用。与P1口相比多了一个MUX
读锁存器
内部 总线 写锁 存器
读引脚
2
DQ CK /Q
1
地址高8位 控制 3
Vcc 内部上拉电阻
引脚 P2.X
单片机的引脚（P2口）
P2.0—P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻）
作为8位准双向I/O口使用。
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
地址/数据 控制=1 3
4
Vcc 引脚P0.X
读引脚 =1
1
控制=1时，此脚作地址/数据复用口：
（3）输入数据时，输入指令将使引脚与内部总线直通
P0口的特点
1 用作I/O口,相当于一个真正的双向口:输出锁存;输 入高阻抗缓冲(输入时需先将口置1),每根口线可以 独立定义为输入或输出.
P1口字节操作 有关字节操作的指令有 MOV P1,A MOV P1,#data MOV P1,direct MOV A,P1 MOV direct,P1
P1口位操作 有关位操作的指令有 置位 清除 SETB P1.i CLR P1.i 输入 输出 MOV P1.i,C MOV C, P1.i 判条 JB P1.i,rel P1.i=1则跳转 JBC P1.i,rel P1.i=1则跳转且使P1.i=0 逻辑运算 ANL C, P1.i ORL C, P1.i
P0口结构
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
DQ CK /Q
地址/数据 控制
Vcc 3
4
T1
MUX
T2
1
读引脚
引脚P0.X
P0口某位由1个输出锁存器，2个三态输入缓冲器，1个输出驱 动电路和1个输出控制电路组成。
输出驱动电路由一对FET（场效应管）T1和T2组成。
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻） 输出时一切照常，仅在作输入口用时要先对其
写“1”。
读锁存器
输出数据 = 1 时
Vcc 内部上拉电阻
内部 总线 1
写锁 存器
2
DQ 1
CK /Q
0
=1
截 引脚P1.X 止
1
读引脚
单片机的引脚（P1口）
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻）
输出控制控制电路由1个与门电路、1个反相器和1个多路开关 MUX组成
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉）
功能1、寻址外部程序存储器时分时作为输出低8位地址
和双向8位数据口复用口；
功能2、不接外部程序存储器时可作为8位双向I/O口
使用。
读锁存器 2
地址/数据 控制 3
2 用作地址/数据复用总线,为一个准双向口.作数据输 入时有上拉电阻,口也不是悬浮状态.作数据总线用 时输入/输出8位数据D0-D7.作地址总线用时,输出 低8位地址A0-A7.
3 当P0口用作地址/数据总线后,就再也不能作为I/O 口使用.
4 用作I/O口时与其他口的区别:输出时为漏极开路输 出,与NMOS电路接口必须用电阻上拉,才能有高电 平输出,输入时为悬浮状态,为一个高阻抗的输入口
写“1”。
输入数据时，要先对其写“1”
读锁存器
Vcc 内部上拉电阻
2
内部 总线 1
写锁 存器
DQ 1
CK /Q
0
截 引脚P1.X 止
1
读引脚 =1
P1口的特点
1 输出锁存,输出时没有条件.
2 输入缓冲,输入时有条件:需要先将该口设为输入状 态,先输出1.
3 工作过程无高阻悬浮状态,也就是该口不是输入态 就是输出态具有这种特性的口不属于真正的双向 口而被称为准双向口.
4
Vcc 引脚P0.X
内部 总线
DQ
写锁 存器
CK /Q
1
读引脚
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉） 控制信号=1,P0口作为地址/数据总线使用. 输出:地址/数据,不需要外接上拉电阻 输入:数据,通过读引脚完成.
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
单片机的引脚（P1口）
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻） 只有一种功能：数据的输入/输出 P1口与P0口的 不同:不再需要MUX,有内部上拉电阻.相同:作输 入口时也需要先向其锁存器写入1
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
1
读引脚
Vcc 内部上拉电阻
引脚P1.X
单片机的引脚（P1口）
输出时一切照常，仅在作输入口用时要先对其
写“1”。P1口能驱动4个LSTTL门电路。
输出数据 = 0 时
Vcc
读锁存器
内部上拉电阻
内部 总线 0
写锁 存器
2
DQ 0
CK /Q
1
=0
导 引脚P1.X 通
1
读引脚
单片机的引脚（P1口）
P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻）
输出时一切照常，仅在作输入口用时要先对其
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
地址/数据 控制=1
=1
31
1 4
0
0
Vcc 导 通
=1
截 引脚P0.X 止
读引脚 =0
1
控制=1时，此脚作地址/数据复用口：
（2）输出地址/数据 =1 时
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉）
寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口 和输出低8位地址复用口；不接外部程序存储器 时可作为8位准双向I/O口使用。
地址/数据 控制=1
=0
30
1 4
1
1
Vcc 截 止
=0
导 引脚P0.X 通
读引脚 =0
1
控制=1时，此脚作地址/数据复用口：
（1）输出地址/数据 =0 时
单片机的引脚（P0口）
P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉） 寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口 和输出低8位地址复用口。
P1口读引脚操作和读锁存器操作
P1口有两种读口的操作:读引脚和读锁存器
读引脚:执行前必须将端口的锁存器置1,否则会损坏 引脚而且信号也无法正确读出.
这类类型的指令有
MOV A,P1
MOV direct,P1
读锁存器:CPU首先完成将锁存器的值通过缓冲器读 入总线内部,进行修改,然后重新写到锁存器中,这就 是读-修改-写指令
这种指令包括所有口的逻辑操作(ANL ORL XRL)和 位操作(JBC CPL SETB CLR)等
单片机的引脚（P2口）
P2.0—P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻）
功能1：寻址外部程序存储器时输出高8位地址； 功能2：不接外部程序存储器时可作为8位准双 向I/O口使用。与P1口相比多了一个MUX
读锁存器
内部 总线 写锁 存器
读引脚
2
DQ CK /Q
1
地址高8位 控制 3
Vcc 内部上拉电阻
引脚 P2.X
单片机的引脚（P2口）
P2.0—P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻）
作为8位准双向I/O口使用。
读锁存器
内部 总线
写锁 存器
2
DQ CK /Q
地址/数据 控制=1 3
4
Vcc 引脚P0.X
读引脚 =1
1
控制=1时，此脚作地址/数据复用口：
（3）输入数据时，输入指令将使引脚与内部总线直通
P0口的特点
1 用作I/O口,相当于一个真正的双向口:输出锁存;输 入高阻抗缓冲(输入时需先将口置1),每根口线可以 独立定义为输入或输出.
P1口字节操作 有关字节操作的指令有 MOV P1,A MOV P1,#data MOV P1,direct MOV A,P1 MOV direct,P1
P1口位操作 有关位操作的指令有 置位 清除 SETB P1.i CLR P1.i 输入 输出 MOV P1.i,C MOV C, P1.i 判条 JB P1.i,rel P1.i=1则跳转 JBC P1.i,rel P1.i=1则跳转且使P1.i=0 逻辑运算 ANL C, P1.i ORL C, P1.i