可控硅的特性_检测和典型应用
晶闸管(可控硅)的特性及检测
晶闸管(可控硅)的特性及检测可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
1. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K 间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
可控硅元件的工作原理及基本特性
可控硅元件的工作原理及基本特性可控硅元件（SCR）是一种半导体器件，也称为可控硅二极管。
它是一种四层结构的晶体管，由三个PN结与一个NPN结叠加而成。
SCR的工作原理基于控制极施加的电压，通过改变控制极电流来控制电流流过晶体管的能力。
SCR的工作原理如下：1.当控制极处于高电平时，SCR处于断开状态。
此时，控制极封闭了SCR的PNP结，使其无法导电。
2.当控制极处于低电平时，SCR处于导通状态。
此时，进一步控制极电压下降会使控制晶体二极管达到导通的临界电压。
一旦电压超过了临界电压，晶体管将开始导电并保持这种状态，直到通过SCR的电流下降到一个可接受的水平。
1.可控性：SCR可以通过控制极的电压来控制其导通状态。
调节控制极电压可以使SCR在开启和关闭电路的特定条件下工作。
2.可逆性：SCR可以在两个方向上导通电流。
它既可以由正向电压触发，也可以由反向电压触发。
这使得SCR在控制交流电源的整流和直流电源的变流中非常有用。
3.放大效应：一旦SCR导通电流，它将保持导通状态，直到电流下降到一个可接受的水平。
这是因为SCR具有正反馈特性，其中一部分导通电流将进一步加热晶体管并推动更多电流流过。
SCR在电力控制和电力电子应用中具有广泛的用途。
它可以用作整流器、开关、电压稳定器和电压调节器。
此外，SCR还用于电子点火系统、变频器、电动机控制和照明控制等领域。
总之，SCR是一种可通过控制极电压来控制其导通状态的半导体器件。
它具有可逆性、可控性和放大效应的特点，常用于电力控制和电力电子应用。
通过了解SCR的工作原理和基本特性，我们可以更好地理解和应用这种重要的半导体器件。
可控硅的使用-可控硅用法-可控硅（晶闸管）的特性与使用方法
可控硅的使用-可控硅用法-可控硅（晶闸管）的特性与使用方法对单向可控硅(晶闸管)来说，当栅极电压达到门限值ＶＧＴ且栅电流达到门限值ＩＧＴ时，可控硅(晶闸管)被触发导通。
当触发电流的脉宽较窄时，则应提高触发电平。
当负载电流超过单向可控硅(晶闸管)的闩电流ＩＬ时，即使此时的栅电流减为零，可控硅(晶闸管)仍能维持导通状态。
为了保证电路在环境最低温度下也能正常工作，则要求驱动电路能提供足够高的电压、电流及占空比的控制信号。
高灵敏度的单向可控硅(晶闸管)，会在高温下因阳－阴极间的漏电流而误触发，应确保不超过ＴＪＭＡＸ。
可靠地关断单向可控硅(晶闸管)，负载电流必须降到低于保持电流ＩＨ，并维持一定的时间。
标准的双向可控硅(晶闸管)既可被栅极的正向电流触发，也能被栅极的反向电流触发，它可以在四个象限内导通。
在负载电流为零时，最好用反相的直流或单极性脉冲的（栅极）电流触发。
在通常的交流相位控制电路中，如电灯调光器和家用马达调速器等，可控硅(晶闸管)Ｇ与ＭＴ２的极性要一致，在设计可控硅(晶闸管)时要避免在３＋区域内工作（ＭＴ２为－，Ｇ为＋）。
值得注意的是，双向可控硅(晶闸管)可能在一些意想不到的情况下触发导通，其后果有些问题不大，而有些则有潜在的破坏性。
１．栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过ＶＧＴ，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。
当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。
在然后Ｇ与ＭＴ１之间加一个１ｋΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个１００ｎＦ的电容，来滤掉高频噪声。
２．关于转换电压变化率当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。
当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。
所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。
如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
可控硅好坏如何测量
可控硅好坏如何测量 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极 A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。
再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。
三、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
可控硅工作原理及其应用新版
可控硅工作原理及其应用新版可控硅(scr: silicon controlled rectifier)是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种型别它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
单向可控硅的工作原理单向可控硅原理可控硅是p1n1p2n2四层三端结构元件，共有三个pn结，分析原理时，可以把它看作由一个pnp管和一个npn管所组成当阳极a加上正向电压时，bg1和bg2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极g输入一个正向触发讯号，bg2便有基流ib2流过，经bg2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为bg2的集电极直接与bg1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经bg1放大，于是bg1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到bg2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈迴圈的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于bg1和bg2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极g的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发讯号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表r×100或r×1k 挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的範围）时，黑表笔所接的是控制极g，红表笔所接的是阴极c，余下的一只管脚为阳极a。
bta20可控硅参数
bta20可控硅参数摘要：一、可控硅概述二、可控硅的分类与性能三、可控硅的参数四、可控硅的应用五、总结正文：一、可控硅概述可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它有阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和控制极（Gate，G）三个端子。
可控硅主要用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等，可以实现对电压、电流的控制，从而控制电气设备的功率输出。
二、可控硅的分类与性能1.按结构分类：可分为单相可控硅、三相可控硅。
2.按电压等级分类：可分为低压可控硅（小于600V）、中压可控硅（600V-3000V）和高压可控硅（大于3000V）。
3.按电流等级分类：可分为小功率可控硅（小于100A）、中功率可控硅（100A-1000A）和大功率可控硅（大于1000A）。
4.可控硅的性能：可控硅具有高耐压、高电流、低功耗、长寿命、高可靠性等特点。
三、可控硅的参数1.正向阻断电压：可控硅导通时，需要施加的最低电压，使得可控硅正常导通。
2.正向峰值电流：可控硅可以承受的最大正向电流。
3.反向耐压：可控硅所能承受的最高反向电压。
4.控制灵敏度：可控硅控制极电压变化与阳极电流之间的关系。
5.开关速度：可控硅从导通到阻断，或从阻断到导通的时间。
四、可控硅的应用1.电源电路：可控硅广泛应用于交流电源、直流电源、变压器等领域，实现电源的整流、逆变等功能。
2.工业控制：可控硅用于工业控制系统中，实现对电机、加热设备等电气设备的控制。
3.家电领域：可控硅应用于电视机、洗衣机、空调等家用电器中，实现电源转换、电机控制等功能。
4.通信设备：可控硅在通信设备中用于电源管理、信号处理等模块。
五、总结可控硅作为一种重要的半导体器件，在电子电路中具有广泛的应用。
了解可控硅的分类、性能和参数，对我们分析和应用可控硅具有重要意义。
在实际应用中，根据电路需求选择合适参数的可控硅，可以确保电气设备的稳定运行。
双向可控硅的特性和使用
双向可控硅的特性和使用普通可控硅(VS)实质上属于直流控制器件。
要控制交流负载，必须将两只可控硅反极性并联，让每只SCR控制一个半波，为此需两套独立的触发电路，使用不够方便。
双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。
其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
构造原理尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。
小功率双向可控硅一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。
典型产品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A ／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。
大功率双向可控硅大多采用RD91型封装。
双向可控硅的主要参数见附表。
双向可控硅的结构与符号见图2。
它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。
因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。
表示，不再划分成阳极或阴极。
其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。
反之，当G极和T2 极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。
双向可控硅的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。
检测方法下面介绍利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法，同时还检查触发能力。
1.判定T2极由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。
因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。
在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。
这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。
，另外，采用TO—220封装的双向可控硅，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
可控硅测量方法
可控硅测量方法一、可控硅的基本概念及工作原理可控硅（SCR）是一种半导体器件，也称为晶闸管。
它由四个PN结组成，具有三个电极：阳极、阴极和门极。
在正向偏置下，只有一个PN 结被击穿，形成通道；而在反向偏置下，所有PN结都被截止。
当给门极施加一个正脉冲信号时，通道就会打开，在阳极和阴极之间形成一个电流通路。
二、可控硅测量方法1. 静态特性测量静态特性是指在固定的电压和温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用直流电源和数字万用表等仪器。
首先将SCR 放入测试夹具中，并连接到直流电源上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
2. 动态特性测量动态特性是指在变化的负载条件下，测量SCR的响应速度和稳定性。
这种测试需要使用脉冲发生器和示波器等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中，并连接到脉冲发生器和示波器上。
然后在脉冲发生器中设置一个正脉冲信号，测量SCR的响应时间和保持电流。
最后将数据绘制成响应时间和保持电流的曲线图。
3. 热特性测量热特性是指在不同温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用恒流源和数字万用表等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中，并连接到恒流源和数字万用表上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
4. 参数测量参数测量是指在实际应用中，测量SCR的关键参数，如触发电压、保持电流、耐压能力等。
这种测试需要使用特定的测试仪器和设备，例如触发电路测试仪、保持电流测试仪、耐压试验仪等。
三、可控硅测量方法注意事项1. 测试环境要求：可控硅测试需要在恒定的温度和湿度条件下进行，以确保测试结果准确可靠。
2. 测试前准备：在进行任何类型的可控硅测量之前，必须先检查测试设备和测试夹具是否正常工作，并确保测试仪器的精度和准确性。
3. 测试过程中的注意事项：在进行可控硅测量时，应特别注意防止静电干扰和过电流等问题。
可控硅的检测方法
可控硅的检测方法可控硅（SCR）的检测方法可以根据不同的应用场景和目标参数进行选择和设计。
下面我将介绍几种常见的可控硅检测方法。
1. 直流参数检测：可控硅通常应用于直流应用中，因此直流参数的检测是一种常见的方法。
直流参数检测主要包括静态特性和动态特性两方面。
静态特性检测主要包括元件的电压电流特性和阻抗特性。
可以通过连接合适的电压源和电流源，分别测量可控硅的电压和电流特性，并根据测量结果绘制出特性曲线。
阻抗特性可以通过测量电压和电流的相位差来得到。
动态特性检测主要包括可控硅的关断时间和导通时间等参数的测量。
可以通过输入一个方波信号来观察可控硅的导通和关断的时间，从而得到可控硅的动态特性。
2. 交流参数检测：有些应用场景下，可控硅用于控制交流电路中的功率。
这时候可以采用交流参数检测的方法来测试可控硅的性能。
交流参数检测主要包括可控硅的整流效率、导通角和关断角等参数的测量。
可以采用有源功率因数表等仪器，通过测量可控硅工作时的功率和电流，计算得到可控硅的整流效率。
导通角和关断角可以通过在可控硅上施加一个交流电压，然后测量可控硅导通和关断的时间来获得。
3. 温度检测：可控硅通常工作在高功率环境下，因此温度的检测非常重要。
过高的温度可能导致可控硅的性能下降或损坏。
温度检测可以采用非接触式温度传感器或接触式温度传感器。
非接触式温度传感器可以通过红外线或激光等方式测量可控硅的表面温度。
接触式温度传感器可以通过与可控硅直接接触来测量温度。
4. 故障检测：可控硅的故障检测主要包括断线、短路和漏电等问题的检测。
断线和短路的检测可以通过测量可控硅的电阻来得到。
电阻值过大或过小都可能意味着有问题。
漏电的检测可以通过测量输入和输出之间的电压差来得到。
如果有电压差存在，则说明可能存在漏电问题。
总结起来，可控硅的检测方法主要包括直流参数检测、交流参数检测、温度检测和故障检测等。
根据不同的应用场景和目标参数，可以选择适合的检测方法来评估可控硅的性能和可靠性。
bta16-800b可控硅工作原理
文章内容如下：bta16-800b可控硅工作原理一、引言bta16-800b可控硅是一种常见的半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
其工作原理涉及到电力控制、电路设计等多个方面，是一个非常重要的主题。
本文将从电子器件特性、工作原理和应用范围等方面进行全面评估，并结合个人观点和理解，撰写一篇有价值的文章，帮助读者更深入地理解bta16-800b可控硅的工作原理。
二、bta16-800b可控硅的特性bta16-800b可控硅是一种双向可控硅，具有较高的电压和电流承受能力，适用于交流电路。
其主要特性包括低功率损耗、可控性强、响应速度快等。
在电力控制领域，bta16-800b可控硅被广泛应用于各种类型的电力调节装置和电路中。
三、bta16-800b可控硅的工作原理1. 可控硅的结构和原理bta16-800b可控硅通常由PNP结构组成，其工作原理是利用控制极的触发电压，通过控制极和主极之间的电压来控制器件的导通和关断。
当控制极触发电压大于一定阈值时，可控硅将导通；当电压降至一定程度时，可控硅将关断。
这种特性使得可控硅可以被广泛应用于电力调节和开关控制中。
2. bta16-800b可控硅的工作原理bta16-800b可控硅的工作原理是基于PNP结构的双向可控硅。
当控制极施加一个触发脉冲信号时，可控硅将进入导通状态，电流将从主极流向控制极；当控制极的触发脉冲信号停止时，可控硅将进入关断状态。
这种双向可控硅的特性使得其适用于交流电路中的功率控制和开关控制。
四、bta16-800b可控硅的应用范围bta16-800b可控硅主要应用于电力电子领域，包括交流调压调速系统、电炉控制系统、交流电源控制系统等。
其高可靠性和稳定性，使得bta16-800b可控硅在工业控制和电力系统中发挥着重要作用。
五、个人观点和理解作为一名电力电子工程师，我对bta16-800b可控硅的工作原理有着深刻的理解。
在我看来，bta16-800b可控硅作为一种高性能的双向可控硅，其在电力控制领域的应用前景广阔。
可控硅知识点总结
可控硅知识点总结一、可控硅的基本原理1. 可控硅的结构可控硅由四层P-N结构组成，其中包括一个门极、一个阳极和一个阴极。
在无外加电压的情况下，可控硅处于高阻态，不导通。
当给门极施加一个正脉冲，可控硅就会导通。
当导通后，再给门极加一个负脉冲，可控硅仍在导通状态。
只有当可控硅的阳极电流降到零时，它才会恢复到高阻态。
2. 可控硅的触发方式可控硅有两种触发方式：电压触发和电流触发。
电压触发是指在管子上的门偏置电压随着门极电流而变化，当管子上门极电流增加到一定值时，管子就导通了。
电流触发是指管子的门极没有电压，以一定的电流偏置管子，当外加电流增大到一定值时，管子导通。
3. 可控硅的保持电流可控硅导通后，在继续放大触发电流时，在两极没有电压的条件下，管子会保持导通。
只有当阳阳极或阴极电流小于一定值时，管子才能关断。
这一点和二极管是不同的，二极管只要电流一减小，就关断。
二、可控硅的结构特点1. 由于可控硅为四层P-N-P-N结，无论是阻态还是导通状态都相当于引入了一个完整的PNPN结构，可形象地看作两个晶体三极管反并联，并且两个三极管共享一个发射区。
2. 可控硅的触发特性好，只需很小的功率即可对其进行触发，因此特别适用于大功率系统。
同时，可控硅的闭合速度很快，传导损耗小，导通电压降也小。
3. 可控硅在导通状态时，是一个单向导电器件，在阻态时则是一个双向封锁电压的器件。
4. 可控硅的温度稳定性好，一般情况下在温度变化范围内，其电气性能几乎不变。
5. 可控硅的电流承受能力、耐压能力和耐冲击能力都很强，因此适用于各种复杂的工况。
三、可控硅的工作特性1. 可控硅的导通和关断特性可控硅的导通和关断特性是指在不同条件下，可控硅的导通和关断状态的变化规律。
主要包括可控硅的触发电压、导通电流、关断电流等参数。
2. 可控硅的温度特性随着温度的升高，可控硅的导通和关断特性会发生变化。
一般情况下，可控硅的触发电压会随着温度的升高而降低，而导通电流和关断电流则会随着温度的升高而增加。
可控硅使用方法
可控硅使用方法可控硅（SCR）是一种常用的电子器件，常用于电力电子和电路控制领域。
它具有高温度、高电压和高电流的特点，能够在电路中起到开关的作用。
本文将介绍可控硅的使用方法和注意事项。
一、可控硅的基本结构和原理可控硅是由四层半导体材料构成的，其中有三个PN结。
它的主要原理是在一个PNP结和一个NPN结之间加入一个PN结，形成一个PNP-NPN结构。
当PN结处于正向偏置时，可控硅处于导通状态；当PN结处于反向偏置时，可控硅处于截止状态。
二、可控硅的使用方法1. 正确连接：在使用可控硅前，请确保连接正确。
一般来说，可控硅的阳极连接到正极，阴极连接到负极，控制极连接到控制信号源。
连接错误可能导致可控硅无法正常工作或损坏。
2. 控制信号：可控硅的导通和截止状态是通过控制信号来实现的。
当控制信号为高电平时，可控硅导通；当控制信号为低电平时，可控硅截止。
因此，正确设置控制信号是使用可控硅的关键。
3. 保护电路：在使用可控硅时，应该考虑保护电路。
可控硅的工作电压和电流较高，如果没有适当的保护措施，可能会受到电压浪涌或过电流的影响，从而损坏可控硅。
常见的保护电路包括过压保护电路、过流保护电路等。
4. 散热措施：可控硅在工作过程中会产生一定的热量，因此需要适当的散热措施。
可以通过散热片、散热器等方式将热量迅速散发出去，以保证可控硅的正常工作和寿命。
5. 规避干扰：可控硅在工作时可能会受到外部干扰，例如电磁干扰、温度变化等。
为了保证可控硅的稳定工作，应该采取相应的措施来规避这些干扰。
三、可控硅的注意事项1. 工作环境：可控硅应该在干燥、无腐蚀性气体和无尘的环境中使用，以避免可控硅的损坏和故障。
2. 温度控制：可控硅的工作温度应控制在允许范围内，过高的温度会引起可控硅的老化和性能下降。
3. 绝缘保护：可控硅的外壳应该与其他导体保持良好的绝缘，以防止电气漏电和触电事故的发生。
4. 防止反向电压：可控硅在工作时应避免受到反向电压，否则可能会损坏可控硅。
igbt可控硅的原理图及应用
IGBT可控硅的原理图及应用1. 引言本文介绍了IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）可控硅的原理图及应用。
IGBT可控硅是一种在功率电子领域广泛使用的半导体器件，它结合了可控硅和MOSFET的优点，具有低导通压降和高电流承载能力的特点，适用于高功率应用。
2. IGBT可控硅的工作原理IGBT可控硅由Pnpn结构的可控硅和MOSFET组成。
其工作原理如下：1.导通状态：当IGBT可控硅的栅极电压为正向偏置时，栅极和N型沟道之间形成正向电压，使得栅极区域变为低阻态。
同时，可控硅的控制极与基区之间的电压引起Pnpn结的夹断，阻止了电流的流动。
此时，可控硅处于导通状态。
2.截止状态：当IGBT可控硅的栅极电压为零或负向偏置时，栅极和N型沟道之间的电压没有足够的正向偏置，栅极区域变为高阻态。
此时，可控硅的Pnpn结的夹断被去除，电流可以顺利通过，可控硅处于截止状态。
由于IGBT可控硅的栅极区域具有低阻态和高阻态的特性，可以实现快速的开关过程和低功耗的导通状态，因此在高频率和高效率应用中广泛使用。
3. IGBT可控硅的应用IGBT可控硅由于其在大功率应用中的优越性能，被广泛应用于多个领域。
以下是一些常见的应用场景：•交流电机驱动器：IGBT可控硅可以用于交流电机的驱动器中，提供高效且可靠的电机控制。
它可以通过控制开关状态和脉宽调制来调节输出电压和频率，实现电机的速度和转矩控制。
•变频空调：IGBT可控硅在变频空调中起到关键作用。
它通过控制输入电压的波形和频率，以提供恒定的输出温度和舒适的环境。
由于IGBT可控硅具有低导通压降和高效率，能够实现能耗的降低和节能的目的。
•电力电子设备：IGBT可控硅可用于各种电力电子设备中，如电力变换器、交流调节器和直流电源。
它能够实现稳定的电压和电流输出，提供可靠的电源控制。
•电动车辆：IGBT可控硅在电动车辆中扮演重要角色。
可控硅测试指南范文
可控硅测试指南范文一、引言可控硅是一种常见的半导体器件，广泛应用于功率电子领域。
为了确保可控硅的正常工作，需要进行一系列的测试。
本文将介绍可控硅的测试方法和注意事项，帮助读者更好地了解和掌握可控硅的测试技能。
二、可控硅测试方法1.静态电特性测试静态电特性测试是可控硅测试的基础，主要包括开启电压（VAK），保持电流（IH）和关断电流（IL）的测试。
测试时需要使用恒流源和恒压源，通过改变源的输出电流或电压，记录对应的电流和电压值，得到开启电压、保持电流和关断电流的数值。
测试时应注意测试电路的安全，尽量避免可控硅因过流或过压而损坏。
2.动态电特性测试动态电特性测试是可控硅测试的重要部分，主要包括开启时间（TQ）和关断时间（TQ）的测试。
测试时需要使用特定的激励脉冲信号，通过改变激励脉冲的宽度和频率，记录对应的可控硅导通和截止时间，得到开启时间和关断时间的数值。
测试时应注意测试电路的稳定性和信号的准确性，确保测试结果的可靠性。
3.热稳定性测试热稳定性测试是为了评估可控硅在高温环境下的工作性能。
通常会使用恒定的温度腔体来进行测试，通过改变腔体内的温度，记录可控硅的电流和电压变化情况，评估其在高温环境下的稳定性。
测试时应注意测试环境的温度控制和稳定性，确保测试结果的准确性。
4.射频特性测试射频特性测试是为了评估可控硅在高频电路中的应用性能。
通常会使用特定的射频信号源和测试设备，通过改变射频信号的频率和功率，记录可控硅的射频参数，如扼流圈电抗、电流调制深度等。
测试时应注意测试设备的校准和信号源的稳定性，确保测试结果的可靠性。
三、可控硅测试注意事项1.安全性可控硅测试时需要使用高电压和高电流，测试电路中可能存在一定的安全风险。
在测试时应确认电路和设备的安全性，使用合适的保护措施，如使用防护手套、眼镜等。
同时，还需要遵守相关的电气安全操作规范，确保自身和设备的安全。
2.测试环境可控硅测试需要使用稳定的电源和测试设备，确保测试环境的稳定性和准确性。
可控硅种类用途
可控硅种类用途可控硅是一种常用的电子器件，具有广泛的应用。
根据其不同的种类和特性，可控硅在各个领域都有着重要的作用。
本文将介绍几种常见的可控硅种类及其用途。
一、普通可控硅普通可控硅是最常见的一种可控硅，也被称为双向可控硅(BTSCR)。
它具有单个PN结的结构，具有双向导通特性。
普通可控硅广泛应用于交流电控制、电压调节、电能变换等领域。
例如，在家用电器中，可控硅可以用于调节灯光亮度、调节电机速度等。
二、门极可控硅门极可控硅(IGCT)是一种功率电子器件，具有大功率和高速开关特性。
它结合了可控硅和普通晶闸管的优点，具有低导通压降、高阻断电压和高开关速度的特点。
门极可控硅广泛应用于电力电子领域，如电力变换、电机驱动、电网稳定等。
同时，门极可控硅还可以用于电力系统的故障保护和短路限流。
三、光控可控硅光控可控硅是一种通过光控信号来控制的可控硅。
它具有快速开关速度和高可靠性的特点。
光控可控硅广泛应用于光控开关、光控调光器、光控电动工具等领域。
例如，在照明系统中，光控可控硅可以根据外界光照强度自动调节灯光的亮度。
四、触发可控硅触发可控硅是一种通过外部触发信号来控制的可控硅。
它具有触发灵敏、响应速度快的特点。
触发可控硅广泛应用于电子开关、电力控制、电能变换等领域。
例如，在电力系统中，触发可控硅可以用于电力传输、电力稳定和电力调节。
五、浮动触发可控硅浮动触发可控硅是一种可控硅的特殊形式，具有浮动触发电路的特点。
它可以实现对电流和电压的控制，具有灵活性和可靠性。
浮动触发可控硅广泛应用于电力调节、电力控制和电力保护等领域。
例如，在电力系统中，浮动触发可控硅可以用于电力传输、电力稳定和电力调节。
六、双向可控硅双向可控硅(BTSCR)是一种具有双向导通特性的可控硅。
它可以在正向和反向两个方向上导通电流。
双向可控硅广泛应用于电能变换、电力调节和电力控制等领域。
例如，在电力系统中，双向可控硅可以用于电力传输、电力稳定和电力调节。
可控硅介绍
一、可控硅符号与性能介绍可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。
这是TLC336的样子：二、向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅的检测方法
可控硅的检测方法
可控硅（或称为双向可控硅、双向晶闸管）是一种电子元件，用于控制交流电流的流动。
为了确保可控硅的正常工作和可靠性，常需要进行以下几种常用的检测方法：
1. 静态电压检测：使用数字万用表或示波器测量可控硅上的正向和反向电压，以确保其在正常工作范围内。
正向电压通常应小于可控硅的额定电压。
2. 静态电流检测：使用数字电流表或示波器检测可控硅的正向和反向电流，以确保其在正常工作范围内。
正向电流应小于可控硅的额定电流。
3. 触发电流检测：通过施加一个正向触发电流来测试可控硅是否能正常触发。
触发电流应小于可控硅的额定触发电流。
4. 动态特性检测：使用示波器观察可控硅在不同触发角和负载条件下的电压和电流波形，以确定其动态响应和工作状态。
5. 温度测试：通过红外测温仪或接触式温度计测量可控硅的温度，以确保其不会过热并影响性能。
这些检测方法可以帮助判断可控硅的工作状态和健康程度，以便于及时进行维修或更换。
然而，在进行任何检测之前，应确保在实验室、车间或其他适当的环境
条件下进行，以避免可能的危险或损坏。
可控硅工作原理及应用
可控硅工作原理及应用可控硅，又称为双向可控硅（thyristor），是一种电子器件，其工作原理是通过施加控制电压来控制电流的通断。
可控硅的应用非常广泛，常见于电力控制系统、直流有源功率因数校正器、电调速器等领域。
以下将详细介绍可控硅的工作原理和应用。
一、可控硅的工作原理可控硅是一种双极管三极结设备，其主要由P型半导体阳极、N型半导体阴极和控制极（门极）组成。
其工作原理可分为四个阶段，即不导通（停止）状态、触发状态、导通状态和关断状态。
1.不导通（停止）状态：当可控硅未施加控制电压时，处于不导通状态。
在这种状态下，控制极和阳极之间形成一个反向偏置，使得硅控整流器阻止从阴极到阳极的电流流动。
2.触发状态：当施加正向电压至可控硅的控制极时，即控制电压达到了触发电压，可控硅进入触发状态。
在这种状态下，根据电流流动的方向，设备可以分为正向触发可控硅和负向触发可控硅。
正向触发可控硅的触发电流方向与电流流动方向一致，而负向触发可控硅的触发电流方向相反。
在触发状态下，可控硅进入导通状态。
3.导通状态：一旦可控硅进入触发状态，控制电流可以作为驱动电流，使得可控硅从不导通状态变为导通状态。
在导通状态下，可控硅的阳极和阴极之间的电压变得极低，几乎可忽略不计。
4.关断状态：当可控硅在导通状态下，去除控制电压时，设备会进入关断状态。
在这种状态下，无论电压的极性如何，可控硅都将不导通。
二、可控硅的应用1.交流电控制系统：由于可控硅具有可控导通和关断特性，可通过控制电流的触发来控制交流电，应用于电焊机、灯光调光装置、磁悬浮列车等交流电控制系统中。
2.直流有源功率因数校正器：由于可控硅具有快速开关特性，可根据负载的变化，在适当的时间打开或关闭可控硅，从而调整直流电源的输出电压，实现有源功率因数的校正。
3.电调速器：可控硅的导通电流和导通角可以通过控制电流的触发来调节。
通过改变可控硅的导通时间和关断时间，可以实现电机的调速。
4.整流器：可控硅可以控制交流电到直流电的转换，常见于电力系统中的整流器装置。
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数
可控硅是一种由硅原料制成的，它可以按照设定的电压参数调节电流的元件。
这一特性使得可控硅在电力调节、恒流电源、电源供电、变压器补偿器等方面有着广泛应用，其优质性能得到应用者的认可。
一、结构
可控硅由两种主要结构组成：硅片和电子控制部件。
硅片由锆钨耦合结构，其结构决定了电路的功率调节能力。
电子控制部件是由一些简单的电路元件组成，它们可以控制电路中的电流强度，从而控制电流的大小。
二、工作原理
可控硅的工作原理是将一个恒定的电压输入到硅晶体中，然后使用电子控制元件控制电流的强度，从而调节电流的大小。
电路中的电流与电源电压之间存在着一定的关系，增加电源电压会增加电流的强度，减少电源电压会减少电流的强度。
三、主要参数
1.电压电流特性：可控硅的电压-电流特性曲线是其工作参数，其工作范围可以根据用户的要求来确定。
2.要求的操作电压：在进行工作评估时，要求的操作电压对可控硅的工作性能具有重要影响。
3.热特性：可控硅在工作时会发热，应注意使可控硅在工作状态下不会造成过热破坏。
4.噪声特性：可控硅在工作过程中可能会发生噪声，这可能会影响电路的性能。
可控硅和场效应管
可控硅和场效应管可控硅和场效应管是两种常见的电子元器件，它们在电子电路中起着重要的作用。
本文将分别介绍可控硅和场效应管的基本原理、特点和应用。
一、可控硅可控硅是一种具有双向导通特性的半导体器件，也被称为晶闸管。
它由P型和N型半导体材料交替堆叠而成，具有三个电极：阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
可控硅的主要工作原理是通过控制极施加一个脉冲电压来控制其导通与否。
可控硅的特点如下：1. 双向导通性：可控硅可以在正向电压和反向电压下都能导通电流。
2. 触发特性：可控硅需要外部的触发脉冲才能实现导通，触发脉冲的幅值和宽度需要满足一定的条件。
3. 导通电流大：可控硅的导通电流可以达到几百安培甚至更高。
4. 导通损耗小：可控硅导通时的压降很小，能量损耗也较小。
可控硅的应用广泛，常见的应用领域有：1. 电压调节器：可控硅可以用来控制电源电压的大小，实现电压调节功能。
2. 电机控制：可控硅可以用来控制电机的启动、停止和转速调节。
3. 温度控制：可控硅可以用来控制电炉、电热器等加热设备的温度。
4. 光控开关：可控硅可以用来控制灯光的开关，实现光控功能。
二、场效应管场效应管是一种三极管，由金属-绝缘体-半导体结构组成。
它有三个电极：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
场效应管的主要工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动。
场效应管的特点如下：1. 输入电阻高：场效应管的输入电阻非常高，可以达到几十兆欧姆以上。
2. 输出电阻低：场效应管的输出电阻较低，可以达到几百欧姆以下。
3. 压降小：场效应管导通时的压降很小，能量损耗也较小。
4. 响应速度快：场效应管的开关速度很快，可以达到纳秒级别。
场效应管的应用广泛，常见的应用领域有：1. 放大器：场效应管可以用来放大电信号，常用于音频放大器和射频放大器等。
2. 开关：场效应管可以用来控制电路的开关，常用于模拟开关和数字开关等。
3. 驱动器：场效应管可以用来驱动其他器件，常用于电机驱动器和LED驱动器等。
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１可控硅（晶闸管）的特性和检测可控硅（ＳＣＲ）国际通用名称为Ｔｈｙｙｉｓｔｏｙ，中文简称晶闸管。
自从２０世纪５０年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，被广泛应用在电力、电子线路，自动控制技术中。
１．１可控硅的特性１．１．１单向可控硅的特性：可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅由四层半导体材料组成，有三个ＰＮ结，对外有三个电极〔图１〕：第一层Ｐ型半导体引出的电极叫阳极Ａ，第三层Ｐ型半导体引出的电极叫控制极Ｇ，第四层Ｎ型半导体引出的电极叫阴极Ｋ。
有阳极Ａ、阴极Ｋ、控制极Ｇ三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极Ａ与阴极Ｋ之间加有正向电压，同时控制极Ｇ与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时Ａ、Ｋ间呈低阻导通状态，阳极Ａ与阴极Ｋ间压降约１Ｖ。
单向可控硅导通后，控制器Ｇ即使失去触发电压，只要阳极Ａ和阴极Ｋ之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极Ａ电压拆除或阳极Ａ、阴极Ｋ间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极Ａ和阴极Ｋ间又重新加上正向电压，仍需在控制极Ｇ和阴极Ｋ间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
图１是可控硅原理图，也可以看成Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端结构元件，共有三个ＰＮ结，可以把它看作由一个ＰＮＰ管和一个ＮＰＮ管所组成，其等效图解如图１所示当阳极Ａ加上正向电压时，ＢＧ１和ＢＧ２管均处于放大状态。
此时，如果从控制极Ｇ输入一个正向触发信号，ＢＧ２便有基流ｉｂ２流过，经ＢＧ２放大，其集电极电流ｉｃ２＝β２ｉｂ２。
因为ＢＧ２的集电极直接与ＢＧ１的基极相连，所以ｉｂ１＝ｉｃ２。
此时，电流ｉｃ２再经ＢＧ１放大，于是ＢＧ１的集电极电流ｉｃ１＝β１ｉｂ１＝β１β２ｉｂ２。
这个电流又流回到ＢＧ２的基极，表成正反馈，使ｉｂ２不断增大，如此正向馈循环的结果相当于两个管的电流剧增，从而造成可控硅饱和导通。
由于ＢＧ１和ＢＧ２所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极Ｇ的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可由信号关断的。
第三期２００６年９月益阳职业技术学院学报ＪｏｕｒｎａｌｏｆＹｉｙａｎｇＶｏｃａｔｉｏｎａｌａｎｄＴｅｃｈｎｉｃａｌＣｏｌｌｅｇｅＮＯ．３Ｓｅｐｔ．２００６可控硅的特性、检测和典型应用龙辉（益阳职业技术学院湖南益阳４１３０００）［摘要］可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅由四层半导体材料组成的，有三个ＰＮ结，对外有三个电极。
双向可控硅有第一阳极Ａ１（Ｔ１），第二阳极Ａ２（Ｔ２）、控制极Ｇ三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极Ａ与阴极Ｋ之间加有正向电压，同时控制极Ｇ与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
可控硅的特性分为正向特性和反向特性。
可控硅的检测方法和管脚判别可以用万用表进行。
可控硅（单向ＳＣＲ、双向ＢＣＲ）这种４层的（ＰＮＰＮ）三端器件，在电子技术和工业控制，和数控技术中，应用十分广泛。
［关键词］可控硅特性检测应用［中图分类号］ＴＭ５［文献标识码］Ａ［收稿日期］２００６－０９－１３［作者简介］龙辉，男，湖南益阳人，益阳职业技术学院机电与电子工程讲师、工程师由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表１．１．２双向可控硅的特性：双向可控硅有第一阳极Ａ１（Ｔ１），第二阳极Ａ２（Ｔ２）、控制极Ｇ三个引出脚。
双向可控硅第一阳极Ａ１与第二阳极Ａ２间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极Ｇ和第一阳极Ａ１间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时Ａ１、Ａ２间压降也约为１Ｖ。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极Ａ１、第二阳极Ａ２电流减小，小于维持电流或Ａ１、Ａ２间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
１．２可控硅的检测１．２．１单向可控硅的检测万用表选电阻Ｒ＊１Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极Ｇ，红表笔的引脚为阴极Ｋ，另一空脚为阳极Ａ。
此时将黑表笔接已判断了的阳极Ａ，红表笔仍接阴极Ｋ。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极Ａ和控制极Ｇ，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为１０欧姆左右。
如阳极Ａ接黑表笔，阴极Ｋ接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
１．２．２双向可控硅的检测用万用表电阻Ｒ＊１Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极Ａ１和控制极Ｇ，另一空脚即为第二阳极Ａ２。
确定Ａ１、Ｇ极后，再仔细测量Ａ１、Ｇ极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极Ａ１，红表笔所接引脚为控制极Ｇ。
将黑表笔接已确定的第二阳极Ａ２，红表笔接第一阳极Ａ１，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将Ａ２、Ｇ极瞬间短接，给Ｇ极加上正向触发电压，Ａ２、Ａ１间阻值约１０欧姆左右。
随后断开Ａ２、Ｇ间短接线，万用表读数应保持１０欧姆左右。
互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极Ａ２，黑表笔接第一阳极Ａ１。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将Ａ２、Ｇ极间再次瞬间短接，给Ｇ极加上负的触发电压，Ａ１、Ａ２间的阻值也是１０欧姆左右。
随后断开Ａ２、Ｇ极间短接线，万用表读数应不变，保持在１０欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节１．５Ｖ干电池，以提高触发电压。
１．２．３可控硅晶闸管的管脚判别方法晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表Ｒ＊１Ｋ挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。
再将万用表置于Ｒ＊１０Ｋ挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极２可控硅（晶闸管）的几种典型应用（见附图２－１１）可控硅（单向ＳＣＲ、双向ＢＣＲ）这种４层的（ＰＮＰＮ）三端器件，在电子技术和工业控制中，应用十分广泛。
下面是反映它们基本特性的几种典型应用电路２．１锁存器电路如图２是一种由继电器Ｊ、电源（＋１２Ｖ）、开关Ｋ１和微动开关Ｋ２组成的锁存器电路。
当电源开关Ｋ１闭合时，因Ｊ回路中的开关Ｋ２和其触点Ｊ－１断开的，继电器Ｊ不工作，其触点Ｊ－２也未闭合，所以电珠Ｌ不亮。
一旦人工触动一下Ｋ２，Ｊ得电激活，对应的触点Ｊ－１、Ｊ－２闭合，Ｌ点亮。
此时微动开关Ｋ２不再起作用（已自锁）。
要使电珠Ｌ熄灭，只有断开电源开关Ｋ１使继电器释放，电珠Ｌ才会熄灭。
所以该电路具有锁存器（Ｊ－１自锁）的功能。
图３电路是用单向可控硅ＳＣＲ代替图２中的继电器Ｊ，仍可完成图２的锁存器功能，即开关Ｋ１闭状态条件说明从关断到导通１、阳极电位高于是阴极电位２、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通１、阳极电位高于阴极电位２、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断１、阳极电位低于阴极电位２、阳极电流小于维持电流任一条件即可龙辉：可控硅的特性、检测和典型应用合时，电路不工作，电珠Ｌ不亮。
当触动一下微动开关Ｋ２时，ＳＣＲ因电源电压通过Ｒ１对门极加电而被触发导通且自锁，Ｌ点亮，此时Ｋ２不再起作用，要使Ｌ熄灭，只有断开Ｋ１。
由此可见，图３电路也具有锁存器的功能。
图３与图２虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：（１）图２的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其Ｊ线圈和Ｌ的电流，但图３中，是利用ＳＣＲ自身导通完成锁存功能。
（２）图２的Ｊ与控制器件Ｌ完全处于隔离状态，但图３中的ＳＣＲ与Ｌ不能隔离。
所以在实际应用电路中，常把图２和图３电路混合使用，完成所需的锁存器功能。
２．２单向可控硅ＳＣＲ振荡器图４电路是利用ＳＣＲ的锁存性制作的低频振荡器电路。
图中的扬声器ＬＳ（８Ω／０．５Ｗ）作为振荡器的负载。
当电路接上电源时，由于电源通过Ｒ１对Ｃ１充电，初始时，Ｃ１电压很低，Ａ、Ｂ端的电位器Ｗ的分压不能触发ＳＣＲ，ＳＣＲ不导通。
当Ｃ１充得电压达到一定值时，Ａ、Ｂ端电压升高，ＳＣＲ被触发而导通。
一旦ＳＣＲ导通，电容器Ｃ１通过ＳＣＲ和ＬＳ放电，结果Ａ、Ｂ端的电压又下降，当Ａ、Ｂ端电压下降到很低时，又使ＳＣＲ截止，一旦ＳＣＲ截止，电容器Ｃ１又通过Ｒ１充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时ＬＳ发出响声。
电路中的Ｗ可用来调节ＳＣＲ门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。
按图中元件数据，Ｃ１取值为０．２２～４μＦ，电路均可正常工作。
２．３ＳＣＲ半波整流稳压电源如图５电路，是一种输出电压为＋１２Ｖ的稳压电源。
该电路的特点是变压器Ｂ将２２０Ｖ的电压变换为低压（１６～２０Ｖ），采用单向可控硅ＳＣＲ半波整流。
ＳＣＲ的门极Ｇ从Ｒ１、Ｄ１和Ｄ２的回路中的Ｃ点取出约１３．４Ｖ的电压作为ＳＣＲ门阴间的偏置电压。
电容器Ｃ１起滤波和储能作用。
在输出ＣＤ端可获得约＋１２Ｖ的稳压。
电路工作时，当Ａ点低压交流为正半周时，ＳＣＲ导通对Ｃ１充电。
当充电电压接近Ｃ点电压或交流输入负半周时，ＳＣＲ截止，所以Ｃ１上充得电压（即输出端ＣＤ）不会高于Ｃ点的稳压值。
只有储能电容Ｃ１输出端对负载放电，其电压低于Ｃ点电压时，在Ａ点的正半周电压才会给Ｃ１即时补充充电，以维持输出电压的稳定。
图５电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。
该稳压电源，按图中参数其输出电流可达２～３Ａ。
２．４ＳＣＲ全波整流稳压电源图５中电路的半波整流稳压电源，其缺点是电源的效率低，其纹波也较大。
图６的ＳＣＲ全波整流稳压电源，完全克服了上述的缺点。
该电路的输出电压也为１２Ｖ（也可改接成其他电压输出）。
该电路实际是由图５的两个半波整流和稳压电路组合而成。
Ｄ１、ＳＣＲＲ１、Ｄ４等工作在交流的正半周；Ｄ２、ＳＣＲＲ２、Ｄ６等工作在交流的负半周，他们共同向输出的Ｃ、Ｄ端提供电流。
电路中的Ｄ３、Ｄ５起隔离作用，即Ｄ３是防止Ａ点交流负半周时，其电流通过Ｒ１；Ｄ５是防止Ａ点交流正半周时，其电流通过Ｒ２的。
电路的其他工作过程与图５相同。
２．５双向可控硅和固体继电器（ＳＳＲ）如图７所示是一种Ｓｈａｒｐ（夏普）固体继电器益阳职业技术学院学报ＳＳＲ（Ｓ２０１Ｓ０２型）产品的内部电路，由图可见，该ＳＳＲ产品是由双向可控硅ＢＣＲ和光耦合交流过零触发电路共同组成的，有效率高（即功耗小）、自身引起的电噪声（脉冲式干扰）很小的好处。