SEMEDX和FTIR在手机电触点失效分析方面的应用

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纳米材料的表征方法

纳米材料的表征方法

纳米材料的表征方法随着科技的快速发展,纳米材料逐渐成为各个领域的研究热点。

纳米材料的特殊性质和应用潜力使得其表征方法变得至关重要。

纳米材料的表征涉及到其形貌、尺寸、结构、成分以及物理和化学特性等方面的分析。

本文将介绍几种常用的纳米材料表征方法。

1. 扫描电子显微镜(SEM)SEM是一种基于电子束与材料相互作用的表征技术。

通过SEM可以获得纳米材料的形貌和表面特征。

它可以提供高分辨率的图像,从而使我们能够观察到纳米级别的细节。

同时,SEM还可以通过能谱分析技术(EDX)获得纳米材料的元素成分信息。

2. 透射电子显微镜(TEM)TEM是一种利用电子束通过纳米材料薄片进行投射和散射的方法来观察样品的结构和形貌的技术。

相比于SEM,TEM能够提供更高的分辨率,能够观察到更细微的细节。

利用TEM还可以确定纳米材料的晶体结构、晶格参数和晶面取向等信息。

3. X射线衍射(XRD)XRD是一种利用X射线与晶体相互作用的分析技术,对于纳米材料的晶体结构和成分分析十分重要。

通过测量样品散射的X射线的特征衍射图案,可以推断出纳米材料的晶体结构、晶格常数和相对晶体的定向度。

4. 傅里叶变换红外光谱(FTIR)FTIR是一种用来分析纳米材料的化学组成和结构的技术。

它基于红外辐射与材料吸收光谱的原理,通过测量纳米材料吸收不同波长的红外光线的强度变化,从而得到样品的化学信息。

利用FTIR还可以检测纳米材料中的官能团和键的类型。

5. 激光粒度仪激光粒度仪是一种常用的用于测量纳米材料粒径分布的仪器。

它通过测量光散射的强度来确定样品中颗粒的尺寸分布。

激光粒度仪不仅可以提供纳米材料的平均粒径,还可以分析其尺寸分布的均匀性,从而对纳米材料的制备工艺进行优化。

除了以上介绍的几种常用的纳米材料表征方法,还有许多其他的技术可供选择,如原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱、热重分析(TGA)等。

选择适合的表征方法需要根据具体的研究目的和所要分析的属性来确定。

通信中的射频开关技术分析

通信中的射频开关技术分析

通信中的射频开关技术分析在如今的通信领域中,射频开关技术因其高密度、高带宽和低功耗等优良特性而被广泛应用。

该技术的发展不仅极大地提高了通信系统的性能,还在一定程度上改善了设备的可靠性和热管理。

本文将对射频开关技术的原理、分类以及应用做详细分析。

一、原理分析射频开关技术的基础是微波传输线和微波场效应晶体管(FET)的共同作用。

微波传输线在工作时会产生电磁场,而微波场效应晶体管则可以受到电磁场的控制,从而实现射频信号的开关。

在射频开关技术中,微波传输线一般分为微带线、同轴线和矩形波导等几种形式。

而微波场效应晶体管则分为金属半导体场效应晶体管(MESFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)两种类型。

其中,MESFET是绝缘层上用金属形成的栅极控制的,而HEMT则是绝缘层上用掺杂剂形成的栅极控制的。

二、分类分析根据用途和结构,射频开关技术可以分为多种类型。

以下是常见的几种类型:1.机械式射频开关机械式射频开关是一种通过机械开关实现射频信号的连接和断开的方式。

该技术主要用于低频率的射频信号开关,其优点是成本低廉、结构简洁,但开关速度较慢。

2.固态射频开关固态射频开关是一种利用微波场效应晶体管控制射频信号开关的方式。

这种技术具有开关速度快、体积小、功耗低的优势,因此被广泛应用于高频率信号的开关。

3.混合式射频开关混合式射频开关结合了机械式和固态射频开关的优点。

其基本原理是利用机械开关的机械结构将微波场效应晶体管组成一个矩阵,并通过控制电路对其进行控制。

混合式射频开关具有高开关速度、低功耗和高密度等优点,是一种值得推广的技术。

三、应用分析射频开关技术广泛应用于如今的通信和无线电领域,例如天线、射频前置放大器、混频器和滤波器等。

在这些应用中,射频开关可以实现不同通道之间的无缝切换,从而提高整个通信系统的性能。

射频开关技术还被广泛应用于军事领域。

比如,在一些依赖于通信的军事行动中,射频开关技术可以实现通信信道的切换和脱敏,从而保障通信的可靠性和保密性。

电子产品失效分析大全

电子产品失效分析大全

电子产品失效分析大全继电器失效分析1、样品描述所送样品是3种继电器,其中NG样品一组15个,OK样品2组各15个,代表性外观照片见图1。

委托单位要求分析继电器触点的元素成分、各部件浸出物的成分,确认是否含有有机硅。

图1 样品的代表性外观照片2、分析方法2.1 接触电阻首先用毫欧计测试所有继电器A、B接点的接触电阻,A、B接点的位置见图2所示,检测结果表示NG样品B点的接触电阻均大于100 mΩ,而2种OK样品的A、B点的接触电阻均小于100 mΩ。

图2 样品外观照片2.2 SEM&EDS分析对于NG品,根据所测接点电阻的结果,选取B接点接触电阻值高的2个继电器,对于2种OK品,每种任选2个继电器,在不污染触点及其周围的前提下,将样品进行拆分后,用SEM&EDS分析拆分后样品的触点及周围异物的元素成分。

触点位置标示如图3所示。

所检3种样品共6个继电器的触点中,NG品的触点及触点周围检出大量的含碳(C)、氧(O)、硅(Si)等元素的异物,而OK品的触点表面未检出异物。

典型图片如图4、图5所示。

图3 触点位置标识(D指触点C反面)图4 NG样品触点周围异物SEM&EDS检测结果典型图片图5 OK样品触点的SEM&EDS检测结果典型图片2.3 FT-IR分析在不污染各部件的前提下,将2.2条款中剩下的继电器进行拆分,并将拆分后的部件分成3组,即A组(接点、弹片(可动端子、固定端子))、B组(铁片、铁芯、支架、卷轴)、C组(漆包线),分别将A、B、C组部件装入干净的瓶中,见图6所示,处理后用FT-IR分析萃取物的化学成分,确认其是否含有有机硅。

图6 拆分后样品的外观照片结果表明,所检3种样品各部件的萃取物中,NG样品B组(铁片、铁芯、支架、卷轴)和C 组(漆包线)检出有机硅,其他样品的部件未检出有机硅。

典型图片见图7所示。

图7 NG品C组部件萃取物与聚二甲基硅氧烷的红外吸收光谱比较图3、结论1)所检3种继电器样品中,NG品B接点的接触电阻均大于100mΩ,不符合要求;而OK品A、B接点的接触电阻及NG品A接点的接触电阻均小于100mΩ,符合要求;2)所检3种继电器(2个/种)的触点中,NG品的触点及触点周围检出大量的含碳(C)、氧(O)、硅(Si)等元素的异物,而OK品的触点表面未检出异物;3)所检3种继电器(13个/种)部件的萃取物中,NG品B组(铁片、铁芯、支架、卷轴)和C组(漆包线)检出有机硅,其他样品的部件未检出有机硅。

手机连接器概述及失效分析方法

手机连接器概述及失效分析方法

3)接触类型 接触类型有单触点和双触点两种。双接触可靠性更高,推荐使用
双接触点类型的BTB。
单接触
双接触
4)平面度 平面度直接影响焊接效果,要求控制在0.08mm以内。
5)防爬锡设计 一般端子采用露Ni电镀方式来满足要求。锡爬到端子接触区和弹片
位置会影响使用寿命及接触可靠性。
插座
插头
4.2、FPC插座:
Mini usb
micro usb
五 手机连接器生产流程简介
连接器的生产主要包括以下几方面: 1. 五金件冲压,电镀。 2. 塑胶件注塑成型 3. 成品组装(以USB为例说明)
电镀 五金件冲压成型 塑胶件注塑成型
入庫 成品组装
出货
5.1 五金件冲压
冲压是一种先进的金属加工方法,是建立在金属塑性变形的基础上,利用
2)侦测开关结构
用于侦测耳机是否插入,常见有两种结构,一种用两跟端子直接 作用,插入插头后实现闭合或者断开,从而侦测出耳机已经插入。另 一种用两跟端子通过插头实现闭合,从而实现功能,这种方式可以减 少耳机模式问题。


4.7、USB插座
用于数据传输和充电,由信号端子,塑胶,铁壳组成。有 mini,micro两种形式。按焊板方式可分为贴板式,插板式,沉 板式等几种。
2. 端子加工制造
切料,將端子切成預定 PIN數小片
通过折弯治具把端子折成要求 的形状
折弯前(左图) 折弯后(右)
3. 端子和塑胶组装 通过手工和相应治具把端子装进塑胶槽内
插针
压针
压针后 半成品
4. solder pin的成型
通过相应的治具把端子脚加工成SMT,DIP类型,并切成规格长度。
切针前

医疗器械中生物材料表征技术的使用教程

医疗器械中生物材料表征技术的使用教程

医疗器械中生物材料表征技术的使用教程医疗器械中的生物材料表征技术是指通过对生物材料进行一系列的测试和分析,以了解其组织结构、物化性能、生物相容性等特性。

这些表征技术的使用对于设计、开发和评估医疗器械非常重要。

本文将介绍医疗器械中常用的生物材料表征技术,并提供使用教程,帮助读者更好地理解和应用这些技术。

一、扫描电子显微镜(SEM)扫描电子显微镜(SEM)是一种常用的生物材料表征技术,通过扫描样品表面,并以电子束散射或电子探针信号来获取样品的微观形貌信息。

在医疗器械中,SEM可以被用来观察生物材料的表面形态、孔洞结构、纤维形态等。

使用SEM的步骤如下:1. 准备样品:将生物材料制备成适当大小的样品片,并在表面进行金属涂层以提高导电性。

2. 装载样品:将样品放置在SEM样品台上,并确保样品表面与电子束垂直。

3. 调节参数:根据样品的特性和所需观察结果,调节加速电压、工作距离、信号检测方式等参数。

4. 观察和记录:启动电子束,观察样品,并使用SEM软件进行图像的采集和记录。

二、能谱仪(EDX)能谱仪(EDX)是一种用于化学成分分析的生物材料表征技术,结合SEM使用可以获得样品的元素分布和组成信息。

使用EDX的步骤如下:1. 准备样品:与SEM类似,样品需制备成适当大小的样品片,并进行金属涂层。

2. 启动EDX:将EDX连接至SEM,并启动EDX仪器。

3. 选择测量点:在SEM图像中选择需要分析的区域,并将电子束对准到该区域。

4. 进行测量:启动EDX测量,收集样品中元素对应的谱线信号。

5. 分析数据:使用EDX软件分析数据,确定样品中的元素组成和分布情况。

三、红外光谱仪(FTIR)红外光谱仪(FTIR)是一种用于分析材料化学组成的生物材料表征技术。

通过测量材料在红外光谱范围内的吸收和散射光信号,可以得到材料的结构和化学键信息。

使用FTIR的步骤如下:1. 准备样品:将生物材料制备成适当形式的样品片,确保样品表面光洁。

MEMS典型失效机理和失效模式总结

MEMS典型失效机理和失效模式总结

MEMS典型失效机理和失效模式总结MEMS(微机电系统)是一种集成了微机械、微电子、微光学等技术的微型器件,其制造工艺相比传统器件更加复杂和微小,因此在使用过程中也存在着一些典型的失效机理和失效模式。

下面将对MEMS的典型失效机理和失效模式进行总结。

1.疲劳失效:MEMS器件中的微小零件在长期使用过程中受到了频繁的应力和振动作用,容易产生疲劳失效。

其中一个常见的疲劳失效机制是微弯曲薄膜的断裂,这是由于薄膜受到了重复的弯曲应力,从而导致薄膜中出现了裂纹并最终断裂。

另一个常见的疲劳失效机制是零件的微动疲劳,这是由于MEMS器件中的一些零件需要频繁地运动,产生了一些微小的位移,从而导致了零件的疲劳断裂。

2.电介质失效:MEMS器件中的许多部分都是由电介质材料构成,这些材料容易受到电介质失效的影响。

电介质失效主要包括两种类型,一种是耐电压失效,指的是电介质材料遭受太高的电压而发生击穿或损坏。

另一种是介电泄露失效,指的是电介质材料的电阻率增加导致电流泄漏,影响器件的性能。

3.粗糙度失效:MEMS器件的性能很大程度上依赖于表面粗糙度。

当MEMS器件的表面发生粗糙度增加时,会导致摩擦增加和表面能的增加,从而可能导致零件无法正常运动或卡住,最终导致器件失效。

4.氧化失效:由于MEMS器件中的一些零件和结构暴露在空气中,容易受到氧化过程的影响。

当MEMS器件中的金属材料遭受氧化时,会导致材料内部产生氧化层,从而增加了电阻率,影响器件性能。

5.温度失效:MEMS器件在使用过程中容易受到温度变化的影响。

当器件暴露在高温环境下时,可能导致材料膨胀不均匀,从而使器件产生微小的形变,导致器件的性能下降或失效。

6.湿度失效:MEMS器件中的一些结构和材料容易与水分接触,从而受到湿度的影响。

当器件暴露在高湿环境下时,可能导致一些零件和连接薄膜变湿、膨胀或腐蚀,进而导致零件失效或材料失效。

总之,MEMS器件的典型失效机理和失效模式包括疲劳失效、电介质失效、粗糙度失效、氧化失效、温度失效和湿度失效。

sem工作原理及应用

sem工作原理及应用

sem工作原理及应用Semiconductor(半导体)是一种具有特殊电子性质的材料,能够在一定条件下既表现出导体的特性,又具备绝缘体的特性。

基于半导体材料的元件和器件被广泛应用于电子技术领域,其中包括了sem(场效应晶体管)。

Sem的工作原理是基于场效应的原理。

场效应是指通过外部电场的作用,控制材料内部电子或空穴的运动。

Sem的基本结构由源极、漏极和栅极组成。

当在源极和漏极之间施加电压时,形成了一个电场,该电场能够控制栅极和源极之间的电流流动。

Sem栅极上的电压可以改变电流的通断状态,从而实现对电流的控制。

Sem的应用非常广泛,其中最重要的应用是在集成电路中作为开关或放大器。

Sem具有高度可控性和速度快的特点,能够将电信号转换成数字信号,实现逻辑门电路的功能。

通过Sem的开关特性,可以控制数据的存储和传输,从而实现各种数字电路和计算机的运算。

Sem还广泛应用于各种电子设备中。

例如,手机、电视和电脑中的显示屏幕都采用了液晶显示技术,而Sem则是控制液晶的关键元件。

通过调节Sem的电压,可以控制液晶分子的排列,从而改变光的透过程度,实现图像的显示。

Sem也被应用于光电子器件中,如光电二极管和激光器。

在光电二极管中,Sem被用作光电转换器件,能够将光信号转换成电信号。

而在激光器中,Sem则被用作调制装置,通过改变Sem的电流,可以调节激光器的输出功率和频率。

Sem还被广泛用于能源领域。

太阳能电池板就是利用Sem的光电转换特性,将太阳能转化为电能。

Sem的带隙能够使光子被吸收,并产生电流。

这种半导体材料在太阳光下的特性使得太阳能电池板成为一种可靠的绿色能源。

sem作为一种基于场效应的半导体元件,具有高度可控性和速度快的特点,被广泛应用于集成电路、光电子器件和能源领域。

它的应用范围涵盖了电子技术的各个领域,推动了现代科技的发展。

未来随着技术的不断进步,sem的应用将会更加广泛,为人类带来更多的便利和创新。

纳米科技材料表征方法简介

纳米科技材料表征方法简介

纳米科技材料表征方法简介纳米科技是21世纪的重要领域之一,具有巨大的应用潜力和未来发展前景。

纳米材料是指其颗粒尺寸在1到100纳米之间的材料,具有独特的化学、物理和力学性质。

为了研究和开发纳米材料,科学家们需要了解其结构、形貌和组成。

这就需要使用一系列纳米材料表征方法来定量和定性地检测、分析和描述这些材料的特性。

在纳米科技领域中,有多种表征方法被广泛应用。

下面将介绍几种常见的纳米科技材料表征方法。

1. 扫描电子显微镜(SEM)SEM是一种广泛应用于纳米科技领域的表征方法。

它通过扫描样品表面并收集反射电子信号来获得样品的表面形貌和拓扑结构。

通过调整电子束的能量和角度以及探测器的位置和设置,可以获得不同放大倍数的样品图像。

SEM具有高分辨率、大深度和广泛的样品适用性。

2. 透射电子显微镜(TEM)TEM是一种用于观察纳米结构和化学成分的高分辨率显微镜。

它可以通过透射电子束穿过样品来获取样品的原子尺度的结构和形貌信息。

通过TEM,可以观察纳米材料的晶体结构、晶界、缺陷和杂质。

此外,TEM还可以用于元素的能量色散X射线谱分析(EDX)来获得样品的化学组成信息。

3. X射线衍射(XRD)X射线衍射是一种常用的材料结构表征方法,用于分析纳米材料的晶体结构和取向。

它通过测量样品衍射光的位置和强度来确定材料中晶格的特征。

通过XRD,可以确定纳米材料的晶体结晶度、晶胞参数和晶体取向。

此外,结合其他表征方法,如TEM和SEM,XRD可以提供全面的材料结构信息。

4. 傅里叶变换红外光谱(FTIR)FTIR是一种用于分析纳米材料组成和化学键的方法。

它通过测量材料对不同波长红外光的吸收谱来得到样品的红外光谱图。

由于不同的化学键和官能团对红外光的吸收具有特征性,因此可以通过FTIR来鉴定纳米材料的组成和化学结构。

5. 热重分析(TGA)TGA是一种用于研究纳米材料热稳定性和失重过程的表征方法。

它通过在控制温度条件下加热样品并测量其质量变化来分析样品的热分解、氧化和失重。

失效分析常用工具介绍

失效分析常用工具介绍

失效分析常用工具介绍1.透射电镜(TEM)TEM一般被使用来分析样品形貌(morhology),金相结构(crystallographic structure)和样品成分分析。

TEM比SEM系统能提供更高的空间分辨率,能达到纳米级的分辨率,通常使用能量为60-350keV的电子束。

与TEM需要激发二次电子或者从样品表面发射的电子束不同,TEM收集那些穿透样品的电子。

与SEM一样,TEM使用一个电子枪来产生一次电子束,通过透镜和光圈聚焦之后变为更细小的电子束。

然后用这种电子束轰击样品,有一部分电子能穿透样品表面,并被位于样品之下的探测器收集起来形成影像。

对于晶体材料,样品会引起入射电子束的衍射,会产生局部diffraction intensity variations,并能够在影像上非常清晰的显现出来。

对于无定形材料,电子在穿透这些物理和化学性质都不同的材料时,所发生的电子散射情况是不相同的,这就能形成一定的对比在影像观察到。

对于TEM分析来说最为关键的一步就是制样。

样品制作的好坏直接关系到TEM 能否有效的进行观察和分析,因此,在制样方面多加努力对于分析者来说也是相当必要的工作。

2.扫描声学显微镜集成电路封装的可靠性在许多方面要取决于它们的机械完整性.由于不良键合、孔隙、微裂痕或层间剥离而造成的结构缺陷可能不会给电性能特性带来明显的影响,但却可能造成早期失效.C模式扫描声学显微镜(C—SAM)是进行IC 封装非破坏性失效分析的极佳工具,可为关键的封装缺陷提供一个快速、全面的成象.并能确定这些缺陷在封装内的三维方位.这一C—SAM系统已经在美国马里兰州大学用于气密性(陶瓷)及非气密性(塑料)IC封装的可靠性试验。

它在塑料封装常见的生产缺陷如:封装龟裂、叶片移位、外来杂质、多孔性、钝化层龟裂、层间剥离、切断和断裂等方面表现出3.俄歇电子(Auger Analysis )是一种针对样品表面进行分析的失效分析技术。

电子元器件的失效分析

电子元器件的失效分析

电子元器件的失效分析随着人们对电子产品质量可靠性的要求不断增加,电子元器件的可靠性不断引起人们的关注,如何提高可靠性成为电子元器件制造的热点问题。

例如在卫星、飞机、舰船和计算机等所用电子元器件质量可靠性是卫星、飞机、舰船和计算机质量可靠性的基础。

这些都成为电子元器件可靠性又来和发展的动力,而电子元器件的实效分析成为其中很重要的部分。

一、失效分析的定义及意义可靠性工作的目的不仅是为了了解、评价电子元器件的可靠性水平,更重要的是要改进、提高电子元器件的可靠性。

所以,在从使用现场或可靠性试验中获得失效器件后,必须对它进行各种测试、分析,寻找、确定失效的原因,将分析结果反馈给设计、制造、管理等有关部门,采取针对性强的有效纠正措施,以改进、提高器件的可靠性。

这种测试分析,寻找失效原因或机理的过程,就是失效分析。

失效分析室对电子元器件失效机理、原因的诊断过程,是提高电子元器件可靠性的必由之路。

元器件由设计到生产到应用等各个环节,都有可能失效,从而失效分析贯穿于电子元器件的整个寿命周期。

因此,需要找出其失效产生原因,确定失效模式,并提出纠正措施,防止相同失效模式和失效机理在每个元器件上重复出现,提高元器件的可靠性。

归纳起来,失效分析的意义有以下5点:(1)通过失效分析得到改进设计、工艺或应用的理论和思想。

(2)通过了解引起失效的物理现象得到预测可靠性模型公式。

(3)为可靠性试验条件提供理论依据和实际分析手段。

(4)在处理工程遇到的元器件问题时,为是否要整批不用提供决策依据。

(5)通过实施失效分析的纠正措施可以提高成品率和可靠性,减小系统试验和运行工作时的故障,得到明显的经济效益。

二、失效的分类在实际使用中,可以根据需要对失效做适当的分类。

按失效模式,可以分为开路、短路、无功能、特性退化(劣化)、重测合格;按失效原因,可以分成误用失效、本质失效、早期失效、偶然失效、耗损失效、自然失效;按失效程度,可分为完全失效、部分(局部)失效;按失效时间特性程度及时间特性的组合,可以分成突然失效、渐变失效、间隙失效、稳定失效、突变失效、退化失效、可恢复性失效;按失效后果的严重性,可以分为致命失效、严重失效、轻度失效;按失效的关联性和独立性,可以分为关联失效、非关联失效、独立失效、从属失效;按失效的场合,可分为试验失效、现场失效(现场失效可以再分为调试失效、运行失效);按失效的外部表现,可以分为明显失效、隐蔽失效。

sem vc失效分析

sem vc失效分析

sem vc失效分析集成电路失效分析步骤:1. 开封前检查,外观检查,X光检查,扫描声学显微镜检查。

2. 开封显微镜检查。

3. 电性能分析,缺陷定位技术、电路分析及微探针分析。

4. 物理分析,剥层、聚焦离子束(FIB),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(SEM)、VC定位技术。

一、无损失效分析技术1.外观检查,主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷,如塑脂封装是否开裂,芯片引脚是否接触良好。

X射线检查是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射,样品缺陷部份会吸收X射线,导致X射线照射成像出现异常。

X射线主要检查集成电路引线是否损坏问题。

根据电子元器件的大小和结构选择合适的波长,这样能得到合适的分辨率。

2.扫描声学显微镜,是利用超声波探测样品内部缺陷,依据超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置,这种方法主要用主集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏,这种损坏常为裂缝或者脱层。

二、有损失效分析技术1. 打开封装,一般有三种方法。

全剥离法,集成电路完全损坏,只留下完整的芯片内部电路。

缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏,无法再进行电动态分析。

方法二局总去除法,三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。

优点是开封过种不损坏内部电路和引线,开封后可以进行电动态分析。

方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。

2.缺陷定位,定位具体失效位置在集成电路失效分析中,是一个重要而困难的项目,缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。

a.Emission显微镜技术,具有非破坏性和快速精准的特性。

它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。

由于在硅片上产生缺陷的部位,通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射。

b. OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。

对不同材料经激光束扫描,可得到不同材料电阻率变化,这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。

C.液晶热点检测一般由偏振显微镜,可调节温度的样品台,以及控制电路构成。

蚕丝蛋白生物高分子材料的应用研究新进展

蚕丝蛋白生物高分子材料的应用研究新进展

蚕丝蛋白生物高分子材料的应用研究新进展邓连霞,张海萍,杨明英,朱良均(浙江大学应用生物资源研究所,浙江杭州310058)摘要:本文综述了浙江大学应用生物资源研究所生物资源高分子材料实验室近5年来在蚕丝蛋白(丝素和丝胶)高分子材料在高吸水材料、支架材料、医用生物材料等领域的应用研究成果。

关键词:蚕丝蛋白;丝素;丝胶;高分子材料中图分类号:S886.9文献标识码:A文章编号:0258-4069[2014]03-005-04New Progress in Applied Research of Silk protein biopolymer materialsDENG Lian-xia,ZHANG Hai-ping,YANG Ming-ying,ZHU Liang-jun (Institute of Applied Bioresources,Zhejiang University,Hangzhou 310058,China )Abstract:This paper summarized the application research achivement of silk protein biopolymer materials in superabsor⁃bent polymer,scaffold,biomaterials and other fields of the laboratory of Bio-resources and Macromolecuar Material Insti⁃tute of Applied Bioresources,Zhejiang University in recent 5years.Key words:silk protein;fibroin;sericin;biopolymer materials基金项目:现代农业产业技术体系专项(CARS-22)作者简介:邓连霞(1986-),女,湖北荆州人,博士后,从事蚕丝蛋白生物资源高分子材料研究。

集成电路失效分析及案例分享

集成电路失效分析及案例分享

G O A
Vcom 8
Vcom 9 Vcom 10
Rx
TFT-LCD结构分析
ITO (Rx)
ITO Dummy
Half pitch ITO(Rx)
TFT-LCD模组结构厚度
LC Gap
LTPS TFT
Al LTPS Gate
V pixel ITO
Al to LTPS contact
V pixel ITO
3D X-Ray应用介绍-Wire Bonding
• • • •

IC 整体观察 裂键观察 楔键倾斜观察 最大倍率自上到下楔形键合金属 线的观察 堆叠芯片的观察
3D X-Ray应用介绍-焊接检查
• • • 自动计算芯片贴敷孔隙率 手动和自动区域检测 通过/失败的信息提示
3D X-Ray应用介绍-元器件、PCBA及IC Package
×
0.1 ~ 1 at.% 2 ~ 10nm 10µ m
×
ppm 3nm 10mm
×
0.1 ~ 1 at.% 0.5µ m 0.3µ m
×
0.1 ~ 1 at.% 1um~3um 10 ~ 100µ m
×
-~ 10nm < 1nm
×
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Mapping
NDT






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电性失效分析

元器件2维图像 元器件3维重构 多层板的横截面
3D X-Ray应用介绍-Chip Level
3D X-Ray应用介绍-LED
Measurement

半导体制造中的失效分析工具原理及应用(SEM,TEM,FIB).doc

半导体制造中的失效分析工具原理及应用(SEM,TEM,FIB).doc

半导体工业中的“结构诊断"■-缺陷表征和失效分析工具信息技术是当今世界发展最为迅速的技术之一,支撐信息技术的半导体制造技术和工艺同样也是日新月异。

目前最先进的半导体工厂己经使用300mm晶圆和0.09微米线宽技术。

我国大陆地区采用200mm晶圆和小于0.25微米线宽的生产线也已有多条。

制造技术的进步对半导体工业中的分析检测技术和设备提出了更高的要求。

以前认为尖端的分析技术在半导体工业中已经成为日常的、普通的分析手段;同时,新的分析技术的出现,缩短了分析周期,提髙了分析的精度和准确度,显著地推动了生产效率的提高。

目前20C)mm晶圆工厂实验室使用的物理分析仪器主要有:・光学显微镜(OM)・扫描电子显微镜(SEM)-透射电子显微镜(TEM)和扫描透射电子显微镜(STEM)・聚焦离子束设备(FIB)-原子力显微镜(AFM)-俄歇电子谱仪(AES)-X射线光电子谱仪(ESCA)・二次离子质谱仪(SIMS)・X射线设备,等等。

本文结合扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和聚焦离子束设备(FIB)的技术发展,简要阐述“结构诊断”概念在半导体工业缺陷表征和失效分析中的应用。

1.扫描电子显微镜扫描电镜是半导体分析实验室最广泛使用的表面分析仪器之一。

扫描电镜样品制备简单方便,观察结果直观,放大倍数范围宽(<20到>30万倍),可观察二次电子或背散射电子图像,结合能谱仪(EDS)或波谱仪(WDS)可进行微区(亚微米级)成份分析。

半导依工业中使用的扫描电镜基本都是采用场发射灯丝。

与钩灯丝相比,场发射灯丝的电子束亮度提高了3个数量级,电子束能量色散更小,分辨率(特别是低加速电压下的分辨率)提高很多。

同时, 场发射扫描电镜在较低的加速电压下,进行能谱或波谱分析的空间分辨率显著提髙。

目前,场发射扫描电镜的分辨率在30kV加速电压时优于1.5nm,在lkV加速电压时优于2.5〜3.5nm。

氟吸收的性质应用

氟吸收的性质应用

氟吸收的性质应用生物质纤维素纳米复合膜由于其独特的物理化学性质,被认为是最有前途的资源回收和污染控制吸附剂之一。

通过在纤维素膜( CM )表面原位生长CeO2,制备了可回收的生物质纤维素- CeO2纳米复合膜( BCCM ),并将其用于工业废水中氟的去除。

利用XRD和SEM对BCCM的结构特征进行了表征。

吸附实验表明,BCCM对氟的最大吸附量为48.0 mg / g。

动力学和等温线结果表明多层化学吸附主导了BCCM 的吸附过程。

此外,通过能量色散X射线、FT-IR、XPS等分析对吸附机理进行了研究。

更重要的是,BCCM具有很强的酸碱适应性,可以在极端环境中使用。

该工作为制备其他生物质纳米复合膜提供了一种有效且环境友好的策略,显示出巨大的环境修复和化学分离潜力。

由于地质环境的差异,许多地下饮用水源中氟污染频繁发生。

针对这一问题,本研究提出了一种锰负载活性氧化铝( MnOOH负载AA )吸附剂。

采用浸渍法制备吸附剂,然后对其形貌和微观结构进行系统表征。

进一步通过静态实验对吸附动力学和热力学进行了系统探索,以证实吸附机理。

结果表明,MnOOH成功负载在活性氧化铝( AA )上,在颗粒表面形成不规则凸起的棘状结构。

与AA相比,MnOOH负载AA 的脱氟速率显著提高,脱氟速率提高了一倍。

MnOOH负载AA吸附氟的动力学行为遵循准二级动力学模型,回归系数分别为0.9862、0.9978和0.9956。

吸附速率主要归因于颗粒内扩散。

此外,与Langmuir吸附模型相比,Freundlich等温方程较好地拟合了吸附热力学过程。

具体而言,25℃、35℃和45℃时的相关系数分别为0.9614、0.9383和0.9852。

吸附-脱附等温线图与V型等温线图相似。

整个氟吸附是自发的吸热反应,受化学吸附控制。

这些结果表明,MnOOH负载的AA作为传统AA的替代品在饮用水处理中具有良好的脱氟潜力。

本工作采用简单的方法制备了铝/镧负载小麦秸秆生物炭( Al-La-WSB )的新型吸附剂,并用于除氟。

电性不良分析方法

电性不良分析方法
所以我们在推掉某些BGA锡球的时候, 断裂面会出现很多部分黑色斑点, 这些黑
色斑点就是磷。
关于基材:
为什么镀金?
防止镍氧化
为什么镀镍?
如果不镀镍,只有铜,铜也会氧化,如果直接
在铜上镀金,金原子会短时间会渗透到铜原子,需
要一个阻隔层来防止,这层就是镍。
如果金镀的有问题,镍层会逐渐裸露氧化,会
无法形成IMC层,焊接会虚焊。
待续:
总量
100.00
2010-2-2 14:06:10
为什么IC的线路损伤是短路?
上图为 Sensor挑伤
的图片, 开短路测试
基本均短路
IC的一般结构介绍
锡焊原理:
锡焊, 锡金属或多种不同的金属原子或分子扩散和结合成一体的工艺方法。
IMC. Intermetallic compound (介面合金共化物), 锡焊就是在锡和被焊金属之间, 在
回路是否导通,如果模组封装中PCB线路断开,金线断开都会造成高阻开路.
晶圆厂芯片出厂前都会对每个Die
的所有电气性能进行探针(Probe)
测试, 所以对于封装厂来说, 一般
实际分析中不考虑IC本体的问题。
未打线铝PAD上的
探针测试痕迹
二极管档测试标志
Truly一些能测试开短路的工具:
度信MIPI HV910D,V9,开短路工装DTOS,万用表等。
时候会使用到一种次磷酸钠这种还原剂, 所以镍层中最终会含有7-10 %磷P 元素由
于磷P 元素不能参加反应, 只能逐渐渗析至IMC和镍层之间, 形成一个富磷层,
reflow时间越长, IMC越厚, 镍层参与的反应越多, 磷就渗析的越多, 富磷层聚集的
越厚, 富磷层本身结构强度很弱, 如果聚集过多会导致焊点强度减弱。

SEM_EDX和FTIR在手机电触点失效分析方面的应用

SEM_EDX和FTIR在手机电触点失效分析方面的应用

2010年5月第5卷 第2期失效分析与预防M ay,2010Vol .5,No .2[收稿日期]2010年2月18日 [修订日期]2010年4月12日[作者简介]刘平(1976年-),男,博士,高级工程师,主要从事电子材料及元器件失效分析方面的研究。

SE M /E D X 和FT IR 在手机电触点失效分析方面的应用刘 平1,2,刘建勇1,姚 Τ2(1.摩托罗拉材料失效分析实验室,天津300457;2.天津大学材料学院,天津300072)[摘 要]总结了SE M /EDX 和FTI R 在手机电触点失效分析中的几个典型案例,发现大量失效产品中的镀金触点因表面污染和氧化引起的接触电阻升高是造成电接触故障的主要原因。

污染物形貌和成分复杂,通过与手机生产和使用中常见污染源的红外图谱和EDX 图谱进行对比,SE M /EDX 和FTI R 能鉴别出大多数污染物,比如印刷线路板在切板过程中引起的碎屑、手指接触污染、灰尘聚集污染以及工艺带入的粘胶污染等,促进了工艺的改进和生产效率的提高。

[关键词]SE M /EDX;FTI R;电触点;污染物;失效分析[中图分类号]T N929.53;T M501.3 [文献标志码]A do i:10.3969/j .issn .167326214.2010.02.013[文章编号]167326214(2010)022*******Appli ca ti on of SE M /ED X and FT I R to Fa ilure Ana lysisof Electr i ca l Con t acts of M ob ile PhonesL I U Ping 1,2,L I U J ian 2yong 1,Y AO Bei2(1.M FAL,M otorola (China )Electronics L td .,Tianjin 300457,China;2.College of M aterial Science &Engineering,T ianjin U niversity,Tianjin 300072,China )Abstract:Some typ ical cases on electrical contact failure analysis by SE M /E DX and FTI R were su mmarized .It is found that the main failure cause of the electrical contacts is the rise of electric resistance caused by surface conta m inati on and oxidati on .Gen 2erally,the conta m inants have comp lex appearance and compositi on .U sing SE M /E DX and FTI R,most of the conta m inants intr o 2duced in the course of p r oducti on and service can be identified,such as scrap s,man 2made conta m inants,dusts,and viscose conta m inants .Key words:SE M /E DX;FTI R;electrical contact;conta m inant;failure analysis0 引言电子产品和通信设备与人们的关系越来越密切,这类产品的使用也越来越频繁,这就要求除了在性能上使电子产品和通信设备满足设计要求外,还必须对设备本身的可靠性和安全性进行相应的考虑。

匹配电路, 走线, 与寄生效应对手机射频接收机灵敏度之影响与注意事项介绍

匹配电路, 走线, 与寄生效应对手机射频接收机灵敏度之影响与注意事项介绍

Mismatch/Insertion Loss由[1-2]可知,接收机越前面的阶级,对于Noise Figure的影响就越大,而一般接收机的方块图如下[1] :因此,从天线到LNA,包含ASM、SAW Filter、以及接收路径走线,这三者的Loss 总和,对于接收机整体的Noise Figure,有最大影响,因为由[2]可知,若这边的Loss多1 dB,则接收机整体的Noise Figure,就是直接增加1 dB,因此挑选SAW Filter与ASM时,要尽量挑选Insertion Loss较小的[3]。

而接收路径走线,也是越短越好,其线宽越宽越好,这样方能降低Insertion Loss。

当然,由[5]可知,线宽变宽会使阻抗下降,因此若有多余空间,可将下层的GND作挖空处理,尤其是DCS1800/PCS 1900这些频段较高的RF走线,因为由[9]可知,肌肤深度与频率成反比,换言之,频率越高,Insertion Loss越大。

做了挖空处理后,便可在阻抗维持50奥姆/100奥姆的情况下,进一步拓展线宽,以降低Insertion Loss。

另外,LNA输入端的Loss,除了Insertion Loss,也包含了Mismatch Loss,因此之所以做接收路径的匹配,主要也是为了降低Mismatch Loss,以便进一步降低Noise Figure,达到提升灵敏度之效。

至于匹配方法,可参照[4],在此就不赘述。

值得注意的是,若匹配电路为串联电感,或落地电容,则需特别注意其Insertion Loss,由下图可知,若串联33nH的电感,或并联33pF的电容,则GSM 四个频带的讯号,都会有所衰减,在这情况下,即便Mismatch Loss很小,但其匹配电路会衰减到主频,导致Insertion Loss很大,因此作匹配时,Mismatch Loss 跟Insertion Loss都要尽可能兼顾到。

由[1]可知,手机内会有许多射频功能,彼此间可能会有所干扰,若两个频率相近的讯号,同时被天线接收,则会产生极低频,近乎直流讯号的IMD2。

SEM与EDX

SEM与EDX

SEM与EDXSEM:扫描电子显微镜EDX:X射线能量色散光谱仪SEM通常与XRF测厚和EDX联合使用,有些EDX机器也同时兼具XRF测厚功能,从相关常见的分析报告可同时看到样品的SEM图和分析测量的结果图表。

SEM工作原理:扫描电镜是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。

试样为块状或粉末颗粒,成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。

其中二次电子是最主要的成像信号。

由电子枪发射的能量为 5 ~35keV 的电子,以其交叉斑作为电子源,经二级聚光镜及物镜的缩小形成具有一定能量、一定束流强度和束斑直径的微细电子束,在扫描线圈驱动下,于试样表面按一定时间、空间顺序作栅网式扫描。

聚焦电子束与试样相互作用,产生二次电子发射(以及其它物理信号),二次电子发射量随试样表面形貌而变化。

二次电子信号被探测器收集转换成电讯号,经视频放大后输入到显像管栅极,调制与入射电子束同步扫描的显像管亮度,得到反映试样表面形貌的二次电子像。

优缺点优点:A.与光学显微镜相比,电子显微镜为电子束为介质,由于电子束波长远较可见光小,故电子显微镜分辨率远比光学显微镜高。

光学显微镜放大倍率最高只有约1500倍,扫描式显微镜可放大到10000倍以上。

B.扫描电子显微镜有一重要特色是具有超大的景深(depth of field),约为光学显微镜的300倍,使得扫描式显微镜比光学显微镜更适合观察表面起伏程度较大的试片。

C.可进行多种功能的分析。

与X 射线谱仪配接,可在观察形貌的同时进行微区成分分析;配有光学显微镜和单色仪等附件时,可观察阴极荧光图像和进行阴极荧光光谱分析等。

D.可使用加热、冷却和拉伸等样品台进行动态试验,观察在不同环境条件下的相变及形态变化等。

缺点:大部分电子扫描显微镜的抗污染能力低,必须提供真空系统和电源稳压系统。

基本功能和仪器用途:二次电子象,背散射电子象,图象处理及分析,能做各种固体材料样品表面形貌及组织结构的分析。

EDX工作原理:X射线能量色散仪的基本原理是以高能X射线(一次X射线)轰击样品,将待测元素原子内壳层的电子逐出,使原子处于受激状态,10-12~10-15秒后,原子内的原子重新配位,内层电子的空位由较外层的电子补充,同时放射出特征X射线(二次X射线)。

SEM-EDX 参数选择

SEM-EDX 参数选择

SEM/EDX trainingServe through PeopleConnect through TechnologySEM/EDX 介绍三:参数选择2 Serve through People Connect through TechnologySEM/EDX重要参数影响 SEM/EDX重要参数影响SEM/EDX重要参数对测试结果的影响:(参数的优化选择见后页附上的DOE实验) 1.加速电压 1.加速电压: 加速电压:一般推荐使用20kV 一般推荐使用20kV 加速电压可选范围0.5kV~30kV。

为了使X射线有足够的强度,有较高的信噪比, 又保证有较小的分析体积,一般加速电压为特征X射线能量2-4 倍。

一般较低的 加速电压,不能完全激发元素的X射线,影响测试结果。

加速电压越高,越能激发 出元素的X射线。

但如果加速电压太高,容易击穿样品表面,造成分析失败。

并且 加速电压太高(大于20KV),容易造成电压积累,导致放电。

影响图像效果。

典型 的加速电压为15—20 KV。

一般推荐使用20kV。

3 Serve through People Connect through TechnologySEM/EDX重要参数影响 SEM/EDX重要参数影响加速电压选择注意事项: 加速电压选择注意事项: • Al和 Al和Br的区分 Br的区分: 的区分: Al的Kα线系临界激发能量为1.487 keV。

Br的Lα线系临界激发能量为1.481 keV,Kα线系临界激发能量为11.9089 keV。

Al的Kα线系与Br的Lα线系临界激发能量非常相近,容易混淆。

加速电压为20kV时, 不能激发Br的Kα线系,用30kV则可以,因此可以用30kV区分Al和Br。

• P和Au的区分 Au的区分: 的区分: P的Kα线系临界激发能量为2.013 keV。

Au的Lα线系临界激发能量为2.123 keV,Kα线系临界激发能量为9.714 keV。

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2010年5月第5卷 第2期失效分析与预防M ay,2010Vol .5,No .2[收稿日期]2010年2月18日 [修订日期]2010年4月12日[作者简介]刘平(1976年-),男,博士,高级工程师,主要从事电子材料及元器件失效分析方面的研究。

SE M /E D X 和FT IR 在手机电触点失效分析方面的应用刘 平1,2,刘建勇1,姚 琲2(1.摩托罗拉材料失效分析实验室,天津300457;2.天津大学材料学院,天津300072)[摘 要]总结了SE M /EDX 和FTI R 在手机电触点失效分析中的几个典型案例,发现大量失效产品中的镀金触点因表面污染和氧化引起的接触电阻升高是造成电接触故障的主要原因。

污染物形貌和成分复杂,通过与手机生产和使用中常见污染源的红外图谱和EDX 图谱进行对比,SE M /EDX 和FTI R 能鉴别出大多数污染物,比如印刷线路板在切板过程中引起的碎屑、手指接触污染、灰尘聚集污染以及工艺带入的粘胶污染等,促进了工艺的改进和生产效率的提高。

[关键词]SE M /EDX;FTI R;电触点;污染物;失效分析[中图分类号]T N929.53;T M501.3 [文献标志码]A do i:10.3969/j .issn .167326214.2010.02.013[文章编号]167326214(2010)022*******Appli ca ti on of SE M /ED X and FT I R to Fa ilure Ana lysisof Electr i ca l Con t acts of M ob ile PhonesL I U Ping 1,2,L I U J ian 2yong 1,Y AO Bei2(1.M FAL,M otorola (China )Electronics L td .,Tianjin 300457,China;2.College of M aterial Science &Engineering,T ianjin U niversity,Tianjin 300072,China )Abstract:Some typ ical cases on electrical contact failure analysis by SE M /E DX and FTI R were su mmarized .It is found that the main failure cause of the electrical contacts is the rise of electric resistance caused by surface conta m inati on and oxidati on .Gen 2erally,the conta m inants have comp lex appearance and compositi on .U sing SE M /E DX and FTI R,most of the conta m inants intr o 2duced in the course of p r oducti on and service can be identified,such as scrap s,man 2made conta m inants,dusts,and viscose conta m inants .Key words:SE M /E DX;FTI R;electrical contact;conta m inant;failure analysis0 引言电子产品和通信设备与人们的关系越来越密切,这类产品的使用也越来越频繁,这就要求除了在性能上使电子产品和通信设备满足设计要求外,还必须对设备本身的可靠性和安全性进行相应的考虑。

众所周知,电子产品中电触点的可靠性会极大地影响整个系统的稳定性[122],由于电子产品日趋小型化,其电子元件的体积逐渐减小且安装密集,电触点尺寸也随之相应减小,触点之间的弹性力设计不得不降低,导致电接触不可靠,尤其是在弱电流、环境污染较严重条件下的触点。

为此,采用电触点表面镀金中间层镀镍的方法,以改善表面电性能,增强抗磨损和耐腐蚀能力,提高电接触可靠性,减少污染及腐蚀生成物对电传导的影响,但是如果镀金表面存在缺陷或环境污染物,仍然会威胁这些触点的电连接可靠性[324]。

近年来,大量便携式电子产品涌入市场,如手机、MD 、MP3等,这些产品经常有质量投诉,尤其是手机,其组装程度的复杂性使电触点越来越多,比如Pogo p in 、Contact B l ock 、Sp ring contact 、Golden pad /Dome 、Connect or 等。

用户反映手机质量及可靠性差,使用中信号时好时坏,性能不稳定,经初步调查,发现造成手机故障的大部分原因是其内部的电接触失效。

不同电子产品的结构、电触点的结构、电触点在整机中的位置、环境污染情况、用户使用方式等因素各不相同,造成电触点故障第2期刘 平,刘建勇,姚 琲:SE M/E DX和FTI R在手机电触点失效分析方面的应用原因复杂、不易确定。

扫描电子显微镜(SE M)适合材料表面微观形貌观察,配备的附件X射线能谱仪(EDX)可快速检测未知物的元素组成,它们对分析的样品量和尺寸没有限制,由于放大倍数可达几千甚至上万倍,微米级别的线和丝都能分析,适用于检测无机物的元素组成。

傅立叶红外光谱(FTI R)是一种分析有机物的仪器,通过解谱,可鉴定有机混合物,但是由于FTI R的尺寸分辨率限制,所分析的样品以大于0.2mm×0.2mm尺寸为宜。

结合SE M/E DX和FTI R的特点,分析从失效手机中筛选出可能失效的连接器触点,判断和分析其失效原因。

对电触点表面污染物形貌、成分和磨损情况进行分析和评估,并对常见的污染源进行收集对比,推断失效的根本原因,可为杜绝在生产中类似问题的发生,防止潜在的失效,及今后对此类问题的分析提供借鉴。

1 电触点失效实例因所分析的失效样品的原始信息不能改变,所以要求样品不被碰触、刮擦和清洗触点表面,以获得充足的失效信息。

1.1 连接器污染物分析生产过程中某型号手机显示异常,拆开子母连接器发现,在PCB一侧的连接器触点上有异物存在,异物呈片状,光学显微镜下为灰色(图1)。

取下此物质后,手机功能恢复正常。

说明此污染物为外来物质,致使接触电阻变大,影响显示功能,可以通过切断其来源以杜绝这类问题的发生。

使用扫描电子显微镜对其进行放大观察并利用X射线能谱仪(E DX)分析污染物成分。

图2为触点上异物放大的形貌,整个材料基体为蜂窝状,中间夹杂排列整齐的细小纤维。

根据经验判断,异物可能是PCB板的碎屑;元素成分分析表明污染物包含C、O、A l、Si、Ca等元素,为绝缘有机物,从PCB板边人为取下一些PCB碎屑,污染物在形貌(图3)和成分(图4)上与其非常吻合。

分析手机的制造工艺,在前线PCB切板的过程中,带来污染物的可能性最大。

通过改进切板工艺并在切板后对PCB板进行清洁处理,可降低此类问题的发生,提高生产效率。

1.2 键盘金触点(Golden Pad)接触失效手机内部结构中的金触点失效形式复杂,常见的有异物、表面氧化、腐蚀、镀金表面缺陷等。

通常所引起的手机故障为功能时有时无、断断续续。

键盘功能失效的样品在打开Dome和Golden Pad以后发现,两边的接触表面有绿色异物存在(图5),在SE M放大照片下形貌为分散的絮状,分布比较均匀(图6)。

异物和干净区域的能谱分511失效分析与预防第5卷图4 污染物的成分分析图谱Fig.4 EDX analysis result of the conta m inants析结果分别见图7、图8,异物含有大量的O、Cl、N i、Cu元素,说明Au层底下中间镀层N i和基体材料Cu发生了腐蚀,最终在表面形成了腐蚀产物堆积在接触面,造成了失效。

根据Cl元素可推测其原因可能有2个:一是接触表面有人为的污染如手指接触、汗渍等;二是镀金表面有缺陷如孔隙,含Cl-的电解液通过孔隙浸入底部镀层和基体,造成电化学腐蚀,N i和Cu的腐蚀产物从微孔中溢出覆盖表面。

绿色异物为腐蚀产物氧化铜或氯化铜。

这些绝缘物质导致接触电阻的升高,从而大大降低了电接触可靠性。

图5 接触区域的异物Fig.5 Foreign matters at the contact regi on1.3 弹簧片触点(Pogo P i n)的失效客户现场反馈手机振铃在振动过程中突然停止,挤压机壳后大多又能恢复正常工作;或者振铃在振动过程中出现时断时续现象。

针对故障现象发生的不确定性和具有一定的可自愈性,可排除电路发生故障的可能性,因为电路故障一旦发生,便是确定且不可自恢复的。

初步检测结果表明线圈与簧片的焊接处接触良好。

因此,推断导致故障发生的原因可能是簧片与PCB接触不良。

拆开Pogo Pin发现其表面有异物(图9)。

异物的E DX能谱分析见图10,可见污染物元素成分为C、O、A l、Si、Ca、Mg等,其中A l、Si、O是组成地壳的主要元素,Mg、K、Ca、O可以形成多种无机化合物,它们是尘土颗粒的主要元素[526]。

C元素可能来自有机化合物、无机化合物或空气中漂浮的炭黑。

N i和Cu是触点的中间镀层和基底材料,可能在手机使用过程中被磨损下来堆积在接触区周边。

这些绝缘物质大大降低了电接触的可611第2期刘 平,刘建勇,姚 琲:SE M/E DX和FTI R在手机电触点失效分析方面的应用靠性。

镀金触点表面污染物形成和聚集的原因可能是:手机使用过程中,机壳内外温差引起空气对流,空气中直径较小的尘土颗粒从一些孔隙中进入机壳内部。

触点之间由于机械振动、热胀冷缩等原因产生相对微小运动,磨损碎屑混合进入机壳内部的尘土形成了大量的污染物,分布在接触区及其周边。

触点表面的污染物即使覆盖面积很大,但如果很薄,仍然可以通过隧道效应导电,并不一定影响接触电阻。

但手机中触点表面污染物有一定的厚度,而且由于在触点表面发现的污染物大多为绝缘物,必然导致电阻升高、接触失效。

研究表明,空气中的尘土颗粒带电[7]。

使用过程中电连接器有电流通过,导致触点接触区的电场强度高于非接触区。

带电颗粒所受的静电力等于电场强度与颗粒所带电荷的乘积。

由于尘土颗粒有些带有正电,有些带有负电,受静电力为吸引力的尘土颗粒就会吸附在接触区表面,从而导致尘土颗粒在接触区的聚集,非接触区受静电力作用而被吸附的尘土颗粒较少。

因此,采取必要措施,有效防止外界污染物进入连接器内部,对提高连接器的可靠性也是十分重要的。

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