多晶硅产品
国内外多晶硅产能情况
国内外多晶硅产能情况
1、历史发展
近年来，中国多晶硅的发展取得了快速势头，并取得了巨大成功。
首先，中国政府大力支持多晶硅的发展，更加关注多晶硅行业的发展，投资大量资金用于多晶硅研发、投资并购等。
其次，目前中国已经形成了用于多晶硅的生产线与设备，并扩大了其产能。
最后，随着国内电子行业的发展，多晶硅的应用越来越广泛，中国多晶硅产业的发展也更为活跃。
2、产能及市场占有率
根据市场研究机构的数据显示，2024年，中国多晶硅的年产能达到了140万片，其中有超过90％的产量来自国内。
在这140万片中，30万片是用于消费类电子产品，30万片是用于工业电子设备，其余是用于其他应用领域。
2024年，中国多晶硅行业的总营收达到了87亿元，占全球多晶硅行业市场的53%。
3、未来发展
根据数据分析，由于随着中国消费电子市场的不断增长，中国多晶硅行业的发展前景非常广阔。
根据市场研究报告，估计2023年，中国多晶硅行业的产值将达到180亿元，市占率将达到60%。
此外，2023年，中国多晶硅产能将达到200万片，而消费电子晶片的产能将达到35万片，占比将提升到25%。
除了中国，还有其他国家在开发和生产多晶硅。
多晶硅
多晶硅产品分类:多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业硅）、太阳能级、电子级。
1、冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。
一般含Si 为90 - 95％以上，高达99.8％以上。
2、太阳级硅（SG）：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。
一般认为含Si在99.99 ％– 99.9999％（4～6个9）。
3、电子级硅（EG）：一般要求含Si > 99.9999 ％以上，超高纯达到99.9999999％～99.999999999％（9～11个9）。
多晶硅生产流程：1，西门子法，改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成H C l（或外购HCl），HCl和工业硅粉在一定的温度下合成SiHCl3，然后对SiHCl3进行分离精馏提纯，提纯后的SiHCl3在氢还原炉内进行化学气相沉积反应得到高纯多晶硅。
改良西门子法包括五个主要环节：即SiHCl3合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收和SiCl4的氢化分离。
改良西门子法是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产太阳能级与电子级多晶硅。
改良西门子法生产多晶硅属高能耗的产业，其中电力成本约占总成本的70%左右。
2，硅烷热分解法，1956年，英国标准电讯实验所成功研发出了硅烷（SiH4 ）热分解制备多晶硅的方法，即通常所说的硅烷法。
1959年，日本的石冢研究所也同样成功地开发出了该方法。
后来，美国联合碳化物公司采用歧化法制备SiH4，并综合上述工艺且加以改进，便诞生了生产多晶硅的新硅烷法。
硅烷法与改良西门子法接近，只是中间产品不同，改良西门子法的中间产品是SiHCl3，而硅烷法的中间产品是SiH4。
SiH4是以SiCl4氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法来制取，然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅。
日本小松公司曾采用过此技术，但由于发生过严重的爆炸事故，后来就没有继续推广了。
多晶硅产品规格
注：基体金属等杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析，由供需双方协商解决。
产品尺寸、结构及表面质量
尺寸
块状多晶硅的尺寸分布范围为：a）3mm～25mm的最多占重量的15%；
b）25mm～100mm的占重量的15%～35%；c）100mm～150mm的最少占重量的65%。
≤1.3
≤2.7
氧浓度，atoms/cm3
≤1.0×1017
≤1.0×1017
≤1.5×1017
碳浓度，atoms/cm3
≤2.5×1016
≤4.0×1016
≤4.5×1016
少数载流子寿命，μs
≥100
≥50
≥30
基体金属杂质，ppmw
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn TMI≤0.05
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn TMI≤0.1
附件1
*********高科技有限公司——多晶硅产品规格
质量标准
项目
太阳能级硅多晶等级
执行标准
1级品
2级品
3级品
N型电阻率，Ω·cm
≥100
≥40
≥20
GB/T25074-2010
施主杂质浓度/
≤1.5
≤3.76
≤7.74
P型电阻率，Ω·cm
≥500
≥200
≥100
受主杂质浓度/ppba
≤0.5
结构
块状硅多晶结构应致密，无氧化夹层。
表面质量
多晶硅的外观应无色斑、变色、水渍、酸渍，无可见的污染物和氧化的外表面。无碳头料及杂质（如石墨）存在。
产品包装标准
内部包装
两层普通聚乙烯塑料袋包装，每个包装为10公斤，单件小包装误差±0.5%。
多晶硅单位产品氯耗
多晶硅单位产品氯耗
多晶硅的生产过程中，氯耗是一个重要的指标。
在多晶硅的生
产过程中，氯耗通常是以单位产品的重量来衡量的，常用的单位是
千克氯化氢/吨多晶硅（kg HCl/ton）。
氯耗的高低直接影响着生产
成本和环境影响。
多晶硅的生产过程中，氯耗主要来自氯化法冶炼过程。
在这个
过程中，氯化氢气体被用于将二氧化硅还原成多晶硅。
因此，氯耗
的多少与原料纯度、还原反应的效率等因素有关。
为了降低氯耗，生产企业可以采取一系列措施。
首先，提高原
料的纯度，减少杂质含量可以降低氯耗。
其次，优化生产工艺，提
高还原反应的效率，减少氯化氢的损失。
此外，改进设备和技术，
加强废气处理和循环利用，也可以有效降低氯耗。
除了技术手段外，管理和运营方面也可以对氯耗进行有效控制。
加强员工的技术培训，提高操作水平和技能，可以减少操作失误和
能源浪费。
建立科学的生产计划和调度，合理安排生产过程，也可
以降低氯耗。
总的来说，降低多晶硅单位产品的氯耗是一个综合的工程，需要技术、管理、设备等多方面的配合和改进。
企业需要在生产过程中不断优化，寻求降低氯耗的有效途径，以提高生产效率，降低成本，减少对环境的影响。
多晶硅片产品规格书
多晶硅片产品规格书
太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21日
中心厚度
中心厚度
4.2多晶硅片表面质量
4.3多晶硅片电学性能
4.4杂质含量
太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21
日
所用硅原材料的杂质含量标准如下：
a)氧含量应不大于8.0×1017
atoms/cm3；b)碳含量应不大于1.0×1018
atoms/cm3。
多晶硅片材料特性参数见下
5检验规则
5.1检验多晶硅片生产完成后，硅片分选进行全检，由IPQC进行制程检验合格后
5.2交收检验
交收检验，抽检方案按GB/T2828.1中的规定进
太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21日
图2多晶硅片包装示意图
6.3运输
产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取较好的减震、防雨措施。
6.4贮存
产品应在温度为0℃～35℃、相对湿度为20％～60％的条件下贮存。
daquan多晶硅料产品规格书
重庆大全新能源有限公司
多晶硅料规格书
概述
中等至特大太阳能级多晶硅块由Siemens 反应炉生产。
破碎和包装于洁净室中完成，其过程中最小化避免了表面污染。
无碳头料（石墨电极）。
详述
尺寸说明
>3mm ，<200 mm （85% 的多晶块尺寸在 25 – 200 mm)
质量保证
所有上述参数在每批产品中均有测量。
包装
方法 1: 聚乙烯包装袋单层包装, 每包10KG ，每箱 20KG.
方法2: 聚乙烯包装袋双层包装，外包装袋完整。
每包 5KG ，每箱
20KG 。
每包上贴有批号和重量标签。
每个发货单上列有工厂名称地址，客户名称地址，订购单号及产品。
多晶硅生产工艺流程(3篇)
第1篇一、引言多晶硅是光伏产业和半导体产业的重要原材料，广泛应用于太阳能电池、太阳能热利用、半导体器件等领域。
随着新能源产业的快速发展，对多晶硅的需求量日益增加。
本文将详细介绍多晶硅的生产工艺流程，旨在为相关企业和研究人员提供参考。
二、多晶硅生产工艺流程概述多晶硅的生产工艺流程主要包括以下几个阶段：原料处理、还原反应、熔融提纯、铸造、切割、清洗、包装等。
三、多晶硅生产工艺流程详解1. 原料处理多晶硅的生产原料主要是冶金级硅（Si），其含量在98%以上。
首先，将冶金级硅进行破碎、研磨等处理，使其达到一定的粒度要求。
2. 还原反应还原反应是多晶硅生产的关键环节，其主要目的是将冶金级硅中的杂质去除，得到高纯度的多晶硅。
还原反应分为以下几个步骤：（1）将处理后的冶金级硅加入还原炉中。
（2）在还原炉中通入还原剂，如碳、氢气等，与冶金级硅发生还原反应。
（3）在还原过程中，炉内温度保持在约1100℃左右，反应时间为几小时至几十小时。
（4）反应结束后，将还原炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
3. 熔融提纯还原反应得到的粗多晶硅中仍含有一定的杂质，需要通过熔融提纯的方法进一步去除。
熔融提纯主要包括以下几个步骤：（1）将粗多晶硅加入熔融炉中。
（2）在熔融炉中通入提纯剂，如氢气、氯气等，与粗多晶硅发生反应，生成挥发性杂质。
（3）将挥发性杂质通过炉顶排气系统排出，实现提纯。
（4）提纯结束后，将熔融炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
4. 铸造将提纯后的多晶硅熔体倒入铸造炉中，进行铸造。
铸造过程主要包括以下几个步骤：（1）将熔融的多晶硅倒入铸锭模具中。
（2）在铸锭模具中通入冷却水，使多晶硅迅速凝固。
（3）待多晶硅凝固后，将铸锭模具从熔融炉中取出，得到多晶硅铸锭。
5. 切割将多晶硅铸锭切割成所需尺寸的硅片。
切割过程主要包括以下几个步骤：（1）将多晶硅铸锭放置在切割机上。
（2）在切割机上安装切割刀片，将多晶硅铸锭切割成硅片。
国内外太阳能级多晶硅生产企业
国内外太阳能级多晶硅生产企业国外厂商1、tokuyama（日本）以三氯氢硅和氢气为原料，管状炉反应器，…VLD‟工艺使用石墨管将温度升高到1500℃，三氯氢硅和氢气从石墨管上部注入，在1500℃的石墨管壁上反应生成液体硅，然后滴入底部，降温变成固体粒状硅。
此工艺研发始于1999年，除反应器外主工艺仍属西门子工艺。
2、wacker（德国）以三氯氢硅和氢气为原料，流化床反应器，工业级试验线用了两个多晶硅反应器，反应器为FBR型。
100吨试验线在2004年10月投入运行，除反应器外主工艺仍属于西门子工艺。
与保定英利签有长期合同。
德国Wacker公司与Simens公司合作开发了西门子法，并于1959年开始工业化生产多晶硅325公斤。
Wacker公司是目前世界第二大多晶硅厂，也是目前世界上最大的半导体硅材料厂之一，其产业链包括多晶硅、单晶硅（CZ和FZ）、硅片（磨片和抛光片）、太阳电池用铸锭硅和切片。
Wacker公司的多晶硅计划的增产速度较快，在短短四年中增产8400吨。
除了资金和成熟技术的实力外，更重要的是Wacker 公司也是德国最大的化学工业厂。
不仅有丰富的原辅材料，同时还有自备的水利发电厂。
3、hemlock（美国）世界第一大多晶硅生产企业。
4、EMC（美国）MEMC有2年扩张计划，由目前3800吨到2年后的8000吨，扩张部分主要为太阳能级多晶硅。
与无锡尚德签有长期合同，合同金额高达60亿美元。
5、厂商：俄罗斯：拟在乌索里－西伯尔斯科建一个年产2000吨的多晶硅厂，5年扩产至5000吨，采用俄稀有院技术。
距莫斯科200公里的巴斗尔斯克的化学冶金工厂建一个1500吨/年的硅厂，设备以购置西方为主。
俄铝业巨头拟在东西伯利亚建一个3500吨硅厂。
乌克兰：德国在乌克兰的康采恩拜尔公司以贷款方式，恢复乌克兰的两个多晶硅厂。
扎巴罗日厂生产的多晶硅以80美元/公斤价格来低偿贷款。
韩国的DC Chemical 宣布投资2.5亿美元，建立多晶硅厂。
多晶硅的生产工艺及设备
多晶硅的生产工艺及设备
多晶硅，又称为多晶硅材料，是一种半导体材料，主要用于制造太阳能电池、集成电路、液晶显示器等电子产品。
多晶硅的生产工艺及设备是制造多晶硅材料的重要过程，下面将介绍多晶硅的生产工艺及设备。
多晶硅的生产工艺主要包括三个步骤：硅粉制备、多晶硅生长和多晶硅切片。
硅粉制备是将高纯度硅块研磨成微米至毫米级的细粉末，并按照一定比例与电子级氢气混合。
多晶硅生长是将氢化硅气体在高温高压的条件下沉积在硅衬底上，形成多晶硅晶粒。
多晶硅切片是将多晶硅晶块进行机械或化学切割，制成薄片，用于制造太阳能电池、集成电路、液晶显示器等电子产品。
多晶硅的生产设备包括硅粉制备设备、多晶硅生长设备和多晶硅切片设备。
硅粉制备设备主要有球磨机、振动磨机、风力磨机等，用于将高纯度硅块研磨成硅粉。
多晶硅生长设备主要有气相沉积设备、区熔设备、退火设备等，用于将氢化硅气体沉积在硅衬底上，形成多晶硅晶粒。
多晶硅切片设备主要有机械切割机、钻床、拉磨机等，用于将多晶硅晶块切割成薄片。
总之，多晶硅的生产工艺及设备是制造多晶硅材料的重要过程，其质量和效率决定了多晶硅材料的品质和成本。
随着技术的不断发展，多晶硅的生产工艺及设备也在不断创新和提升，以满足电子产品对多晶硅材料的需求。
- 1 -。
多晶硅生产工艺流程
多晶硅生产工艺流程多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路和光电器件等领域。
多晶硅的生产工艺流程是一个复杂的过程，需要经过多道工序才能得到高纯度的多晶硅产品。
下面将介绍多晶硅生产的主要工艺流程。
1. 原料准备。
多晶硅的生产主要原料是二氧化硅，通常采用石英砂或二氧化硅粉作为原料。
在生产过程中，还需要添加还原剂和助熔剂，以促进原料的熔化和还原反应的进行。
2. 熔炼。
原料经过预处理后，放入炉内进行熔炼。
熔炼过程中，需要控制炉内的温度和气氛，以确保原料能够充分熔化并进行还原反应，生成多晶硅。
3. 晶体生长。
熔炼后的多晶硅液体通过适当的方式冷却凝固，形成多晶硅的晶种。
然后通过晶种在高温下的拉拔或者浇铸等方式，使多晶硅晶体逐渐生长，最终得到所需尺寸和形状的多晶硅晶体。
4. 切割。
生长好的多晶硅晶体需要经过切割工艺，将其切割成适当尺寸的硅片，以供后续加工使用。
切割工艺需要使用专门的切割设备，并严格控制切割参数，以确保切割出的硅片表面平整，不产生裂纹和碎屑。
5. 清洗和检测。
切割好的硅片需要进行清洗，去除表面的杂质和污垢。
清洗后，还需要进行严格的质量检测，包括外观质量、尺寸精度、杂质含量等指标的检测，以确保硅片符合生产要求。
6. 包装。
经过清洗和检测的硅片，需要进行包装，以防止在运输和储存过程中受到污染和损坏。
包装材料需要选择符合要求的防静电材料，并严格按照包装标准进行包装，以确保产品的质量和安全。
通过以上工艺流程，我们可以得到高质量的多晶硅产品，满足各种应用领域的需求。
多晶硅生产工艺流程中的每一个环节都至关重要，需要严格控制各项工艺参数，确保产品质量稳定可靠。
随着科技的不断进步，多晶硅生产工艺也在不断改进和完善，以满足市场对高品质多晶硅产品的需求。
多晶硅薄膜的用途
多晶硅薄膜的用途
多晶硅薄膜具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：
1. 太阳能电池：多晶硅薄膜是太阳能电池的主要材料之一，具有良好的电导性和光吸收能力，可以转化光能为电能。
2. 薄膜晶体管：多晶硅薄膜可用于制造薄膜晶体管，广泛应用于显示器、计算机和电子设备中。
它具有高电子迁移率和较低的漏电流，能够提高器件的性能和响应速度。
3. 生物传感器：多晶硅薄膜可以用于制造生物传感器，用于检测和分析生物分子和生物体的信息。
它具有良好的生物相容性和生物兼容性，可广泛应用于医疗诊断、药物筛选和生物研究领域。
4. 智能电子设备：多晶硅薄膜可以制成柔性电子设备，如智能手表、可穿戴设备和柔性显示屏等。
它具有较高的柔韧性和可弯曲性，可以适应各种曲面和形状。
5. 芯片封装：多晶硅薄膜可以用作芯片封装的保护层，提供对芯片的保护和隔热功能。
同时，它还具有优异的耐磨损性和防腐蚀性，能够提高芯片的可靠性和寿命。
6. 其他应用：多晶硅薄膜还可以用于光学器件、纳米器件、传感器和微机电系统（MEMS）等领域，具有广泛的潜在应用前景。
多晶硅制备过程质量的影响因素
多晶硅制备过程质量的影响因素1、气流速度的影响硅棒表面的气流速度会影响多晶硅表面沉积的均匀程度，同时也会影响硅棒表面热的扩散、粘滞层的厚度，所以将硅棒表面的气体流速控制在合理范围十分重要。
当气体流速能够达到需要的沉积速率时，炉产量会随着混合气流量的增大而增高。
流量的大小和还原炉的结构及大小有关，载体表面积与硅芯面积的比值越大，就越会增加气体对沉积面的碰撞，良率就会得到有效提高。
2、三氯氢硅的影响在目前多晶硅产品的生产过程中，对于太阳能级多晶硅原料之一的三氯氢硅的使用含量还没有一个具体的标准和数据。
但是对于其中存在的杂质，大部分企业都要求B＜0.1ppbw、P＜1ppbw、Fe＜50ppbw、C＜1ppmw。
而假如要是多晶硅中P、B的含量较高，其就会高温环境下产生P、B析出的副反应，而析出的P、B又会粘附在多晶硅上，这会大幅度的影响多晶硅的电阻率。
在多晶硅生产时，有关物质和P、B等杂质所产生的反应属于气相反应。
由于生产过程中P、B、As、Sb 等物质会漂浮在气相之中，而其他一部分反应炉内部的重金属物质也会漂浮在气相之中，当SiHCl3、H2等物质扩散至载体上时，可能会把这部分杂质带到载体之上，这对于多晶硅的品质有着很大的影响。
3、氢气的影响通过有关研究发现，由于氢气中会含有一定程度的氧和水汽，在含氧量大于20ppm，露点大于-30℃的环境下，就会出现水解或者氧化反应，这样一来，就会生成一种二氯化硅氧化层粘附在多晶硅之上，在这种被氧化的多晶硅继续沉淀时，就形成了氧化夹层。
这种夹层在光照的环境下可以看到多种多样的色彩，而且酸洗手段而不能去除这种氧化夹层。
与此同时，具有氧化夹层的硅棒在真空环境下生长单晶硅的过程中，可能会出现硅跳情况，而通常见到的状况就是熔区表面的废渣较多，导致多次引晶不成功等问题。
4、炉内温度的影响实践证明在900～1000℃间，SiHCl3以热分解为主，1080～1200℃间以还原反应为主，1200℃以上副反应、逆反应同时发生。
多晶硅片命名规则m-概述说明以及解释
多晶硅片命名规则m-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述多晶硅片是一种常见的半导体材料，具有广泛的应用领域。
它由具有多个晶体结构的硅原子组成，其晶界处存在许多晶界、格界等缺陷。
然而，这些缺陷也给多晶硅片的命名带来了一定的挑战。
为了方便标识和管理多晶硅片，制定了一系列的多晶硅片命名规则。
多晶硅片命名规则是一个系统化的命名方式，旨在提供一个清晰、统一的命名标准，以便于多晶硅片的识别和交流。
这些规则通常包括对多晶硅片的生产厂家、生产日期、尺寸规格、质量级别等信息的命名约定。
多晶硅片的命名规则对于半导体行业的各个环节都具有重要意义。
首先，对于生产厂家和供应商来说，规范的命名规则能够提高多晶硅片产品的可追溯性和质量管理，有助于确保产品符合标准要求。
其次，对于研究和开发人员来说，清晰的命名规则能够准确地描述多晶硅片的特性，方便进行实验设计和参数分析。
最后，对于使用者和应用领域来说，统一的命名规则可以简化多晶硅片的选择和购买流程，降低了使用成本和风险。
本文将对多晶硅片的命名规则进行详细介绍和解析，并讨论其在半导体行业中的重要性和应用。
我们将首先介绍多晶硅片的定义和制备方法，然后重点关注多晶硅片命名规则的各个方面，包括命名约定和规范。
最后，我们将总结多晶硅片命名规则的要点，并展望其未来的发展方向。
通过阅读本文，读者将能够全面了解多晶硅片命名规则的重要性和运用，以及对于半导体行业的贡献和影响。
同时，本文也将为相关领域的研究和实践提供参考和指导，推动多晶硅片命名规则的进一步完善和发展。
1.2 文章结构本文将从以下几个方面来探讨多晶硅片命名规则。
首先，我们将提供对多晶硅片的定义，以确保读者对多晶硅片的概念有清晰的理解。
接着，我们将介绍多晶硅片的制备方法，包括目前常用的技术和工艺。
然后，我们将进一步深入研究多晶硅片的命名规则，详细讨论各种命名规则的应用和标准化情况。
在文章的结论部分，我们将对多晶硅片命名规则进行总结，概括各个命名规则的特点和适用范围。
多晶硅hs编码
多晶硅hs编码一、什么是多晶硅？多晶硅是一种高纯度的半导体材料，由于其良好的电学性能和光学性能，被广泛应用于太阳能电池、集成电路、光学器件等领域。
二、多晶硅HS编码是什么？HS编码是指海关商品编码，也称为关税号或税则号，是国际贸易中对商品进行分类和识别的一种标准编号系统。
多晶硅的HS编码为：2804.69.0000。
三、多晶硅HS编码的具体解释1. 第一部分“28”表示化学元素或化合物；2. 第二部分“04”表示无机化合物；3. 第三部分“69”表示其他无机化合物；4. 第四部分“0000”表示具体品项。
四、多晶硅HS编码的适用范围多晶硅HS编码适用于进口或出口多晶硅产品时进行海关申报和缴纳关税。
具体适用范围包括但不限于：1. 太阳能电池制造业；2. 集成电路制造业；3. 光学器件制造业等。
五、多晶硅HS编码与关税税率根据中国海关规定，多晶硅的HS编码为2804.69.0000，关税税率为3%。
具体税率根据不同国家和地区的贸易协定和政策可能会有所不同。
六、多晶硅HS编码的申报要求在进口或出口多晶硅产品时，需要按照海关规定进行申报。
具体申报要求包括但不限于：1. 准确填写海关单证；2. 按照HS编码进行分类申报；3. 缴纳相关关税和增值税等费用。
七、多晶硅HS编码的重要性正确使用多晶硅HS编码对于企业合法经营、避免贸易纠纷、保障消费者权益等方面都具有重要意义。
因此，在进出口业务中，企业必须严格遵守海关规定，正确使用HS编码。
八、结语通过本文的介绍，我们了解了多晶硅HS编码的含义、适用范围、申报要求等方面内容。
在实际进出口业务中，企业必须遵守相关规定，并注意相关政策变化，以确保合法经营和规避风险。
太阳能多晶硅介绍
青 春 风 采
高考总分：
692分(含20分加分) 语文131分 数学145分 英语141分 文综255分
毕业学校：北京二中 报考高校： 北京大学光华管理学 院 北京市文科状元 阳光女孩--何旋
来自北京二中，高考成绩672分，还有20 分加分。“何旋给人最深的印象就是她 的笑声，远远的就能听见她的笑声。” 班主任吴京梅说，何旋是个阳光女孩。 “她是学校的摄影记者，非常外向，如 果加上20分的加分，她的成绩应该是 692。”吴老师说，何旋考出好成绩的秘 诀是心态好。“她很自信，也很有爱心。 考试结束后，她还问我怎么给边远地区 的学校捐书”。
曹杨二中高三(14)班学生 班级职务：学习委员 高考志愿：北京 大学中文系 高考成绩：语文121分数学146分 英语146分历史134分 综合28分总分 575分 (另有附加分10 分)
上海高考文科状元--常方舟
“我对竞赛题一样发怵” 总结自己的成功经验，常方舟认为学习的高 效率是最重要因素，“高中三年，我每天晚 上都是10:30休息，这个生活习惯雷打不动。 早晨总是6:15起床，以保证八小时左右的睡 眠。平时功课再多再忙，我也不会‘开夜 车’。身体健康，体力充沛才能保证有效学 习。”高三阶段，有的同学每天学习到凌晨 两三点，这种习惯在常方舟看来反而会影响 次日的学习状态。每天课后，常方舟也不会 花太多时间做功课，常常是做完老师布置的 作业就算完。
班主任： 我觉得何旋今天取得这样的成绩， 我觉得，很重要的是，何旋是土生土长的北京 二中的学生，二中的教育理念是综合培养学生 的素质和能力。我觉得何旋，她取得今天这么 好的成绩，一个来源于她的扎实的学习上的基 础，还有一个非常重要的，我觉得特别想提的， 何旋是一个特别充满自信，充满阳光的这样一 个女孩子。在我印象当中，何旋是一个最爱笑 的，而且她的笑特别感染人的。所以我觉得她 很阳光，而且充满自信，这是她突出的这样一 个特点。所以我觉得，这是她今天取得好成绩 当中，心理素质非常好，是非常重要的。
多晶硅产品质量改善方向分析
多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是一种重要的半导体材料，用于制造太阳能电池板、集成电路等电子元器件。
由于多晶硅的制造过程相对复杂，同时产品质量对电子元器件的性能有着非常重要的影响，因此如何提高多晶硅产品的质量是制造商们关注的重点之一。
在此，我们将分析多晶硅产品质量改善方向。
1、材料纯度的提高多晶硅产品的纯度是影响其质量的一个重要指标，过高或过低的杂质含量都会影响其电学性能和光学性能，从而导致多晶硅产品的性能下降。
因此，要提高多晶硅的产品质量，首先要提高材料的纯度。
在制造过程中，需要注重杂质的去除和控制。
2、生产工艺优化多晶硅的制造过程相对较复杂，包括了多道工艺流程。
在生产过程中，需要注重工艺的科学性、可控性和稳定性，以保证产品的一致性和可靠性。
同时，通过工艺优化可以减少多晶硅制造过程中的能耗和资源消耗，对环境也具有一定的保护作用。
3、设备更新与改进多晶硅制造过程中的设备对产品质量也有着重要的影响。
随着科技的发展和制造技术的更新，新一代的多晶硅制造设备出现，可以更好地控制产品的生长过程，从而提高产品的均一性和一致性。
此外，设备也需要不断更新和改进，以满足市场需求和不断提高的制造标准。
4、质量监控和检测技术提升质量监控和检测技术在制造过程中发挥重要作用。
通过对产品的质量监控和检测，可以及时发现和解决问题，保证产品的一致性和可靠性。
因此，需要不断提升质量监控和检测技术，引入新技术和新设备，以提高生产效率和产品质量。
总之，多晶硅制造是一个很有挑战性的过程，产品质量的稳定性和一致性对制造商来说是非常重要的。
为了提高多晶硅产品质量，需要从材料纯度、生产工艺优化、设备更新与改进以及质量监控和检测技术提升等方面入手，注重细节和不断创新，使多晶硅产品在未来的市场中占据一席之地。
多晶硅产品介绍
硅元素简介硅的储量非常丰富，其储量在宇宙中排列第八位，而在地球中则是储量第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于第一位的氧（49.4%）。
由于硅氧键很稳定，在自然界中硅无自由状态，主要以SiO2及硅酸盐的形式存在。
硅的分子式为Si，原子序数为14，分子量为28.08 g/mol，熔点1410℃，沸点2355℃。
具有灰色的金属光泽，密度介于2.32 g/cm3（固相）和2.34 g/cm3（液相）之间，硬度介于锗和石英之间，室温下质脆易碎。
溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、盐酸和硝酸。
常温下不活泼，高温下能与氧、氮、硫等反应。
在熔融状态下，具有较大的化学活泼性，几乎能与所有材料作用。
硅材料具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，微量的杂质即可极大影响其导电性。
导体、半导体与绝缘体的划分如表1所示。
硅有晶态和非晶态两种同素异形体，晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外4个硅原子以共价键紧密结合。
这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。
晶态硅又可分为多晶硅和单晶硅，在熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，而如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。
非晶态硅又称为非晶硅，也称为无定形硅，其晶格结构与晶态硅不同，原子间的晶格网络呈无序排列，即并非所有的原子都与其他原子严格地按照正四面体排列。
由于这种不稳定性，非晶硅中的部分原子含有悬空键，这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响。
这里所指的多晶硅是指以纯度99%左右的工业硅为原料，经过各种物理或化学方法提纯后，使得硅纯度达到99.9999%以上的高纯硅材料。
由于提纯过程中晶格结构生长是不受控制的，所以形成晶粒尺寸仅微米级的多晶硅，后续需要再融化结晶，通过籽晶诱导或定向凝固等方式，形成单晶硅棒或多晶硅锭。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
目录第一章总论 (1)第二章市场需求预测与拟建规模 (3)第三章外部协作条件与技术方案 (4)第四章建设内容 (13)第五章职业安全和工业卫生 (13)第六章环境影响与治理措施 (14)第七章企业组织和劳动定员 (15)第八章投资估算与资金筹措 (16)第九章经济影响分析 (16)第十章社会影响分析 (19)第一章总论一、项目名称：企业新建工程建设项目二、项目建设单位及负责人：建设单位：某联合硅业有限公司扩建地址：某工业区项目负责人：技术及经济负责人：三、建设单位简介：某联合硅业有限公司属民营企业。
我公司专门从事多晶硅系列产品的研究与开发工作。
多年来企业依靠科技进步和科学管理。
产品不断升级及工艺更新，吸收国内外先进技术，不断提高的产品质量，目前产品质量已达到国内先进水平。
四、项目背景及建设的必要性多晶硅是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。
随着全球信息技术不断进步，对于半导体硅的需求量日益增加，世界半导体市场平均以每年20％以上的速度递增。
在国内及国际市场带动下，近年多晶硅需求量急剧增加，国内多晶硅是严重短缺。
2004年国内需求量1500吨，市场缺口1200吨。
全世界的总产量为24000吨，而需求量为26201吨，出现了2200吨的市场缺口。
2005年需求量达1700多吨，而国内生产能力不超过300吨，缺口量约1400吨，而同时国际市场也是供不应求，需求量达270000吨，这些情况造成了2004－2005年多晶硅产品价格的大幅度上扬，进而对其下游的太阳能光伏产业造成了较大影响。
由于各大厂商产能的释放和新增产能的形成，国际市场的多晶硅供应将会有较大幅度的增长，但与太阳能产业的旺盛需求相比，仍存在较大的缺口。
今后5-10年我国将成为世界上电子信息产品的主要生产国和主要市场，多晶硅的需求量会变的更大，国家为此将多晶硅列入当前重点鼓励发展产业。
项目达产后的市场前景本项目生产的新产品主要是多晶硅产品。
多晶硅是IT产业及太阳能光伏产业的关键性材料，随着IT产业的快速增长，以及太阳能光伏发电产业的兴起，对多晶硅需求高速增长。
目前我国60%—70%的有机硅产品依靠进口。
项目达产后，有效地抑制依靠进口的局面。
公司将形成完整的多晶硅产品生产体系，有利于节汇。
根据市场调查与分析认为，大力开发和生产多晶硅系列具有良好的发展前景，也是符合国家产业的政策的，既有很好的经济效益，又有良好的社会效益。
所以说此项目的开发与建设是可行的。
第二章市场需求预测与拟建规模一、市场前景分析本项目属于国家鼓励类项目，符合国家有关产业政策。
有机硅、有机氟及高性能无机氟化工产品生产，为国家鼓励外商投资类产业。
2006年，《产业结构调整指导目录（2005年本）》,其中第九条“金属制品业”中规定：“…..9、有机氟及高性能无机氟化工产品生产”属于“鼓励类”。
其次，本项目有利于扩大生产多晶硅，为国家创造更多的节汇和税收。
本项目主要生产多晶硅，产品主要应用于IT产业及太阳能光伏产业，产品科技含量高，附加值高，有利于为国家创造更多的节汇和税收。
第三，本项目有利于降低单位制造成本。
随着生产规模的扩大，有利于本公司原材料采购价格的进一步降低。
同时，拟引进的设备大多属国内外先进水平，有利于减少单位材料用量，在降低次品率和能耗方面，拟引进先进设备的作用尤其突出，通过生产效率和加工精度的提高，机械能耗的降低，有利于降低加工成本，降低废品损失，从而降低制造成本。
第四、本项目有利于扩大仓储能力加强销售。
除考虑供货商的产品价格、品质外，还把供货商的产品储存能力和按时交货能力作为重要的考虑因素。
随着本公司销售收入的不断增长，对仓储的压力日益增加，目前的场地已经不能满足日益增长的仓储需要，通过新建库房，将保证本公司在该方面的需要。
所以说市场销售广泛，前景非常乐观。
二、建设规模该项目征地250亩，计166500平方米，拟建厂房建筑面积116000平方米。
绿化率15%，建筑系数70%，购置相应的生产设备可形成年产多晶硅2000吨的生产能力。
第三章外部协作条件与技术方案一、外部协作条件：1、材料供应：本项目主要外购资源品种、数量见下表：根据工艺和质量要求、价格等情况，拟用国内市场就近采购。
2、节能及节水措施评价：㈠根据电力负荷分类标准，本工程属于三类负荷。
（1）负荷估算用电量：办公用房按50 w/m2计算，生产用电根据生产设备配备情况并结合企业实际用电情况，按301985000KW估算。
用电量计算表节能措施：在设备选型和安置上，要严格把关，积极选用合理用能的高效设备，在价格合理的情况下尽量采用技术先进、精品优良、结构合理、机械强度高、使用寿命长的节能设备，以有效降低产品的能耗。
每一车间安置电表，加强计量管理，真实反映生产过程中的能耗，以便进一步制订和实施节能措施。
3、运输条件：企业所处的地理位置交通发达，公路、铁路等都十分便利，所需运进的各种原、燃料和运出的产成品都能得到保障。
4、人力资源：人力资源雄厚，金华、某地区大专院校及科研单位人才济济，可为新兴的高新技术企业提供知识和技术支持。
二、建设条件：1、首先本项目属招商引资项目，已得到龙游县人民政府大力支持。
拟建厂区位于某工业经济开发区工业用地250亩，并由当地政府负责园区企业红线外基础设施配套，达到五通一平标准。
2、建设资金全部自筹，拟投资12亿元（含生产经营所需的流动资金），本着持续经营、滚动投资及能省则省原则，实行分期投资方式，建成年产多晶硅2000吨的生产规模。
三、技术方案：1、多晶硅1、多晶硅生产工艺方法：（1）硅烷法――硅烷热分解法硅烷（SiCl4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。
然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。
但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。
2、产品工艺：工艺流程：工业硅+金属镁——经过氯气——经过出馏、经馏——分解炉——多晶炉3、新增设备：新增主要国产设备估算表单位：万元第四章建设内容该项目占地面积250亩（约166500平方米）其中建地面积116000平方米生产车间103000m2门卫500m2办公楼5000m2宿舍4500m2展示厅及研究中心1000m2机房1000m2配电房1000m2第五章职业安全和工业卫生1、工业卫生①防岗位尘毒熔炼炉在熔炼过程中产生的废气和熔炼后的熔渣，经布袋式净化系统净化后，达标排放到大气中。
氯化作业区要设置吸烟罩和排气扇，及发生炉区域要有通风换气设施。
②防热辐射，防暑降温及采暖高温作业区设轴流风机，进行局部通风降温，操作室、控制室设有暖气、空调。
2、职业安全本项目严格执行国家有关职业安全和工业卫生规范，依据“安全第一，预防为主”的方针，积极采取有效措施，努力改善安全和卫生条件，做好文明生产。
工程设计时按照GBJ16-87《建筑设计防火规范》和GB50052-95《供配电系统设计规范》总图布置设备建筑物的防火间距，消防通道等符合要求，厂房及建筑物的外墙配置消防设施。
电器、配备设施选用封闭式设备，所有电器及金属设备外壳均要接地。
职工上岗前均需进行安全教育和技能培训，了解和掌握设备性能、特点和操作规程，杜绝工伤事故发生，确保安全生产和工人的身体健康。
设立专职安全生产管理机构，建立生产管理制度，定期向职工进行有关教育和考核，经常检查并完善各类安全设施，杜绝人为事故发生。
购置足够数量的劳保用品，如：口罩、手套等，供操作人员使用。
在生产区内设置安全牌，鲜明地标出“防火”、“禁止吸烟”等警告。
厂区内配置足够的消防器具，并设置消防道路和周边安全通道。
第六章环境影响与治理措施本项目设计时已严格按照下列有关规定、规范和标准执行：⑴《企业环境保护设计若干规定》⑵《某省污水及废气排放标准》1、本项目在生产过程中对环境造成影响的主要有：⑴熔炼过程中生产固体废弃物2、治理措施：⑴废水处理措施：本项目设有循环废水处理系统，对废水中含有少量粉尘和油，经沉淀池沉淀除油，冷却后循环使用，产生的排放废水已达到排放标准排放。
⑵固体弃废物：可以综合利用熔炼炉渣经破碎捡选后的氧化渣可用于填坑筑路，还原渣可供水泥厂作水泥原料加以利用。
第七章企业组织和劳动定员1.组织结构图（见下页）组织结构图第八章投资估算与资金筹措1．本估算根据主体车间设备、公用施工设备、厂房、环保等设施报估价汇总编制，第一期项目总投资6亿元（其中设备等投资4.5亿元）。
2．本工程基本投资构成及设备：单位：万元二、资金筹措经测算该项目总投资60000万元（含生产经营用流动资金）。
均由企业自行筹集。
第九章经济影响分析1、国民经济评价采用的社会折现率10%，汇率按人民银行挂牌汇率计算。
2、本项目属于竞争性项目，投入和产出货物的价格取决于市场价格，所以财务评价的价格为市场价。
3、国民经济评价不仅要考核直接经济效益和直接费用，同时还需考虑间接效益和间接费用。
间接效益主要包括：a)快项目建设，更好地满足市场的需求。
⑵该项目投入，为某工业经济开发区的发展起到一定的作用，同时也繁荣了区域经济。
⑶解决部分富余劳动力，扩大社会就业面。
4、经济效益测算表5、经济指标投资回收期（含建设期）1年年销售收入600000 万元净利润344692.5 万元上交税金146457.5 万元6、敏感性分析：在设备投资、产品售价、主要原材料价格、生产负荷等不确定因素变化的情况下，分别对项目内部收益率进行敏感性分析。
敏感性分析表由敏感性分析结果表明，行业内部收益率为12%，项目内部收益率为24%，均高于社会折现率10%的要求。
此外还有许多未及量化的间接效益。
敏感性分析表明项目有较强的抗风险能力。
纵上所述，从项目对国民经济产生的直接效益和间接效益看，不仅直接效益能满足社会折现率的要求，还有较好的间接效益，因此说本项目具有经济合理性，是可行的。
（2）社会影响分析1、该技改项目的投入，加快企业产品结构的调整，完善企业技术创新体系，提高技术装备水平，促使产品质量全面提升。
进一步满足市场需求，扩大就业面与提高劳动生产率。
因此产生良好的社会影响与社会效益。
2、该技改项目的投入，能逐步与之形成铸造、机加工、电镀、装配、专业市场、产品营销等较为完整的产业链。
以产业联系为纽带，将与地方经济紧紧地连接在一起，形成稳定的产业集群。
按照产业链的形成规律，更好地推动主导产业及相关产业聚集发展，创造产业配套的综合优势。
3、该技改项目的投入，主要存在市场需求量、原材料价格、市场竞争力、外协配套、生产能力等因素。