【精品】第八讲:麦克斯韦方程组、电磁场的边界条件
电磁场的边界条件
将⑧代入⑨,得: sin 2 cos 1 sin 1 cos 2 sin(1 2 ) rs sin 2 cos 1 sin 1 cos 2 sin(1 2 )
2n1 cos 1 ts n1 cos 1 n2 cos 2
对绝大多数物质, 1 2
所以得到方程:
E1 y z E1' y z E2 y z
z 0
⑥
代入边界条件,可得:
k1 cos 1 A1s k1' cos 1' A1' s k2 cos 2 A2 s
k1 k1' 整理得: cos 1 A1s cos 1' A1' s cos 2 A2 s k2 k2' k1 sin 2 将 代入上式,得: k2 sin 1
AB BC CD DA
针对麦克斯韦 方程组积分形 式的第三个与 第四个方程, 建立如左图模 型,积分可得
E2t CD ( E2 n DF E1n FA) 0
E1t E2t 同理可得 H1t =H 2t
电磁场边界条件
(1)电场强度E 在分界面上的平行分量连续。
从右图可以看出, 对于s光:
Ex 0 E y ES Ez 0
根据几何关系,可知:
k x k sin 1 , k y 0, k z k cos 1
对于单色平面光波: E0 e E
i[t ( k x x k y y k z z )]
将上面的结论带 i[1t ( k sin 1 x k cos1 z )] E E0 e 入方程可得: 对于s光,可以分解为:
i ( k2 sin 2 x )
恒定磁场边界条件公式
恒定磁场边界条件公式恒定磁场是指在时间上不发生变化的磁场。
磁场边界条件是指在不同材料的边界上,磁场强度和磁感应强度需要满足一定的关系。
根据麦克斯韦方程组和电磁感应原理,可以得到恒定磁场的边界条件公式。
在这篇文章中,我将详细介绍恒定磁场边界条件公式。
恒定磁场的边界条件公式主要包括两个方面:磁场强度的切向分量和法向分量在两边界上的关系。
首先,考虑磁场强度的切向分量在两个边界上的关系。
设在两个材料之间有一个边界,其中材料1的磁场强度为H1,角标1代表材料1;材料2的磁场强度为H2,角标2代表材料2根据电磁感应原理,磁场强度的切向分量在两个边界上需要满足以下条件:1. 磁场强度的切向分量在边界上连续。
即H1t = H2t,其中H1t和H2t分别代表磁场强度的切向分量,t代表tangential(切向)。
2. 在无自由电荷和电流的区域,磁场强度的切向分量在任意闭合回路上的线积分为零。
即∮Ht·dl = 0,其中∮代表线积分,Ht代表磁场强度的切向分量,dl代表回路上的微小位移元素。
其次,考虑磁感应强度的法向分量在两个边界上的关系。
设在两个材料之间有一个边界,其中材料1的磁感应强度为B1,角标1代表材料1;材料2的磁感应强度为B2,角标2代表材料2根据麦克斯韦方程组和电磁感应原理,磁感应强度的法向分量在两个边界上需要满足以下条件:1. 磁感应强度的法向分量在边界上连续。
即B1n = B2n,其中B1n和B2n分别代表磁感应强度的法向分量,n代表normal(法向)。
2.在无自由电荷和电流的区域,磁感应强度的法向分量在任意闭合回路上的线积分为零。
即∮Bn·dA=0,其中∮代表面积分,Bn代表磁感应强度的法向分量,dA代表回路投影在平面上的微小面积元素。
综上所述,恒定磁场的边界条件公式可以总结为以下四个方程:1.H1t=H2t2. ∮Ht·dl = 03.B1n=B2n4.∮Bn·dA=0这四个公式是根据电磁感应原理和麦克斯韦方程组推导出来的,可以用来描述恒定磁场在边界上的行为,并应用于不同材料的接触面。
(完整版)电磁场的边界条件
电磁场的边界条件姓名:学号:专业:班级:提交日期:桑薇薇0990*******通信工程电工 1401 2016.5.28成绩:电磁场的边界条件1.引言2.边界条件分类3.边界条件的作用4.结束语5.参考文献1. 引言在两种不同媒质的分界面上,场矢量E,D,B,H 各自满足的关系,称为电磁场的边界条件。
在实际的电磁场问题中, 总会遇到两种不同媒质的分界面 (例如: 空气与玻璃的分界面、导体与空气的分界面等) ,边界条件在处理电磁场问题中占据十分重要的地位。
2. 边界条件分类1、电场法向分量的边界条件如图 3.9 所示的两种媒质的分界面, 第一种媒质的介电常数、磁导率和电导率分别为1,1和1,第二种媒质的介电常数、磁导率和电导率分别为2,2和 2 。
在这两种媒质分界面上取一个小的柱形闭合面,图 3.9 电场法向分量的边界条件如图 3.9 所示,其高h 为无限小量,上下底面与分界面平行,并分别在分界面两侧, 且底面积 S 非常小,可以认为在 S 上的电位vv v移矢量 D和面电荷密度S是均匀的。
n 1 n 2分别为上下底面的外法线单位矢量, , 在柱形闭合面上应用电场的高斯定律? v vv v S v vSSD gdS n 1 gD 1 n 2 gD 2 SS故v v v vn 1gD 1 n 2 gD 2S(3.48a)vv vvv若规定 n 为从媒质Ⅱ指向媒质Ⅰ为正方向,则 n 1 n ,n2n,式 (3.48a) 可写为v vvng(D 1D 2 )S(3.48b)或D1nD2nS(3.48c)式 (3.48 ) 称为电场法向分量的边界条件。
vvv 因为 DE ,所以式 (3.48) 可以用 E 的法向分量表示v v v v1n 1gE 12 n 2 gE 2S(3.49a)或1E 1n2 E 2nS(3.49b)若两种媒质均为理想介质时, 除非特意放置, 一般在分界面上不存在自由面电荷,即S,所以电场法向分量的边界条件变为D1nD2n(3.50a)或1E1n 2E2 n(3.50b)若媒质Ⅰ为理想介质,媒质Ⅱ为理想导体时, 导体内部电场为零,即E2,D2,在导体表面存在自由面电荷密度,则式(3.48) 变为v vn 1 gD 1 D 1nS(3.51a)或1E1ns(3.51b)2 、电场切向分量的边界条件在两种媒质分界面上取一小的矩形闭合回路 abcd ,如图 3.10 所示,该回路短边 h 为无限小量,其两个长边为l ,且平行于分界面,并分别在分界面两侧。
maxwell对称边界条件
maxwell对称边界条件
摘要:
1.麦克斯韦方程的边界条件
2.对称边界条件的概念
3.对称边界条件的应用
4.对称边界条件的例子
5.总结
正文:
一、麦克斯韦方程的边界条件
麦克斯韦方程是描述电磁场在空间中演化的基本方程,包括电场、磁场和电磁场能量守恒等方面。
在求解麦克斯韦方程时,我们需要考虑边界条件,即电磁场在边界上的行为。
边界条件对于求解电磁场问题至关重要,因为它们可以影响到电磁场的稳定性和解的唯一性。
二、对称边界条件的概念
对称边界条件是指在边界上,电磁场的某些物理量(如电场强度、磁场强度等)满足某种对称性。
这种对称性可以是关于时间、空间或某些物理量的旋转、镜像等。
对称边界条件是一种非常常见的边界条件,它在许多实际问题中都有重要的应用。
三、对称边界条件的应用
对称边界条件可以用于求解许多实际问题,如电磁波在媒质中的传播、天线辐射等问题。
在这些问题中,我们可以根据对称边界条件来确定电磁场的边
界行为,从而得到电磁场的解。
对称边界条件还可以用于判断电磁场解的稳定性,从而保证电磁场在边界上的行为是合理的。
四、对称边界条件的例子
一个典型的对称边界条件例子是电磁波在球坐标系中的传播问题。
在这个问题中,我们可以根据时间对称性和空间对称性来确定电磁波在球坐标系中的边界行为。
具体来说,我们可以假设电磁波的电场强度和磁场强度分别关于时间t 和径向坐标r 对称,从而得到对称边界条件。
五、总结
对称边界条件是麦克斯韦方程中一种非常重要的边界条件。
它可以用于求解许多实际问题,如电磁波在媒质中的传播、天线辐射等问题。
电磁场电磁场的媒质边界条件
ars
nr S S
环路围面法向
3 电场强度的关系
rr r nnErrr 2EElrrr 22aErrnrs1
rr
l 0,l
nr r
r E1
r as
nr
r as
0
rE1 0
n E2 n E1 0 E2t E1t
两种媒质界面处电场强度的切向分量相等 (无条件连续)
4 电通密度的关系
以理想导体为边界的区域中,空间电磁场 可以看成是源电荷、电流激发场与导体表面 感应电荷,电流激发场(散射场)的叠加。 在一定条件下,散射场可以等效为位于导体 区域内等效像电荷、电流激发的场,等效像 电荷、电流的分布决定于导体的边界条件。 这种通过寻找像电荷电流求解空间区域电磁 场分布的方法称为镜像法。
l r
Hr2
H1 l
r as
r
nr
Jrl ,
rH1
l
r
ars
as
r Jl
n
r as
n H2 n H1 Jl
H2t H1t J l
在两种媒质界面处,磁场强度的切向分量是 有条件连续的。
4 磁通密度的关系
nr
rr B2 B1
0 Bn2 Bn1 0
在两种媒质的界面处,磁通密度矢量的法向分量 无条件连续。
T? ? 1 f
3 理想导体内部的电磁场
• 理想导体内部不存在电场,只要电场不为 零,在电场的作用下就会有自由电荷分布, 另外导体内的电流密度会成为无穷大,这是 不符合物理的。
• 由麦克斯韦第二方程可得理想导体中的时变 磁场也必为零。
r E
0,
r B
0,
r
Bt
r B
麦克斯韦方程组媒质的电磁特性——本构关系边界条件电磁
He Em
、
rx
Il ®
r I ml
、 0 0
Ee
j 0 Il sin e jkr 4 r
He
j 0Il 4 rZ0
sin e jkr
Em
j
Z00I ml 4 r
sin e jkr
Hm
j 0I ml 4 r
sin e jkr
③ 小电流环 IS 的辐射场
Ee
0kIS 4 r
sin e jkr
L
时谐场:
D B
( (
j1 22 L )E ()E j1 22 L )H ()H
其中: () () j () —— 复介电常数
() () j() —— 复磁导率
★ 非线性媒质
D f1(E ) 、 B f2 (H )
★ 各向异性媒质
E 和 D、 和H方向不B一致,此时
象, 、 、 、 之间存在一定的关系;
B DE
② 数学意义:麦克斯韦方程组含有7个独立的(标量)方程, 场矢量有12个分量,方程组时非限定的,没有确 定的解。
媒质的电磁特性与构成媒质的材料的物理性质有关。
极化: D 0 E P , P —— 极化强度矢量;
磁化: B 0 (H M ) , M —— 磁化强度矢量。
电流元I l
z
er
He
θr
Ee
Il y
x
对偶
z
er
Em
θr
Hm
Iml
y
x 磁流元I ml
等效 等效
小磁流环I mS
z
er
Hm
θr
Em
y ImS
x
对偶
z He er Ee
讲8边界条件03
S
E1t E2t
en (H1 H2 ) J S
en ( D1 D2 ) s
B dS=0
S
en ( B1 B2 ) 0
时变场的唯一性定理确定,求解时变场时,只需要边界上
Et或Ht
H0 H H 0
磁体
能够屏蔽静电场、时变场的介质并不能屏蔽静磁场。 防辐射的衣服也仅对某些频段具有屏蔽作用。
电磁辐射对人体的伤害与:频率、强度、照射时间有 关系。即便是静电场、恒磁场,强度足够高,时间足够长都 对人体有害。
X射线、胸透、CT、核磁共振都对人体有害,不宜频繁 照射。
BH 0
E1t E2t en (H1 H2 ) J S
Et 0 en H J S
Bn 0 en D s
E1 1 , 1 , 1
2 , 2 , 2
H1
B1n B2 n
en ( D1 D2 ) s
在两种介质的交界面上, 磁场强度的切向分量连续(无面电流的原因);
磁感应强度的法向分量连续,切向分量连续。
★两种介质交界面上的电场(磁场)是否连续?
★为什
★为什么边界条件由积分方程推导而不是微分方程?
因为场在边界上不连续,场的散度、旋度不存在。 通过积分方程求解不需要利用边界条件,边界条件自 然满足。所以在静电场用高斯定理求解、恒磁场用安 培环路定理求解不需要考虑边界条件。
特殊情况下的边界条件:
1.理想介质与理想介质分界面的边界条件 J S S 0
E1t E2t
en (H1 H2 ) J S
电磁场的边界条件
1)麦克斯韦方程组可以应用于任何连续的介质内部。
2)在两种介质界面上,介质性质有突变,电磁场也会突变。
3)分界面两边按照某种规律突变,称这种突变关系为电磁场的边值关系或边界条件。
4)推导边界条件的依据是麦克斯韦方程组的积分形式。
一、边界条件的一般形式 1、B 的边界条件:2、D 的边界条件结论:电位移矢量 在不同媒质分界面两侧的法向分量不连续,其差值等于分界面上自由电荷面密度。
3. H 的边界条件h∆→n-2B11220B dS B dS ⇒⋅+⋅=120B n B n ⇒⋅-⋅=210lim S h D H l H l J sl t→∂⇒⋅-⋅=⋅-⋅∂2t t SH H J⇒-=12()S n H H J⇒⨯-=21,S H l H l J s l n s⇒⋅-⋅=⋅=⨯()C sD H dl J dSt∂=+∂⎰⎰μ1μ2Hn1Hh →ls12()S n H H J⨯-=12()D D n σ-⋅=⇒2εε2D 1D n S∆n-n12n n D D σ⇔-=0S B dS ⋅=⎰12()0n B B ⋅-=21n nB B⇒=SD dS q =⋅⎰⇒⇒式中: S J 为介质分界面上的自由电流面密度。
结论:磁场强度 D 在不同媒质分界面两侧的切向分量不连续,其差值等于分界面上的电流面密度S J4.E 的边界条件结论:电场强度E 在不同每只分界面两侧的切向分量连续。
二、理想介质是指电导率为零的媒质,0=γ2)在理想介质内部和表面上,不存在自由电荷和自由电流。
结论:在理想介质分界面上,E 、H 矢量切向连续; 在理想介质分界面上,B 、D 矢量法向连续。
三、理想导体表面上的边界条件1)理想介质是指电导率为无穷大的导体,12t t E E⇒=12()0n E E ⇒⨯-= 2ε1ε2En1E2θl sl S BE dl d St∂⋅=-⋅∂⎰⎰12()0n E E ⨯-=⇒12t t EE=0s J =0ρ=12t t H H =⇒12n n D D=12()0n D D ⋅-=⇒12()0n B B ⋅-=12n n B B=⇒12()0n H H ⨯-=2)电场强度和磁感应强度均为零。
电磁场三类边界条件
电磁场三类边界条件电磁场三类边界条件电磁场的边界条件是指在介质边界处,电场和磁场的变化情况。
根据边界条件的不同,可以将其分为三类:第一类边界条件、第二类边界条件和第三类边界条件。
下面将详细介绍这三类边界条件。
一、第一类边界条件第一类边界条件也称为零法向电场和零切向磁场边界条件。
它是指在介质表面上,法向于表面的电场强度和切向于表面的磁感应强度均为零。
1. 零法向电场在介质表面上,由于介质内部和外部存在不同的电荷分布情况,因此会产生一个法向于表面方向的电场。
而当这个电场穿过介质表面时,就会发生反射和折射现象。
为了描述这种现象,我们需要引入一个重要的物理量——法向于表面方向上的电通量密度。
根据高斯定理可知,在任意一个闭合曲面内部,通过该曲面的总电通量等于该曲面所包围空间内部所有自由电荷之代数和。
因此,在介质表面附近,我们可以将其看作一个微小的闭合曲面。
则在该曲面上的电通量密度可以表示为:$$\vec{D_1}\cdot\vec{n}=\rho_s$$其中,$\vec{D_1}$表示介质1内部的电位移矢量,$\vec{n}$表示介质表面法向矢量,$\rho_s$表示表面自由电荷密度。
当我们将这个式子应用于介质表面时,可以得到:$$D_{1n}=\rho_s$$其中,$D_{1n}$表示介质1内部法向于表面方向上的电场强度。
由于介质表面上不存在自由电荷,因此$\rho_s=0$。
因此,在第一类边界条件下,法向于介质表面方向上的电场强度为零。
2. 零切向磁场在介质表面上,由于介质内部和外部存在不同的磁场分布情况,因此会产生一个切向于表面方向的磁感应强度。
而当这个磁场穿过介质表面时,就会发生反射和折射现象。
为了描述这种现象,我们需要引入一个重要的物理量——切向于表面方向上的磁通量密度。
根据安培环路定理可知,在任意一个闭合回路上,通过该回路的总磁通量等于该回路所包围空间内部所有电流之代数和。
因此,在介质表面附近,我们可以将其看作一个微小的闭合回路。
电磁场三类边界条件
电磁场三类边界条件介绍在电磁学中,边界条件是解决电磁场问题时的重要问题之一。
电磁场三类边界条件指的是麦克斯韦方程组在不同介质之间的边界上的满足条件。
这些条件在电磁场问题的求解中起到了关键的作用。
在本文中,我们将详细探讨电磁场三类边界条件的定义和应用。
一、第一类边界条件第一类边界条件也称为电磁场的法向边界条件。
其主要定义了电场和磁场在边界上的法向分量之间的关系。
具体表达如下:1.在介质边界上,电场的法向分量E n1和E n2满足:E n1=E n2;2.在介质边界上,磁场的法向分量H n1和H n2满足:H n1=H n2。
第一类边界条件体现了介质边界上的电场和磁场的连续性。
二、第二类边界条件第二类边界条件也称为电磁场的切向边界条件。
其主要定义了电场和磁场在边界上的切向分量之间的关系。
具体表达如下:1.在介质边界上,电场的切向分量E t1和E t2满足:E t1ϵ1=E t2ϵ2;2.在介质边界上,磁场的切向分量H t1和H t2满足:H t1μ1=H t2μ2。
其中,ϵ1和ϵ2分别为两个介质的介电常数,μ1和μ2分别为两个介质的磁导率。
第二类边界条件体现了介质边界上的电场和磁场的连续性和切向分量之间的比例关系。
三、第三类边界条件第三类边界条件也称为电磁场的混合边界条件。
其主要定义了电场和磁场在边界上的法向分量和切向分量之间的关系。
具体表达如下:1.在介质边界上,电场的法向分量E n1和E n2满足:E n1=E n2;2.在介质边界上,磁场的法向分量H n1和H n2满足:H n1=H n2;3.在介质边界上,电场的切向分量E t1和E t2满足:E t1ϵ1=E t2ϵ2;4.在介质边界上,磁场的切向分量H t1和H t2满足:H t1μ1=H t2μ2。
第三类边界条件综合了第一类和第二类边界条件,体现了介质边界上的电场和磁场的连续性以及法向分量和切向分量之间的比例关系。
四、应用举例电磁场三类边界条件在电磁学中的应用非常广泛,下面我们以几个实际问题为例,说明其应用方法:例一:平行板电容器考虑一对平行金属板构成的电容器,两板之间填充了介电常数为ϵ的均匀介质。
简要描述麦克斯韦方程组及其边界条件的物理含义
简要描述麦克斯韦方程组及其边界条件的物理含义摘要:一、麦克斯韦方程组的简介1.麦克斯韦方程组的来源2.麦克斯韦方程组的基本组成二、麦克斯韦方程组的物理含义1.高斯定律的微观解释2.电场强度与电势关系3.电荷分布与电场线的关系三、边界条件的物理含义1.边界条件的作用2.不同边界条件下的电场分布特点四、麦克斯韦方程组在实际应用中的例子1.电磁波的传播2.电磁感应现象正文:麦克斯韦方程组是电磁学的基本方程组,由英国物理学家詹姆斯·克拉克·麦克斯韦在19世纪提出。
它由四个方程组成,包括高斯定律、高斯定理、电场强度与电势关系以及电流密度与电荷密度之间的关系。
这四个方程描述了电场、磁场和电磁波在空间中的分布和变化规律。
麦克斯韦方程组的物理含义可以从以下几个方面进行理解:1.高斯定律的微观解释:高斯定律是麦克斯韦方程组中的一个方程,它描述了电场线与电荷分布的关系。
在微观层面上,这个方程说明了电场线是电荷粒子的轨迹,电场线越密集,表示电场强度越大。
2.电场强度与电势关系:麦克斯韦方程组中的另一个方程描述了电场强度与电势之间的关系。
电场强度是电势的负梯度,这意味着电场线是电势降低最快的方向。
这一关系有助于我们理解电磁场的传播和变化规律。
3.电荷分布与电场线的关系:在麦克斯韦方程组中,电荷分布与电场线的关系也得到了描述。
根据高斯定律,我们知道电场线总是从电荷密度高的地方指向电荷密度低的地方。
这有助于我们分析和预测电场的分布情况。
在实际应用中,麦克斯韦方程组起着重要作用。
例如,在电磁波的传播过程中,麦克斯韦方程组描述了电场和磁场的相互作用。
又如电磁感应现象,当磁场发生变化时,会在周围产生电场,从而产生电流。
这些现象都可以通过麦克斯韦方程组进行解释和预测。
边界条件在麦克斯韦方程组中也有着重要地位。
它描述了电磁场在物体表面上的分布情况。
不同的边界条件会导致电场分布的不同特点,这对于分析和解决实际问题具有重要意义。
麦克斯韦方程及其边界条件的物理含义
麦克斯韦方程及其边界条件的物理含义
麦克斯韦方程是描述电磁学中电场和磁场的演化规律的一组方程。
它们由苏格兰物理学家詹姆斯·克拉克·麦克斯韦在19世纪提出,并成为电磁学的基石。
麦克斯韦方程和边界条件的物理含义如下:
1. 麦克斯韦第一方程(高斯定律):它表明电荷的电场发散率与电荷密度成正比,描述了电场如何与电荷分布相互作用。
2. 麦克斯韦第二方程(法拉第电磁感应定律):它表明变化的磁场会产生感应电场,描述了磁场如何随时间变化而影响电场。
3. 麦克斯韦第三方程(安培环路定律):它表明磁场的环流率与电流和变化的电场成正比,描述了电场如何随电流和电荷的变化而影响磁场。
4. 麦克斯韦第四方程(法拉第电磁感应定律的积分形式):它表明闭合曲面内的磁通量的变化率等于该曲面内包围的电流。
边界条件是麦克斯韦方程在介质交界面上的成立条件,它们包括:
1. 界面上的法向电场连续性:它要求电场在介质交界面上连续,即电场的分量在界面上相等。
2. 界面上的切向电场连续性:它要求电场的切向分量在介质交界面上连续,即电场的切向分量在界面上没有跳跃。
3. 界面上的法向磁场连续性:它要求磁场在介质交界面上连续,即磁场的分量在界面上相等。
4. 界面上的切向磁场连续性:它要求磁场的切向分量在介质交界面上连续,即磁场的切向分量在界面上没有跳跃。
这些边界条件描述了电磁场如何在介质交界面上传播和反射,是分析和求解麦克斯韦方程的重要工具。
麦克斯韦方程及其边界条件的物理含义
麦克斯韦方程及其边界条件的物理含义摘要:一、麦克斯韦方程概述1.麦克斯韦方程的来源2.麦克斯韦方程的组成二、麦克斯韦方程各式的物理含义1.高斯定律的电场表达式2.电场强度与电荷分布的关系3.电场线的性质三、边界条件的物理意义1.边界条件的作用2.边界条件与物理现象的联系四、麦克斯韦方程在实际应用中的体现1.电磁场问题的求解2.电磁波的传播与反射3.现代通信技术中的应用正文:一、麦克斯韦方程概述麦克斯韦方程是描述电磁场在时空中演化的四个基本方程,由英国物理学家詹姆斯·克拉克·麦克斯韦在19世纪中叶提出。
这四个方程分别是高斯定律、高斯磁定律、安培环路定律和麦克斯韦添加项。
它们构成了电磁场理论的核心,为现代物理学和工程学的发展奠定了基础。
二、麦克斯韦方程各式的物理含义1.高斯定律的电场表达式:表示电场线的发散度与通过曲面的电荷量之间的关系。
在无电荷区域内,电场线的发散度为零,表示电场强度为零。
2.电场强度与电荷分布的关系:电场强度是电荷产生的电场在某一位置的物理量,反映了电场对单位正电荷的作用力。
电场线是表示电场强度方向的曲线,疏密程度反映了电场强度的相对大小。
3.电场线的性质:电场线从正电荷出发,终止于负电荷,或从高电势到低电势。
电场线不会相交,因为在相交处会出现两个方向的电场。
三、边界条件的物理意义1.边界条件的作用:在求解电磁场问题时,边界条件起到了限制和确定解的作用。
边界条件反映了物理现象在边界处的特性,如电荷分布、介质性质等。
2.边界条件与物理现象的联系:通过边界条件,我们可以得到电磁场在边界处的值,从而进一步分析物理现象的发生、传播和反射等过程。
四、麦克斯韦方程在实际应用中的体现1.电磁场问题的求解:利用麦克斯韦方程,我们可以求解电磁场在空间某一区域的分布规律,为电磁场问题的分析和解决提供理论依据。
2.电磁波的传播与反射:麦克斯韦方程描述了电磁波在介质中的传播特性,如速度、衰减等,并可用于分析电磁波在界面处的反射和折射现象。
麦克斯韦方程组边界条件
麦克斯韦方程组边界条件1. 引言嘿,大家好!今天咱们聊聊一个有点儿“高大上”的话题——麦克斯韦方程组的边界条件。
听起来复杂,其实就像一碗简单的汤,只要你知道调料在哪,煮起来也不麻烦。
先别担心,咱们会把这些枯燥的公式讲得轻松有趣,像是在和朋友喝茶聊天一样。
准备好了吗?那咱们就开始吧!2. 麦克斯韦方程组概述2.1 什么是麦克斯韦方程组?首先,麦克斯韦方程组就像是电磁学的“圣经”,是由大名鼎鼎的詹姆斯·克拉克·麦克斯韦在19世纪提出的。
这些方程把电和磁结合在一起,像是一对密不可分的好基友,让我们明白光是怎么工作的。
想象一下,如果没有这些方程,咱们可能还在黑暗中摸索,手机也根本不能用,真是想想都让人发冷啊!2.2 边界条件的重要性那么,边界条件又是个啥呢?简单来说,边界条件就像是给这群方程加了一道安全锁,告诉它们在什么情况下该怎么“表现”。
就像你在家里有规矩,不能随便乱闯,电磁场在不同环境中也得遵守一定的规则。
没有边界条件,这些方程就像一盘散沙,根本无法发挥它们的威力,简直是浪费资源!3. 边界条件的类型3.1 电场和磁场的边界条件现在,我们来聊聊具体的边界条件吧。
电场和磁场就像是情侣,有些条件需要满足才能和谐相处。
比如,当电场遇到导体时,电场的强度在导体表面会突然变为零,这就像是女朋友给你个“面子”,不让你在外面丢脸。
而磁场在导体表面会有一个特定的关系,保证它不会随便干涉电场的工作。
总之,这种“边界”的设定,既有规矩又有温情。
3.2 自由空间和介质的边界条件再来说说自由空间和介质的边界条件。
想象一下,自由空间就像是一片广阔的海洋,而介质则是海洋中的小岛。
电磁波在海洋里自由自在,而一旦碰到小岛,就得开始遵守岛上的规则。
电场和磁场在不同介质中的传播速度和强度都有所不同,这就像是你在海上游泳和在岸上走路,感觉可是大相径庭!在这条“海”上,咱们得谨慎行驶,才能保证电磁波的顺利传播。
4. 总结好啦,今天的麦克斯韦方程组边界条件就聊到这里。
麦克斯韦方程和边界条件
E
eyE 0
s in
d
z
c
o
s
t
kxx
求:(1)H; (2)导体表面的电流密度Js和面电荷密度
解:1)
H
由 E 0 t
ex ey ez
E E
H
ex
ez
0
x y z
z
x
t
0 Ey 0
1
H 0 E0[ex
cos( z)cos(t kxx)dtez
dd
kx sin( z)sin(t kxx)dt]
• 静态场是时变场的特殊形式
2
电荷守恒定律
J t
dq
S J
dS dt
习惯上把上述四个方程依次称为麦克 斯韦第一、 二、 三、 四方程。方程 式 表明:
1. 时变电场是有旋有散的,因此电力线可 以是闭合的, 也可以是不闭合的。
2. 而时变磁场则无散有旋,因此磁力线总 是闭合的。
3. 闭合的电力线和磁力线相交链,不闭合 的电力线从正电荷出发,终止于负电荷 。而闭合的磁力线要么与电流相交链, 要么与电力线相交链。
E exE0 cos(t z)
其中E0、β为常数,求H。
解:所谓无源,就是所研究区域内没有场源电流和电荷,即
J=0, ρ=0。
ex ey ez
H
E
x y z
t
Ex 0 0
9
ey E0 sint z 0 (exH x ey H y ezH z )
t
由上式可以写出:
H x 0, H z 0
(2)在理想介质(σ= 0 )内部的电磁场不为 零,分界面上 Js为零,ρs也为零。
13
例1 带电 Q 的均匀带电导体球外有一同心的均匀电介质
时变电磁场的边界条件
S
n D1 S
n n
H E
J 0
S
n B 0
Ht JS
或
Et Bn
0 0
n D S
Dn S
结论:电力线垂直于理想导体表面,磁力线平行于理想
导体表面
注意:理想介质和理想导体只是理论上存在,在实际应
用中,某些媒质导电率极小或极大,则可视作理想介质 或理想导体进行处理
时变电磁场的边界条件
时变电磁场的边界条件
• 麦克斯韦方程组可应用于任何连续的介质内部
• 在两种介质分界面上,介质性质有突变,电磁场将 发生突变
• 电磁场的边界条件:分界面两边电磁场突变所遵循 的规律,称为电磁场的边界条件
• 推导边界条件的依据:麦克斯韦方程组积分形式
法向分量的推导
切向分量的推导
S B dS 0 S D dS V dV
l
H
dl
S
J
D t
dS
l
E dl
S
B dS t
☆ 法向边界条件 一、 一般情况
◆ 磁感应强度的法向分量
S B dS 0
B1 dS1 B2 dS2 0 B1 n B2 n 0 B1n B2n
结论:磁感应强度在分界面两侧法向分量连续
S
t
y
H
0
sin
ax
cos(
t
ay
)
aH
0
sin
ax
sin(
t
电磁场的边界条件
§8
利用两种电介质分界面上电场强度的切向分量连续的边界条件
E1 (0, t ) E2 (0, t )
得到
A 80 V/m
(2)由 E1 1 H1 ,有 t
H1 1 1 E1x E1 ey t 1 1 z 1 ey [300sin(15 108 t 5 z ) 100sin(15 108 t 5 z )] 0
x
E0 π π π [ex cos( z ) cos(t k x x) ez k x sin( z )sin(t k x x)] 0 d d d
§8
将上式对时间 t 积分,得 z H (x, z,t ) H (x, z,t ) dt t y en πE0 π ex cos( z ) sin(t k x x) O 0 d d
H 2 ( z, t ) ey
(3)z = 0 时
H1 (0, t ) ey ey
4 30
2 [2 107 cos(15 108 t ) 107 cos(15 108 t )] 0 3 4 30 107 cos(15 108 t ) A/m
1
H 2 (0, t ) ey
§8
§08
电磁场的边界条件
§8
2.7 电磁场的边界条件 • 什么是电磁场的边界条件?
媒质1
en
• 实际电磁场问题都是在一定的物理空 为什么要研究边界条件?
间内发生的,该空间中可能是由多种不同 物理:由于在分界面两侧介质的特性参 媒质组成的。边界条件就是不同媒质的分 • 如何讨论边界条件 ? 数发生突变,场在界面两侧也发 数学:麦克斯韦方程组是微分方程组,其 界面上的电磁场矢量满足的关系,是在不 生突变。麦克斯韦方程组的微分 解是不确定的,边界条件起定解的 麦克斯韦方程组的积分形式在不同媒 同媒质分界面上电磁场的基本属性。 形式在分界面两侧失去意义,必 作用。 质的分界面上仍然适用,由此可导出电磁 须采用边界条件。 场矢量在不同媒质分界面上的边界条件。
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第八讲:麦克斯韦方程组、电磁场的边界条件2.6麦克斯韦方程组2.7电磁场的边值关系1、了解麦克斯韦方程组的建立过程,掌握它的基本性质;2、了解边界上场不连续的原因,能导出电磁场的边值关系;3、掌握电磁场方程微分形式和边界形式的联系与区别。
重点:1)麦克斯韦方程组的基本性质;2)电磁场的边值关系 难点:电磁场切向边值关系的推导 讲授法、讨论 2学时2.6麦克斯韦方程组(Maxwell ’sEquations )一、麦克斯韦方程1865年发表了关于电磁场的第三篇论文:《电磁场的动力学理论》,在这篇论文中,麦克斯韦提出了电磁场的普遍方程组,共20个方程,包括20个变量。
直到1890 年,赫兹才给出简化的对称形式:00001(1)(2)0(3)(4)BE E tE B B J tρεμμε⎧∂∇⋅=∇⨯=-⎪∂⎪⎨∂⎪∇⋅=∇⨯=+⎪∂⎩实验定律3、法拉第电磁感应定律4、电荷守恒定律12314dq dq dF RR πε=S D dS q ⋅=⎰0l E dl ⋅=⎰34JdV R dB R μπ⨯=0SB dS ⋅=⎰()0=⋅∇B CH dl I ⋅=⎰()JH =⨯∇tB E ∂∂-=⨯∇ 0=∂∂+⋅∇tJ ρ 0J ∇⋅≡对矛盾的解决麦克斯韦理论稳恒况缓变情况2、毕奥-沙伐尔定律1、库仑定律()/ερ=⋅∇E()=⨯∇E t S d B dt d S ∂⎰⋅∂-=Φ-= ε0S QJ dS t ∂⋅+=∂⎰→上式即为真空中的麦克斯韦方程组,其中(2)(4)含有对时间的偏导数,对应 运动方程,(1)(3)为约束方程。
二、麦克斯韦方程组的基本性质 1、线性性麦克斯韦方程组是一组线性方程,表明场服从迭加原理。
2、自洽性方程组各个方程彼此协调,且与电荷守恒定律协调。
如(2)式和(3)式一致:由(2)式有:()0=∂⋅∂∇-=⨯∇⋅∇tBE⇒C B =⋅∇ ,考虑到静磁时0=⋅∇B,所以取0=C 。
又如(1)式和(4)式是一致的,且联立(1)(4)可以得到电荷守恒定律。
3、独立性即麦克斯韦方程组中任一方程,都不可能由其余的方程推导出来。
4、对称性(只作简单介绍)无源区(自由场):0,0==ρJ,麦克斯韦方程可以写为:000(1)(2)0(3)(4)BE E t E B B tμε⎧∂∇⋅=∇⨯=-⎪⎪∂⎨∂⎪∇⋅=∇⨯=⎪∂⎩如对方程中的场量作如下代换: '',E B c B c E -→→(001εμ=c ) 则上述麦克斯韦方程变为:'''00'''0(1)(2)0(3)(4)E B B t B E E tμε⎧∂∇⋅=∇⨯=⎪⎪∂⎨∂⎪∇⋅=∇⨯=-⎪∂⎩上式表明自由空间的麦克斯韦方程组的形式不变(只是方程的次序发生了改变),即如果()B E ,存在,则()c E B B c E =-='',也必存在,并称()'',B E 为()B E ,的对偶场。
有源区:0,0≠≠ρJ,无对偶不变性(对称性破缺),其根源在于方程中源的不对称,即不存在磁荷。
但若引入m ρ(磁荷)和m J(磁流),使方程变为:000000(1)(2)(3)(4)m m BE E J t EB B J tρεμμρμμε⎧∂∇⋅=∇⨯=--⎪⎪∂⎨∂⎪∇⋅=∇⨯=+⎪∂⎩则可对场和源进行对偶变换,而使方程的形式不变:场:'',E B c B c E -→→ 源:e m m e c c ρρρρ-→→,';e m m e J c J c J J -→→,' 例如:对(2)式进行变换,有:()()⎪⎪⎭⎫⎝⎛-∂∂---=⨯∇c E t J c B c e ''0'μ 注意到001εμ=c ,化简得:tE J B e ∂∂+=⨯∇'00'0' εμμ与(4)式一致,这表明对应()B E ,场,一定存在对偶场()'',B E 。
5、完备性(不作证明,有兴趣的学生自己证明)完备性是指给定电荷、电流分布和相应的初始条件和边界条件后,方程组能给出 唯一正确的解。
证明:用反证法如果有两个不同的解()11,B E 、()22,B E同时满足麦克斯韦方程和相应的初始条件、边界条件。
设21E E E -=、21B B B-=,显然,它们满足无源自由空间的麦克斯韦方程。
即:0=⋅∇E ,tB E ∂∂-=⨯∇ ,0=⋅∇B ,t EB ∂∂=⨯∇ 00εμ及齐次边界条件:0SSE B ==和齐次初始条件:0SSE B ==。
因此,,E B 对应的体系是无源的、无初始扰动、边界上值恒为零的体系。
对于 这样一个电磁场,我们来计算如下积分:001V d I E E B B dV d t εμ⎛⎫=⋅+⋅ ⎪⎝⎭⎰由于体系的边界不随时间改变,所以上述积分可以化为:()00000011122V V E B I E B dV E B B EdV t t εεμμεμ⎛⎫⎛⎫∂∂=⋅+⋅=⋅∇⨯+⋅-∇⨯ ⎪ ⎪∂∂⎝⎭⎝⎭⎰⎰ ()()()0222VVSI E B B E dV E B dV E B dS μμμ=⋅∇⨯-⋅∇⨯=-∇⋅⨯=-⨯⋅⎰⎰⎰由于边界上0SSE B ==,所以0I =。
因此22000011V V E E B B dV E B dV Const εεμμ⎛⎫⎛⎫⋅+⋅=+= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎰⎰ 又因初始时0SSE B ==,所以这个常数为零。
但等式左边的被积函数恒大于或等于零,因此得到:0,0E B ==即12E E =,12B B =6、预见性即预言了电磁波的存在。
事实上,由无源区的麦克斯韦方程,有:BE t∂∇⨯=-∂对上式两边取旋度,有:()()2E B E E t∂∇⨯∇⨯=-∇⨯=∇∇⋅-∇∂ 将0E ∇⋅=及00EBtμε∂∇⨯=∂代入上式,有: 222210EE c t∂∇-=∂(c =同理可得:222210BB c t∂∇-=∂与经典的波动方程比较:一维:2222210x t ξξυ∂∂-=∂∂三维:222210tξξυ∂∇-=∂可以看出E 和B 满足波动方程,c 为电磁波的速度。
三、媒质的本构关系当有媒质存在时,麦克斯韦方程组还不够完备(12个未知数,8个标量方程), 需要补充描述媒质特性的方程。
对于各项同性的线性介质,有:,,D E B H J E εμσ===此时,麦克斯韦方程组写为:1(1)(2)0(3)(4)HE E tE H H E tρμεσε⎧∂∇⋅=∇⨯=-⎪⎪∂⎨∂⎪∇⋅=∇⨯=+⎪∂⎩称为麦克斯韦方程组的限定形式。
例题2.6.1讲解要点1)分析电路,针对电路说明位移电流和传导电流产生的原因、存在的区域及引 起的效应;2)根据已知条件,计算位移电流和传导电流;3)求电流激发的磁场(导线附近,导线可以视为无限长) 例题2.6.2讲解要点1)讲明题目的意思:E 是电场强度矢量,一定要满足麦克斯韦方程组; 2)在无源区,变化的电场和磁场相互激发,已知E 矢量,就可以根据麦克斯韦 方程组求出磁矢量(,B H )。
2.7电磁场的边值关系在介质分界面上,若存在自由面电荷、面电流分布或由于极化、磁化而出现面电 荷和面电流分布,则场量在面上变得不连续,微分形式的麦克斯韦方程不在适用,需 要根据积分形式的麦克斯韦方程来讨论边界上的场关系。
0D B E t B DH J t ρ⎧∇⋅=⎪∂⎪∇⨯=-⎪∂⎨∇⋅=⎪⎪∂⎪∇⨯=+∂⎩0S CSS CS D dS qE dl B dS D H dl I dS t ⎧⋅=⎪⎪⋅=-⎪⎪∂⎨⋅=⎪⎪∂⎪⋅=+⋅⎪∂⎩⎰⎰⎰⎰⎰⎰一、边值关系的一般形式1、磁场强度H的边值关系设分界面的法向单位矢为ˆn e (指向媒质1),ˆt e是沿分界面的切向单位矢,平行 边界作一小扁回路,并令此回路与分界面正交且其长边与界面平行,如图由CS DH dl I dS t∂⋅=+⋅∂⎰⎰,有: 1122120ˆ()t Ch H dl H l H l H dlH H el ∆→⋅=⋅∆+⋅∆+⋅⇒-⋅∆⎰⎰侧0ˆˆˆDtS p p S p S h D DI dS J e l elh J e l t t∂∂∆→∂∂+⋅=⋅∆+⋅∆⇒⋅∆∂∂⎰有限 所以:()12ˆˆt S p eH H J e ⋅-=⋅ 上式表明,当分界面上有自由电流分布时,磁场强度的切向分量是不连续的。
上式中ˆˆ,t p ee 都与回路的选取有关,利用ˆˆˆt p n e e e =⨯可得: ()()12ˆˆˆpn S p ee H H J e ⨯⋅-=⋅或()12ˆˆˆn pS p e H H e J e ⎡⎤⨯-⋅=⋅⎣⎦ 上式对任意回路都成立,因而有:()12ˆn S eH H J ⨯-= 2、电场强度E 的边值关系将上图中的磁场强度改为电场强度,由于CS BE dl dS t∂⋅=-⋅∂⎰⎰考虑到B t ∂∂是有限量,同理可以得到:()12ˆ0n eE E ⨯-= 即电场强度的切向分量是连续的。
问题:电位移矢量的切线分量连续吗?1H2Hˆn eˆn e ˆp eˆt eˆt e1θ2θacdb11t t E E =⇔1122t t D D ε=3、电位移矢量D 的边值关系选右图所示的扁圆柱形封闭合面,由SD dS Q ⋅=⎰有:2211S D S D S D dS S ρ⋅∆+⋅∆+⋅=∆⎰侧式中12ˆn S S Se∆=-∆=∆,且D dS h S ⋅∆∆⎰侧是比S ∆更高阶的无穷小,因而有:12ˆˆn n S D eS D e S S ρ⋅∆-⋅∆=∆ 即:()12ˆn S eD D ρ⋅-= 特例:当0S ρ=时,电位移的法向分量连续。
问题:D的法向分量连续时,E 的法向分量连续吗?为什么?12n n D D =⇔1122n n E E εε=4、磁感应强度B的边值关系对于磁场B ,把0SB dS ⋅=⎰应用到边界区域上,同理得到:()12ˆ0n eB B ⋅-= 即磁感应强度B 的法向分量连续、无跃变。
问题:H 的法向分量连续吗?1122n n H H μμ=5、其它边值关系1)P Sq P dS =-⋅⎰⇒()12ˆPS n e P P ρ=-⋅-特例:10P =,2ˆˆˆPS n n n e Pe P P e ρ=⋅=⋅=⋅ 2)M CI M dl =⋅⎰⇒()12ˆPS n J eM M =⨯- 特例:10M =,22ˆˆˆPS n n n J eM M e M e =-⨯=⨯=⨯ 二、两种特殊情况下的边值关系 1、理想导体表面上的边值关系2D 22理想导体(σ→∞,如银、铜、铝等金属710S m σ可视为理想导体)内部不存在电场(0E J σ=→),其边值关系简化为:ˆˆ,0ˆˆ0,n S n n n S eH J e E eB eD ρ⎧⨯=⨯=⎪⎨⋅=⋅=⎪⎩对于理想导体,其表面上的电荷、电流都不能预先给定,由导体表面附近的电场、 磁场决定。