放大电路的频率特性
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第三章 放大电路的频率特性
通常,放大电路的输入信号不是单一频率的正弦信号,而是各种不同频率分量组成的复合信号。由于三极管本身具有电容效应,以及放大电路中存在电抗元件(如耦合电容和旁路电容),因此,对于不同频率分量,电抗元件的电抗和相位移均不同,所以,放大电路的电压放大倍数A u 和相角φ成为频率的函数。我们把这种函数关系称为放大电路的频率特性。
§1频率特性的一般概念
一、频率特性的概念
以共e 极基本放大电路为例,定性地分析一下当输入信号频率发生变化时,放大倍数将怎样变化。
在中频段,由于电容可以不考虑,中频A um 电压放大倍数基本上不随频率而变化。ο
180=ϕ,即无附加相移。对共发射极放大电路来说,输出电压和输入电压反相。
在低频段,由耦合电容的容抗变大,电压放大倍数A u 变小,同时也将在输出电压和输入电压间产生相移。我们定义:当放大倍数下降到中频
率放大倍数的0.707倍时,即
2um
ul A A =时的频率称为下限频率f l
对于高频段。由于三极管极间电容或分布电容的容抗在低频时较大,当频率上升时,容抗减小,使加至放大电路的输入信号减小,输入电压减小,从而使放大倍数下降。同时也会在输出电压与输入电压间产生附加相移。同样我们定义:当电压放大倍数下降到中频区放大倍数的0.707
倍时,即2um
uh A A =时的频率为上限频率f h 。
共e 极的电压放大倍数是一个复数,
ϕ<=•
u u A A
其中,幅值A u 和相角ϕ都是频率的函数,分别称为放大电路的幅频特性和相频特性。
我们称上限频率与下限频率之差为通频带。
l h bw f f f -=
表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力,它是放大电路的重要技术指标之一。
二、线性失真
由于通频带不会无穷大,因此对于不同频率的信号,放大倍数的幅值不同,相位也不同。当输入信号包含有若干多次谐波成分时,经过放大电路后,其输出波形将产生频率失真。由于它是电抗元件产生的,而电抗元件又是线性元件,故这种失真称为线性失真。线性失真又分为相频失真和幅频失真。
1.相频失真
由于放大器对不同频率成分的相位移不同,而使放大后的输出波形产生了失真。
2.幅频失真
由于放大器对于不同频率成分的放大倍数不同,而使放大后的输出波形产生了失真。
线性失真和非线性失真本质上的区别:非线性失真产生新的频率成分,而线性失真不产生新的频率成分。
§2三极管的频率参数
影响放大电路的频率特性,除了外电路的耦合电容和旁路电容外,还有三极管部的级间电容或其它参数的影响。前者主要影响低频特性,后者主要影响高频特性。
一、三极管的频率特性
中频时,认为三极管的共发射极放大电路的电流放大系数β是常数。实际上
是,当频率升高时,由于管子部的电容效应,其放大作用下降。所以电流放大系数是频率的函数,可表示如下:
β
β
β
f
f
j
+
=
•
1
其中β0是三极管中频时的共发射极电流放大系数,β
f
为共发射极电流放大系数的截止频率。上式也可以用
•
β的模和相角来表示。
2
)
(
1
β
β
β
f
f
+
=
•
β
β
ϕ
f
f
arctan
-
=
根据上式可以画出
•
β的幅频特性。通常用以下几个参数来表示三极管的高频性能。
二、表述三极管频率特性的几个参数
1. 共发射极电流放大系数β的截止频率β
f
当|
•
β|值下降到β
0的0.707倍时的频率β
f
定义为β的截止频率。由上式可算出,当
0707
.0
2
β
β
β
β
≈
=
•
=
时,
f
f
2. 特征频率T f
定义|
•
β|值为1时的频率
T
f为三极管的特征频率。将
1
=
=
•
β
和
T
f
f
代入()式得:
2
0)(
11β
βf f T +=
由于通常
1
/>>βf f T ,所以上式可简化为
β
βf f T 0≈
3. 共基极电流放大系数α的截止频率αf 由前述•
•
βα与的关系得
•
•
•
ββ
α+=
1
显然,考虑三极管的电容效应,•
α也是频率的函数,表示为:
αααf f j
+=
•10
其中αf 为α的截止频率,定义为|•
α|下降为中频0α的0.707倍时的频率。
αf 、βf 、T f 之间的关系:
将
βββf f j +=
•
10
代入•
•
•
ββα+=1得 β
βββ
ββαβββββββαf f
j f f j f f j f f j
f f j )1(1)1(11111100000
0000
++=
+++=++=++
+=•
可见:
β
αβf f )1(0+= 一般,10>>β所以:
T
f f f =≈βαβ0
三、三极管混合参数π型等效电路
当考虑到电容效应时,h 参数将是随频率而变化的复数,在分析时十分不便。为此,引出混合参数π型等效电路。从三极管的物理结构出发,将各极间存在的电容效应包含在,形成了一个既实用又便的模型,这就是混合π型。低频时三极管的h 参数模型与混合π模型是一致的,所以可通过h 参数计算混合π型中的某些参数。