存储器章节大作业

存储器章节大作业-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

存储器章节

一、填空题

1、对存储器的要求是容量大、速度快、成本低，为了解决这三方面的矛盾，计算机采用多级存储体系结构，即（高速缓存）、（主存）、（辅存）。

2、一个存储器的容量假设为M*N位，若使用A*B的芯片，（A

附：如果存储容量为a*b的芯片组成容量为c*d的芯片，则需要芯片的数量

n=(a*b)/(c*d)

2、双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构，其中前者采用（空间）并行技术，后者采用（时间）并行技术。

3、反映主存速度指标的三个术语是存取时间、（存储周期）和（存储器带宽）。

4、CPU访问主存是数据存取的单位是（字节），访问cache的单位（字），cache和内存交换数据的单位是（块）。

二、选择题

1、下列器件中存取速度最快的是（C）。

A、高速缓存

B、主存

C、寄存器

D、辅存

2、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是（A ）。

A 解决CPU和主存之间的速度匹配问题

B 扩大主存贮器容量

C 扩大CPU中通用寄存器的数量

D 既扩大主存贮器容量，又扩大CPU中通用寄存器的数量

3、和辅存相比，主存的特点是（A）

A、容量小，速度快，成本高

B、容量小，速度快，成本低

C、容量大，速度快，成本高

D、容量大，速度慢，成本高

4、存储单元是指（c）。

A、存放1个二进制信息位的存储元

B、存放1个机器字的所有存储元集合

C、存放1个字节的所有存储元集合

D、存放2个字节的所有存储元集合

5、存取周期是指（c）。

A、存储器的写入时间

B、存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间

C、存储器连续读或者写操作所允许的最短间隔时间

6、某SRAM芯片，其容量为1M×8位，除电源和接地端外，控制端有OE和R/W，该芯片的管脚引出线数目是（B）。

A、 20

B、28 C 、30 D、32

7、某存储器容量为32K*16，则（C）

A、其地址线为16根，数据线为32根

B、其地址线为32根，数据线为16根

C、其地址线为15根，数据线为16根

D、其地址线和数据线均为16根

8、某机字长32位，存储容量64MB，若按字编址，它的寻址范围是（B）。

A 8M

B 16MB

C 16M

D 8MB

附：首先1M=8Mbit 按字寻址： 8Mbit*64/32bit=16M

9、某机字长64位，存储容量64MB，若按字编址，它的寻址范围是（C ）。

A 1M

B 1MB

C 8M

D 8MB

附：首先1M=8Mbit 按字寻址： 8Mbit*64/64bit=8M

10、 EEPROM是指（D）。

A 读写存储器(RAM)

B 只读存储器(ROM)

C 闪速存储器(Flash Memory)

D 电擦除可编程只读存储器(EERPOM)

11、下列说法正确的是（B）

Ⅰ半导体RAM信息可读可写，且掉电后仍能保持记忆

Ⅱ动态RAM是易失性RAM，且静态RAM的存储信息是不易失的

Ⅲ半导体RAM是易失性RAM，但只要电源不掉电，所存信息是不丢失的

Ⅳ半导体RAM是非易失性的RAM (掌握记忆)

A、Ⅰ和Ⅱ

B、只有Ⅲ

C、Ⅱ和Ⅳ

D、全错

12、半导体静态（SRAM）的存储原理是（D）

A、依靠双稳态电路

B、依靠定时刷新

C、依靠读后再生

D、信息不再变化

附：静态RAM(SRAM)速度非常快，只要电源存在内容就不会自动消失。其基本存储电路为6个MOS管组成1位，因此集成度相对较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器用它组成。

动态RAM(DRAM)的内容在10-3或l0-6秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快2~5倍，一般，PC机的标准存储器都采用DRAM组成。

13、在磁盘和磁带两种磁表面存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储方式分（B）

A、两者都是串行存取

B、磁盘是部分串行存取，磁带是串行存取

C、磁带是部分串行存取，磁盘是串行存取

14、下列叙述错误的是（B ）

A、随机存储器可随时存取信息，掉电后信息丢失(正确：静态和动态断电信息丢失)

B、在访问随机存储器时，访问时间与物理位置无关(统一时间点)

C、主存储器中存储的信息是不可改变的主存是由ROM和RAM组成的

D、随机存储器和只读存储器可以统一编址

15、在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时，为维持原信息不变，必须辅以的操作（B）

A、刷新

B、再生

C、写保护

D、主存校验

附：对于破坏性读出的存储器，每当一次读出操作之后，必须紧接着一个重写（再生）的操作，以便恢复被破坏的信息，保持原存信息不变。

16、某机器的主存储器共32KB，由16片16K*1(内部采用128*128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有的存储单元刷新一遍需要（A）存储周期。

A、128

B、256

C、1024

D、16384

附：通常对DRAM的，每一行进行读出，就可完成对整个RAM的刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止，这一段时间间隔称为再生周期，又叫刷新周期。16K*1位的DRAM芯片内部采用128*128存储阵列，按照行刷新，需要占用128个存储周期。

17、双端口存储器能高速进行读/写，是因为采用了（C）

A、新型器件

B、流水技术

C、两套相互独立的读写电路

D、高速芯片

18、交叉存储器实质上是一种多模块存储器，它用（ A）方式执行多个独立的读写操作。

A 流水

B 资源重复

C 顺序

D 资源共享

附：流水线(pipeline)技术是指在程序执行时多条指令重叠进行操作的一种准并行处理实现技术

19、双端口存储器所以能进行高速读/写操作，是因为采用（D）。