封装工艺流程简介
第二章 封装工艺流程
封装工艺的基本流程：
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连
打码
上焊锡 切筋成形
成型技术即 （塑料封装） 去飞边毛刺
尹小田
硅片的尺寸越来越大，为了方便制 造、测试和运送过程，厚度增加。
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连
成型技术即
打码 上焊锡 切筋成形
（塑料封装） 去飞边毛刺
背面减薄技术有： 磨削、研磨、干式抛光(Dry Polishing)、 化学机械抛光(chemical mechanicai polishing,CMP)、 电化学腐蚀(Electrochemical Etching)、 湿法腐蚀(Wet Etching,WE)、 等离子增强化学腐蚀(Plasma-Enhanced Chemical Etching，PECE) 常压等离子腐蚀(Atmosphere Downstream Plasma
尹小田
（4）玻璃胶粘贴法
方法：用高分子材料聚合物玻璃胶进行芯片粘贴。 工艺：先以盖印、网印、点胶的技术把胶原料涂布在基
板的芯片座中，再把芯片置于玻璃胶上粘贴。
1、多用于陶瓷封装中 2、冷却过程谨慎控制降温的速度以免造成应力破 裂
优3、点增：加可热以、得点到传无导空性隙能、，热可稳以定加性金优属良如的：、箔低、结银合应力、 低湿气含量的芯片粘贴；
尹小田
4、芯片互连
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯 切筋成形
（塑料封装） 去飞边毛刺
定义：把电子外壳的I/O引线或基板上的金线焊区与芯片的 焊区相连。
涂布合适的厚度和轮廓的芯片焊盘上进行固化。
1、各向同性材料。
不精确会怎样？
2、导电硅橡胶。
3、各向异性导电聚合物。 导电胶的缺点：热稳定性不好、高温时容易劣化和引发导 目电用的胶于导是中高电：有可胶改机靠中善物度填胶气要充的体求银导充的颗热分封粒性泄装或，漏。银增而薄强降片散低，热产因能品此力的都。 可是靠是度导，电因的此。不
封装工艺流程
封装工艺流程
《封装工艺流程》
封装工艺流程是指将集成电路芯片封装成完整的电子元器件的过程。
封装工艺流程主要包括封装设计、封装材料选择、封装模具制造、封装过程控制等环节。
下面我们将简要介绍一下封装工艺流程的主要步骤。
封装设计是封装工艺流程的第一步，它要根据芯片的功能和尺寸特点来确定封装的类型和尺寸，以及排线的布局和引脚数量等。
封装设计的好坏直接影响到后续封装工艺的成功与否。
封装材料选择是封装工艺流程的第二步，它要根据封装的类型和应用环境来选择合适的封装材料，如塑料封装、陶瓷封装、球栅阵列封装等。
不同的封装材料有不同的特性和成本，要合理选择以满足产品的要求。
封装模具制造是封装工艺流程的第三步，它要根据封装设计和封装材料来制造合适的封装模具。
封装模具的制造质量直接关系到封装产品的质量和成本，因此要选择合适的制造工艺和材料，以确保模具的精度和寿命。
封装过程控制是封装工艺流程的最后一步，它要对封装过程中的温度、湿度、压力、时间等参数进行控制，以确保封装产品的质量和稳定性。
封装过程控制是封装工艺流程中最关键的环节，要严格执行相应的标准和流程，以确保产品的合格率和可靠性。
总的来说，封装工艺流程是一个复杂的技术活，它要求在封装设计、封装材料选择、封装模具制造和封装过程控制等方面有丰富的经验和技术，以确保封装产品的质量和性能。
只有做好封装工艺流程的每一个环节，才能生产出合格的封装产品，满足客户的需求。
封装的工艺流程
封装的工艺流程封装的工艺流程封装是电子元器件生产中非常重要的一环，它将制造好的集成电路芯片封装在外部保护壳中，以保证电路的正常运行和使用。
下面将介绍一种常用的封装工艺流程。
首先，封装工艺流程的第一步是准备工作。
准备工作包括准备所需的封装材料，如塑料壳体、封装芯片、导线等，并清洗这些材料以确保其表面清洁。
此外，还需要准备要使用的封装设备和工具。
第二步是芯片的固定。
在封装过程中，芯片需要被固定在封装壳体中。
这可以通过使用胶水或焊锡来完成。
胶水是刷在封装壳体的内部的，将芯片粘贴在指定的位置上。
而焊锡则是通过加热来使其融化，并将芯片焊接在壳体上。
第三步是连接导线。
封装工艺中的一个重要步骤是将芯片与其他电子器件连接起来。
这可以通过焊接、印刷、接插等多种方式来实现。
焊接是最常用的方式之一，它通过将导线与芯片的引脚连接，并加热使其焊接在一起。
而印刷是将导线印制在芯片表面和封装壳体内部，通过印刷设备将导线印制在指定的位置上。
接插则是将导线插入到芯片的插槽中，通过插座与芯片连接起来。
第四步是封装壳体的密封。
为了确保芯片的安全性和耐用性，封装壳体需要进行密封处理。
这可以通过使用胶水或密封胶来完成。
胶水是将封装壳体的两个半壳粘合在一起，以达到密封的目的。
而密封胶是将其涂抹在封装壳体的连接处，使其更加牢固和密封。
第五步是整体的检验和测试。
在封装工艺完成后，需要对封装好的器件进行检查和测试，以确保其质量和性能。
这可以通过视觉检查、电气测试和功能测试等方式来完成。
视觉检查可以通过直观地观察封装壳体、连接线和芯片等部分的外观，以检查是否有缺陷或损坏。
电气测试是通过测试仪器对封装好的芯片进行电气性能测试，以确保其符合规定的电参数要求。
功能测试是对封装好的芯片进行功能性能测试，以确保其正常运行和使用。
最后，是封装工艺流程的完工和包装。
当封装工艺流程完成后，封装好的器件需要经过最后的包装处理。
这可以通过将器件放入包装盒或包装袋中，然后进行标签贴附、封口等操作来完成。
封装工艺流程简介 (3)
设备:
封装工艺流程简介
Tape and reel 编带
设备:
描述:
使用卷带包装设备，将单 颗产品用编带材料（卷带+盖 带）进行打卷包装。
封装工艺流程简介
Packing 包装
描述:
通过捆绑/包装以确 保产品在操作,运输的过 程中不受湿气, ESD的侵 袭,同时也确保产品在运 输过程中不受损伤。
封装工艺流程简介
2016-Jan-1
封装工艺流程简介
FOL
IQA SMT Pre-bake
基板收取Βιβλιοθήκη 来料检验IQA表面贴装* 可选 基板烘烤
Taping BG W/M
De-tape
D/S
2/O Fail
QA Pass
DA
DAC
Plasma
圆片收取 来料检验 贴保护膜 背部研磨 圆片装载 去掉保护膜
芯片切割 第二次光学检查
封装工艺流程简介
Baking 烘烤
描述:
PCB需要在做DA之 前做一下烘烤，以去 除PCB中的水分，提高 产品的可靠性能。
设备:
N2以防止PCB氧化
N2 inlet
Carrier Carrier
Outlet
125oC
封装工艺流程简介
Die Attach 装片
描述:
利用银浆或Film的 粘性将切割好的好的 晶粒吸取并粘贴于基 板上,以便于后制程作 业。
等离子清洗示意图
封装工艺流程简介
MD 包封
描述:
将前道完成后的产品 ，使用塑封料把芯片 塑封起来,免受外力损 坏。同时加强器件的 物理特性便于使用。
设备:
封装工艺流程简介
PMC 包封后烘
封装工艺流程(1)
焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属
布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工
艺技术。
WB技术作用机理
❖
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，
使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊
面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界
面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合
❖ 铜：近年来，大量用于集成电路互连。铜比
铝有较高的导电率；铜丝相对于金丝具有成
本低、强度和刚度高、适合于细间距键合的
优点。
❖
引线键合的关键工艺
❖
❖
关键工艺：温度控制、精确定位控制、工作
参数设定。
应用对象：低密度连线封装（＜300个接点）
引线键合的技术缺陷
1.
2.
3.
多根引线并联产生邻近效应，导致电流分布
对芯片的影响，同时还可以屏蔽电磁干扰。
③各向异性导电聚合物:电流只能在一个方向流动。
❖ 导电胶功能：（形成化学结合、具有导电功能）
❖
2.3.4 玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面
我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它
是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）
出现废品。
Chipping Die
崩边
2.3 芯片粘贴
芯片贴装：也称芯片粘贴，是将芯片固定
于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工
艺过程。
贴装方式4种：
❖ 共晶粘贴法（Au-Si合金）
❖ 焊接粘贴法（Pb-Sn合金焊接）
❖ 环氧树脂粘结（重点）
❖ 玻璃胶粘贴法
引线框架
装
架
引线
封装工艺流程
导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，高温下会引 起粘接可靠度下降，因此不适合于高可靠度封装。
第二章 封装工艺流程
玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（ 后面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃 粉。它是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu 等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合，制成膏状。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB技术的关键材料
基带材料：要求耐高温，与金属箔粘贴性好，热匹配性 好，抗化学腐蚀性强，机械强度高，吸水率低。例如，聚酰亚胺
（PI）、聚乙烯对本二甲酸脂（PET）和苯并环丁烯（BCB）
TAB金属材料：要求导电性能好，强度高，延展性、表 面平滑性良好，与各种基带粘贴牢固，不易剥离，易于用光 刻法制作出精细复杂的图形，易电镀Au、Ni、Pb/Sn焊接材 料，例如，Al、Cu。 芯片凸点金属材料：一般包括金属Au、Cu、Au/Sn、 Pd/Sn。
硅片背面减技术主要有： 磨削、研磨、化学抛光 干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀 等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等
减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架的薄膜 （常称为蓝膜）上，送到划片机进行划片。现在划片机都 是自动的，机器上配备激光或金钢石的划片刀具。切割分 部分划片（不划到底，留有残留厚度）和完全分割划片。 对于部分划片，用顶针顶力使芯片完全分离。划片时，边 缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃度。这 样会严重影响芯片的碎裂强度。
第二章 封装工艺流程
2.1.2 封装工艺流程概况 流程一般可以分成两个部分：在用塑料封装之前的工 序称为前段工序，在成型之后的操作称为后段工序。成型 工序是在净化环境中进行的，由于转移成型操作中机械水 压机和预成型品中的粉尘达到1000级以上（空气中0.3μm 粉尘达1000个/m3以上）。 现在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物，即所 谓的塑料封装。上图所示的塑料成型技术有许多种，包括 转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术，其中转移成 型技术使用最为普遍。
3d封装工艺流程
3d封装工艺流程3D封装工艺是一种先进的封装技术，可实现芯片堆叠和三维集成。
以下是3D 封装工艺流程的主要步骤：1. 芯片制备：首先，在硅片上制备出具有不同功能的有源芯片和无源芯片。
这些芯片可以是基于不同材料和工艺制作的，例如CMOS、EEPROM、MOSFET等等。
这些芯片将在后续的工艺流程中用于构建三维集成电路。
2. 基板制备：为了实现芯片的垂直连接，需要使用基板作为支撑和连接材料。
基板通常由高导热性和高电导率的材料制成，例如铜、铝等。
基板上需要制备出凸点和连接线路，以便后续的连接工艺。
3. 芯片贴装：将有源芯片和无源芯片贴装在基板上。
贴装方法可以采用传统的引线键合或倒装焊技术。
在贴装过程中，需要保证芯片的位置和角度精度，以确保后续的连接工艺能够顺利进行。
4. 连接工艺：在贴装完毕后，需要采用引线键合、倒装焊或凸点连接等方法，实现芯片与基板之间的连接。
这些连接方法需要根据不同的应用需求进行选择和优化。
5. 封装保护：在完成连接后，需要采用合适的封装材料和工艺，将整个三维集成电路进行封装保护。
常用的封装材料包括塑料、陶瓷和金属等。
在封装过程中，需要注意保护好内部电路，并确保封装后的可靠性和稳定性。
6. 测试与校准：完成封装后，需要对三维集成电路进行测试和校准。
测试内容可以包括电路性能、电气特性、热特性、机械性能等方面。
根据测试结果进行校准和调整，以保证电路的性能达到预期要求。
以上是3D封装工艺流程的主要步骤。
在实际应用中，根据不同的需求和设计要求，可能还需要进行其他优化和改进。
3D封装工艺的发展为芯片集成和三维集成提供了广阔的应用前景，可以应用于电子器件、通信设备、医疗设备等多个领域。
同时，随着技术的发展和创新，3D封装工艺也将不断得到优化和改进。
单管封装工艺流程
单管封装工艺流程可以分为以下几个步骤：1. 准备工作：在开始封装之前，需要做好各项准备工作，包括检查设备、调整参数、确定封装位置和顺序等。
2. 固定芯片：将芯片固定在封装板上，确保芯片的位置正确且稳定。
3. 固定支架和基板：使用支架将芯片固定在基板上，然后使用助焊剂确保固定可靠，同时确保焊点干燥。
4. 测试：对封装后的芯片进行测试，确保其功能正常，无任何异常。
5. 清洗：对芯片进行清洗，去除多余的助焊剂和污垢。
6. 打码：在芯片上打印上生产序列号或其他标识，便于后续识别和管理。
7. 质量检测：对整个封装过程进行质量检测，确保工艺流程的准确性和稳定性。
8. 包装：将封装后的芯片进行包装，确保其安全、可靠和美观。
具体流程如下：1. 将基板和芯片支架准备好，并确定芯片的封装位置和顺序。
2. 将芯片固定在相应的位置，并用支架进行固定。
3. 将基板和芯片支架放入焊接设备中，并使用相应的焊料和焊剂进行焊接。
4. 焊接完成后，对芯片进行功能测试和外观检查，确保其符合要求。
5. 使用清洗剂对芯片进行清洗，去除多余的助焊剂和污垢。
6. 在芯片上打印上生产序列号或其他标识，以便于后续识别和管理。
7. 对整个封装过程进行质量检测，确保工艺流程的准确性和稳定性。
8. 将封装后的芯片放入相应的包装盒中，并进行严格的包装处理，确保其安全、可靠和美观。
9. 装箱、发货：将封装好的芯片按照客户的要求进行装箱、发货。
需要注意的是，单管封装工艺流程涉及到多个环节和细节，需要严格控制每个环节的质量和可靠性，以确保最终产品的质量和性能符合要求。
同时，为了保证工艺流程的顺利进行，还需要不断优化设备和工艺参数，提高生产效率和产品质量。
微电子封装技术第2章 封装工艺流程
2.4芯片贴装
焊接粘贴法工艺是将芯片背面淀积一定厚度的 Au或Ni，同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和Cu的金属 层。
其优点是热传导好。工艺是将芯片背面淀积一 定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和 Cu的金属层。这样就可以使用Pb-Sn合金制作的合 金焊料将芯片焊接在焊盘上。焊接温度取决于PbSn合金的具体成分比例。
微电子封装技术
董海青 李荣茂
第2章 封装工艺流程
2.1 流程概述 2.2 芯片减薄 2.3 芯片切割 2.4 芯片贴装 2.5 芯片互连技术 2.6 成形技术 2.7 后续工艺
2.1 流程概述
芯片封装工艺流程一般可以分为两个部分：前 段操作和后段操作。前段操作一般是指用塑料封装 （固封）之前的工艺步骤，后段操作是指成形之后 的工艺步骤。
2.4芯片贴装
导电胶粘贴法不要求芯片背面和基板具有金属 化层，芯片座粘贴后，用导电胶固化要求的温度时 间进行固化，可以在洁净的烘箱中完成固化，操作 起来比较简便易行。
导电胶进行芯片贴装的工艺过程如下：用针筒 或注射器将黏着剂涂布在芯片焊盘上，然后将芯片 精确地放置到焊盘的黏着剂上面。
导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，容易在 高温时发生劣化及引发黏着剂中有机物气体成分泄 露而降低产品的可靠度，因此不适用于高可靠度要 求的封装。
2.4芯片贴装
玻璃胶粘贴芯片时，先以盖印、网印、点胶等 技术将玻璃胶原料涂布在基板的芯片座上，将IC芯 片放置在玻璃胶上后，再将封装基板加热至玻璃熔 融温度以上即可完成粘贴。
玻璃胶粘贴法的优点是可以得到无空隙、热稳 定性优良、低结合应力与低湿气含量的芯片粘贴； 其缺点是玻璃胶中的有机成分与溶剂必须在热处理 时完全去除，否则对封装结构及其可靠度将有所损 害。
陶瓷封装工艺流程
陶瓷封装工艺流程陶瓷封装是一种常用的封装工艺，用于保护集成电路芯片，提高其可靠性和稳定性。
下面是陶瓷封装的工艺流程，详细介绍了各个步骤及其作用。
1.选择陶瓷材料：陶瓷封装主要使用氧化铝陶瓷（Al2O3）作为基材。
根据芯片的需求，选择适当的陶瓷材料，例如高热导率陶瓷、低介电常数陶瓷等。
2.制备陶瓷基片：将选定的陶瓷材料进行制片，通常是通过压制、注塑、模压等工艺进行成型。
制备好的陶瓷基片应具有良好的平整度和尺寸精度。
3.加工陶瓷基片：对制备好的陶瓷基片进行修整和打孔等加工，以便后续的焊接和引线插装。
此步骤需要高精度的机械设备和技术来保证陶瓷基片的质量。
4.制造金属化层：将陶瓷基片进行金属化处理，即在其表面涂覆金属层。
通常使用钼（Mo）或钨（W）等高熔点金属作为电极材料，采用蒸镀、喷涂等技术将金属层均匀地覆盖在陶瓷基片上。
5.焊接芯片：将待封装的芯片通过金线焊接或球焊接等方式连接到陶瓷基片上。
金线焊接使用金线将芯片引脚与陶瓷基片上的金属层相连，球焊接则将芯片引脚与陶瓷基片上的焊球连接。
6.密封封装：将已经焊接好的芯片与陶瓷基片一同放置在封装模具中，然后加以加热和加压处理。
在高温高压下，陶瓷基片与封装模具之间形成均匀的密封，保证芯片在封装过程中不受到外界环境的影响。
7.电性能测试：对已封装的芯片进行电性能测试，包括静态和动态测试等。
静态测试主要检测芯片的电流、电压和功耗等参数，动态测试则测试芯片在不同频率和负载条件下的工作性能。
8.外观检查与包装：对已测试的芯片进行外观检查，包括焊接连接的质量、封装的完整性等。
然后将芯片进行清洁处理，并进行标识和包装，以便后续的运输和应用。
SOP封装工艺流程介绍
目录
• SOP封装简介 • SOP封装工艺流程 • SOP封装材料 • SOP封装技术发展趋势 • SOP封装工艺问题与对策
01
SOP封装简介
SOP封装定义
SOP封装，全称为Small Outline Package，是一种常见的电子封装形 式，主要用于将集成电路（IC）封装 在印刷电路板（PCB）上。
微型化是指通过减小封装尺寸来减小整个电子设备的体积和重量。SOP封装技 术通过改进封装结构、减小引脚间距、采用薄型小尺寸封装等形式，实现了更 小的封装尺寸，满足了电子设备微型化的需求。
高集成度
总结词
随着集成电路技术的发展，SOP封装技术也呈现出高集成度 的发展趋势。
详细描述
高集成度是指通过在单一封装内集成更多的电子元件和功能 ，提高整个系统的性能和功能。SOP封装技术通过采用多芯 片组装、集成无源元件等方式，实现了更高的集成度，提高 了系统的性能和功能。
02
这一步骤中，需要检查产品是否有明显的缺陷、污渍或不良的
机械性能。
外观检查通常采用自动化设备进行，以提高检查效率和准确性。
03
测试与筛选
测试与筛选是对已完成的SOP封装产品进行电气 性能测试和筛选的过程。
这一步骤中，需要使用测试设备对产品的电气性 能进行检测，如电压、电流、电阻和电容等。
对于不合格的产品需要进行筛选和处理，以确保 最终产品的质量和可靠性。
VS
详细描述
引脚扭曲的原因可能包括引脚材料质量不 佳、加工精度不足、插装过程中受到外力 等。为了解决这个问题，可以加强引脚材 料的质量控制、提高加工精度、优化插装 工艺，并在插装过程中避免外力作用。
芯片破损
总结词
封装工艺流程
封装工艺流程
封装工艺是电子元器件制造中至关重要的一环，它直接影响到元器件的性能和可靠性。
在封装工艺中，包括了多个步骤和工艺流程，下面将对封装工艺流程进行详细介绍。
首先，封装工艺的第一步是芯片准备。
芯片准备包括对芯片进行清洗、切割和测试。
清洗是为了去除芯片表面的杂质和污垢，以保证封装工艺的顺利进行；切割是将芯片切割成单个的芯片块，以便后续的封装；测试是对芯片进行功能和性能的测试，以筛选出不合格的芯片，确保封装后的产品质量。
接下来是封装材料的准备。
封装材料包括封装胶、导线、基板等。
封装胶是用来封装芯片和导线的材料，它需要具有良好的粘接性能和导热性能；导线是用来连接芯片和基板的材料，它需要具有良好的导电性能和可焊性；基板是封装的载体，它需要具有良好的导热性能和机械强度。
然后是封装工艺的主要步骤——封装。
封装是将芯片和导线封装在封装胶中，并将其固定在基板上的过程。
在封装过程中，需要控制好封装胶的温度、压力和时间，以确保封装胶能够充分固化，
并且芯片和导线能够被牢固地固定在基板上。
最后是封装产品的测试和包装。
测试是对封装后的产品进行功能和性能的测试，以确保产品符合规定的标准和要求；包装是将测试合格的产品进行包装，以便于存储和运输。
总的来说，封装工艺流程包括芯片准备、封装材料的准备、封装和封装产品的测试和包装。
每个步骤都至关重要，任何一环节的问题都可能导致产品的质量不合格。
因此，在封装工艺中，需要严格控制每个步骤的工艺参数，以确保产品的质量和可靠性。
一文详解封装制程工艺
点就是制程能力。
SIP封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。
引线键合封装工艺工艺流程圆片→圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装。
圆片减薄圆片减薄是指从圆片背面采用机械或化学机械（CMP）方式进行研磨，将圆片减薄到适合封装的程度。
随着系统朝轻薄短小的方向发展，芯片封装后模块的厚度变得越来越薄，因此在封装之前一定要将圆片的厚度减薄到可以接受的程度，以满足芯片装配的要求。
圆片切割圆片减薄后，可以进行划片。
较老式的划片机是手动操作的，现在一般的划片机都已实现全自动化。
无论是部分划线还是完全分割硅片，目前均采用锯刀，因为它划出的边缘整齐，很少有碎屑和裂口产生。
芯片粘结已切割下来的芯片要贴装到框架的中间焊盘上。
焊盘的尺寸要和芯片大小相匹配，若焊盘尺寸太大，则会导致引线跨度太大，在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移现象。
贴装的方式可以是用软焊料（指Pb-Sn 合金，尤其是含Sn 的合金）、Au-Si 低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中最常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。
引线键合在塑料封装中使用的引线主要是金线，其直径一般为0.025mm~0.032mm。
引线的长度常在1.5mm~3mm之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面高 0.75mm。
键合技术有热压焊、热超声焊等。
这些技术优点是容易形成球形（即焊球技术），并防止金线氧化。
为了降低成本，也在研究用其他金属丝，如铝、铜、银、钯等来替代金丝键合。
热压焊的条件是两种金属表面紧紧接触，控制时间、温度、压力，使得两种金属发生连接。
表面粗糙（不平整）、有氧化层形成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果，降低键合强度热压焊的温度在300℃~400℃，时间一为40ms（通常,加上寻找键合位置等程序，键合速度是每秒二线）。
超声焊的优点是可避免高温，因为它用20kHz~60kHz的超声振动提供焊接所需的能量，所以焊接温度可以降低一些。
封装的工艺流程范文
封装的工艺流程范文工艺流程是指将一个产品的生产过程分解成多个具体步骤，并按照一定的次序进行安排和管理，从而实现高效、规范的生产。
封装的工艺流程是将其中一种产品进行封装的具体操作步骤和方法的总称。
下面将介绍一种封装的工艺流程。
首先，准备原材料。
选择高质量的原材料对产品的质量至关重要。
原材料的准备包括材料的进货、入库、检查等工作。
在封装的工艺流程中，不同的产品可能需要不同的原材料，因此需要根据产品的要求进行选择。
其次，进行材料处理。
对于一些需要经过特殊处理的材料，需要在封装过程中进行相应的处理。
这可能包括去除外表的污垢、对材料进行切割、打磨、研磨等操作。
通过材料处理，可以使得材料的表面更加光滑、平整，从而有利于封装的进行。
然后，进行产品组装。
在封装的工艺流程中，产品的组装是至关重要的一步。
这涉及到将各个零部件按照一定的次序进行组装，形成最终的产品。
组装的过程中，需要注意各个部件之间的连接方式、位置、方向等问题，确保组装后的产品具有良好的功能和稳定性。
接下来，进行产品调试。
组装完成后的产品需要进行一系列的调试工作，以确保其质量和性能符合要求。
调试的工作可能包括系统的功能测试、电气特性测试、机械性能测试等。
通过调试工作，可以发现和解决产品中存在的问题，在保证产品质量的同时提高生产效率。
此外，为了确保工艺流程的顺利进行，还需要进行生产过程的控制和管理。
这包括设立合理的生产计划、制定工艺规程、进行生产线的优化等。
通过科学的管理和控制，可以提高生产效率，降低生产成本，提高产品质量。
总结起来，封装的工艺流程包括准备原材料、进行材料处理、产品组装、产品调试和产品包装等步骤。
通过合理的工艺流程和科学的管理，可以实现高效、规范的封装生产，提高产品的质量和市场竞争力。
封装基板工艺流程
封装基板工艺流程
封装基板的制作工艺流程如下：
1.在绝缘材料BT树脂/玻璃芯板的两面层压极薄（12~18μm厚）的
铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化。
2.用常规的PCB加3232艺在基板的两面制作出图形，如导带、电极、
及安装焊料球的焊区阵列。
3.加上焊料掩膜并制作出图形，露出电极和焊区。
4.为提高生产效率，一条基片上通常含有多个PBG基板。
5.进行圆片减薄、圆片切削、芯片粘结、等离子清洗、引线键合、
等离子清洗、模塑封装、装配焊料球、回流焊、表面打标、分离、最终检查、测试包装等步骤。
集成电路封装技术-封装工艺流程介绍
〔4〕在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可剔 除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本，提高了 可靠性。
〔5〕TAB工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB技术的关键材料
第二章 封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法 预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是
可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全 的影响。
第二章 封装工艺流程
2.3.2 焊接粘贴法
变形方式的不同，继而产生的各种应力。当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发
在一点的集度焊称为接应粘力〔贴St法res是s〕利。物用体合由于金外反因而响变进形时行，芯在物片体粘内各贴局的部之方间法产生。相优互作点用是的内力， 应变方向平热行，传而导切应性力好的方。向与应变垂直。按照载荷〔Load〕作用的形式不同，应力又可以分为拉伸压
2.4.1 打线键合技术介绍 〔2〕热压键合
；然后再电子点火或氢焰将金属线烧断并利用熔融金属的外表张力作用使线的末端灼烧成球〔直径约为金
键合工具升起并引导金属线至第二键合点上进行楔形接合〔不需烧成金属球，而是将金属线直接压到焊区 状。 抗氧化性强〕。为降低成本有时也用铝线。铝线的2个焊接点是楔形的。原因是铝线不易在线的末端灼烧成
第二章 封装工艺流程
〔2〕影响打线键合可靠度因素
封胶和粘贴材料 与线材的反应
金属间化合物的形成
可靠度因素
可靠度常用拉力试验 和键合点的剪切试验 测试检查
第二章 封装工艺流程
2.4在.2其载载特带带定自的自动位动健置合键上技开合术出技是一在术个类窗似口于。1窗3口5胶为片蚀的刻柔出性一载定带的粘印结刷金线属路薄图片形，的〔金像属电箔影片
封装工艺流程
第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装 芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板 或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法
• 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
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2.3.1共晶粘贴法 共晶反应 指在一定的温度下，一定成分的液体同时结晶出两种 一定成分的固相反应。例如，含碳量为2.11%-6.69%的铁碳 合金，在1148摄氏度的恆温下发生共晶反应，产物是奥氏 体（固态）和渗碳体（固态）的机械混合物，称为“莱氏 体”。 一般工艺方法 陶瓷基板芯片座上镀金膜-将芯片放臵在芯片座上-热 氮气氛中（防氧化）加热并使粘贴表面产生摩擦（去除粘 贴表面氧化层）-约425℃时出现金-硅反应液面，液面移动 时，硅逐渐扩散至金中而形成紧密结合。
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2.2 芯片切割
2.2.1、为什么要减薄
半导体集成电路用硅片4吋厚度为520μm，6吋厚度为 670μm。这样就对芯片的切分带来困难。因此电路层制作完 成后，需要对硅片背面进行减薄，使其达到所需要的厚度， 然后再进行划片加工，形成一个个减薄的裸芯片。
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2.2.2减薄工艺
硬质焊料
合金焊料
软质焊料
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2.3.3 导电胶粘贴法 导电胶是银粉与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。 银粉起导电作用，而环氧树脂起粘接作用。
导电胶有三种配方： （1）各向同性材料，能沿所有方向导电。 （2）导电硅橡胶，能起到使器件与环境隔 绝，防止水、汽对芯片的影响，同时还可 以屏蔽电磁干扰。 （3）各向异性导电聚合物，电流只能在一 个方向流动。在倒装芯片封装中应用较多。 无应力影响。
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