模电自测题
模电自测题、思考题与习题参考答案
《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。
2.减小；增大。
3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。
4.0.5；0.7；0.1；0.2。
5. 15V；9.7V；6.7V；1.4V；6V；0.7V。
6.大；整流。
二、1.①；⑤；②；④。
2. ②；①。
3.①。
4.③。
5.③。
6.③。
三、1、2、5、6对； 3、4错。
思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=(10-0.7)/5.1×103≈1.82mA；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=14.3Ω。
再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[14.3/(14.3+25)]u i≈3.6sinωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。
(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥1.7V时VD1导通，VD2截止，u o=1.7V；当u i≤-1.7V时VD2导通，VD1截止，u o= -1.7V；当-1.7V≤ u i≤1.7V时VD1、VD2均截止，u o=u i。
故u o为上削顶下削底，且幅值为±1.7V的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图1.3.2(c)来表示。
当-0.5V<u i<0.5V时，VD1、VD2均截止，u o=u i。
当u i≥0.5V时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈1.42V。
同理，当u i≤-0.5V时，U om≈-1.42V。
图略。
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。
因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。
截止。
1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；-0.7V<u i<8V时，u o=u i；u i<-0.7V时，u o=-0.7V。
模电考试题及答案
第一章 自测题五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∵45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω习题1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。
试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。
解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。
(2)当1BB V V =时，因为60BB BEQBQ bV U I A R μ-==3CQ BQ I I mA β==9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。
(3)当3BB V V =时，因为460BB BEQBQ bV U I A R μ-==，2311.3CC CESCQ BQ CS cV U I I mA I mA R β-====， 所以T 处于饱和状态2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。
模拟电子技术基础自测题及答案.docx
自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。
A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。
A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。
A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 性能。
6．三极管最重要的特性是 。
8．场效应晶体管属于 控制器件。
自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管 11.N沟道增强型 12.P沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（）be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。
（）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。
A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（）。
模电自测题答案
自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题1.C2.C3.C4.B5.B6.B7.D8.A9.A 10.A 11.A 12.B 13.B 14.B15.B三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大9.1K Ω 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题1.C2.D3.D4.D三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接，阻容，变压器，直接自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题1.D2.C3.A4.A5.C6.C7.B8.D三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大8.10mV9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级 中间级 输出级 偏置电路 13.差模信号 共模信号自测题五一、判断题1.错2.对3.对4.错5.对6.错二、单选题1.D2.A3.B三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零4.两输入端电位相等5.输入端无电流6.负反馈自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题1.D2.C3.D4.D5.C6.B7.A8.C三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题七一、判断题1.错2.错3.错4.错5.对6.错二、单选题1.B2.D3.C4.D5.D6.C三、填空题1.没有输入信号2.RC3.LC4.石英晶体5.电阻 电容6. ,2,1,0,2=n n π7.相位8.1>AF 9.AF ＝110.3自测题八一、判断题1.对2.对3.对4.错二、单选题1.D2.B3.A4.D三、填空题1.42.互补对称3.交越失真 甲乙4.78.5自测题九一、判断题1.对2.对3.错4.错5.对6.对二、单选题1.B2.B3.B4.B5.C6.D7.D8.B9.C三、填空题1.电源变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路2.将交流变为直流3.因电流过大而烧坏4.滤掉交流成分5.基准电压与采样电压之差6.0.457.越好8.反向击穿。
模拟电路自测题答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电自测题1答案
2010上学期模拟电子技术自测题一、选择题（从下列3-4个备选答案中选出一个或多个正确答案，并将其代号写在题干后面的括号中。
）1、N型半导体中的多数载流子是（ A ）A．自由电子 B．空穴 C．正离子2、要使放大电路的输出电压稳定，输入电阻增大，应引入（ B ）负反馈。
A．电压并联B．电压串联C．电流串联3、某晶体管，测得电流I1=1.53mA，I2=1.5mA，I3=0.03mA，则可判断出三个电极为( A )A．(1)为e极，(2)为c极，(3)为b极B．(1)为c极，(2)为e极，(3)为b极C．(1)为b极，(2)为c极，(3)为e极4、选用差分放大电路的原因是( CD )A．稳定放大倍数 B．提高输入电阻C．抑制温漂 D．抑制零点漂移5、对于共模抑制比K CMR，以下说法正确的是( BC )A．K CMR越大则电路的放大倍数越稳定B．K CMR越大则电路的对共模信号的抑制能力越强C．K CMR越大则电路抑制温漂能力越强D．K CMR越大则电路输入信号中差模成分越大6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因有（ABC ）。
A.电源电压不稳定B.晶体管的老化C.晶体管参数受温度影响7、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为20dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( BC )A．200倍B．100倍C．40db D．30db8、理想运放构成电路如图1所示,则( B )A．u i>u o B．u i=u o C．u i<u o D．u i= -u o图19、PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ A ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能10、互补输出级采用共集形式是为了使（ C ）A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强11、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ A ）A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路12、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ C ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能13、当信号频率等于放大电路的截止频率f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）A. 0.5 倍B. 0.7 倍C. 0.9 倍D. 2倍14、在NPN管组成的共射放大电路中，当输入5mV/10kHz的正弦波时，输出电压波形出现了底部削平的现象，这种失真是（ A ）A．饱和失真 B.截止失真 C．频率失真15、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( AD ) A．1000倍 B．400倍 C．400 dB D．60 dB16、共集电极放大电路的特点是( AB )A.输入电阻高B.输出电阻小C.电压放大倍数大17、乙类功放电路，因静态工作点不合适引起的失真为( C )。
模拟电路自测题及答案
3.当温度升高时，双极性三极管的β 将 增加 4.在三种基本放大电路中， 6.差分放大电路能对 共模
5.当输入信号频率为 f L 和 f H 时，放大电路放大倍数的幅值约下降为中频时的 0.7 7.理想运放工作在线性区具有
8.单相交流电经过电源变压器、 整流电路 二、单项选择题
1.在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为（ B A.本征半导体 A.自由电子 A.共 e 极放大电路 A.单向导电性 A.元件老化 C.放大倍数不够稳定 A.其反向电流增大 B.P 型半导体 ） B.空穴 C.N 型半导体 2.N 型半导体中少数载流子为 （B
） D.合成半导体 D.空位 D.无法确定 D.正向特性
C.带正电的杂质离子 B ）
3.三种基本放大电路中电压放大系数近似为 1 的是（ 4.稳压二极管是利用 PN 结的（ A ）
B.共 C 极放大电路 C.共 b 极放大电路 B.反向击穿特性 C.反向特性 B ）
5.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不温定
四、综合计算题 1.电路如图 1 所示，已知稳压管的稳压值 UZ＝6V，稳定电流的 最小值 IZmin＝5mA。计算输出电压 UO 的值。 课本 P21 例 1.2.3
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图1 2.判断如图 2 所示电路中各二极管是否导通， 并求 A， B 两端的电压值 UAB。 设二极管正向导通压降为 0.7V。 D1 截止,D2 导通,Uab = - 6 + 0.7 = - 5.3 V
图 4 5.用 想 运 放 构 成 的 电 路 如 图 5 所 示 。 已 知 ： 电路参数， （ 1）说明电路的输出电压是多少； （2）求出电路的阈值电压 UT； （3）分析电路的工作原理，并画出电路的电压传 输特性。
模拟电子技术自测题及答案共5套
模拟电子技术自测题一一.填空题：(20分)1. PN结伏安特性方程为I=_____________________。
2.高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN结存在___________(A. 结电容B. 反向击穿C. 单向导电性)。
3.温度升高时，二极管的正向导通压降将。
(A.增大B. 减小C. 不变)4.单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和B 截止C 交越D 频响）。
5.放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。
6.100μV～10V范围内的音频信号, 经过_____(A.对数B.指数C.乘法)运算电路处理后，可以用0V～10V范围的电压表反映。
二．分析计算题：1．(18分)图示单管共射电路中，已知晶体管β=100，rbb'=200，（1）求ICQ ,UCEQ（2）求rbe(3) 画出微变等效电路(4) 求Au，Ri4．(10分)图示放大电路中，试求电压放大倍数Au （Au=21Ui Ui Uo -）参考答案一． 填空题：1．)1(/-=T U U S e I I1．A2．B3．A B4．A5．A6．C二．分析计算题1．（1）I CQ =2mA, U CEQ =3.32V （2）r be =1.3k （3）（4）Au=-163，Ri=1.3k ，Ro=4.3k4．Au=21Ui Ui Uo -=1+R4/R3模拟电子技术自测题二一.填空题：(20分)1. 温度升高时，三极管的β将要。
(A.增大B. 减小C. 不变)2. 多级放大器的级间耦合方式有_____________ 、_______________和____________________等三种。
3. 如果测得三极管的三个引脚电压分别为U1=0.7V, U2=0V , U3=5V, 则引脚1,2,3分别为___、____和_____极。
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内？A. 10^1B. 10^2C. 10^3D. 10^5 至 10^6答案：D3. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可放大性答案：B4. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的增益带宽积D. 有限的电源电压答案：C5. 在模拟电路设计中，以下哪个不是噪声的来源？A. 电源B. 电阻C. 运算放大器D. 外部电磁干扰答案：B6. 一个二阶低通滤波器的截止频率是1kHz，若要将其转换为高通滤波器，其截止频率将如何变化？A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：A7. 什么是共模抑制比（CMRR）？A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 差模抑制与共模增益的比值D. 共模增益与差模增益的比值答案：B8. 一个理想二极管的正向导通电压是多少？A. 0VB. 0.7VC. 1.5VD. 3.3V答案：B9. 在模拟电路设计中，以下哪个不是电源管理的考虑因素？A. 电源纹波B. 电源效率C. 电源稳定性D. 电源的频率响应答案：D10. 什么是增益带宽积（GBW）？A. 放大器的增益与带宽的乘积B. 放大器的增益与截止频率的比值C. 放大器的带宽与截止频率的比值D. 放大器的增益与截止频率的乘积答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述运算放大器的基本应用之一——非反相放大器的工作原理。
答案：非反相放大器是一种基本的运算放大器应用，其工作原理基于运算放大器的虚短和虚断特性。
在非反相放大器中，输入信号被连接到运算放大器的非反相输入端，输出信号则从运算放大器的输出端获得。
由于运算放大器的高增益，输出信号是输入信号的线性放大版本，其增益由反馈电阻和输入电阻的比值决定。
_模电期末自测题(A)
模电自测练习题（A）一、填空二极管1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。
导通后，硅管的管压降约为0.7V，锗管约为0.2V。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。
N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。
半导体中的空穴带正电。
9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。
10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。
11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。
按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。
12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。
13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的，其工作温度较低。
2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。
模电实验自学测试题参考答案
模电实验自学测试题参考答案一．选择题。
1．某电压为0.03020kV，其有效数字的个数为（C）A. 6B. 5C. 4D. 32．下列不属于系统误差的是（ D ）A.仪表零点漂移误差B.环境温湿度误差C.电源电压的频繁波动误差D.读数习惯误差E. 近似测量方法误差保持输入信号大小不变，改变输入信号的频率，测量相应的输出电压值，求放大倍数。
取得不同频率点对应的放大倍数，即可绘制幅频特性曲线。
在测试过程中必须用示波器监测输出波形，始终保持输出信号不失真。
测量时要保持输入电压不变（用晶体管毫伏表监测）。
如果改变频率后输入电压变化，必须调节信号发生器使被测放大器输入维持原来的大小。
由于测试点有限，因此应该将测试点选得合理些，为此可以先大体测一下上下截止频率的大约数值，然后可以在它们附近多测几点，曲线变化比较平坦的地方可以少取测试点。
在用毫伏表测量电压时应注意：在频率高端要考虑毫伏表输入阻抗的电容分量，甚至引起的分布电容也会影响测试的精确度，因此，必要时应换用高频毫伏表。
6．测量放大器的静态工作点选用下面哪一种仪器测量最合适？请说明理由。
A．万用表B。
交流毫伏表C。
示波器答：测量放大器的静态工作点应选用A.万用表测量最为合适。
放大器的静态工作点的要测量的电量为直流电量，故不能采用交流毫伏表测量，交流毫伏表可以用来测放大器的性能指标时的电压。
用示波器可以测量直流电压，但是示波器的测量值误差相比万用表较大，一般达5％一10％。
所以测量放大器的静态工作点用万用表最合适。
7．要作出一条符合客观规律，反映真实情况的曲线应按哪些步骤进行描绘？试分步说明. 答：要作出一条符合客观规律，反映真实情况的曲线应按以下步骤操作：（1）合理选用坐标系最常用的是直角坐标系，也有用极坐标或其他坐标系的。
（2）合理选择坐标分度，标明坐标名称和单位（3）合理选择测量点自变量取值的两个端点，因变量变化的最大值和最小值点都必须测出来，此外，在曲线变化剧烈的部分要多取几个测试点，在曲线变化平坦的部分可少取测试点。
模电考试试卷
模电考试试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，导电能力介于导体和绝缘体之间的是：A. 金属B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体2. 以下哪种二极管具有单向导电性：A. 发光二极管B. 肖特基二极管C. 稳压二极管D. 整流二极管3. 晶体三极管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的：A. 基极B. 集电极C. 发射极D. 栅极4. 运算放大器的基本工作状态是：A. 饱和状态B. 截止状态C. 线性状态D. 非线性状态5. 以下哪个参数不是描述放大器性能的：A. 增益B. 带宽C. 噪声D. 电阻6. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低噪声C. 减小失真D. 增加功耗7. 以下哪种电路不是数字电路：A. 逻辑门B. 触发器C. 计数器D. 模拟开关8. 集成电路的英文缩写是：A. ICB. CPUC. RAMD. ROM9. 以下哪种波形不是模拟信号：A. 正弦波B. 锯齿波C. 方波D. 脉冲波10. 以下哪个不是模拟电子技术中的滤波器类型：A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体二极管的正向导通电压一般为______伏。
2. 三极管的三个工作区分别是截止区、饱和区和______。
3. 运算放大器在______状态下，输出电压不会超过电源电压。
4. 负反馈可以提高放大器的______稳定性。
5. 模拟信号与数字信号的主要区别在于模拟信号是______的，而数字信号是离散的。
6. 集成电路按功能可分为模拟集成电路和______集成电路。
7. 逻辑门电路中的“与”逻辑关系对应的是______门。
8. 滤波器按照通过频率的高低可分为低通、高通、______和带阻滤波器。
9. 运算放大器的开环增益可以高达______数量级。
10. 模拟信号经过采样、量化和编码后，可以转换为______信号。
三、简答题（每题10分，共30分）1. 请简述模拟电子技术与数字电子技术的区别。
模电测试题及答案
模电测试题及答案一、选择题（每题5分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管的基本放大作用是通过改变哪个参数来实现的？A. 集电极电流B. 发射极电流C. 基极电流D. 漏极电流答案：C2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 零B. 无穷大C. 有限值D. 负值答案：B3. 在共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位关系是：A. 同相B. 反相C. 正交D. 无固定相位关系答案：B4. 以下哪个元件不是模拟电路中的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案：D二、填空题（每空3分，共15分）1. 在模拟电路中，放大器的增益可以通过改变________来调节。
答案：电阻值2. 运算放大器的输出电压范围受到________的限制。
答案：电源电压3. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案：高4. 模拟电路中的反馈可以分为________和________。
答案：正反馈，负反馈5. 模拟电路中的噪声主要来源于________和________。
答案：电源，半导体器件三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案：模拟电路处理的是连续变化的信号，而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路通常使用模拟信号，如电压或电流的连续变化，来表示信息；数字电路则使用二进制数字信号，即0和1，来表示信息。
2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于放大两个输入端之间的电压差；中间级为高增益放大级，进一步放大信号；输出级则负责将放大后的信号输出。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈电阻来控制放大倍数。
四、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个共发射极放大电路，其静态工作点为Vcc=12V，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，β=100，求该电路的静态集电极电流Ic。
模电第1单元自测题解答分析
第1章习题一、填空题：1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。
3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。
PN结的这种特性称为单向导电性。
4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。
6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。
7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。
8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。
9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
二. 判断下列说法的正确与错误：1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。
（错）2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。
（错）3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。
模拟电子技术基础 自测题及答案——2022年整理
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。
A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。
A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。
A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 性能。
6．三极管最重要的特性是 。
8．场效应晶体管属于 控制器件。
自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高10.增强型MOS管11.N沟道增强型12.P沟道增强型自测题二一、判断题r是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（）1．晶体管的输入电阻be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。
（）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变D．不能确定2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（）。
模拟电子技术基础 自测题及 答案
。
9．集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是 。
10．集成运放的输出级多采用
电路。
13．差分放大器的基本特点是放大
、抑制
。
自测题四
一、判断题
1.对 2.对 3.对 4.对
二、单选题 1.D 2.C 3.A 4.A 5.C 6.C 7.B 8.D 三、填空题 1.克服温漂 2.差 3.平均值 4.带负载能力强 5.好 6.零点漂移 7.无穷大 8.10mV 9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级 中间级 输出级 偏 置电路 13.差模信号 共模信号
9．场效应管的最大优点是 。
自测题一
一、判断题
1.错 2.对 3.错
二、单选题
1.D 2.C 3.B 4.A 5.B 6.A 7.B 8.B 9.B 10.D 11.B 12.B 三、填空题 1.掺杂浓度 2.漂移 3.单向导电性 4.变窄 5.削弱 6.电流放大作用 7.增 大 8.电压 9.输入电阻高 10.增强型MOS管 11.N沟道增强型 12.P沟道增强型
A．电压串联
B．电压并联
C．电流串联
D．电流并联
三、填空题
1．在放大电路中，若要稳定放大倍数，应引入 。
2．在放大电路中，希望展宽频带，应引入 。
3．在放大电路中，如要减少输入电阻，应引入 。
6．引入电压负反馈可以稳定放大电路的 。
自测题六
一、判断题
1.对 2.错 3.错 4.错 5.错 6.错
二、单选题
B．展宽频带
C．减小放大倍数
D．稳定静态工作点
5．引入电压并联负反馈后，基本放大器的输入、输出电阻的变化
是（ ）。
A．输入电阻增大，输出电阻增大 B．输出电阻增大，输入电阻
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模电自测题
分析与计算（本题共60分）：
1．(本小题15分)放大电路如图1所示，电路中电容容量足够大，三极管的β＝50，r bb’＝200Ω，U BE＝0.6V，R B1＝120KΩ，R B2＝40KΩ，R C＝R L＝4KΩ，R E＝2.1KΩ，V CC＝12V，信号源内阻R S＝10KΩ，
（1）估算电路的静态工作点I BQ、I EQ、U CEQ；
（2）画出微变等效电路；
（3）计算电路的放大倍数
A 、us A 、输入电阻R i和输出电阻R o的值。
u
（4）去掉旁路电容C E，求电压放大倍数
A ，输入电阻R i。
u
2．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算深度负反馈的闭环电压增益A usf。
图1 图2
3．(本小题10分) 在图3中，已知u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o可能的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。
图3
4．(本小题15分) 图4所示电路中，A1～A5都是理想运放。
（1）当开关S闭合时，计算：
u、2o u、3o u、4o u及o u的值。
1
o
（2）t＝0时，将S打开，则经过多少时间，
u＝0V ？
o
图4
5．(本小题10分)电路如图5所示，Vcc＝20V，R L＝8Ω，则：（1）该电路是什么电路？T1，T2，T3以及D1，D2的作用是什么？（2）当U i＝1sinωt（V），A US＝－10倍时，计算电路的最大输出功率P om。
图5
答案
四、分析与计算（本题共60分）：
1．(本小题15分) 解:(1) V
9.22
1
2
B
B B
B
=⨯+=
CC V R R R U
V
3.2BE
B
E
=-=U
U
U
mA
09.1E
E
E C ==
≈R U
I I
mA
02.0E
B ==
β
I I
V
46.5)(C E C CC CE
=⨯+-=I R R V U
Ω
=+=k ..4109
12651
200r be
（2）略 (3)
70
)
//(be L C -≈-
=r R R A u β
Ω
≈=k 1////be B2B1i r R R R
Ω
==k 9.3C O R R
8
17s
i i s
o s .A R R R u u A u u -≈+=
=
Ω
≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β
(4)
9
01E
be L C u .R )(r )R //R (A -≈++-
=ββ
2．(本小题10分)
解：直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流，交流时通过R f 形成电流并联负反馈，R f 与R e2构成反馈网络，F ＝I f /I o ，A usf ＝Uo/Us ＝IoR C2/I f Rs ＝R C2/RsF ＝（1＋R f /R e2）R C2/Rs 3．(本小题10分) 解：（1）正常情况下，U o ＝U L ＝（1.1～1.2）U 2＝11～12V 。
（2）电容虚焊时，成为单相桥式整流电路，U o ＝0.9U 2＝9V 。
（3）R L 开路时，U o ＝
2
U 2＝14.14V 。
（4）一只整流管和电容C 同时开路
时，成为半波整流电路，U o ＝0.45U 2＝4.5V 。
4．(本小题15分) 解：（1）S 闭合时，U D ＝0，U B ＝1V ，uo1＝2V ，uo2＝－1V ，uo3＝0V ，uo4＝1V ，uo ＝－6V ；（2）
o
u ＝0V 时，
30
215
23-=
+o u ，得uo3＝－3V ，S 打开时，由uo3＝－
⎰t
o dt
u
C
R 0
121，得t ＝0.03秒。
5．(本小题10分) 解：（1）为功率放大电路，T3所在电路是电压放大，T1和T2组成互补对称甲乙类功率放大，D1和D2用来消除交越失真。
（2）P om ＝6.25W 。