半导体三极管β值测量仪
XJ4810晶体管特性图示仪 说明书
XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
三极管的测量方法
三极管的测量方法一、三极管的基本结构和原理三极管是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。
它有三个区域，即发射区、基区和集电区，分别对应P型半导体、N型半导体和P型半导体。
其工作原理是通过控制基极电压来控制集电电流，实现信号放大或开关控制。
二、三极管的分类根据结构不同，三极管可以分为晶体管、场效应晶体管等类型。
其中晶体管又可分为PNP型和NPN型两种。
三、三极管的测量方法1. 静态参数测试静态参数测试主要包括测量三极管的放大倍数β值、截止频率fT值等参数。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于静态参数测试模式下。
（3）给定基极电压Vbe和集电电压Vce，并记录对应的集电电流Ic。
（4）根据公式计算出β值和fT值。
2. 动态特性测试动态特性测试主要包括测量三极管的增益带宽积、输入输出阻抗等参数。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于动态特性测试模式下。
（3）给定输入信号，并记录对应的输出信号。
（4）根据公式计算出增益带宽积和输入输出阻抗。
3. 温度特性测试温度特性测试主要是测量三极管在不同温度下的工作情况，以评估其稳定性和可靠性。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于温度特性测试模式下。
（3）逐步升高或降低环境温度，并记录对应的电气参数值。
（4）根据记录数据分析出三极管的温度特性。
四、注意事项1. 选择合适的测试仪器和设备，确保测量精确可靠。
2. 在进行动态特性测试时，需要注意输入信号和输出信号之间的匹配问题，以避免误差产生。
3. 在进行温度特性测试时，需要控制好环境温度变化速率，以免影响测试结果。
4. 测量过程中需要注意安全问题，避免发生意外事故。
五、总结三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
对其进行准确可靠的测量和评估，有助于提高电路的性能和稳定性。
常用PNP三极管参数
常用PNP三极管参数PNP三极管是一种常用的半导体器件，常被用于电子电路中的放大、开关、稳压等功能。
了解其常用参数对于理解和应用该器件是非常重要的。
1.电流放大倍数（β值）：PNP三极管的电流放大倍数指的是集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）之间的比值。
它是指三极管的放大能力，一般值在10～500之间，不同型号的三极管有不同的β值。
2. 最大集电极电流（Ic max）：指在特定工作条件下，三极管所能承受的最大电流值。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
3. 最大集电极-基极电压（Vce max）：指在特定工作条件下，三极管集电极与基极之间所能承受的最大电压值。
超过该值后会导致器件击穿。
4. 饱和区和截止区：PNP三极管有两个特殊的工作区域。
饱和区指的是当基极电流（Ib）足够大，使得集电极电压（Vce）很小甚至接近零时，三极管处于饱和状态。
截止区指的是当基极电流（Ib）非常小且集电极电压（Vce）较大时，三极管处于截止状态。
5.输入电压偏置和输出电压偏置：PNP三极管的工作需要正确定义基极和发射极之间的电压偏置。
输入电压偏置指的是基极电压与发射极电压之间的差值，输出电压偏置指的是集电极电压与发射极电压之间的差值。
6. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
7.最大工作频率（fT）：指能够在频率上最大工作的三极管。
这个参数对于高频应用非常重要。
它取决于三极管内部结构和材料的特性。
8. 热电阻（θja）：指三极管的热耦合特性，即用于散热时三极管芯片与环境间的温度差。
热阻越小，散热效果越好，越有利于保护器件。
9.尺寸和引脚布局：PNP三极管通常有标准的引脚布局，如基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
这些尺寸和引脚布局使得三极管易于焊接和安装。
10. 各种参数受到温度影响：PNP三极管的性能受到温度的影响。
特别是电流放大倍数（β值）和最大集电极电流（Ic max）会随着温度的变化而变化。
三极管β关系公式推导由来
三极管β关系公式推导由来好家伙，今天咱们来聊聊三极管的β值，讲到这个话题，不得不说，三极管这个东西真是“高深莫测”，很多人一听就觉得“哇，这个问题好像挺复杂的”，其实你稍微捋一捋，它并没有那么神秘，关键是你得理解它背后的意思。
咱们从最基础的来，不要急，慢慢来。
三极管，顾名思义，它可是个“放大器”，就像那种大喇叭一样，能把你说的“小话”放大成“巨响”，如果说的更形象一点，三极管就像是一个“大嘴巴”，能把输入信号放大输出，厉害吧？这个放大的过程，可就离不开一个非常重要的参数——β。
你要问我，什么是β？哎呀，这个问题问得好！三极管的β就是它的“放大能力”，说白了，β值高，它就能放大得更厉害。
好比你跟朋友说话，如果你是个“低音炮”，声音小，那就像是β值低；要是你声音大，能传到好几百米远，那就是β值高。
明白了吧？不过啊，β不是天生就高的，也不是随便能提高的，它是跟三极管的工作状态有关系的。
咱们来看看它是怎么来的。
三极管是由三个半导体层构成的，分别是“发射极”，“基极”和“集电极”，每个部分的名字就像你给自己取个“江湖名”一样，各有特点。
发射极就像个“话匣子”，发射出电子，基极呢，是控制这些电子的“闸门”，集电极就像是个“接收站”，接收从发射极过来的电子。
听着有点乱？其实也不复杂，就是一个电子在里面走来走去，按照不同的电流关系，三极管就能发挥作用。
说到这里，有没有感觉到电流在三极管内部流动的图景？那就对了！这个流动的电流，和β有很大关系。
简单来说，β就是集电极电流和基极电流的比值。
举个例子，你想象你是发射极，朋友是基极，你们之间有个约定：你给朋友一些东西，朋友再把这些东西传给集电极。
每一件传给朋友的东西，朋友又能把它“放大”好几倍再交给集电极。
这个放大的能力，就体现为β值。
比如说，如果β值是100，那么基极电流流入1毫安，集电极电流就能放大到100毫安，厉害吧？不过，话说回来，β值并不是一成不变的。
它其实是受多种因素影响的，温度、三极管的制造工艺、工作电流的大小等等都会影响它的数值。
8050三级的基本管参数
8050三级的基本管参数8050三极管是一种常用的电子元件，作为一种非常重要的半导体元件，广泛应用于各种电子设备中。
对于三级管的基本参数，我们可以从以下几个方面来进行介绍。
首先，我们来看一下三极管的结构。
三极管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和基区之间形成一个非常薄的基极结，而基区和集电区之间形成一个非常薄的集电结。
这种结构使得三极管具有非常好的放大性能和开关能力。
三极管的第一个基本参数是电流放大倍数，也叫做β值。
电流放大倍数是指输出电流与输入电流之间的比值，用来衡量三极管的放大作用。
β值越大，说明三极管的放大作用越好。
一般来说，8050三极管的β值在30到300之间。
第二个基本参数是最大耐压能力。
耐压能力是指三极管在集电结和发射结之间能够承受的最大电压。
对于8050三极管来说，其最大耐压一般在25V到60V之间。
第三个基本参数是最大集电电流。
集电电流是指从集电区流出的电流，也就是三极管的输出电流。
8050三极管的最大集电电流一般在500mA到800mA之间。
第四个基本参数是最大功率耗散。
功率耗散是指三极管在工作过程中的耗散功率，可以通过集电极电流和集电极电压之积得到。
对于8050三极管来说，其最大功率耗散一般在400mW到800mW之间。
第五个基本参数是最大工作频率。
工作频率是指三极管能够正常工作的最高频率。
对于8050三极管来说，其最大工作频率一般在100MHz到300MHz之间。
除了以上几个基本参数外，三极管还有一些其他的参数，如输入电阻、输出电阻和截止频率等。
输入电阻是指三极管的输入端对电流的阻抗，输出电阻是指三极管的输出端对电流的阻抗，而截止频率是指三极管无法正常放大电信号的最高频率。
总结起来，8050三极管的基本管参数包括电流放大倍数、最大耐压能力、最大集电电流、最大功率耗散和最大工作频率等。
这些参数决定了三极管的放大性能、开关能力和稳定性，对于电子设备的设计和应用具有非常重要的意义。
半导体器件综合测试实验报告
半导体器件综合测试实验报告1实验⽬的了解、熟悉半导体器件测试仪器，半导体器件的特性，并测得器件的特性参数。
掌握半导体管特性图⽰仪的使⽤⽅法，掌握测量晶体管输⼊输出特性的测量⽅法；测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下（磁场、霍尔电流）下的霍尔电压，并根据实验结果全⾯分析、讨论。
2实验内容测试3AX31B、3DG6D的放⼤、饱和、击穿等特性曲线，根据图⽰曲线计算晶体管的放⼤倍数；测量霍尔元件不等位电势，测霍尔电压，在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。
3实验仪器XJ4810图⽰仪、⽰波器、三极管、霍尔效应实验装置。
4实验原理4.1三极管的主要参数4.1.1 直流放⼤系数共发射极直流放⼤系数ββ=-( 4-1)(I I)/IC CEO B时，β可近似表⽰为当I IC CEOβ=( 4-2)I/IC B4.1.2 交流放⼤系数共发射极交流放⼤系数β定义为集电极电流变化量与基极电流变化量之⽐，即CE CBv i i β=?=?常数( 4-3)4.1.3 反向击穿电压当三极管内的两个PN 结上承受的反向电压超过规定值时，也会发⽣击穿，其击穿原理和⼆极管类似，但三极管的反向击穿电压不仅与管⼦⾃⾝的特性有关，⽽且还取决于外部电路的接法。
4.2霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作⽤⽽产⽣电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒⼦在磁场中受洛仑兹⼒的作⽤⽽引起的偏转。
当带电粒⼦（电⼦或空⽳）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的⽅向上产⽣正负电荷在不同侧的聚积，从⽽形成附加的横向电场。
图4-1 霍尔效应⽰意图如图4-1所⽰，磁场B 位于Z 的正向，与之垂直的半导体薄⽚上沿X 正向通以电流sI （称为控制电流或⼯作电流），假设载流⼦为电⼦（N 型半导体材料），它沿着与电流s I 相反的X 负向运动。
由于洛伦兹⼒L f 的作⽤，电⼦即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负⽅向的B 侧偏转，并使B 侧形成电⼦积累，⽽相对的A 侧形成正电荷积累。
用万用表检测常用电子元器件
三 、半 导 体 元 件 检 测 １、二极管， 极性及好坏判断。用万用表 Ｒ ×ＩＫ 挡或 Ｒ × ｌ００ 挡， 两表笔分别接触二级管两个引出脚， 如果二级管导 通 ， 表 针 指 示 数 较 小（锗 管 约 几 百 欧 ， 硅 管 为 几 千 欧）时 ， 与 黑 表笔相接的引出脚为正极。接着调换两表笔再测量， 若表针 示数很大（锗管约几百千欧， 硅管为几兆欧， ）说明该二极管是 好的， 并且先判明的极性是正确的。如果正反向电阻均为 ２ 或均为 ∞， 表明该管已经击穿或断路， 不能使用。 应当注意， 测量小功 率 二 极 管 ， 不 宜 使 用 Ｒ ×ｌ或 Ｒ × ｌＯ Ｋ 挡， 前者通过二极管电流较大， 可 能 烧 坏 管 子 ； 后 者 加 在 管子两端的反向电压太高， 容易将管子击穿。另外， 二级管是 一种非线性元件， 它的正反向电阻随万用表的种类和挡位不 同而不一样， 这是正常现象。 ２、三 极 管 （１）管 型 及 管 脚 判 别
（２）性 能 参 数 的 测 量 １． β 值 的 测 量 ， 目 前 ， 多 数 万 用 表 都 设 有 测 量 三 极 管 β 值的挡位， 具体测量方法按万用表说明书讲的去测即可。 （５００ 型万用表无此功能）。 ２． 穿 透 电 流 Ｉｃｅｏ 的 测 量 对 于 Ｎ ＰＮ 管 ， 黑 表 笔 按 Ｃ ； 红 表笔接 Ｅ ； 对于 ＰＮ Ｐ 管， 红表笔按 Ｃ ，黑表笔接 Ｅ ， 所测出的阻 值越大， 穿透电流越小。一般小功率硅管用 Ｒ ×ｌｋ 挡测量表 针 应 不 动 ， 由 于 锗 管 Ｉｃｅｏ 较 大 ， 用 Ｒ ×ｌｋ 挡 测 量 表 针 有 明 显 的偏转。 ３、普 通 晶 闸 管 １．判别晶闸管极性 小功率晶 管 外 形 和 封 装 形 式 与 半 导 体三极管类似， 三个电极较难辨认， 大功率晶闸管三个电极 区别明显， 判别容易。用万用表判别方法为： 万用表打到
半导体三极管β值测量
2010课程设计论文题目：半导体三极管β值测量仪目录一、设计任务及要求； (3)二、内容摘要； (3)三、设计思路和方案； (4)3.1基本方案； (4)3.1.1基本方案思路及框图 (4)3.1.2 恒流源与被测三极管组成的放大电路； (4)3.1.3取样电路与比较器电路； (5)3.1.4编码电路； (6)3.1.5译码电路； (6)3.1.6显示电路； (6)3.2发挥部分； (6)3.2.1发挥部分思路及框图 (7)3.2.2压控振荡电路； (7)3.2.3定时控制电路； (7)3.2.4计数电路； (8)3.2.5译码显示电路................................................................ (9)显示电路四、相关参数计算； (9)4.1基本部分； (9)4.1.1微电流源； (9)4.1.2取样电路； (10)4.1.3分压比较电路； (11)4.1.4编码电路； (13)4.1.5译码及显示电路； (14)4.2发挥部分； (14)4.2.1定时控制电路； (14)4.3整体电路图； (15)五、组装调试； (16)5.1主要仪器和器材； (16)5.2器材清单； (16)5.3调试电路的方法和技巧； (16)5.4测试的数据和波形并与计算结果比较分析； (17)5.4.1基础部分 (17)5.4.2压控振荡器的仿真波形 (18)5.4.3定时控制器的输出仿真波形 (18)5.4.4电路整体分析 (18)5.5调试中出现的故障、原因及排除方法； (19)六、总结设计电路和方案的优缺点； (19)七、收获、体会； (20)八、参考文献、附件； (21)九、附录； (21)一、设计任务及要求任务：设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。
要求：1．基本部分（1）对被测三极管的β值分三档；（2）β值的范围分别为80～120及120～160，160～200；其对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。
三极管的检测及其管脚的判别
三极管的检测及其管脚的判别使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程）现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。
但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管.我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。
以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的.大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。
手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN管.图1 三极管我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。
其形式就像下图。
中间的是基极（B极）。
图2 三极管的内部形式首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。
看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。
这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。
对于PNP管，当黑表笔(连表内电池负极)在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0。
5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1）.对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。
从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3 万用表的二极管测量档图4 判断BC337的B极和管型(1)图4 判断BC337的B极和管型(2)找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。
如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的.而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。
把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母.读数，再把它的另二脚反转，再读数.读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E极.学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速.图5 万用表上的hFE档图6 判断C，E极图7 判断C,E极2。
(完整版)三极管参数测试仪
简易半导体三极管参数测试仪
一、 任务
设计并制作一个小功率半导体三极管参数测试仪
二、 要求
1、基本要求
（1） 在V V A I CE B 10,10≈≈μ 条件下，能测出三极管的直流电流放大系
数β，并用数字显示。
测量范围50~300；测量误差的绝对值小于1100
5+N ，其中N 是直流放大倍数β的显示数值。
（2） 当B I 由10μA 变化到20μA ，CE V 保持不变，能测出三极管的交流
放大系数β，并用数字显示。
测量误差要求同（1）。
（3） 在V V CE 10=的条件下，测量三极管的集电极—发射极反向饱和电流 CEO I ，用数字显示，测量范围0.1μA~100μA ，测量误差≤10%。
（4）测量三极管的集电极—发射极间的反向击穿电压CEO BR V )(，并用数字显
示；测试条件mA I C 1=，测量范围20V~60V ，测量误差≤5%。
（5） 具有三极管管脚插错、损坏指示报警功能。
2、发挥部分
（1） 在V V CE 10=条件下，显示出三极管共射极接法输入特性曲线。
（2） 在0≈B I ，10μA ，20μA ，30μA ，=CE V 0~12V 条件下，显示出三
极管共射极接法输出特性曲线。
（3） 其他。
三、评分标准。
XJ4822型半导体管特性图示仪
XJ4822型半导体管特性图示仪使用说明书上海新建仪器设备有限公司1.概述XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。
1.1 本仪器由下列几部分组成X轴、Y轴放大器阶梯信号发生器集电极电源二簇电子开关低压电源供给高频高压电源及示波管控制电路CRT读测微机电路过流报警电路1.2 仪器的特点1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。
1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压U R可达3000V。
1. 2. 3 由于使用了VMOS器件作为电子开关管, 扩大了测试电流, 使测试电流不再受IB＞0.1mA的限制。
2技术参数Y轴偏转系数2.1.1 集电极电流偏转系数a) 范围(Ic)： 10μA/div～1A/div；b) 分档： 1、2、5进制共16档；c) 误差：±3％。
2.1.2 漏电流(I R)a) 范围： 0.2μA/div～5μA/div；b) 分档： 1、2、5进制共5档；误差：见表1。
表12.1.3 基极电流或基极源电压a) 电压： 0.1V/div；b) 误差：不超过±3％。
2.1.4 倍率a) 范围：×10；b) 误差：±5％±10nA 。
2.2 X轴系统2.2.1 集电极电压偏转系数a) 范围： 0.05V/div～50V/div；b) 分档： 1、2、5进制10档；c) 误差：不超过±3％。
晶体三极管β值的测试方法
晶体三极管β值的测试方法
李振鹏
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】1981(0)4
【摘要】β代表晶体三极管共发射极直流电流放大系数,β=Ic/I-b。
Ic是集电极电流,Ib是基极电流。
当Ic和Vce（集电极-发射极电压）取值不同时β值也略有不同。
因此手册上所规定的β值都是在一定的Ic和Vce数值下测得。
测试时按图1所示的电路进行。
先调节Ec使Vce为规定值,再调节Eb使Ic为规定值。
【总页数】2页(P63-64)
【关键词】晶体三极管;恒流法;电流;晶体管;集电极;基极;半导体三极管;集电装置;测量方法;测试方法;反馈电阻
【作者】李振鹏
【作者单位】朝阳无线电元件厂
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
【相关文献】
1.晶体三极管输入输出特性曲线测试方法探讨 [J], 王辉;张绍忠
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3.增塑剂中环氧值的测试方法研究 [J], 安方
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5.一种同步发电机励磁系统BOD动作值测试方法 [J], 马作甫;陈小明;燕锋;陈环因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
如何测量半导体器件的伏安特性曲线
i
正向特性:
U (t )
i(t ) I S
o
i (t ) ISe
UT
u
反向击穿特性
二、实验原理
3、三极管的伏安特性曲线 共射输入特性曲线： iB
iB f (uBE ) |uCE C
UCE=1V
UCE=10V
以输出口电压uCE为参变量， 反映iB和uBE的函数关系。 o
uBE
二、实验原理
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？ 图示法（又称动态法）：
用集电极扫描电压代替 可调直流电源Ec，再配 合显示处理系统。
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？
图示法（又称动态法）： 三极管输出特性的动态测量
阶梯信号部分
原理框图
三、图示仪基本原理
原理框图
测试台部分
2、三极管的伏安特性曲线 共射输出特性曲线: iC
放
iC f (uCE ) |iB C
以输入口电压iB 为 参变量，反映iC和uCE 的函数关系。
大
区
I B5 I B4 I B3 I B2
I B1 IB 0
o
uCE
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？
点测法： i
o
u
点测法又称静态测试法
PowerPoint
电子科技大学
半导体器件的图测方法
半导体器件的图测方法
内
容
1
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目的 实验原理 实验内容 下次课预习要求
半导体器件的图测方法
一、实验目的
1. 了解晶体管图示仪的原理框图。 2. 熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 3. 掌握二端元器件电压电流关系的图测方法。 4. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 5. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
XJ4810半导体管特性图示仪
3.7 XJ4810半导体管特性图示仪概述：XJ4810型半导体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
本仪器主要由下列几个部分组成：Y轴放大器及X轴放大器；阶梯信号发生器；集电极扫描发生器；主电源及高压电源部分。
本仪器是继JT－l型晶体管特性图示仪后的开发产品。
它继承JT－l的优点，并有了较大的改进与提高，与其它半导体管特性图示仪相比，具有以下特点：1．本仪器采用全晶体管化电路、体积小、重量轻、携带方便。
2．增设集电极双向扫描电路及装置，能同时观察二级管的正反向输出特性曲线、简化测试手续。
3．配有双簇曲线显示电路，对于中小功率晶体管各种参数的配对，尤为方便。
4．本仪器专为工作于小电流超β晶体管测试提供测试条件，最小阶梯电流可达0.2μA／级。
5．本仪器还专为测试二级管的反向漏电流采取了适当的措施，使测试的反向电流I R 达20nA／div 。
6．本仪器配上扩展装置—XJ27100“场效应管配对测试台”可对国内外各种场效应对管和单管进行比较测试。
7．本仪器配上扩展装置—XJ27101“数字集成电路电压传输特性测试台”，可测试COMS，TTL数字集成电路的电压传输特性。
XJ4810型半导体管特性图示仪，功能操作方便，它对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是一个必不可少的测试工具。
一、主要技术指标（l）Y轴编转因数：集电极电流范围：10μA∕div～500毫安／div，分15档，误差≤±3％；二极管反向漏电流：0.2μA∕div～5μA∕div分5档2μA∕div～5μA∕div 误差不超过±3%基极电流或基极源电压：0.05V／div，误差≤±3％；外接输入：0.1V／div，误差≤±3％；偏转倍率：×0.1 误差不超过±（10%±10nA）（2）X轴偏转因数：集电极电压范围：0.05～50V∕div，分10档，误差≤±3％；基极电压范围：0.05～1V∕div，分5档，误差≤±3％；基极电流或基极源电压：0.05V∕div，误差≤±3％；外接输入：0.05V∕div，误差≤±3％。
三极管β值影响因子
三极管β值影响因子及计算摘要：β值是用来衡量三极管放大能力的重要参数看，其稳定性直接影响三极管放大电路的性能。
在描述振荡电路的书籍中经常会看到“随着输入电压的增加，三极管的β将不断减小，直到三极管失去放大作用”这样的表述但往往不表述原因。
《半导体物理》中大多讲述PN 结原理，鲜有对NPN 结构原理的讲解。
本文从能带的角度分析三极管导电原理，建立NPN 结构的理论模型，进而引出β值的计算公式，分析影响β值的因素。
关键字：三极管β值半导体物理振荡电路图1PN 结导电原理：平衡状态下PN 结能带图如图1所示。
图1中坐标n p x x ~-之间是耗尽区，处于p x -左边的是P 区，处于n x 右边的是N 区。
并令P 区的电子的能量为0，即p x x x E -≤=,0)(。
根据半导体理论，处于x 处的电子的浓度为：)(exp[)(0Tk x E E N x n F C -=（1）其中E（x）为电子在x 处的能量，其值等于)()(x qV x E -=。
V（x）是x 点的电势。
设平衡状态下N 区的电子浓度为0n n ，N 区导带上电子能量cn E x E =)(，则]exp[00Tk E E N n cn F C n -=（2）由（2）推出：]exp[00Tk E E n N F cn n C -=（3）利用D cn qV E -=得出])(exp[])(exp[)(0000Tk qV x qV n T k x E E n x n D n cn n -=-=（4）当p p L x x --=时，V（x）=0,]exp[)(00T k qV n L x n D n p p -=--（5）。
（5）式即为P 区少子电子的浓度0p n 。
当PN 结外加正向偏压V 时，PN 结的费米能级如图2所示。
图中p n L L 和分别是电子和空穴的扩散长度。
由于系统处于不平衡状态，P 区和N 区存在各自的准费米能级qV E E F F =-p n ，N 区的电子浓度为在x x x p p ∆---~之间，我们发现P 区的准费米能级更接近导带底cp E ，也就是说在x x x p p ∆---~之间，P 型半导体发生了反型变成了N 型半导体。
电子技术实验--半导体器件的测试实验
半导体器件的测试实验实验组号__ __学号姓名实验日期成绩____ ___指导教师签名一、实验目的学会用万用表测试二极管、三极管的性能好坏，管脚排列。
二、实验器材1.万用表1只（指针式）。
2.二极管、三极管若干。
三、注意事项：1.选择合适的量程，使万用表指针落在万用表刻度盘中间的位置为佳。
2.测试电阻前应先调零。
3.测量时不要同时用手接触元件的两个引脚。
4.测量完毕时应将万用表的转换开关转向off位置或交流最高电压档。
5.不能用万用表测试工作中的元件电阻！四、实验内容1.半导体二极管的测试◆半导体二极管的测试要点：用指针式万用表测二极管的正反向电阻，当测得阻值较小的情况下，黑笔所接的极是二极管的正极。
（1）整流二极管的测试将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表1中。
（2将万用表置于R⨯10kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表2中。
2.半导体三极管的测试◆半导体三极管的测试要点：将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零。
①首先判基极和管型•黑笔固定某一极，红笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，黑笔所接的极是基极，所测的晶体管是NPN管。
•红笔固定某一极，黑笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，红笔所接的极是基极，所测的晶体管是PNP管。
②其次判集电极和发射极•对于NPN管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），黑笔接假设的集电极，红笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，黑笔所接的是集电极，另一电级是发射极•对于PNP管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），红笔接假设的集电极，黑笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，红笔所接的是集电极，另一电级是发射极。
三极管交流放大系数和直流放大系数表示
三极管交流放大系数和直流放大系数表示一、什么是三极管？三极管是一种半导体器件，由晶体管的三个控制极（发射极、基极和集电极）构成。
它是广泛应用于电子设备中的一种放大器件，能够放大电流和电压信号，因此在电子电路中起着非常重要的作用。
二、三极管的交流放大系数和直流放大系数表示在分析三极管工作时，我们经常会涉及到交流放大系数和直流放大系数。
交流放大系数指的是三极管对输入的交流信号进行放大的能力，通常以β表示；直流放大系数则是指三极管对输入的直流信号进行放大的能力，通常以α表示。
1. 交流放大系数（β）的表示和计算交流放大系数（β）可以用来衡量三极管对交流信号进行放大的能力。
它定义为输出交流电流与输入交流电流之比，通常用以下公式表示：β=ΔIc/ΔIb其中，ΔIc表示输出集电极电流的变化量，ΔIb表示输入基极电流的变化量。
交流放大系数（β）的值可以通过实验测量得到，通常取值在20~200之间。
2. 直流放大系数（α）的表示和计算直流放大系数（α）是指三极管对直流信号进行放大的能力。
它定义为输出集电极电流与输入发射极电流之比，通常用以下公式表示：α=ΔIc/ΔIe其中，ΔIc表示输出集电极电流的变化量，ΔIe表示输入发射极电流的变化量。
直流放大系数（α）的值可以通过实验测量得到，通常取值接近1。
三、三极管交流放大系数和直流放大系数的重要性三极管的交流放大系数和直流放大系数是对三极管工作性能的重要指标。
了解和掌握这两个参数，有助于我们设计和优化电子电路，提高电路的放大效果和稳定性。
1. 交流放大系数的重要性交流放大系数反映了三极管对交流信号放大的效果，它直接影响到电路的放大倍数和频率响应。
合理选择和调整三极管的参数，可以提高交流放大系数，从而获得更好的信号放大效果。
2. 直流放大系数的重要性直流放大系数反映了三极管对直流信号放大的效果，它影响到电路的稳定性和静态工作点。
在实际电子设备中，我们需要根据需要合理选择直流放大系数，以确保电路的稳定性和可靠性。
三极管饱和压降测试方法
三极管饱和压降测试方法
1. 测试仪器和设备，进行三极管饱和压降测试时，需要使用万
用表、直流电源和电阻器等仪器设备。
万用表用于测量电压和电流，直流电源用于提供测试电压，电阻器用于限制电流。
2. 测试电路连接，首先，将三极管正确连接到测试电路中。
通常，基极通过一个适当的电阻器连接到正极，集电极连接到正极，
而发射极连接到负极。
确保连接正确并稳固。
3. 测试电流和电压，接通直流电源，通过改变电源的电压值，
记录不同电压下三极管的电流值。
在饱和状态下，电流会饱和，不
再随电压的增加而增加。
通过记录不同电压下的电流值，可以得到
三极管的饱和压降特性曲线。
4. 数据处理和分析，将所得数据整理并绘制成电流-电压曲线图。
通过曲线图可以清晰地看出三极管的饱和压降情况，从而进行
准确的分析和计算。
5. 注意事项，在进行测试时，需要注意保持测试环境的稳定，
避免外界干扰。
另外，要确保测试电路连接正确，以免因连接错误
导致测试结果不准确。
总的来说，三极管饱和压降测试方法涉及到测试仪器和设备的选择和连接、测试电流和电压的记录以及数据处理和分析等多个方面。
通过全面的测试方法，可以准确地得到三极管在饱和状态下的压降大小，为电路设计和分析提供准确的参考数据。
数字万用表的使用,图解用数字万用表测三极管、电容
数字万用表的使用，图解用数字万用表测三极管、电容数字万用表的使用，图解用数字万用表测三极管、电容2010-04-14 10：50万用表-我以前只是用用电阻档、电压档、二极管档，最近又看了相关的文章，学习了一下其他的应用。
我把我的学习过程跟新手分享一下吧~我也算是个新手吧，中间有什么错误请大家指出，谢谢~说说万用表测三极管吧。
大家知道，三极管分为PNP管和NPN管(P是positive的缩写，N是native的缩写。
我的理解：PNP就是正负正，NPN就是负正负)。
拿到一个三极管我们要先判断是pnp还是npn管，首先我们要先找到基极(PNP就是N那个脚，NPN就是P那个脚)，我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，对于NPN管，当红表笔在基极上(数字万用表红表笔接内电池的正极,黑表笔接内部电池的负极。
)，黑表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8)，表笔反过来接则一般显示1(无穷大)。
对于PNP表来说则是黑表笔连在基极上。
下面就我手头有的一片9013为例，给大家说明一下。
上万用表为了解放双手拍照，更换表笔，带夹子方便多了。
先测试其为pnp还是npn。
由下图可知9013为npn管，中间的管脚为基极。
下面该判断发射极和集电极了。
我们利用数字表的三极管hFE档(hFE测量三极管直流放大倍数)。
把万用表打到hFE档上，把9013插到到npn的小孔上，b极(基极)对上面的b字母。
读数，再把它的另二脚反转，再读数。
读数较大的那次就是正确的管脚位置了，对应万用表的标注找到c、e极。
看图。
第一次，读数15第二次读数199，说明这次是正确的了。
由此我们判断出9013，平面面对我们，从左到右三个脚依次为e、b、c(发射极、基极、集电极)。
特此找来资料证实我们的检测是正确的。
看图。
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半导体二极管、三极管来料检验规程
半导体二极管、三极管来料检验规程(总7页)-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除半导体晶体管部分1内容本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。
2范围本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验和验收。
3引用标准GB2828.1-2003 计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB2421 电工电子产品基本环境试验规程总则GB2423.22 电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法GB2421 电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法GB4798.1 ?电工电子产品应用环境条件贮存4检验测试设备和测试方法测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等）测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置数字万用表、不锈钢镊子等应手工具晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。
人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。
测试准备：晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。
检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。
每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。
4.1 绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT主要测试参数：IGBT的特性曲线IGBT的饱和压降V CESIGBT的栅极阈值电压V GE（th）IGBT的击穿电压V CER测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。
4.1.1 测IGBT的输出特性曲线按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。
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课程设计名称：电子技术课程设计
题目：半导体三极管β值测量仪
专业：
班级：
姓名：
学号：
课程设计成绩评定表
课程设计任务书
一、设计题目
半导体三极管β值测量仪
二、设计任务
1.对被测NPN型三极管值分三档，80－120,120－160,160－-200三档，
并分别编号为1、2、3；
2.用四个发光二极管显示编号，处于待测时全部灭，超过200显示四个
全部亮。
三、设计计划
电子技术课程设计共1周。
第1天：选题，查资料；
第2天：方案分析比较，确定设计方案；
第3～4天：电路原理设计与电路仿真；
第5天：编写整理设计说明书。
四、设计要求
1. 画出整体电路图。
2. 对所设计的电路全部或部分进行仿真，使之达到设计任务要求。
3. 写出设计说明书。
指导教师：回立川
时间：2012年6月12日。