【图文】模拟电子技术基础 课件 第三章 高等教育出版社
模拟电路讲课+说课
均加反偏。
重点讨论BJT的放大模式，以NPN型为例，讨论结果对PNP型 同样适用，只是所需电压极性相反，产生的电流方向相反。
（2）内部条件：
①发射结为不对称结：e区掺杂浓度远大于b区；
②基区宽度很小；
③集电结面积大于发射结面积（约3~5倍）。
目的： 使E区多子自由电子通过发射结注入、基区扩散（复合）和集电区 收集（通过C结漂移）三个环节将IEN 转化为ICN ，大小仅受E结电压控 制。
许猛华电信1302教学对象主导教材高等教育出版社出版康华光主编电子技术基础模拟部分辅助教材电子线路线性部分第四版高教出版社模拟电子技术基础教学章节第三章三极管及其放大电路放大电路的频率响应二教学对象电气信息类专业大学二年级学生教法教什么直观教学法模像直观三极管实物三教法学法学法学什么实践与理论相结合四教学过程课后学生学习的反馈学生的课堂反应备课
BJT是由两个PN结背对背排列组成的。
实物图像
半导体三极管的型号
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
ENIM
（ 2） 共射极
（3共集电极
四、BJT的主要参数
(1)
(2)
(3)
电流 放大系数
极间 反向电流
极限参数
成功需要有一颗探索科学的心
THANK YOU
一、BJT内部的载流子传输过程
1. 因为发射结正偏，所以发射区 向基区注入电子 ，形成了扩散电 流IEN 。同时从基区向发射区也有 空穴的扩散运动，形成的电流为 IEP。但其数量小，可忽略。 所以 发射极电流I E ≈ I EN 。 2. 发射区的电子注入基区后，变成 了少数载流子。少部分遇到的空 穴复合掉，形成 IBN 。所以基极电 流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区 的边缘。
电路与模拟电子技术技术基础_图文
线性：VCR曲线为通过原点的直线。 否则，为非线性。
非时变(时不变)： VCR曲线不随时间改变而 改变。 否则，为时变。 即： VCR曲线随时间改变而改变。
电阻元件有以下四种类型：
u-i特性 时不变 时变
线性 u
i u t1 t2
i
非线性 u i
u t1 t2 i
电阻实物
精密型金属膜电阻器
金属氧化皮膜电阻器
直流电流——大小、方向恒定， 用大写字母 I 表示。
参考方向--人为假设，可任意设定，但 一经设定，便不再改变。
参考方向的两种表示方法：
1 在图上标箭头； i
2 用双下标表示
a
b
在参考方向下，若计算值为正，表明
电流真实方向与参考方向一致；若计
算值为负，表明电流真实方向与参考
方向相反。
1.2.2 电压和电压的参考方向
信号处理 (中间环节)
接受转换信 号的设备
(负载)
1.2 电 路 变 量
1.2.1 电流和电流的参考方向
电流方向—正电荷运动的方向
电流参考方向—任选一方向为电流正方向。
如：
a
I
ba
I
b
正值
负值
严格定义：电荷在导体中的定向移动形 成电流。电流强度，简称电流i(t)，大 小为：
单位：A ， 1安 = 1 库 / 秒
当
(R=0)时，相当于导线,“短路”
注意：u与 i 非关联时 ，欧姆定理应改写为
例 分别求下图中的电压U或电流I。
3A 2 +U 解：关联
I2 + -6V -
非关联
瞬时功率：
电阻是耗能元件，
是无源元件。
(完整word版)模拟电子技术教学大纲
目录编写说明 (2)教材和教学参考书 (4)第一部分理论教学要求 (4)第二部分实践教学要求 (17)第三部分教学进度表 (20)第四部分考核要求 (21)《模拟电子技术》课程教学大纲贺存锋编写说明一、课程的性质和教学目的本课程是电气、电子类专业的主要技术基础课之一，是一门理论和实际紧密结合的应用性很强的课程。
教学目的：在使学生获得模拟电子技术必备的的基本理论、基础知识的同时，着重培养学生的智力技能，提高他们分析问题、解决问题以及实践应用的能力，为学习后续课程和毕业后从事电子技术方面的工作打下必要的基础。
二、课程的任务和基本要求通过本课程的学习，在基本理论和基本技能方面应达到以下要求:1.基本器件方面了解常用半导体二极管、三极管、场效应管、线性集成电路的基本工作原理、特性和主要参数，并能合理选择和使用这些器件。
2.基本电路原理及结构方面掌握共射、共集放大电路，差分放大电路，互补对称功率放大电路，负反馈放大电路，集成运算放大电路的结构、理解它们的工作原理、性能及应用。
3.应用电路方面（1）熟悉正弦和非正弦信号产生电路，一阶有源滤波电路、整流滤波电路的结构、工作原理、性能及应用；熟悉三端稳压器件的应用。
（2）了解集成功放、集成模拟乘法器、集成函数信号发生器的应用。
（3）了解调制解调的基本概念和调制解调的基本方式。
4.分析计算方面（1）了解单级放大电路的图解分析方法。
（2）掌握三极管简化H参数微变等效电路分析方法，能估算单级放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻，了解多级放大电路的分析方法。
（3）掌握负反馈放大电路的类型判别，在深度负反馈条件下，掌握利用虚短或虚断估算电路电压放大倍数的方法。
（4）掌握正弦振荡条件的判断。
（5）熟悉稳压管稳压电路、串联型稳压电路的工程计算。
（6）掌握理想运放的基本运算规则、线性应用和非线性应用的分析计算方法。
（7）了解放大器频率特性和指标含义。
5．基本技能方面（1）初步掌握阅读和分析模拟电路原理图的一般规律。
模拟电子线路课程设计.pptx
1、稳压电路要加有放大环节以改善稳定性。 2、输出电压在一定范围内连续可调。 3、要加有保护电路。
4. 技术指标
输入电压：220V/50Hz 输出直流电压：3—6V，6—9V，9—12V 可变输出电压
5. 内容摘要
1、直流稳压电源是一种将 220V 的交流电转换成稳压输出的直流电压的 装置，它需要变压、整流、滤波、稳压四个环节完成。
按题目要求进行设计（总体方案设计、具体设计单元电路、元件 参数选择、计算、电路仿真），写出设计报告，给出电路图及实验 结果。
指导教师签名：
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1
目录
一 寸 光 阴 不 可轻
1
一 寸 光 阴 不 可轻
模拟电子线路课程设计
一、设计内容
1. 设计题目
串联型直流稳压电源
2. 设计目的
1、学习电子系统设计的一般方法。 2、学会选择变压器、整流二极管、滤波电容及三极管来设计直流稳压电源。 3、掌握稳压电源的主要性能参数。 4、掌握 Multisim 仿真软件的应用。 5、掌握常用元器件的识别与测试。 6、熟悉常用仪表，了解电路调试的基本方法。
5、滤波后的直流电压，再通过稳压电路稳压，便可得到基本不受外界影响 的稳定直流电压输出，供给负载 RL。
6、根据设计的电路图到实验室选择合适的元件进行试验。 7、报告中给出电路原理图以及元件选择，最后给出元件参数以及参考
文献。
二、电路原理图及原理图说明
2
一寸光阴不可轻
2.1 电路原理图
直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四部分组成， 如图所示：
基准电压由稳压管 D2 提供，接在比较放大器的发射极。稳压管和电阻R4 组 成稳压电路。由于所加负载的不同，负载会电阻发生变化，并且电网电压也会有 上下波动，稳压电路可以保持输出电压的基本稳定。 5 .调整管
模拟电子技术基础 Lec7
中频区增益也 称为通带增益
fL 10fL
-
0.1fH
fH
10fH f/Hz
带宽（通频带） -40 20dB/十倍频 低频区 -45 /十倍频 中频区 -20dB/十倍频 高频区
90 45 0
-45 /十倍频 -45 -90
16
f/Hz
华中科技大学
7 放大电路频率响应
7.1 RC电路的频率响应 7.2 放大电路频率响应的简化等效模型 7.3 集成运算放大器的频率响应 7.4 共源极放大电路的频率响应 7.5 共射极放大电路的频率响应 7.6 三极管基本放大电路频率响应比较
18
华中科技大学
7.2 放大电路频率响应的简化等效模型
2. 直接耦合放大电路的等效模型
等效RC低通电路
等效RC低通电路
V i
Av VM
R C
V o
V i
AV vM
R C
V o
可以放大直流信号，低频区增益不会衰减，仍保持通带 增益。但在高频区，三极管的极间电容及电路中的分布电容、 负载电容等使放大电路的高频增益下降，它们的影响可以等 效为RC低通电路。如果这些影响最终可以等效为单时间常数 RC电路，或只有一个起决定作用的RC电路，则可以用上述 等效模型来分析直接耦合放大电路的频率响应。
华中科技大学
7.3.1 单时间常数集成运算放大器的频率响应
幅频响应
A vH
fH
| /dB 20lg| A v V
波特图
-20dB/十倍频
| AvM | 1 ( f / fH )
2
20lg|AVM|
1 2 πRC
(a) 0 0.1fH fH 10fH fT f /Hz
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V，锗材料约为0、2~0、3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0、6~0、7V，锗管0、2~0、3V。
*死区电压------硅管0、5V，锗管0、1V。
3、分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法3、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案
Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
（2）画 H 参数等效电路，求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图（c）可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示，已知三极管的β=50，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ； （2）画出 H 参数小信号等效电路，求 Au、Ri、Ro； （3）求源电压增 益 Aus。 解： （1）求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
《模拟电子技术基础》教学大纲
《模拟电子技术基础》教学大纲课程类别: 技术基础课课程名称: 模拟电子技术基础开课单位: 课程编号: 2070215总学时: 72 学分: 4.5适用专业: 自动化类、电子信息类、电气类、计算机类、测控技术类等一、先修课程: 大学物理、电路基础等课程二、课程在教学计划中地位、作用电子技术基础是入门性质的技术基础课, 它既有自身的理论体系, 又有很强的实践性。
本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能, 培养分析问题和解决问题的能力, 为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。
本课程是我院工科电类专业本科生的必修课, 而且随着市场经济和对高等学校人才素质的要求, 也成为我院非电类专业本科生的必修课。
二、课程内容、基本要求绪论第1章半导体二极管及其基本电路1.1 半导体的基础知识1.2 半导体二极管1.3 半导体二极管的应用1.4 特殊二极管正确理解PN结的形成及其单向导电作用, 熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。
熟练掌握二极管在电路中的应用。
重点: PN结的单向导电性；二极管应用电路分析；稳压管稳压条件及稳压电路分析。
难点: PN结的形成；应用电路中二极管模型的选择及二极管工作状态的判断。
第2章晶体管及其基本放大电路2.1 晶体管2.2 放大的概念及放大电路的性能指标2.3 共发射极放大电路的组成及工作原理2.4 放大电路的图解分析法2.5 放大电路的微变等效电路分析法2.6 分压式稳定静态工作点电路2.7 共集电极放大电路2.8 共基极放大电路2.9 组合单元放大电路正确理解晶体管的工作原理, 熟练掌握外特性和主要参数。
正确理解放大的基本概念, 放大电路的主要指标, 掌握放大电路的组成特点。
在放大电路的图解法, 主要用来确定静态工作点, 分析动态过程和波形失真。
熟练掌握放大电路的等效电路法, 会计算静态工作点, 能用H参数微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。
《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为 5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V，6V ，9V和14V几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？3图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
电子技术第三章集成电路-107页精品文档
3.1 集成运放的简介
集成电路简介
*集成电路:是把整个电路的各个元件以及相互之间的联接 同时制造在一块半导体芯片上, 组成一个不可分的整体。 *集成运算放大器:是一种具有很高放大倍数的多级直接耦 合放大电路。是发展最早、应用最广泛的一种模拟集成电 路。 *集成电路优点:工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、 功耗小,可靠性高、价格低。 *集成电路分类：模拟集成电路、数字集成电路；小、中、 大、超大规模集成电路；
A u d u i1 1 u o u i2 d 2 u u o 1 i1 2 i i b b R R b c / R r b / L e 2 R R b c /r R b / Le
输入和输出方式
1. 双端输入、双端输出:输入输出端没有接地.
(1)差模电压放大倍数 :
Aud1
(Rc
//
RL 2
Rb rbe
)
+ V CC
Rc + uo - Rc
(2)共模电压放大倍数
Rb T1
+
u-o 1
RL
+
u-o 2
T2 Rb
Auc 0
+
(3)差模输入电阻
u i1
R i d 2R brbe
3.3 差动放大电路
典型结构与原理
*原理分析要点:(1)差分放大电路的静态和动态计算方法与
基本放大电路基本相同。为了使差分放大电路在静态时,其
输入端基本上是零电位，将Re从接地改为接负电源－VEE。 (2)分析方法要注意2个等效关系:①对每个三极管Re等效2
倍Re,②差模输入的虚地问题.
+ V CC