模拟电子技术高等教育出版社,第三章习题答案
〖电工电子技术〗(第三版) 高等教育出版社习题解答
〖电工电子技术〗(第三版)主编刘蕴陶习题解答(仅供参考)2 0 1 4 . 8习 题 一1-1电流I 1、I 2实际方向与图示参考方向一致I 3实际方向与图示参考方向相反电压U 1、U 2、U 3实际方向与图示参考方向一致U 4实际方向与图示参考方向相反电流I 1与U 4、I 2与U 2、I 3与U 3为关联参考方向 I 1与U 1为非关联参考方向1-2(a)图 P =20W 吸收 (b) 图 P =20W 提供(c)图 P =(-10)×(-2)=20W 吸收 (d) 图 P =10×(-2)=-20W 吸收1-3 (a ) U =IR =2×1.5=3V (b ) U =-IR =-(-2)×1.5=3V1-4 (b)U =10V 不变 (1) U -7+2.5×2=0 U =2V (2) 电流源 P 1=2.5×2=5W 吸收电压源 P 2=2.5×7=17.5W 提供 1-6(1) 电流 A 25.131==II =I 1+3=5A恒流源端电压 U =1.5I 1-3×1=1.5×2-3=0(2) 电压源 P 1=3I =3×5=15W 提供 电流源 P 2=01Ω电阻 W 91323=⨯=P 吸收+ + - - - - U =10V U =10V U =-10V U =10V - +U+ U U 1-- + -U1.5Ω电阻 W 65.1224=⨯=P 吸收 功率平衡1-7 I 1+I 2-I 3-I 4=0I 4=I 1+I 2-I 3=1.5+(-2.5)-3=-4A1-8I R =-I 1+I 2+I 3=-(-4)+3.5+1=8.5AI 5=I R +I 4=8.5+(-8)=0.5A1-9电流参考方向如图所示KVL 方程212211E E R I R I -=+1-10 (a) (b)U =E -IR U =-E+IR 1-11 mA 4.22312311=+=+=R R U ImA 8.08712422=+=+=R R U IU AB =I 2R 2﹣I 1R 1=0.8×7-2.4×3=-1.6V1-12KVL 方程01122S =---R I U R I U1-13 电源电动势 E = U O = 49.44V 电流 A 4.22048===R U IEE E2E 1 UR 2R 4I SR E内阻 Ω==-=-=6.04.244.14.24844.49O I U E R1-14 短路电流 A 4.826.044.49O ===R E I sh 6.2044.82N Sh ==I I (倍)1-15U 1=U -U N =120-110=10V 分压电阻 Ω===52101N I U R1-16 2W 、5k Ω电阻器额定电流 mA 2010523=⨯==R P I (1) 两个0.5W 、2.5k Ω电阻器串联,等效电阻5k Ω,满足阻值要求。
模拟电子技术基础(王淑娟、于泳)全部课后答案(高等教育出版社)
模拟电子技术题库第2章【2-1】填空:1.本征半导体是,其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3.漂移电流是在作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和。
5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。
6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
1.完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。
2.杂质浓度,温度。
3.少数载流子,(内)电场力。
4.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
5.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z),工作电流(I Emin),最大管耗(P Zmax)和动态电阻(r Z)6.增大;【2-2】试分析图2.10.1电路,计算电位器调节端对地的输出电压范围。
+1212V图2.10.1 题2-2电路图解:二极管的正向特性曲线,当电流较大时,比较陡直,也具有一定的稳压特性。
此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。
可以从其他电源转换而来,例如图中的±12V直流电源,比通过电阻降压要好。
两个二极管正偏工作,a、b二点间的电压为1.4V。
330W的电位器跨接在a、b二点之间,a点是+0.7V,b点是-0.7V。
U o对地电压的调节范围-0.7V~+0.7V,电位器的中点是0V。
【2-3】电路如图2.10.2所示,二极管均为理想二极管,电压U为220V市电,L1、L2和L3为3个灯泡,请分析哪个灯泡最亮。
123图2.10.2 题2-3电路图[解] 根据题意,电压U 为220V 交流市电,故该电路的分析应该从正半周和负半周两个方面进行。
在正半周,D 2导通,L 2被短路,D 1和D 3截止,L 1和L 3各分得电压110V ;在负半周,D 1和D 3导通,L 1和L 3被短路,L 2上承受220V 电压;故L 2灯最亮。
《数字电子技术基础》课后习题答案
BC A
00
01
11
10
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
则表达结果 Y 的表达式为:
逻辑电路如下:
技能题:
3.20:解:根据题意,A、B、C、D 变量的卡诺图如下:
CD AB
00
01
11
10
00
0
0
0
0
编辑版 word
01
0
0
0
0
11
0
1
1
1
10
0
0
0
0
电路图如下:
编辑版 word
第四章:
自测题:
一、 2、输入信号,优先级别最高的输入信号 7、用以比较两组二进制数的大小或相等的电路,A>B 二、 3、√ 4、√ 三、 5、A 7、C
第六章:
自测题:
一、 1、存储,组合逻辑,存储 3、时钟 CP,时钟 CP,时钟 CP,时钟 CP 9、4,4
二、 2、√ 9、×
三、 3、C 8、D
练习题:
6.2、
(1)输出方程
Y Q2n
(2)驱动方程
n
J0 Q2
J1 K1 Q0n
K0 1
J 2 Q1nQ0n
(3)状态方程
K2 1
Q0n1
练习题:
4.1;解:(a) (b)
,所以电路为同或门
,所以电路为与门。
4.5、解:当 M=0 时,
, 所以此时电路输出反码。
,同理可推:
当 M=1 时,
, 所以此时电路输出原码。
,同理可推:
4.7、Y ABC D ABCD ABC ABC D ABCD ABC D BD ABC BC D
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案
Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
(2)画 H 参数等效电路,求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图(c)可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示,已知三极管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=0.7V,各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ; (2)画出 H 参数小信号等效电路,求 Au、Ri、Ro; (3)求源电压增 益 Aus。 解: (1)求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
高等教育出版社 无机化学 第三章 课后习题答案
12.通过近似计算说明,12号、16号、25号元素的原子中,4s和3d哪一能级的能量高?
13.根据原子轨道近似能级图,指出下表中各电子层中的电子有无错误,并说明理由。
元素
K
L
M
N
O
P
19
22
30
33
60
2
2
2
2
2
8
10
8
8
8
9
8
18
20
18
2
2
3
18
12
2
答
14.说明在同周期和同族中原子半径的变化规律,并讨论其原因。
1.原子中电子的运动有何特点?几率与几率密度有何区别与联系?
答
2.什么是屏蔽效应和钻穿效应?怎样解释同一主层中的能级分裂及不同主层中的能级交错现象?
答
3.写出原子序数为24的元素的名称、符号及其基态原子的电子结构式,并用四个量子数分别表示每个价电子的运动状态。
答
4.已知M2+离子3d轨道中有5个电子,试推出:(1)M原子的核外电子排布;(2)M原子的最外层和最高能级组中电子数;(3)M元素在周期表中的位置。
答
10.下列说法是否正确?不正确的应如何改正?
(1)s电子绕核运动,其轨道为一圆周,而电子是走S形的;
(2)主量子数n为1时,有自旋相反的两条轨道;
(3)主量子数n为4时,其轨道总数为16,电子层电子最大容量为32;
(4)主量子数n为3时,有3s,3p,3d三条轨道。
答
11.将氢原子核外电子从基态激发到2s或2p,所需能量是否相等?若是氦原子情况又会怎样?
答
5.按斯莱脱规则计算K,Cu,I的最外层电子感受到的有效核电荷及相应能级的能量。
课后习题答案大全
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电子技术基础_模拟部分(第五版)课后答案
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《模拟电子技术基础》(国防工业出版社)课后习题答案
〖题1.1〗 (1)杂质浓度,温度(2)呈电中性,呈电中性(3)等于,大于,变窄,小于,变宽(4)反向击穿(5)增大,增大,减小(6)左移,上移,加宽(7)、发射结,集电结(8)一种载流子参与导电,两种载流子参与导电,压控,流控。
〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压O U 。
设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。
图 T1.2(a )(b )(d )(c)解:(a )U O =U A -U D =-5V -0.7V=-5.7V (b )U O =U B =U C =-5V (c )U O =U A =-0.7V (d )U O =U A =-9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示,已知(m V )sin 10i t u ω= ,V 2.1=E ,+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ,电容C 和直流电源E 对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示,求二极管两端的电压和流过二极管的电流。
解: m A )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V)sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
(a)(b)图 T1.4解:(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通;(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。
〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中,已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。
模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1lnmV 26U D =≈ 1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。
(1)当二极管正偏压为0.65V 时,二极管的正向电流为多少(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则 T=300k(即27℃), 则67℃时,1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。
试求:(1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)(2)1-4 当0.7V 0.8V 时正向电流为多少 解:1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
反之二只背靠背连接的二极管可等效为一个三极管吗解:集电结反偏,用二极管等效集电结反偏时不可能有电流, 1-6 P1-6 解:D 0.7图 P1-3 6V(a)(b)图 NPNPNPe图 P1-61-7 已测得晶体三极管各极对地电位如图P1-7所示。
判断它们处于何种工作状态(饱和,放大,截止或损坏)。
截止U BE =U CE1-8P1-8=0,E B =5.6V Ω,E C =12V ,U(=2K ΩCEQ(C =5.1K Ω(3)如晶体管工作在放大状态,调节R B 使I CQ =2mA 。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)高等教育出版社1
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
(完整版)电路与模拟电子技术(第二版)殷瑞祥_习题答案_第1-4章标准版-高等教育出版社
1.4习械详解!-i 电珞#艮R已MHL in: *aii!feWRin(n 流P童尿胃的於*/芥深虏口套际方凯. .ijLb*■ J口丁. —¥ -9 A _ 4 * 11 ♦ L * f■: J,5 ----- ---- s-A = - I A *11 JL『峋di也f»果蛭金哈,去元丈峋击斜。
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的电压、助率均未&过电源宅底•功率的敏定值;但不腹技到220 V,5 kW的电源I•.因为其鹿率强出电旃或定功率I倍.游导敢电源.烧坏ai-6 某电wae-H 1 kn.i 元件.他手边只有o 5 w的250 A.500 n.75O n,l hfl的电用多只,住样连接才旭林合81值枷功攀的要求?M:将两卜Suoa.o 3 W的电阳串联秘来叩可」区为这辑£电01僚为(500 ♦ 500» Qri kn.*足为他要求;若魄设总电压为C.«H个电阳k的电队为%时电徵的用书为品W5 5W.电点的山为扁=泻= 2X0 5 w = l W.也同时埔足餐浆.采取M地方底能角定船仙噂求但无法同时质足或木妾成》1-7也路m医所承.已知:L = 2 A,U.・10 V.分新来理想电流源和珂肥电任潭发出的功率.说朗功率平骨关系•*>P L -10X2 -20 出功率.母电*iP v= 10x2 w =20 W .ifefl®取HI功卒.是负破」P.-M产加电跟发州的玩率斗于勇裁取用的功率.电跋中功率平U N1-8电略MUi所小,有■电斥U、为?30 V.内阵为七的直道电漫•竖网快唱吼月R•的供电埃对负氧供电,求:(1)当底入酎,电潴火指柔筑栽电流k=2 A,«只电匮表指示电*电}£^«228 V;fttt 电压U\ 224 V.求R..E.和七•的皿(2)为电A*电机上= 】0A。
《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
(完整word版)有机化学习题答案(高等教育出版社)
第二章 饱和烃习题(P60)(一) 用系统命名法命名下列各化合物,并指出这些化合物中的伯、仲、叔、季碳原子。
(1)(2)3-甲基-3-乙基庚烷 2,3-二甲基-3-乙基戊烷(3)(4)2,5-二甲基-3,4-二乙基己烷 1,1-二甲基-4-异丙基环癸烷(5) (6)乙基环丙烷2-环丙基丁烷(7)(8)1,7-二甲基-4-异丙基双环[4.4.0]癸烷 2-甲基螺[3.5]壬烷(9)(10)5-异丁基螺[2.4]庚烷新戊基(11)(12)2-甲基环丙基2-己基 or (1-甲基)戊基12345671234512345610123456789123412345678910123456789CH 31234567(CH 3)3CCH 2H 3CCH 3CH 2CH 2CH 2CHCH 3(二) 写出相当于下列名称的各化合物的构造式,如其名称与系统命名原则不符,予以改正。
(1) 2,3-二甲基-2-乙基丁烷(2) 1,5,5-三甲基-3-乙基己烷(3) 2-叔丁基-4,5-二甲基己烷2,3,3-三甲基戊烷2,2-二甲基-4-乙基庚烷 2,2,3,5,6-五甲基庚烷(4) 甲基乙基异丙基甲烷(5) 丁基环丙烷(6) 1-丁基-3-甲基环己烷2,3-二甲基戊烷 1-环丙基丁烷 1-甲基-3-丁基环己烷(三) 以C 2与C 3的σ键为旋转轴,试分别画出2,3-二甲基丁烷和2,2,3,3-四甲基丁烷的典型构象式,并指出哪一个为其最稳定的构象式。
解:2,3-二甲基丁烷的典型构象式共有四种:2,2,3,3-四甲基丁烷的典型构象式共有两种:CH 3CCHCH 3CH 3CH 32CH 32CH 2CHCH 2C CH 3CH 3CH 3CH 3C 2H 5CH 32CH C(CH 3)3CH 33CH 3CH CH 3CH 2CH 3CHCH 3CH 3CH 2CH 2CH 2CH 3CH 2CH 2CH 2CH 3CH 3( I )( II )( III )CH 33CH 333CH 33CH (最稳定构象)( IV )(最不稳定构象)( III )( II )CH 33H 3CH 3H3CH 3CH3H 333H 33CH 333(最稳定构象)( I )( II )(四) 将下列的投影式改为透视式,透视式改为投影式。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)高等教育出版社
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础答案(刘润华、李震梅)中国石油大学出版社
第一章习题解答1.1解:由公式:可求得电流外加电压为时1.2解:①当R=1时假设二极管导通②当R=4K时,也假设二极管导通同①1.3解:a:刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后,A点电位下降为-6V迫使V反向截止b:反向截至,c.刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后,将使A、O点电位差为零。
电位相等,U导通,截止。
d.均正向反偏,导通公共端电位为零,能保证导通,A点电位也为零,。
1.4解:1.5解:变化时,相当于给6V直流电源串接一个变化范围为的信号源,由二极管的动态电阻为:1.6解:a:b:1.7解:S闭合S断开1.8解:(1)A点时,二极管导通:(2)B点时,二极管反向偏压截止,=0V。
(3)C点时,为正,二极管导通,为负,二极管截止。
1.9解:a.由于V管阴极电位为2.3V.V管的阳极为-2.3V,当u〉3V时,V导通,截止,其支路开路,,当-3V<<3V时,均截止,当<-3V时截止,导通,故传输特性:输入输出波形:b.截止,时导通,(锗)传输特性:输入输出波形:1.10解:①R=2K时求得由图得:②R=500求得:由图得:1.11解:⑴静态分析:令或是c断开用估算法得2:⑵动态分析:⑶合成电压电流1.12解:1.13解:①②1.14解:安全稳压工作时:稳定电流的最小值来知,可取由可求:由可求减小量为:1.15解:⑴稳压管正常工作⑵能安全工作。
⑶假设能正常工作:能工作在稳定状态。
1.16解:导通,稳压,,中有一截至,稳压,导通,1.17解:2CW103:当为最大,为最小时,稳压管上的电流为最大。
R值应保证,,R最小值为:R=当为最小,为最大时,流过稳压管上的电流最小。
R取值应满足,R 最大值为:取或,取本题取2CW53,算得取第二章习题答案2.1解:a.放大b.截止.c.饱和.d.放大.e.倒置.2.2解:3.5V基极. 2.8V发射极.5V集电极.NPN型硅管2.3解:a.①集电极.②发射极③基极NPN型b.①基极②集电极③发射极PNP型2.4解a.放大b.故饱和。
模拟电子技术课后答案(电子工业出版社)
部分习题参考答案第1章1.1 (1) U Y =0.7V ;(2) U Y =0.7V 。
1.2 (1) U Y =0;(2) U Y = 4.3V ;(3) U Y =4.3V 。
1.5 输出电压的交流分量u o =3.65sin ωt (mV)。
1.6 (1) 当U I =12V 时,U O =4V ;当U I =20V 时,U O =6.67V ;当U I =35V 时, U O = 6V ;(2) 稳压管将因功耗过大而损坏。
1.7 (1) 允许输入电压的变化范围为V 15V 11i <<U ;(2) 允许负载电流的变化范围为mA 25mA 5L <<I ;(3) 输入直流电压U i 的最大允许变化范围为V 14V 11i <<U 。
第2章2.4 (a) 截止;(b) 饱和;(c) 放大;(d) 放大;(e) 饱和;(f) 截止 2.5 (1)60=β;A 406400C EO μ=-=βI ;A 65601C EOC B O μ=+=.βI I ;984061601.ββα==+=(2)Ge 管。
2.6 选用第二只管子。
∵β2=100比较适中、I CEO2=10μA 较小,使用寿命长,且温度稳定性更好。
2.8 (a ) 不能。
因为输入信号被V BB 短路。
(b ) 可能。
(c ) 不能。
图中V BB 极性接反,使NPN 管发射结反偏,不满足放大要求。
(d ) 不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e ) 不能。
因为输入信号被C 2短路。
(f ) 不能。
因为输出信号被C 3短路,恒为零。
2.9 S 接到位置A 时,I B 最大。
S 接到位置C 时,I B 最小。
2.10 A 放大;B 饱和;C 截止;D 截止。
2.11 β=50;α=0.98;P CM = 50mW ;I CEO =20µA ;U (BR)CEO =35V 。
2.12 50i =A 2.13 R o =10 k Ω2.16 mA 9090)1(B E .I βI =+=2.17 I E = 0.8mA ;I C =0.774 mA ;U EC =4.26V ;α=0.97;β=30。
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 新
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步)习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V<<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
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,
负载为容性,故
各负载的无功功率为
,
,
根据有功功率守恒和无功功率守恒,得:
,
总电流即电源电流为
3.22一额定容量为10kAV,额定电压为220V,额定频率为50HZ的交流电源,如向功率为8kW、功率因数数为0.6的感性负载供电,电源电流是否超过额定电流值?如要将功率因数提高到0.95,需并联多大的电容?并联电容后,电源电流是多少?还可以接多少只220V,40W的灯泡?
解:由于 ,故谐振频率为
品质因数
谐振时,等效电导为
等效阻抗为
3.25题3.25图电路中, ,电源电压为110V,频率为50HZ, 与 同相。求:(1)各支路电流及电路的平均功率,画出相量图。(2)电容的容量C。
解:由于Z的阻抗角为45°,故 滞后 45°,各支路电流及电压的相量图如图所示。
(1) ,
解:由电桥平衡条件公式得
由复数运算规则得
,即
3.17题3.17图所示电路中, , ,用叠加定理求 。
解: 单独作用时
单独作用时,由分流公式得
3.18题3.18图所示电路中,IS=10A,ω=5000rad/s,R1=R2=10Ω,C=10μF,μ=0.5,求电阻R2中的电流I。
解:设 ,则
对右边一个网孔,有
总功率:
功率因数:
3.40证明:如果电压相等,输送功率相等,距离相等,线路功率损耗相等,则三相输电线(设负载对称)的用铜量为单相输电线用铜量的3/4。
证明:设电压为U,输送功率为P,负载的功率因数为cosφ,距离为l,铜的电阻率为ρ,三相输电线的截面为S,单相输电线的截面为S′,则三相输电线中的电流
,
3.33对称三角形连接的三相负载Z=20+j34.6Ω,接到线电压为380V的三相电源上,设 ,求各相电流和线电流(用相量表示)。
解:
各相电流为
,
各线电流为
,
3.34两组三相对称负载,Z1=10Ω,星形连接,Z2=10+j17.3Ω,三角形连接,接到相电压为220V的三相电源上,求各负载电流和线电流。
,
3.9在题3.9图所示的电路中,已知R1=R2=10Ω,L=31.8mH,C=318μF,f=50HZ,U=10V,求各支路电流、总电流及电容电压。
解:XL=ωL=314×31.8×10-3=10Ω,
电路的总阻抗
Z=(R1+jXL)||(R2-jXC)
=
设 ,则
,
3.10阻抗Z1=1+jΩ,Z2=3-jΩ并联后与Z3=1-j0.5Ω串联。求整个电路的等效阻抗和等效导纳。若接在 的电源上,求各支路电流,并画出相量图。
,
线路功率损耗
单相输电线中的电流: ,线路功率损耗为
现要求功率损耗相等,即:
,
由此得
三相输电线的用铜量为3Sl,单相输电线的用铜量为 ,即三相输电线的用铜量为单相输电线用铜量的3/4。
(3)Z1、Z2中电流反相时,总电流最小,现Z1为电感,则Z2为容抗为XC的电容时,A0读数最小,最小电流是1A,且满足3XL=4XC,因此
3.8在题3.8图所示的电路中,I1=5A,I2=5 A,U=220V,R=XL,求XC、XL、R和I。
解:由于R=XL,故 滞后 ,各电压电流的相量图如图所示。由于I1=I2sin45º,所以I1、I2和I构成直角三角形。 与 同相,且I=I1=5A。
解:8Ω负载折合至一次侧后的阻抗为8n2Ω,根据最大功率传输原理,当其等于50Ω时,负载得到最大功率,即有8n2=50,故
3.32对称星形连接的三相负载Z=6+j8Ω,接到线电压为380V的三相电源上,设 ,求各相电流、相电压(用相量表示)。
解:线电压为380V,相电压为220V,各相电压为:
各相电流为
解:等效阻抗
等效导纳
接上电源后
电压、电流相量图如图所示。
3.11在题3.11图所示的移相电路中,若C=0.318μF,输入电压为 ,欲使输出电压超前输入电压 ,求R的值并求出 。
解:
由分压公式得
欲使 超前 ,复数R-j10000的辐角应为-30°,即
3.12已知阻抗Z1=2+j3Ω和Z2=4+j5Ω相串联,求等效串联组合电路和等效并联组合电路,确定各元件的值。设ω=10rad/s。
解:电源额定电流为 ,负载电流为 ,超过电源额定电流。
将负载的功率因数从0.6提高到0.95,需并联的电容容量为
并联电容后,电源电流为
设并联电容后还可接入n只40W灯泡,接入n只灯泡后的功率因数角为 ,则
有功功率8000+40n≤104cos
无功功率8000sin(arccos0.95)=104sin
解得 =14.5°,n≤42.07
故还可接42只灯泡。
3.23有一RLC串联电路,与10V、50HZ的正弦交流电源相连接。已知R=5Ω,L=0.2H,电容C可调。今调节电容,使电路产生谐振。求(1)产生谐振时的电容值。(2)电路的品质因数。(3)谐振时的电容电压。
解:(1)由
(2)
(3)
3.24一个电感为0.25mH,电阻为13.7Ω的线圈与85pF的电容并联,求该并联电路的谐振频率、品质因数及谐振时的阻抗。
,
(2)由 得:
3.26写出题3.26图所示电路两端的伏安关系式。
解:(a)图中, 与 为非关联参考方向,故线圈1的自感电压取负号,又 、 均从同名端流出,故两线圈中互感电压与自感电压符号相同。
,
(b)图中 与 为非关联参考方向,故线圈2中的自感电压取负号,又 、 均从同名端流入,故两线圈中互感电压与自感电压符号相同。
, ,
,
3.14用电源等效变换的方法求题3.14图所示电路中的 ,已知 。
解:等效电路如图所示
3.15求题3.15图所示电路的戴维宁等效电路和诺顿等效电路。
解:(a)由弥尔曼定理可得
(b)ab端开路时, ,故
用短路电流法求等效阻抗,电路如图所示,对大回路有:
,
, ,
3.16求题3.16图所示电桥的平衡条件。
3.29题3.29图所示电路中,R1=R2=10Ω,ωL1=30Ω,ωL2=ωM=20Ω, ,求输出电压 和R2的功率P2。
解: ,
,
3.30题3.30图所示电路中,理想变压器的变比为10:1,uS=10sinωt,求u2。
解:各电流、电压如图所示,其关系如下:
, , ,
由此解得
3.31题3.31图所示电路中,如要使8Ω的负载电阻获得最大功率,理想变压器的变比应为多少?
解:Z=Z1+Z2=6+j8Ω,等效串联组合电路参数为
R=6Ω,X=8Ω
电抗元件为电感,
等效并联组合电路参数
,
,
电抗元件为电感,
3.13在题3.13图所示电路中,U=20V,I1=I2=2A,u与i同相,求I、R、XC和XL。
解: 与 相位相差90°,故 ,由I1=I2得, 超前 45°,由于 与 同相,而 垂直 ,所以 垂直 ,又 = + ,所以 、 、 构成直角三角形,相量图如图所示。
解:元件的阻抗为
元件是电感, ,
3.5有一10μF的电容,其端电压为 ,求流过电容的电流i无功功率Q和平均储能WC,画出电压、电流的相量图。
解: ,
电流超前电压90°,相量图如右图所示。
QC=-UI=-220×0.69=-152Var
3.6一线圈接在120V的直流电源上,流过的电流为20A,若接在220V,50HZ的交流电源上,流过的电流为22A,求线圈的电阻R和电感L。
解:由题意知,负载是星形联结,设
(1) ,
(2)由于电容、电感不消耗功率,故三相平均功率等于电阻的功率,即
3.38功率为3kW,功率因数为0.8(感性)的三相对称负载,三角形连接在线电压为380V的电源上,求线电流和相电流。
解:由 得
3.39求题3.34电路的总功率和功率因数。
解:由3.34题知, 时, ,即阻抗角为 ,线电流为47.9A,因此
3.19题3.19图所示电路中,U=120V,求(1)各支路电流及总电流;(2)电路的平均功率、无功功率、视在功率和功率因数。
解:设 ,则
(பைடு நூலகம்) ,
,
电流超前电压36.9º,电路呈容性。
(2)
3.20题3.20图所示电路中, , ,C=20μF,求总电路和二端电路N的有功功率、无功功率和功率因素。
解: , ,
,由此得各电压的相量图。从图中可看出,只要 ,则 ,即V相负载电压大于W相负载电压,因此,较亮的是V相,较暗的是W相。
3.36题3.36所示电路中,三相对称电源相电压为220V,白炽灯的额定功率为60W,日光灯的额定功率为40W,功率因数为0.5,日光灯和白炽灯的额定电压均为220V,设 ,求各线电流和中线电流。
解:为简便计,设中线上压降可忽略,这样,各相负载电压仍对称,故三个灯炮中的电流相等,均为 ,因此
, ;
W相灯泡电流
,
日光灯中电流
,
由于是感性负载,电流滞后W相电压 ,即
W相线电流
中线电流
3.37阻抗均为10Ω的电阻、电容、电感,分别接在三相对称电源的U相、V相和W相中,电源相电压为220V,求(1)各相电流和中线电流;(2)三相平均功率。
,
3.27求题3.27图所示电路的等效阻抗。已知R1=18Ω, ,ωL2=10Ω,ωM=6Ω。
解:各支路电压、电流如图所示,由于 和 一个从同名端流出,一个从同名端流入,故两线圈中互感电压与自感电压符号相反
,
又:
代入数据可解得
电路的等效阻抗
3.28求题3.28图所示电路的等效阻抗Zab。
解: ,
反映阻抗