结温的危害及计算公式
二极管的结温计算
二极管结温的计算与应用技巧二极管是一种常用的半导体器件，它具有单向导电的特性，广泛应用于电子电路中。
二极管在工作时会产生热量，导致其内部的PN结温度升高，这就是所谓的结温。
结温是影响二极管性能和寿命的重要因素，过高的结温会导致二极管的参数变化、性能下降、甚至损坏。
因此，正确地计算和控制二极管的结温是保证电路正常工作和提高可靠性的必要条件。
本文主要介绍了二极管结温的概念、计算方法、影响因素和降低措施，以及如何利用热特性曲线和数据手册来进行结温分析和设计。
本文旨在帮助读者了解二极管结温的基本知识和应用技巧，为电子电路设计提供参考。
一、二极管结温的概念1.1 什么是结温结温（Junction Temperature）是指二极管内部PN结的实际工作温度。
它通常高于外壳温度（Case Temperature）和器件表面温度（Surface Temperature）。
结温可以衡量从半导体芯片到封装外壳间的散热效率和热阻。
1.2 结温的产生机制二极管在工作时，由于其内部存在正向压降（Forward Voltage Drop）和反向漏电流（Reverse Leakage Current），会消耗一定的功率（Power Dissipation），从而产生热量。
这些热量主要集中在PN结区域，导致其温度升高。
同时，由于封装材料、引线和散热装置等对热量传导有一定的阻碍，使得PN结区域的热量不能及时散发到环境中，形成了一个热平衡状态。
这个状态下的PN结温度就是结温。
二、二极管结温的计算方法2.1 结温的基本公式根据热平衡原理，可以得到二极管结温的基本公式：T j=T a+P d×Rθja其中：T j是结温，单位为摄氏度（℃）；T a是环境温度，单位为摄氏度（℃）；P d是功耗，单位为瓦特（W）；Rθja是从PN结到环境的热阻，单位为摄氏度每瓦特（℃/W）。
这个公式表明，结温与环境温度、功耗和热阻三个因素有关。
其中，环境温度是外部给定的条件，功耗是由电路参数决定的，而热阻则与器件本身的封装形式、材料、尺寸以及散热装置等有关。
结温定义和计算公式
C结温（Junction Temperature）定义和计算公式
结温（Junction Temperature）
结温是处于电子设备中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度。
它通常高于外壳温度和器件表面温度。
结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。
最高结温（Maximum junction temperature）
最高结温会在器件的datasheet数据表中给出，可以用来计算在给定功耗下器件外壳至
环境的热阻。
这可以用来选定合适的散热装置。
如果器件工作温度超过最高结温，器件中的晶体管就可能会被破坏，器件也随即失效，所以应采取各种途径降低结温或是让结温产生的热量尽快散发至环境中。
结温为：热阻×输入功率+环境温度,因此如果提高接合温度的最大额定值,即使环境温度非常高,也能正常工作。
一个芯片结温的估计值Tj，可以从下面的公式中计算出来：
Tj=Ta+( R θJA × PD )
Ta = 封装的环境温度( º℃)
R θJA = P-N结至环境的热阻( º℃ / W )
PD = 封装的功耗(W)
降低结温的途径：
1、减少器件本身的热阻；
2、良好的二次散热机构；
3、减少器件与二次散热机构安装介面之间的热阻；
4、控制额定输入功率；
5、降低环境温度。
蒸汽管道损失理论计算及分析
bw k p g f CG t t k l t •-=∆)(热水供热管道的温降1.计算基本公式 温损计算公式为：式中：gk —管道单位长度传热系数C m w ο⋅/p t—管内热媒的平均温度C ︒kt —环境温度C ︒G —热媒质量流量s Kg /C —热水质量比热容C Kg J ︒⋅/l ——管道长度m 由于计算结果为每米温降，所以L 取1m.管道传热系数为∑=+++=ni w w i i i n n g d a d d d a k 111ln 2111ππλπ式中：na ，wa —分别为管道内外表面的换了系数C m w ο⋅2/nd ，wd —分别为管道（含保温层）内外径mi λ—管道各层材料的导热系数C m w ο⋅/（金属的导热系数很高，自身热阻很小，可以忽略不计）。
i d—管道各层材料到管道中心的距离m内表面换热系数的计算根据的研究结果，管内受迫流动的努谢尔特数可由下式计算：42.075.0Pr)180(Re037.0-≈=λnn n d a NPr 为普朗特常数查表可得，本文主要针对供水网温度和回水网温度进行查找得：90摄氏度时Pr=;在75摄氏度时Pr=;外表面换热系数的计算由于采用为直埋方式，管道对土壤的换热系数有：]1)2(2ln[22-+=wt wtwtw d h d h d a λ式中： t λ—管道埋设处的导热系数。
th —管道中心到地面的距离。
3.假设条件：A. 管道材料为碳钢（%5.1≈w ）B. 查表得：碳钢在75和90摄氏度时的导热系数λ都趋近于C m w ο⋅/C.土壤的导热系数t λ=C m w ο⋅/ D. 由于本文涉及到的最大管径为，所以取th =E.保温材料为：聚氨酯，取λ=C m w ο⋅/F. 保温层外包皮材料是：PVC，取λ=Cmwο⋅/G.在75到90摄氏度之间水的比热容随温度的变化很小，可以忽略不计。
4.电厂实测数据为：管径为300mm时，保温层厚度为：50mm，保温外包皮厚度为：7mm；管径为400mm时，保温层厚度为：51mm，保温外包皮厚度为：；管径为500mm时，保温层厚度为：52mm，保温外包皮厚度为：9mm；管径为600mm时，保温层厚度为：54mm，保温外包皮厚度为：12mm；蒸汽管道损失理论计算及分析1、蒸汽管道热损失公式推导稳态条件下，通过单位长度的蒸汽管道管壁的热流量是相同的。
LED失效分析方法
和半导体器件一样，发光二极管(LED)早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分，是提高LED可靠性的积极主动的方法。
LED失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验，再做半破坏性、不可重复的试验，最后进行破坏性试验的原则。
采用合适的分析方法，最大限度地防止把被分析器件(DUA)的真正失效因素、迹象丢失或引入新的失效因素，以期得到客观的分析结论。
针对LED所具有的光电性能、树脂实心及透明封装等特点，在LED早期失效分析过程中，已总结出一套行之有效的失效分析新方法。
2 LED失效分析方法2.1 减薄树脂光学透视法在LED失效非破坏性分析技术中，目视检验是使用最方便、所需资源最少的方法，具有适当检验技能的人员无论在任何地方均能实施，所以它是最广泛地用于进行非破坏检验失效LED的方法。
除外观缺陷外，还可以透过封装树脂观察内部情况，对于高聚光效果的封装，由于器件本身光学聚光效果的影响，往往看不清楚，因此在保持电性能未受破坏的条件下，可去除聚光部分，并减薄封装树脂，再进行抛光，这样在显微镜下就很容易观察LED芯片和封装工艺的质量。
诸如树脂中是否存在气泡或杂质;固晶和键合位置是否准确无误;支架、芯片、树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效现象，都可以清楚地观察到了。
2.2 半腐蚀解剖法对于LED单灯，其两根引脚是靠树脂固定的，解剖时，如果将器件整体浸入酸液中，强酸腐蚀祛除树脂后，芯片和支架引脚等就完全裸露出来，引脚失去树脂的固定，芯片与引脚的连接受到破坏，这样的解剖方法，只能分析DUA的芯片问题，而难于分析DUA引线连接方面的缺陷。
因此我们采用半腐蚀解剖法，只将LED DUA单灯顶部浸入酸液中，并精确控制腐蚀深度，去除LED DUA单灯顶部的树脂，保留底部树脂，使芯片和支架引脚等完全裸露出来，完好保持引线连接情况，以便对DUA全面分析。
图1所示为半腐蚀解剖前后的φ5LED，可方便进行通电测试、观察和分析等试验。
热阻与结温计算方法
大功率LED的散热设计关键字：LED散热结构结温散热措施TJ散热面积关系曲线大功率允许温度正向压降大功率LED的散热设计近年来，大功率LED发展较快，在结构和性能上都有较大的改进，产量上升、价格下降；还开发出单颗功率为100W的超大功率白光LED。
与前几年相比较，在发光效率上有长足的进步。
例如，Edison公司前几年的20W白光LED，其光通量为700lm，发光效率为35lm/W。
2007年开发的100W白光LED，其光通量为6000lm，发光效率为60lm/W。
又例如，Lumiled公司最近开发的K2白光LED，与其Ⅰ、Ⅲ系列同类产品比较如表1所示。
从表中可以看出：K2白光LED在光通量、最大结温、热阻及外廓尺寸上都有较大的改进。
Cree公司新推出的XLamp XR～E冷白光LED，其最高亮度挡QS在350mA时光通量可达107～114lm。
这些性能良好的大功率LED给开发LED白光照明灯具创造了条件。
前几年，各种白光LED照明灯具主要是采用小功率Φ5白光LED来做的。
如1～5W 的灯泡、15～20W的管灯及40～60W的路灯、投射灯等。
这些灯具使用了几十到几百个Φ5白光LED，生产工艺复杂、可靠性差、故障率高、外壳尺寸大，并且亮度不足。
为改进上述缺点，这几年逐步采用大功率白光LED来替代Φ5白光LED来设计新型灯具。
例如，用18个2W的白光LED做成的街灯，若采用Φ5白光LED则要几百个。
另外，用一个1.25W的K2系列白光LED，可做成光通量为65lm的强光手电筒，照射距离可达几十米。
若采用Φ5白光LED来做则是不可能的。
图1 结温TJ与相对出光率关系图用大功率LED做的灯具其价格比白炽灯、日光灯、节能灯要高得多，但它的节能效果及寿命比其他灯具也高的多。
如果在路灯系统及候机大厅、大型百货商场或超市、高级宾馆大堂等用电大户的公共场所全部采用LED灯具，其一次性投资较高，但长期的节电效果及经济性都是值得期待的。
蒸汽管道温度损失计算与分析报告
蒸汽管道损失理论计算及分析
1、蒸汽管道热损失公式推导 稳态条件下，通过单位长度的蒸汽管道管壁的热流量 是相同的。 根据稳态导热的原理，可得出蒸汽保温管道的导热热流量式为：
2、总传热系数及其影响因素分析
2.1 总传热系数 k
k
1
n
1 1 ln d i 1
1
h1 d 1 i 1 2 i
d i d n 1
—管段 j 的流量
4 热损失分析 4.1 管道沿途散热损失 4.2 蒸汽管线沿途跑冒热损失 4.3 换热站凝结水热损失
5 工程实例分析
5.1 误差计算
η=
=
5.2 误差分析: A.工程测量中仪表精确度存在误差 B.理论计算中忽略各变量在各自影响因素下的变化，存在计算误差。 5.3 改进方案
A.多层保温材料，将导热系数λ较大的材料至于保温层外侧，增大热阻， 减小导热热流量。
式中： —蒸汽对工作钢管壁的换热系数 —蒸汽管道各层材料的导热系数 —蒸汽管道各层材料到管道中心的距离
ɑ—蒸汽管道对土壤的换热系数（直埋） 或蒸汽管道与空气间的对流换热系数（架空或管沟）
2.2 传热系数 k 的影响因素 2.2 1 蒸汽与管道壁的对流换热系数 ①计算公式:
式中： —努儿特准则数
—蒸汽的导热系数
热水供热管道的温降
1.计算基本公式 1.1 温损计算公式
t l
kg (t p tk ) G•C
为：
fbw
式中： kg —管道单位长度传热系数 w / m C
t p —管热媒的平均温度 C
tk —环境温度 C
G —热媒质量流量 Kg / s
C —热水质量比热容 J / KgC
m l ——管道长度 由于计算结果为每米温降，所以 L 取 1m
LED的结温计算
LED的结温计算LED的PN结结温主要影响LED光通量和寿命，本文用电压法对直插LED，食人鱼LED和大功率LED的结温和热阻进行了实验研究。
在测量LED结温的同时，研究它的光谱变化，色光LED峰值波长的偏移与其结温存在线性关系，白光LED 的总能量和蓝光能量比率（W/B）的变化与结温也存在线性的关系。
LED存在发热现象，随着LED的工作时间和工作电流的增加，其发光强度和光通量会下降，寿命降低，对白光还会导致激发效率的下降，这主要是由于LED结温升高导致的。
对于白光LED，随着结温的增加，LED发出黄光和蓝光的强度以不同的速率下降,白光LED的总能量和蓝光能量比率（W/B）与结温存在关系。
首先对LED的结温进行研究，由此可得到LED的热阻。
然后在测量结温的同时，测量LED光谱变化，可以得出LED的PN结结温与色光LED峰值波长或白光LED的白色/蓝色能量比（W/B）之间存在一定的关系。
因此可以采用非接触式方法来进行结温的测量。
测量原理LED的结温是影响发光二极管各项性能指标的一个重要因素，测量LED结温的方法可用通过测量在不同环境温度下LED的正向电压的大小来得到。
实验原理如图1所示，被测LED置于积分球内，积分球放在恒温箱的中间，积分球内的光经石英光纤导入SSP3112快速光谱分析仪，可以快速测取LED的峰值波长或W/B比率。
将热电偶与LED管脚紧密接触，用测温仪读取不同加热电流和不同环境温度下的管脚温度。
恒温箱的温度范围为0℃-150℃，精度 1℃。
PC机通过高速开关控制对LED的加热电流(IF)和参考电流(IFR)，并测量IF和IFR下的VF 和VFR。
热是从温度高处向温度低处散热。
大功率LED 主要的散热路径是：管芯→散热垫→印制板敷铜层→印制板→环境空气。
若LED 的结温为T J ，环境空气的温度为T A ,散热垫底部的温度为T c （T J ＞T c ＞T A 。
在热的传导过程中，各种材料的导热性能不同，即有不同的热阻。
蒸汽管道温度损失计算及分析
bw k p g f C G t t k l t •-=∆)(热水供热管道的温降1.计算基本公式1.1温损计算公式为：式中： g k —管道单位长度传热系数C m w ο⋅/p t —管内热媒的平均温度C ︒ k t —环境温度C ︒G —热媒质量流量s Kg /C —热水质量比热容C Kg J ︒⋅/ l ——管道长度m 由于计算结果为每米温降，所以L 取1m 1.2.管道传热系数为式中：n a ，w a —分别为管道内外表面的换了系数C m w ο⋅2/ n d ，wd —分别为管道（含保温层）内外径m i λ—管道各层材料的导热系数C m w ο⋅/（金属的导热系数很高，自身热阻很小，可以忽略不计）。
i d —管道各层材料到管道中心的距离m2.1内表面换热系数的计算根据H.Hansen 的研究结果，管内受迫流动的努谢尔特数可由下式计算：Pr 为普朗特常数查表可得，本文主要针对供水网温度和回水网温度进行查找得： 90摄氏度时Pr=1.95;在75摄氏度时Pr=2.38;2.2外表面换热系数的计算由于采用为直埋方式，管道对土壤的换热系数有：式中：t λ—管道埋设处的导热系数。
t h —管道中心到地面的距离。
3.假设条件：A. 管道材料为碳钢（%5.1≈w ）B. 查表得：碳钢在75和90摄氏度时的导热系数λ都趋近于36.7C m w ο⋅/ C.土壤的导热系数t λ=0.6C m w ο⋅/ D. 由于本文涉及到的最大管径为0.6m ，所以取t h =1.8mE.保温材料为：聚氨酯，取λ=0.03C m w ο⋅/ F. 保温层外包皮材料是：PVC ，取λ=0.042C m w ο⋅/ G.在75到90摄氏度之间水的比热容随温度的变化很小，可以忽略不计。
4.电厂实测数据为：管径为300mm 时，保温层厚度为：50mm ，保温外包皮厚度为：7mm ；管径为400mm 时，保温层厚度为：51mm ，保温外包皮厚度为：7.8mm ；管径为500mm 时，保温层厚度为：52mm ，保温外包皮厚度为：9mm ；管径为600mm 时，保温层厚度为：54mm ，保温外包皮厚度为：12mm ；蒸汽管道损失理论计算及分析1、蒸汽管道热损失公式推导稳态条件下，通过单位长度的蒸汽管道管壁的热流量q 1是相同的。
结温计算公式范文
结温计算公式范文结温（Stagnation temperature）是指流体在经过压缩成高速流动时，压力能全部转换成内能的温度，也可以是流体受到剪切应力作用时将全部外能转化为内能的温度。
结温的计算非常重要，它可以帮助我们分析流体的热力学性质，同时也可以用于设计和评估燃气轮机、喷气发动机、火箭等高速气流设备。
结温的计算公式主要有两种，分别是气密流体和等熵流体的计算公式。
对于气密流体，结温的计算公式如下：Tt=T+(V^2/(2*Cp))其中，Tt表示结温，T表示原始温度，V表示流体的速度，Cp表示流体在恒压下的比热容。
对于等熵流体，结温的计算公式如下：Tt=T*(1+((γ-1)/2)*Ma^2)其中，Tt表示结温，T表示原始温度，γ表示气体的比热比，Ma表示马赫数。
这两个公式的应用场景略有不同，需要根据具体情况来选择使用哪个计算公式。
一般来说，对于低速流动的流体，可以使用气密流体的结温计算公式；而对于高速流动的流体，可以使用等熵流体的结温计算公式。
这些计算公式并不是万能的，实际应用中还需要考虑一些修正因素。
比如，在高速气流中，会产生压力波，从而影响结温的计算结果。
此时，需要使用更加精确的计算模型来修正计算结果。
此外，结温的计算结果也会受到流体的性质和外界环境的影响。
比如，流体的比热容随着温度的增加而变化，并且不同的气体具有不同的比热容值。
因此，在实际应用中，需要根据具体情况来选择合适的比热容值。
总之，结温的计算公式是流体力学和热力学研究的基础，它可以帮助我们深入理解热气流的特性，并用于设计和评估高速气流设备。
在实际应用中，需要根据具体情况来选择合适的计算公式，并考虑修正因素和流体性质的影响。
结温 环温
结温环温
结温环温是农业生产中用来描述生长环境的两个重要参数，以及
它们对植物的作用。
结温和环温对于某些植物的生长和发育至关重要，因此了解这些参数对于农业生产是不可或缺的。
一、结温
结温是指植物表面出现结霜的温度或低于结霜点的最低温度。
在
自然条件下，结温通常出现在早晨、夜间和冬季，如果植物长期处于
低温环境下，结温将对植物产生不利影响。
结温对植物的影响有以下几个方面：
1.抑制植物的生长发育，尤其是幼嫩的芽、叶片等部位。
2.引起植物细胞膜脆性增加、细胞壁增厚等变化，从而影响细胞
的正常代谢活动，甚至导致植株死亡。
3.促使植物休眠，延缓植物的生长发育。
二、环温
环温指在一定时间内，某一地区某一高度的大气温度平均值。
环
温与结温不同，它是指长时间的平均值，它对植物的生长发育影响较大。
环温对植物的影响从以下几个参数分析：
1.促进植物生长：环温适宜时，可促进植物的生长，提高产量。
2.影响植物品质：环温高低对某些作物的品质有影响，例如高温
可能会导致农作物的营养价值下降、废弃物的增加、产量的减少，而
低温有利于提高品质，但会延缓成熟。
3.影响植物适应性：环温因素与植物品种有关，同一作物在不同
的环境下生长可能会表现出不同的适应能力。
因此，了解结温和环温两个参数是农业生产中非常重要的。
植物
的生长离不开合适的生长环境，结温和环温这两个参数有助于农民科
学种植、调控温度，提高农作物产量和品质，在推进农业现代化的过
程中也显得非常重要。
可控硅结温计算方法
可控硅结温计算方法嘿，咱今儿就来讲讲可控硅结温计算方法。
你可别小瞧这玩意儿，它就像是电路世界里的一把钥匙，能帮咱打开好多奇妙的大门呢！可控硅，这小玩意儿在好多电子设备里都起着大作用呢。
那怎么知道它的结温呢？这可得好好琢磨琢磨。
咱可以想象一下，可控硅就像是一个在努力工作的小工人，它干活的时候会产生热量，就跟咱跑步会出汗一样。
而这个结温呢，就是它工作时的“体温”啦。
要计算这个结温，就好像咱要知道自己发烧到多少度一样。
首先呢，得考虑它工作时通过的电流，电流就好比是给小工人的任务量，任务量越大，它就越累，产生的热量就越多。
然后呢，还得看看它周围的环境温度，这就像是小工人工作的场所，如果周围温度本来就高，那它就更容易热啦。
再说说散热条件，这可太重要啦！就好比大热天里，有风扇吹着和没有风扇吹着那差别可大了去了。
散热好的话，结温就不会升得那么高；要是散热不好，那可就麻烦咯。
计算结温的时候，还得考虑可控硅本身的特性呢，不同型号的可控硅就像不同性格的人，有的耐热些，有的就比较娇贵。
咱举个例子哈，假如有个可控硅在一个很热的环境里工作，电流还挺大，散热又不太好，那它的结温肯定蹭蹭往上涨啊，这就像人在大太阳下干重活还没处乘凉，不得热得够呛嘛！那怎么具体计算呢？这可得用一些公式和方法啦。
就像咱算数学题一样，得一步一步来，不能马虎。
得把各种因素都考虑进去，仔细地算，才能得出比较准确的结果。
你说这结温计算重要不？那当然重要啦！要是不知道结温，就可能让可控硅工作得不舒服，甚至出问题呢。
就像咱人要是一直处在不合适的温度下，也会生病呀。
所以啊，咱可得好好掌握这个可控硅结温计算方法，这可是咱玩转电子世界的一个重要技能呢！咱可不能小瞧了它，得认真对待，让可控硅们都能健康快乐地工作呀！怎么样，现在是不是对可控硅结温计算方法有点感觉啦？哈哈！。
使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温
大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。
通常情况下，外壳或接脚温度已知。
量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。
这种方法适用于所有单裸片封装，包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。
但对多裸片绝缘栅双极晶体管(IGBT)而言，这种方法被证实不足以胜任。
某些IGBT是单裸片组件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数IGBT结合了联合封装的二极管。
大多数制造商提供单个θ值，用于计算结点至外壳热阻抗。
这是一种简化的裸片温度计算方法，会导致涉及到的两个结点温度分析不正确。
对于多裸片组件而言，θ值通常不同，两个裸片的功率耗散也不同，各自要求单独计算。
此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。
本文将阐释怎样量测两个组件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。
图1：贴装在TO-247封装引线框上的IGBT及二极管。
功率计算电压与电流波形必须相乘然后作积分运算以量测功率。
虽然电压和电流简单相乘就可以给出瞬时功率，但无法使用这种方法简单地推导出平均功率，故使用了积分来将它转换为能量。
然后，使用不同损耗的能量之和以计算波形的平均功率。
在开始计算之前定义导通、导电及关闭损耗的边界很重要，因为如果波形的某些区域遗漏了或者是某些区域被重复了，它们可能会给量测结果带来误差。
本文的分析中将使用10%这个点；然而，由于这是一种常见方法，也可以使用其他点，如5%或20%，只要它们适用于损耗的全部成分。
正常情况下截取的是正在形成的正弦波的峰值波形。
这就是峰值功率耗散。
平均功率是峰值的50%(平均电压是峰值电压除以√2，平均电流是峰值电流除以√2)。
一般而言，在电压波形的峰值，IGBT将导电，而二极管不导电。
为了量测二极管损耗，要求像电机这样的无功负载，且需要捕获电流处于无功状态(如被馈送回电源)时的波形。
图2：IGBT导通波形。
结温 储存温度
结温储存温度
【原创版】
目录
1.结温与储存温度的定义
2.结温与储存温度的关系
3.结温与储存温度对食品的影响
4.如何控制结温与储存温度
5.结温与储存温度的实际应用
正文
结温与储存温度是食品保存过程中非常重要的两个概念。
结温是指食品中水分蒸发至表面形成冰晶的温度，也是食品开始变质的温度。
储存温度则是指食品被保存的环境温度。
结温与储存温度有着密切的关系。
在食品保存过程中，结温往往高于储存温度，这是因为食品中的水分在蒸发过程中会吸收热量，使得食品表面温度下降。
当结温低于储存温度时，食品中的水分会继续蒸发，形成冰晶，这就是冻伤现象。
而当结温高于储存温度时，食品中的水分会液化，这会导致食品变质。
结温与储存温度对食品的影响主要体现在食品的质量和安全性上。
结温过高或过低都会导致食品变质，而储存温度过高会导致食品中的营养成分流失，过低则会导致食品冻伤。
为了保证食品的质量和安全性，我们需要控制结温与储存温度。
这需要我们根据食品的特性和保存需求，选择合适的保存方法和设备。
例如，对于易冻伤的食品，我们应该选择具有冻伤保护功能的保存设备，对于需要低温保存的食品，我们应该选择具有恒温功能的保存设备。
结温与储存温度在实际应用中的重要性不言而喻。
在食品工业中，控
制结温与储存温度是保证食品质量和食品安全的关键。
结温计算
电压法LED结温及热阻测试原理时间：2010-11-22 20:55:35 来源：光电新闻网作者：LED应用于照明除了节能外,长寿命也是其十分重要的优势。
目前由于LED 热性能原因,LED 及其灯具不能达到理想的使用寿命;LED 在工作状态时的结温直接关系到其寿命和光效;热阻则直接影响LED 在同等使用条件下LED 的结温;LED 灯具的导热系统设计是否合理也直接影响灯具的寿命。
因此功率型LED 及其灯具的热性能测试,对于LED的生产和应用研发都有十分直接的意义。
以下将简述LED 及其灯具的主要热性能指标,电压温度系数K、结温和热阻的测试原理、测试设备、测试内容和测试方法,以供LED 研发、生产和应用企业参考。
一、电压法测量LED 结温的原理LED 热性能的测试首先要测试LED 的结温,即工作状态下LED 的芯片的温度。
关于LED 芯片温度的测试,理论上有多种方法,如红外光谱法、波长分析法和电压法等等。
目前实际使用的是电压法。
1995 年12 月电子工业联合会/电子工程设计发展联合会议发布的> 标准对于电压法测量半导体结温的原理、方法和要求等都作了详细规范。
电压法测量LED 结温的主要思想是：特定电流下LED 的正向压降Vf 与LED 芯片的温度成线性关系,所以只要测试到两个以上温度点的Vf 值,就可以确定该LED 电压与温度的关系斜率,即电压温度系数K 值,单位是mV/°C 。
K 值可由公式K=ㄓVf/ㄓTj 求得。
K 值有了,就可以通过测量实时的Vf 值,计算出芯片的温度(结温)Tj 。
为了减小电压测量带来的误差,> 标准规定测量系数K 时,两个温度点温差应该大于等于50 度。
对于用电压法测量结温的仪器有几个基本的要求：A、电压法测量结温的基础是特定的测试电流下的Vf 测量,而LED 芯片由于温度变化带来的电压变化是毫伏级的,所以要求测试仪器对电压测量的稳定度必须足够高,连续测量的波动幅度应小于1mV 。
结温tj算法
结温tj算法
结温Tj的计算方法因不同的电子元器件和应用场景而有所不同。
以下是几种常见的结温Tj计算方法：
1.结温Tj=TA+θJA·PH，其中TA是环境温度，θJA是热阻，PH
是功耗。
2.结温Tj=TJ-θJA·(P-PDmax)，其中TJ是允许的最高结温，
θJA是热阻，P是实际功耗，PDmax是环境温度下允许的最大功耗。
3.结温Tj=(TJmax-TA)/θJA+TA，其中TJmax是允许的最高结
温，TA是环境温度，θJA是热阻。
4.结温Tj=(VIN-VOUT)/IIN-PDIN-Tj0，其中VIN是输入电压，
VOUT是输出电压，IIN是输入电流，PDIN是输入功率，Tj0是参考温度。
需要注意的是，不同的电子元器件和应用场景具有不同的热阻和功耗等参数，因此在实际应用中需要根据具体情况选择合适的结温Tj 计算方法。
同时，结温Tj的计算也需要考虑散热条件和安装方式等因素，以确保计算结果的准确性和可靠性。
二极管结温
结温（Junction Temperature）结温是处于电子设备中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度。
它通常高于外壳温度和器件表面温度。
结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。
最高结温（Maximum junction temperature）最高结温会在器件的datasheet数据表中给出，可以用来计算在给定功耗下器件外壳至环境的热阻。
这可以用来选定合适的散热装置。
如果器件工作温度超过最高结温，器件中的晶体管就可能会被破坏，器件也随即失效，所以应采取各种途径降低结温或是让结温产生的热量尽快散发至环境中。
一个芯片结温的估计值Tj，可以从下面的公式中计算出来：Tj=Ta+( R θJA × PD )Ta = 封装的环境温度( ºC )R θJA = P-N结至环境的热阻( ºC / W )PD = 封装的功耗(W)降低结温的途径：1、减少器件本身的热阻；2、良好的二次散热机构；3、减少器件与二次散热机构安装介面之间的热阻；4、控制额定输入功率；5、降低环境温度；参考文献：/index.asp回答：2010-12-24 15:13提问者对答案的评价：3q~LV精品手袋奢华体验LV-路易斯威登春夏专场火热进行中期待加入30天,一口流利英语不记单词,不扣语法,立竿见影,无效退款！百元开户金融期货平台100元开户,0佣金,免费模拟账户,双向交易金融平台,华人最爱金融期货平台其它回答共1条回答评论众山小[智慧天尊]结温是处于电子设备中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度。
它通常高于外壳温度和器件表面温度。
结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。
降低结温的途径：1、减少器件本身的热阻；2、良好的二次散热机构；3、减少器件与二次散热机构安装介面之间的热阻；4、控制额定输入功率；5、降低环境温度。
一级降额结温
一级降额结温
摘要：
一、一级降额结温的定义
二、一级降额结温的计算方法
三、一级降额结温在工程中的应用
四、一级降额结温对设备性能的影响
五、如何提高一级降额结温的效率
正文：
一级降额结温是指在电力系统中，通过降低系统中的有功功率，使系统中的负荷电流减小，从而达到降低系统温升的目的。
它是一种保证电力系统安全运行的重要措施，对于防止电力设备过热，提高电力系统的运行效率具有重要意义。
一级降额结温的计算方法主要依据电力系统的负荷特性和设备的额定参数。
一般情况下，可以通过计算设备的最大负荷电流和额定电流的比值，来确定设备的一级降额结温。
在我国的电力系统中，一级降额结温被广泛应用于设备的运行管理和维护。
通过合理设定一级降额结温，可以有效防止设备过热，提高设备的运行寿命，降低设备的故障率。
一级降额结温对设备的性能影响主要表现在两个方面：一是可以防止设备过热，避免设备性能下降；二是可以提高设备的运行效率，降低能源消耗。
为了提高一级降额结温的效率，可以从以下几个方面进行：一是优化电力
系统的运行管理，合理分配电力资源；二是提高设备的维护水平，定期对设备进行检修和维护；三是推广新技术、新设备，提高设备的性能和效率。
LED结温
LED结温,什么是LED结温，哪些原因产生LED结温，降低LED结温的途径又有哪些？下文将详细进行分析1、什么是LED的结温？LED的基本结构是一个半导体的P—N结。
实验指出，当电流流过LED元件时，P-N结的温度将上升，严格意义上说，就把P—N结区的温度定义为LED 的结温。
通常由于元件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。
2、产生LED结温的原因有哪些？在LED工作时，可存在以下五种情况促使结温不同程度的上升：a、元件不良的电极结构，视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒加，构成LED元件的串联电阻。
当电流流过P—N结时,同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯片温度或结温的升高。
b、b、由于P—N结不可能极端完美，元件的注人效率不会达到100％，也即是说，在LED 工作时除P区向N区注入电荷（空穴）外，N区也会向P区注人电荷（电子)，一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效应,而以发热的形式消耗掉了.即使有用的那部分注入电荷,也不会全部变成光，有一部分与结区的杂质或缺陷相结合，最终也会变成热。
c、c、实践证明，出光效率的限制是导致LED结温升高的主要原因。
目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使LED极大多数输入电能转换成光辐射能，然而由于LED芯片材料与周围介质相比，具有大得多的折射?数,致使芯片内部产生的极大部分光子（〉90％）无法顺利地溢出介面,而在芯片与介质介面产生全反射，返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收，并以晶格振动的形式变成热，促使结温升高.d、d、显然,LED元件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件。
散热能力强时,结温下降，反之,散热能力差时结温将上升。
由于环氧胶是低热导材料，因此P-N结处产生的热量很难通过透明环氧向上散发到环境中去，大部分热量通过衬底、银浆、管壳、环氧粘接层，PCB与热沉向下发散。
结温110
结温110
结温110是一种相对保守的设计要求，它能够确保结构工程在受到一定的压力或载荷作用下仍然能够保持稳定。
结温110在设计中的作用是保护结构工程，通过将设计强度乘以1.1来计算结温110，以确保在实际使用中，材料的变形程度不会超过设计强度的110%。
不过，不同的领域和设备对结温的要求可能不同。
例如，5700xt 是一种显卡，其结温达到110度是有些偏高的。
通常显卡的工作温度应该控制在80度以下，而结温则更应远低于这个温度。
因此，如果在实际应用中结温过高，可能会导致设备过热，影响其正常工作。
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结温的危害及计算公式
结温指半导体元件内部的温度。
在LED 中是指芯片内发光层(pn结间设置多重量子阱构造的位置)的温度。
LED芯片的发光层在点亮时温度会上升。
一般情况下,结温越高,发光效率就越低。
LED随着输入电流的增加尽管光通量会提高,但发热量会变大。
由此会出现发光层的温度(结温)升高而使发光效率降低,功耗增加,从而使结温进一步上升的恶性循环。
通过降低LED芯片封装及该封装安装底板的热阻,使芯片产生的热量得以散发,避免结温上升等改进,可以提高亮度。
结温为：热阻×输入电力+环境温度,因此如果提高接合温度的最大额定值,即使环境温度非常高,LED也能正常工作。
例如,在白色LED中,有的LED芯片品种的可容许接合温度最高达到+185℃。
接合温度可因LED的点亮方式而大为不同。
例如,脉冲驱动 (向LED输入断续电流驱动,间歇点亮)LED时,结温就不容易上升,而连续驱动(向LED输入稳定电流驱动,连续点亮)LED,结温就容易上升。
芯片蓄热的话光强就会降低
白色LED配备的LED芯片的发光层在点灯过程中温度会上升。
一般情况下,如果被称为结温的发光层部分的温度上升,发光效率就会降低,即使输入电力也不亮。
通过降低LED
芯片封装和封装底板的热阻,散发芯片上产生的热量,设法使结温不上升,能够使发光更亮。
(图根据德国欧司朗光电半导体的资料制作)
如果使用提高了结温最大额定值的LED芯片,在安装使用时能够获得很多优点。
例如,由于增加了输入电力,可提高输出功率。
还可以缩小底板的散热片等。