集成电路工艺硅的晶体结构培训课件

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集成电路工艺基础硅的晶体结构培训

集成电路工艺基础硅的晶体结构培训

晶体是由原子、分子或离子在三 维空间中以周期性重复排列形成
的固态物质。
晶体具有长程有序的原子排列, 这使得晶体具有各向异性、对称
性和物理性质上的周期性。
晶体的原子排列具有高度的稳定 性,这使得晶体在特定条件下表
现出不同的物理和化学性质。
硅晶体的基本结构
硅晶体属于面心立方晶格结构 ,其原子排列呈现高度的对称 性。
集成电路封装测试流程
01
02
03
04
芯片贴装
将芯片粘贴到基板上,并进行 焊接。
引脚连接
将芯片的引脚与基板的引脚进 行连接。
功能测试
对封装完成的集成电路进行功 能测试和性能评估。
环境测试
对集成电路进行高温、低温、 湿度等环境测试,以确保其可
靠性。
2023
PART 05
硅晶体结构对集成电路性 能的影响
集成电路的应用领域
集成电路广泛应用于通信、计算机、消费电子、工业控制 、军事等领域。
在通信领域,集成电路被用于手机、基站、路由器等设备 中;在计算机领域,集成电路被用于CPU、GPU、内存等 部件中;在消费电子领域,集成电路被用于电视、音响、 相机等产品中。
2023
PART 03
硅晶体在集成电路中的应 用
硅晶体结构对集成电路机械性能的影响
硬度与脆性
热膨胀系数
硅晶体的高硬度和脆性特性,使得集 成电路在受到外力作用时容易发生机 械损伤,如划痕、断裂等。
硅晶体的热膨胀系数较大,使得集成 电路在温度变化时容易发生形变,影 响其性能和可靠性。
弹性模量
硅晶体的弹性模量决定了集成电路在 受到应力作用时的变形程度,影响其 可靠性。
稳定性
硅晶体具有优良的热稳定 性和化学稳定性,能够在 高温和各种化学环境下保 持性能稳定。

集成电路工艺基础—硅的晶体结构培训课件

集成电路工艺基础—硅的晶体结构培训课件
❖ 2.面内原子结合力强,化学腐蚀比较困难和缓慢 ,所以腐蚀后容易暴露在表面上
❖ 3.由于{111}双层密排面之间距离很大,结合力 弱,晶格缺陷易在面间形成和扩展
❖ 4.面内原子结合力强,能量低,晶体生长中有生 成(111)晶面的趋势
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1.3 硅晶体中的缺陷
点缺陷:自间隙原子、空位、
肖特基缺陷、弗仑克尔缺陷
❖ 一个原子在正四面体的中心,其它四个同它共价的原子 位于正四面体的顶点,这种四面体称为共价四面体。
❖ 最小原子间距:即正四面体中心原子到顶角原子的距离 ,即晶胞对角线长的四分之一。
硅的晶体结构:
•1.1.4 晶体内部的空隙
❖硅原子半径: rsi= ❖ 硅原子体积:
=1.17Å
❖ 单位原子在晶格中占有的体积:
• 形成替位式固溶体必要条件: –溶质原子半径的大小接近溶剂原子半径,若溶质原子半 径与溶剂原子半径相差大于15%,则可能性很小。 (几何 有利因素)
• 连续固溶体(一种物质可无限溶解于另一种物质中) –需为替位式固溶体,且溶剂和溶质原子外部电子壳层结 构相似
• 大部分施主和受主杂质都与硅形成替位式固溶体
• 不同 晶向氧化速率、腐蚀速率不同 • <110>方向上的原子线密度最大
晶向的表示方法
等效晶向(1)
等效晶向(2)
1.2.2 晶面
❖ 晶面:晶格中的原子处在的一系列彼此平行的 平面系
❖ 晶面方向:晶面的法线方向,可由相邻的两个 平行晶面在坐标轴上的截距的倒数来标识。
❖ 晶面指数:(h1,h2,h3);{h1,h2,h3} ❖ 原子面密度:原子个数/单位面积
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§1.1 硅晶体结构的特点
1.1.1 晶胞 1、晶格

《集成电路工艺》课件

《集成电路工艺》课件
集成电路工艺设备
薄膜制备设备
化学气相沉积设备
用于在硅片上沉积各种薄膜,如氧化硅、氮化硅 等。
物理气相沉积设备
用于沉积金属、合金等材料,如蒸发镀膜机。
化学束沉积设备
通过离子束或分子束技术,在硅片上形成高纯度 、高质量的薄膜。
光刻设备
01
02
03
投影式光刻机
将掩膜板上的图形投影到 硅片上,实现图形的复制 。
降低成本
集成电路工艺能够实现大规模生产,降低了单个电子 元件的成本。
促进技术进步
集成电路工艺的发展推动了半导体制造技术的进步, 促进了微电子产业的发展。
02
CATALOGUE
集成电路制造流程
薄膜制备
物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD )是最常用的两种沉积技术。
薄膜的厚度、均匀性和晶体结构等特性对集成电路的 性能和可靠性具有重要影响。
分类
按照制造工艺技术,集成电路可分为 薄膜集成电路和厚膜集成电路;按照 电路功能,集成电路可分为模拟集成 电路和数字集成电路。
集成电路工艺的发展历程
小规模阶段
20世纪60年代,晶体管被集成 在硅片上,形成了小规模集成 电路。
大规模阶段
20世纪80年代,微处理器和内 存被集成在硅片上,形成了大 规模集成电路。
02
它通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用,将硅片表面研磨得更
加平滑,减小表面粗糙度。
抛光液的成分、抛光压力和抛光时间等参数对抛光效果具有重
03
要影响。
03
CATALOGUE
集成电路工艺材料
硅片
硅片是集成电路制造中最主要的材料之一,其质量直 接影响集成电路的性能和可靠性。

硅的晶体结构

硅的晶体结构

硅中杂质
硅片中同时有浅施主和浅受主时,导电类型和载流子 浓度数量由杂质浓度差决定
在同一片半导体基片上,分别制造P 型半导体和N 型
半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了
PN 结。这是制造器件和集成电路的基础
杂质类型: •施主、受主: 磷、硼等 •特殊杂质:金(扩散速率快,作为寿命控制杂质) •玷污杂质:碳、氧 •碳 会导致p-n结的击穿 •氧 生成络合物,起施主作用
硅晶体结构的特点
硅的晶体结构和碳、锗一样,是金刚石结构的半导体 晶体。
硅原子构成的一个面心立方原 胞内还有四个原子,分别位于四 个空间对角线的 1/4处
硅晶体结构的特点
硅 的 晶 体 结 构
硅晶体结构的特点
一、晶胞 最大限度地反映晶体对称性质的最小单元,称为晶胞。
硅的晶胞结构:在由硅原子构 成的一个面心立方原胞内,还有 四个硅原子,分别位于四个空间 对角线的 1/4处。
硅单晶材料的制备
直拉法单晶生长
区熔法单晶生长
一、直拉法
直拉法是绝大多数晶体的主流生产技术,是熔融态物 质的结晶的过程。
需要的材料:电子级纯度的多晶硅,将石英还原提纯至 99.999999999%
生长系统:抽真空的腔室内放置坩埚(熔融石英), 腔室回充保护性气氛,将坩埚加热至1500℃左右,籽晶 (直径0.5cm,10cm长)降下来与熔料相接触,随着籽晶 的提拉,生成柱状晶锭(直径可达300mm以上,长度一 般1~2m)
硅晶片的制备
1. Crystal Growth
Polysilicon Seed crystal Crucible
Heater
2. Single Crystal Ingot
3. Crystal Trimming and Diameter Grind

集成电路工艺硅的晶体结构培训课件(PPT 37页)

集成电路工艺硅的晶体结构培训课件(PPT 37页)
• (2)由{111}双层密排面结合牢固,化学腐蚀 就比较困难和缓慢,所以腐蚀后容易暴露在表 面上。
8
1.2 晶向、晶面和堆积模型
• 1.晶向:表示一族晶列所指的方向。 • 2.晶列:晶格中的原子处在一系列方向
相同的平行直线系上,这种直线系称为 晶列。 • 3.[m1,m2,m3]晶向指数,< > 表示晶向 族; (h1,h2,h3)晶面,{ } 表示晶面族 • 4.面心立方晶体结构是立方密堆积, (111)面是密排面。
• 一个原子在四面体的中心,另外4个同它共价的 原子在正四面体的4个顶角上,这种四面体也称 共价四面体。
• (2)晶体内部的空隙
• 金刚石结构的另一个特点是内部存在着相当大 的“空隙”。硅晶体内大部分是“空”的一些 间隙杂质能很容易地在晶体内运动并存在于体 内,同时对替位杂质的扩散运动提供了足够的 条件。
2
Si: 含量丰富,占地壳重量25%;
• 单晶Si 生长工艺简单,目前直径最大18英吋(450mm)
图中从左到右分别是450mm(18英寸)、300mm(12英寸)和200mm (8英寸)的晶圆,其中只有8寸为晶圆实物,18寸和12寸皆为比例模型。
• 氧化特性好, Si/SiO2界面性能理想,可做掩蔽膜、钝 化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料;
Si 的基本特性:
•金刚石结构,晶格常数a=5.431 Å • 间接带隙半导体, 禁带宽度 Eg=1.12eV • 相对介电常数, r=11.9 • 熔点: 1417oC • 原子密度: 5x1022 cm-3 • 本征载流子浓度:ni=1.45x1010 cm-3 • 本征电阻率 =2.3x105 ·cm • 电子迁移率 e=1500 cm2/Vs, 空穴迁移率h=450 cm2/Vs

集成电路工艺 第二讲单晶

集成电路工艺 第二讲单晶

氧含量(ppm)
体微缺陷(缺陷数/cm2) 单位面积颗粒数
≤24±2
≤5000 0.17
≤23±2
≤1000 0.13
≤23±1.5
≤500 0.075
≤22±1.5
≤100 0.055
外延层厚度(μm)
3.0(±5%)
2.0(±3%)
1.4(±2%)
1.0(±2%)
ppm:百万分之
硅晶体中的缺陷
硅片质量标准
3. 表面微粗糙度 表面微粗糙度是测量硅片表面微小范围内最高 点和最低点的高度偏差,取规定平面内所有测量数 值的均方根,单位是纳米。表面微粗糙度会影响硅 片上介质层的击穿特性。 4. 氧含量 硅中少量的氧成为吸咐中心,能够俘获硅中的 金属沾污,但过量的氧则会形成淀积,影响硅的机 械特性和电学特性,例如:引起硅片变形、导致器 件的漏电流增加。
• 缺点:无天然氧化物,材料易碎,资源匮乏,砷含 巨毒,成本高。
为什么要用单晶进行硅片制造?
集成电路制造的所有工艺步骤都是在硅圆片上完成, 硅晶体的性质特点和制备质量将会影响到芯片制造的工 艺过程和芯片的最终质量。 硅属四价元素,其原子 按照金刚石结构排列。 单晶硅:由金刚石结构晶格 整齐地、周期性重复排列形 成的一块硅晶体; 多晶硅:由许多微小单晶硅 晶粒无规则堆积而成的硅晶 体。
学习与思考
1.
2. 3.
为何选择硅作为主要的半导体材料?
其他可选的半导体材料是什么? 为什么要用单晶进行硅片制造?
4.
5. 6.
MOS器件主要使用哪种方向晶面? 双极器件呢?
生长单晶硅的主要过程是什么? 常用的单晶硅生长方法有哪些? 为什么要用硅籽晶? 叙述直拉法制备硅晶体的工艺过程。

硅的晶体结构课件

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04
硅晶体结构的应用
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW
ERA
半导体工业中的应用
硅晶体是半导体工业中最重要 的材料之一,用于制造集成电 路、微处理器、晶体管、太阳 能电池等。
硅晶体的高纯度、低缺陷密度 和优良的电学性能使其成为制 造电子器件的理想材料。
硅晶体在半导体工业中的应用 已经取得了巨大的经济效益和 社会效益。
氧化性
硅在高温下能与氧气发生反应, 生成二氧化硅,这是一种具有高
硬度的玻璃态物质。
还原性
在特定条件下,硅能与一些强还 原剂发生反应,生成硅烷等有机
硅化合物。
硅晶体结构的电学性质
导电性
硅晶体结构是一种半导体材料, 其导电性能介于导体和绝缘体之 间。在一定条件下,硅可以表现 出优良的导电性能。
光导性
硅在特定波长的光线照射下,能 吸收光能并转换为电能,这是制 造太阳能电池的基础原理之一。
强方向性
硅晶体中的共价键具有强 方向性,这使得硅晶体具 有高度的结晶性和各向异 性。
共价键性质
硅晶体中的共价键属于定 域键,其电子云主要集中 在相邻原子的轨道重叠区 域,形成稳定的化学键。
03
硅晶体结构的性质
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW
ERA
硅晶体结构的物理性质
空间格子
硅晶体的空间格子是由两个面心立 方点阵沿特定方向嵌套而成,这种 结构使得硅晶体具有较高的硬度和 化学稳定性。
晶胞参数
硅晶胞参数为a=b=c=5.43埃, α=β=γ=90°,每个晶胞中含有2个 硅原子。
硅晶体结构的键合方式
01
02
03

硅的晶体结构PPT课件

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kl第15页共42页16三立方晶系的几种主要晶面第16页共42页17四硅的常用晶面上的原子分布第17页共42页体缺陷面缺陷线缺陷点缺陷缺陷13硅晶体中的缺陷第18页共42页131点缺陷外来原子替位式和间弗仑克尔缺陷肖特基缺陷空位自间隙原子点缺陷一自间隙原子存在于硅晶格间隙中的硅原子是晶体中最简单的点缺第19页共42页第20页共42页21二空位和间隙原子在一定温度下晶格原子丌仅在平衡位置附近做振动运动而且有一部分原子会获得足够的能量克服周围原子对它的束缚挤入晶格原子间的间隙形成间隙原子原来的位置便成为空位
27
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28
1.4 硅中杂质
一、半导体的电阻特性
第28页/共42页
29
第29页/共42页
30
二、本征半导体和本征激发
➢本征半导体:没有杂质和缺陷的半导体。 ➢T=0K时,价带中的全部量子态都被电子占据,而导带中的量
子态都是空的,也就是说,半导体中共价键是饱和的、完整 的。 ➢T>0K时,就有电子从价带激发到导带,同时价带中产生空 穴,这就是所谓的本征激发。由于电子和空穴成对产生,导 带中的电子浓度n0等于价带中的空穴浓度p0。
存在于硅晶格间隙中的硅原子,是晶体中最简单的点缺 陷。
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20
第20页/共42页
二、空位和间隙原子
在一定温度下,晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运 动,而且有一部分原子会获得足够的能量,克服周围原子对 它的束缚,挤入晶格原子间的间隙,形成间隙原子,原来的 位置便成为空位: ✓ 这时间隙原子和空位是成对出现的,称为弗仑克耳缺陷; ✓ 若只在晶体内形成空位而无间隙原子时,称为肖特基缺陷; ✓ 间隙原子和空位不断地产生和复合,最后确立一平衡浓度值;
杂质为间隙式杂质。形成该种杂质时,要求其原子比晶格 原子小; ➢ 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称 这种杂质为替位式杂质。形成该种杂质时,要求其原子的 大小与被取代的晶格原子的大小比较接近,而且二者的价 电子壳层结构也比较接近。

硅晶体结构ppt课件

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当位错线与滑移矢量垂直时,称为刃位错; 当位错线与滑移矢量平行时,则称为螺位错。
.
位错示意图
刃位错
螺位错
.
滑移与攀移
滑移
攀移
.
面缺陷或体缺陷
.
晶体缺陷对晶体的影响
晶体缺陷引起晶格局部弹性变形称晶格畸变。
杂质粒子缺陷
空位缺陷
间隙粒子缺陷
点缺陷引起的三种晶格畸变
.
硅中杂质
.
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硅晶体结构虽然排列有规则,但内部还存在相当大的 空隙,某些半径较小的原子能比较容易在晶格内运动。
.
晶体密排面
晶体中原子在不同方向上的排列是不同的—疏密不同 当某个晶向上原子之间间距最小原子排的最密,该晶 面称为密排方向。原子排列最紧密的面称为密排面。
密排面特点: 1、原子排列最紧密,相邻原子间距小; 2、相邻密排面晶面之间的距离最大;
.
硅的晶体结构 非晶体是指组成物质的分子(或原子、离子
)不呈空间有规则周期性排列的固体。非晶体 没有一定的规则外形,如玻璃、松香、石蜡等 。其物理性质在各个方向上是相同的,称“各 向同性”;没有固定的熔点。有人把非晶体叫 做“过冷液体”或“流动性很小的液体”。
.
硅的晶体结构
晶体在不同方向上物理性质不同的现象——各向异性。 非晶体各个方向物理性质是相同的。
晶体最容易从密排面之间断开——解理面
.
硅晶体中的缺陷和杂质
集成电路制作过程中,选择单晶为基本材料——无位错材料
晶体缺陷种类:
点缺陷
面缺陷
线缺陷
体缺陷
.
点缺陷
晶体点缺陷主要包括间隙原子、空位、肖特基缺陷、 弗仑克尔缺陷和外来原子等。

第一章 硅的晶体结构

第一章 硅的晶体结构
第一章 硅的晶体结构
1.1 硅晶体结构的特点
1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度(自学)
1
本章重点
Si晶体结构
晶向、晶面
缺陷、杂质
2
单晶体 晶体 固体 多晶体 非晶体
3
1.1 硅晶体结构的特点
1.1.1 晶胞
间隙式杂质
替位式杂质
34
四、施主杂质、施主能级(举例Si中掺P,Si:P)
35
电离结果:导带中的电 子数增加了,这也是掺 施主的意义所在
主要依靠导带电子导电的半 导体称为电子型或n型半导体
把被施主杂质束缚的电子的 能量状态称为施主能级。施 主能级靠近导电底部
36
施主杂质释放电子的过程称为施主电离。施主杂质未电离时 是中性的称为束缚态或中性态;电离后成为正电中心,称为 施主离化态。使电子挣脱施主杂质束缚成为导带电子所需要 的能量称为施主电离能。 37
15
1.2.2 晶面
一、定义
晶体晶格中的原子被看作是处在一系列彼此平行的平面 系上,这种平面系称为晶面。通过任何一个晶列都存在许多 取向不同的晶面,不同晶面上的原子排列情况一般是不同 的。
二、米勒指数
用相邻的两个平行晶面在矢量x,y,z的截距来标记,它 们可以表示为x/h1、y/h2、z/h3,h1、h2、h3为互质的整数或负 整数。通常就用 h 1 、 h 2 、 h 3 来标记晶面,称它们为晶面指数
n型杂质
38
五、受主杂质、受主能级(举例Si中掺B,Si:B)
39
主要依靠价带空穴导电的半 导体称为空穴型或p型半导体
电离结果:价带中的 空穴数增加了,这也 是掺受主的意义所在

硅的晶体结构PPT课件

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➢简单立方晶格:在立方晶格的每一个角落,都有一个原子,且 每个原子都有六个等距的邻近原子。长度a称为晶格常数。在周 期表中只有钚(polonium)属于简单立方晶格。 ➢体心立方晶格:除了角落的八个原子外,在晶体中心还有一个 原子。在体心立方晶格中,每一个原子有八个最邻近原子。钠 (sodium)及钨(tungsten)属于体心立方结构。
27
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1.4 硅中杂质
一、半导体的电阻特性
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二、本征半导体和本征激发
➢本征半导体:没有杂质和缺陷的半导体。 ➢T=0K时,价带中的全部量子态都被电子占据,而导带中的量
子态都是空的,也就是说,半导体中共价键是饱和的、完整 的。 ➢T>0K时,就有电子从价带激发到导带,同时价带中产生空 穴,这就是所谓的本征激发。由于电子和空穴成对产生,导 带中的电子浓度n0等于价带中的空穴浓度p0。
主要依靠价带空穴导电的半 导体称为空穴型或p型半导体
电离结果:价带中的
把被受主杂质束缚的空穴的
空穴数增加了,这也
能量状态称为受主能级。受
是掺受主的意义所在
主能级靠近价带顶部
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第38页/共42页
空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离。受主杂质未电 离时是中性的称为束缚态或中性态;电离后成为负电中心, 称为受主离化态。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所 需要的能量称为受主电离能。
12
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3. 硅晶体不同晶向上的原子分布情况
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1.2.2 晶面
一、定义
晶体晶格中的原子被看作是处在一系列彼此平行的平面 系上,这种平面系称为晶面。通过任何一个晶列都存在许多 取向不同的晶面,不同晶面上的原子排列情况一般是不同 的。
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• 易于实现平面工艺技术;
2

硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶
圆尺寸越大越好,因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如,同
样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器
核心,而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心,300mm
直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍,出产的处理器个数
特点:可重复生长、提纯单晶,单晶纯度较CZ法高; 无需坩埚、石墨托,污染少; FZ单晶:高纯、高阻、低氧、低碳;
8
• 5. 双层密排面的特点: • (1)在晶面内原子结合力强,晶面与晶面
之间距离较大,结合薄弱。 • (2)两个双层面间,间距很大,而且共价
键稀少,平均两个原子才有一个共价键, 致使双层密排面之间结合脆弱。
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• 6. 金刚石晶格晶面的性质:
• (1)由于{111}双层密排面本身结合牢固,而 双层密排面之间相互结合脆弱,在外力作用下, 晶体很容易沿着{111}晶面劈裂。这种易劈裂 的晶面称为解理面。
23
4. 放肩 缩颈工艺完成后,略降低温度(15-40℃) ,让晶体逐渐长大到 所需的直径为止。这称为“放肩”。
24
5. 等径生长:当晶体直径到达所需尺寸后,提高拉速,使晶体直 径不再增大,称为收肩。收肩后保持晶体直径不变,就是等径 生长。此时要严格控制温度和拉速。
25
6. 收晶:晶体生长所需长度后,拉速不变,升高熔体温度或熔体 温度不变,加快拉速,使晶体脱离熔体液面。
Si 的基本特性:
•金刚石结构,晶格常数a=5.431 Å • 间接带隙半导体, 禁带宽度 Eg=1.12eV • 相对介电常数, r=11.9 • 熔点: 1417oC • 原子密度: 5x1022 cm-3 • 本征载流子浓度:ni=1.45x1010 cm-3 • 本征电阻率 =2.3x105 ·cm • 电子迁移率 e=1500 cm2/Vs, 空穴迁移率h=450 cm2/Vs
• 一个原子在四面体的中心,另外4个同它共价的 原子在正四面体的4个顶角上,这种四面体也称 共价四面体。
• (2)晶体内部的空隙
• 金刚石结构的另一个特点是内部存在着相当大 的“空隙”。硅晶体内大部分是“空”的一些 间隙杂质能很容易地在晶体内运动并存在于体 内,同时对替位杂质的扩散运动提供了足够的 条件。
• (2)由{111}双层密排面结合牢固,化学腐蚀 就比较困难和缓慢,所以腐蚀后容易暴露在表 面上。
• (3) 因{111}双层密排面之间距离很大,结 合弱,晶格缺陷容易在这里形成和扩展。
• (4){111}双层密排面结合牢固,表明这样的 晶面能量低。由于这个原因,在晶体生长中有 一种使晶体表面为{111}晶面的趋势。
26
直拉法生长单晶的特点
优点:所生长单晶的直径较大成本相对较低; 通过热场调整及晶转,埚转等工艺参数的优化,可较好控制 电阻率径向均匀性
缺点:石英坩埚内壁被熔硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响,易 引入氧碳杂质,不易生长高电阻率单晶(含氧量通常1040ppm)
27
二、改进直拉生长法—磁控直拉技术
原理: 在直拉法(CZ法)单晶生长的基础上对坩埚内的熔体施加 磁场,由于半导体熔体是良导体,在磁场作用下受到与其运动方 向相反作用力,于是熔体的热对流受到抑制。因而除磁体外,主 体设备如单晶炉等并无大的差别。
13
螺位错:将规则排列的晶面剪开(但不完全剪断),然后将剪开的部分其中一 侧上移半层,另一侧下移半层,然后黏合起来,形成一个类似于楼梯 拐角处 的排列结构,则此时在“剪开线”终结处(这里已形成一条垂直纸面的位错 线)附近的原子面将发生畸变,这种原子不规则排列结构称为一个螺位错
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三、面缺陷
二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在 二维方向上延伸,在第三维方向上很小。如孪晶、晶粒间界以及堆垛层错。 孪晶:是指两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面(即特定取向关系) 构成镜面对称的位向关系,这两个晶体就称为“孪晶”,此公共晶面就称孪晶面。 晶粒间界则是彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区。
就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。

虽然晶圆尺寸愈大,愈能降低芯片制造成ห้องสมุดไป่ตู้,但推升晶圆尺寸
所需的技术和复杂度高,需要设备、元件等产业链的搭配,建厂成
本亦会大幅增加,具备一定难度。
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• 晶圆尺寸的更新换代一般都需要十年左右,比如200mm晶圆是1991 年诞生的 ,截至2008年,广泛使用的300mm晶圆则是Intel在2001年引 入的,并首先用于130nm工艺处理器。事实上,仍有些半导体企业仍未 完成从200mm向300mm的过渡,而Intel此番准备升级450mm必然会让 半导体产业的芯片制造经济得到进一步发展。450mm晶圆无论是硅片面 积还是切割芯片数都是300mm的两倍多,因此每颗芯片的单位成本都会 大大降低。当然,投资更大尺寸的晶圆是需要巨额投资的,一般来说年
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1.2 晶向、晶面和堆积模型
• 1.晶向:表示一族晶列所指的方向。 • 2.晶列:晶格中的原子处在一系列方向
相同的平行直线系上,这种直线系称为 晶列。 • 3.[m1,m2,m3]晶向指数,< > 表示晶向 族; (h1,h2,h3)晶面,{ } 表示晶面族 • 4.面心立方晶体结构是立方密堆积, (111)面是密排面。
18寸晶圆,届时适用的微影技术是否够成熟是最大问题。

台湾积体电路制造股份有限公司即台积电,全球第一家的专业集成
电路制造服务公司,产能居世界之冠
• 根据SEMI统计数据,若去除记忆体相关产品线,台积电在2011年已 拥有近110万片约当8寸晶圆片的产能,居世界之冠,估计至今年底,台 积电12寸厂的所有洁净室面积超过32个世界杯足球场大小。 4
却是后者的2.385倍,并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶
圆来得高多少,因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商
所喜欢的。

然而,硅晶圆具有的一个特性却限制了生产商随意增加硅晶圆
的尺寸,那就是在晶圆生产过程中,离晶圆中心越远就越容易出现
坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展,坏点数呈上升趋势,这样我们
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• 3. 固溶体分类:按溶质在溶剂中存在形式。 • (1)替位式固溶体:溶质原子占据溶剂晶格
格点上的正常位置,而且杂质原子在各点上的 分布是无序的。 • (2)间隙式固溶体:溶质原子存在于溶剂晶格 的间隙中,其分布也是无规则的。 • 4.某种元素能否作为扩散杂质的一个重要标准: • 看这种杂质的最大固溶度是否大于所要求的表 面浓度,如果表面浓度大于杂质的最大固溶度, 那么选用这种杂质就无法获得所希望的分布。
3.浅能级:靠近价带顶和导带底。
深能级:位于禁带中心附近。
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1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
• 1. 固溶体:当把一种元素B(溶质)引 入到另一种元素A(溶剂)的晶体中时, 在达到一定浓度之前,不会有新相产生, 而仍保持原来晶体A的晶体结构,这样的 晶体称为固溶体。
• 2. 固溶度:在一定温度和平衡态下,元 素B能够溶解到晶体A内的最大浓度,称 为这种杂质在晶体中的最大溶解度。
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拉晶过程
1.熔硅 将坩埚内多晶料全部熔化 ;注意事项:熔硅时间不易 长; 2.引晶 将籽晶下降与液面接近,使籽晶预热几分钟,俗称 “烤晶”,以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。 当温度稳定时,可将籽晶与熔体接触,籽晶向上拉, 控制温度使熔体在籽晶上结晶;
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3. 收颈 指在引晶后略为降低温度,提高拉速,拉一段直径比籽晶细的部 分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位 错的延伸。颈一般要长于20mm。
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1.6 单晶制备
一、直拉法(CZ法)
CZ 拉晶仪 1. 熔炉 石英坩埚:盛熔融硅液; 石墨基座:支撑石英坩埚;加热坩埚; 旋转装置:顺时针转; 加热装置:RF线圈; 2. 拉晶装置 籽晶夹持器:夹持籽晶(单晶); 旋转提拉装置:逆时针; 3. 环境控制系统 气路供应系统 流量控制器 排气系统 4. 电子控制反馈系统
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Si: 含量丰富,占地壳重量25%;
• 单晶Si 生长工艺简单,目前直径最大18英吋(450mm)
图中从左到右分别是450mm(18英寸)、300mm(12英寸)和200mm (8英寸)的晶圆,其中只有8寸为晶圆实物,18寸和12寸皆为比例模型。
• 氧化特性好, Si/SiO2界面性能理想,可做掩蔽膜、钝 化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料;
• (3) 多晶体:晶体是由相同结构的很多小晶粒无规则 地堆积而成。
• (4) 晶胞:能够最大限度地反应晶体对称性质的最小 单元。
• (5) 各向异性:晶体在不同方向上的物理特性是不相 同的。
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• 2. 金刚石结构特点
• (1)共价四面体:
• 硅由两套面心立方格子沿体对角线位移四分之 一长度套构而成的。
孪晶界
晶粒间界 15
堆垛层错是指是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某一层间出现了错误, 从而导致的沿该层间平面(称为层错面)两侧附近原子的错误排布 。
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四、体缺陷
由于杂质在硅晶体中存在有限的固浓度, 当掺入的数量超过晶 体可接受的浓度时, 杂质在晶体中就会沉积,形成体缺陷。
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1.4 硅中杂质
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1.1 硅晶体结构
• 1. 晶胞
• 晶体的重要特点是组成晶体的原子、分子、离子是按 一定规则周期排列着。任一晶体都可以看作是由质点 (原子,分子,离子)在三维空间中按一定规则做周 期重复性排列所构成的。
• (1) 晶格:晶体的周期性结构称为晶体格子。
• (2) 单晶体:整个晶体是由单一的晶格连续组成。
收入低于100亿美元的企业都武力承担。 Intel不存在这方面的困扰, Intel预计2015年其首条450mm产线将可开始试产。预计今年首批测试用 450mm晶圆可制成,相应的芯片生产设备方面则会在今年到位。
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