PN结及单向导电性
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(1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性 能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
a
7
1.1.2 N型半导体和 P 型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。 在常温下即可
变为自由电子 掺入五价元素
a 第六章 分立元器件基本电路
3
本征半导体的结构特点
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗， 它们的最外层电子（价电子）都是四个。
Ge
Si
a 第六章 分立元器件基本电路
4
1.1.1 本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征 半导体。
价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
－－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + +
P
内电场 外电场
N
–+
a
16
2、掌握PN结的单向导电性
正向导通，反向截止
(2)PN结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
a
10
1.1.3 PN结的形成
共价键中的两个电子，称为价电子。
a
5
自由电子 本征半导体的导电机理
价电子在获得一定能量
（温度升高或受光照）后，
Si
Si
即可挣脱原子核的束缚， 成为自由电子（带负电），
同时共价键中留下一个空
Si
Si
位，称为空穴（带正电）。
空穴
这一现象称为本征激发。
温度愈高，晶体中产 价电子 生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子
a
1
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。
a
2
第一节 常用半导体器件
半导体基础知识
将所有的物质按照导电性能进行分类，可以分 为导体、绝缘体和半导体三类。
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一 般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、 陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体 之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、 氧化物等
－－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + 动画 － － － － － － + + + + + +
浓度差 形成空间电荷区
多子的扩散运动
扩散的结果使 空间电荷区变宽。
a
扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。
PN 结变窄
－－－－ － － + + + + + +
－ － － － － －I + + + + + +
－－－－ － － + + + + + +
P
内电场 N
I
外电场
+–
内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。
R
PN 结加正向电压时，正向电流较大， PN结导通。
a
15
2、掌握PN结的单向导电性 (2)PN结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
载流子的两种运动——扩散运动和漂移运动 扩散运动：电中性的半导体中，载流子从浓
度高的区域向浓度较低区域的运动。 漂移运动：在电场作用下，载流子有规则的
定向运动。
a
11
PN结的形成
空间电荷区也称 PN 结
少子的漂移运动
内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。
P 型半导体
内电场 N 型半导体
动画 掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在 P 型半导体中空穴是多 数载流子，自由电子是少数载 流子。
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
a
9
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当
于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
a
6
本征半导体的导电机理
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现
两部分电流
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。
自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意：
1. 1 PN结及其单向导电性
1.半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电Biblioteka Baidu力明显变化 (可做
成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
12
1.1.4 PN结的单向导电性
1. PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
PN 结变窄
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
动画
内电场被 削弱，多子 的扩散加强，
P IF
内电场 N
外电场
+–
形成较大的 扩散电流。
Si
Si
pS+i
Si
多余 电子
动画
掺杂后自由电子数目 大量增加，自由电子导电 成为这种半导体的主要导 电方式，称为电子半导体 或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
在N 型半导体中自由电子是
多数载流子，空穴是少数载流
子。
a
8
1.1.2 N型半导体和 P 型半导体
Si
Si
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。
a
13
1.1 半导体的导电特性
三、PN结 1、了解PN结的形成
浓度差
多子扩散空间电荷区(杂质离子)
内电场
促使少子漂移 阻 止 多 子 扩 散
PN结的实质：PN结=空间电荷区=耗尽层
a
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2、掌握PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
a
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1.1.2 N型半导体和 P 型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。 在常温下即可
变为自由电子 掺入五价元素
a 第六章 分立元器件基本电路
3
本征半导体的结构特点
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗， 它们的最外层电子（价电子）都是四个。
Ge
Si
a 第六章 分立元器件基本电路
4
1.1.1 本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征 半导体。
价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
－－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + +
P
内电场 外电场
N
–+
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2、掌握PN结的单向导电性
正向导通，反向截止
(2)PN结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
a
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1.1.3 PN结的形成
共价键中的两个电子，称为价电子。
a
5
自由电子 本征半导体的导电机理
价电子在获得一定能量
（温度升高或受光照）后，
Si
Si
即可挣脱原子核的束缚， 成为自由电子（带负电），
同时共价键中留下一个空
Si
Si
位，称为空穴（带正电）。
空穴
这一现象称为本征激发。
温度愈高，晶体中产 价电子 生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子
a
1
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。
a
2
第一节 常用半导体器件
半导体基础知识
将所有的物质按照导电性能进行分类，可以分 为导体、绝缘体和半导体三类。
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一 般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、 陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体 之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、 氧化物等
－－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + 动画 － － － － － － + + + + + +
浓度差 形成空间电荷区
多子的扩散运动
扩散的结果使 空间电荷区变宽。
a
扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。
PN 结变窄
－－－－ － － + + + + + +
－ － － － － －I + + + + + +
－－－－ － － + + + + + +
P
内电场 N
I
外电场
+–
内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。
R
PN 结加正向电压时，正向电流较大， PN结导通。
a
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2、掌握PN结的单向导电性 (2)PN结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
载流子的两种运动——扩散运动和漂移运动 扩散运动：电中性的半导体中，载流子从浓
度高的区域向浓度较低区域的运动。 漂移运动：在电场作用下，载流子有规则的
定向运动。
a
11
PN结的形成
空间电荷区也称 PN 结
少子的漂移运动
内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。
P 型半导体
内电场 N 型半导体
动画 掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在 P 型半导体中空穴是多 数载流子，自由电子是少数载 流子。
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
a
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1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当
于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
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本征半导体的导电机理
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现
两部分电流
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。
自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意：
1. 1 PN结及其单向导电性
1.半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电Biblioteka Baidu力明显变化 (可做
成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
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1.1.4 PN结的单向导电性
1. PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
PN 结变窄
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
动画
内电场被 削弱，多子 的扩散加强，
P IF
内电场 N
外电场
+–
形成较大的 扩散电流。
Si
Si
pS+i
Si
多余 电子
动画
掺杂后自由电子数目 大量增加，自由电子导电 成为这种半导体的主要导 电方式，称为电子半导体 或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
在N 型半导体中自由电子是
多数载流子，空穴是少数载流
子。
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1.1.2 N型半导体和 P 型半导体
Si
Si
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。
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1.1 半导体的导电特性
三、PN结 1、了解PN结的形成
浓度差
多子扩散空间电荷区(杂质离子)
内电场
促使少子漂移 阻 止 多 子 扩 散
PN结的实质：PN结=空间电荷区=耗尽层
a
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2、掌握PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负