半导体物理学第五章习题答案

第五章习题

1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。

2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空

穴寿命为。

（1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。

3. 有一块n 型硅样品，寿命是1us ，无光照时电阻率是10??cm 。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm -3s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例

s cm p

U s cm p U

p 31710

10010

313/10U 100,/10613

==∆=

====∆-⨯∆-τ

τμτ得：解：根据？求：已知：τ

τ

τ

ττ

g p g p dt

p d g Ae

t p g p dt p d L L t

L

=∆∴=+∆-∴=∆+=∆+∆-=∆∴-.

00

)2()(达到稳定状态时，方程的通解：梯度，无飘移。

解：均匀吸收，无浓度cm s pq nq q p q n pq np cm q p q n cm g n p g p p

n p n p n p

n L /06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101

:1010100

.19

16191600'000316622=+=⨯⨯⨯+⨯⨯⨯+=∆+∆++=+=Ω=+==⨯==∆=∆=+∆-----μμμμμμσμμρττ光照后光照前光照达到稳定态后

4. 一块半导体材料的寿命=10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几

5. n 型硅中，掺杂浓度N D =1016cm -3, 光注入的非平衡载流子浓度n=p=1014cm -3。计算无光照和有光照的电导率。

6. 画出p 型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。

%

2606.38.006.3500106.1109.

,..

32.0119

161

0'

'==⨯⨯⨯=∆∴∆>∆Ω==-σσ

ρp u p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献

少数载流子对电导的贡Θ。

后，减为原来的光照停止%5.1320%5.13)

0()

20()0()(1020

s e p p e

p t p t

μτ

==∆∆∆=∆--cm

s q n qu p q n p

p p n n n cm p cm n cm p n cm n K T n p n i /16.21350106.110:,/1025.2,10/10.105.1,30019160000003403160314310=⨯⨯⨯=≈+=∆+=∆+=⨯===∆=∆⨯==---μμσ无光照则设半导体的迁移率）

本征

空穴的迁移率近似等于的半导体中电子、

注：掺杂有光照131619140010(/19.20296.016.2)5001350(106.11016.2)(:

--=+=+⨯⨯⨯+≈+∆++=+=cm cm

s nq q p q n pq nq p n p n p

n μμμμμμσ

7. 掺施主浓度N D =1015cm -3的n 型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子n=p=1014cm -3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。

8. 在一块p 型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心

E c

E i

E v

E c

E F E i E v

E Fp

E Fn

光照前

光照后

⎪⎪⎭⎪⎪⎬

⎫⎪⎪

⎩⎪⎪⎨⎧

-=-==+⨯=+=∆+=⨯=+=∆+=-T k E E e n p T k E E e n n cm

N n p p p cm n n n FP i i o i Fn i D

i

014

1415

210142

0315141503/101010)105.1(10/101.11010Θ度强电离情况，载流子浓

0.0517eV P F

E F E 0.0025eV

F

E n

F E 0.289eV 1010

1.514

10Tln 0k i

n

D

N

Tln o k i E F E 平衡时0.229eV 10101.514

10Tln 0k i E FP E i

P

P Tln 0k i E FP E

0.291eV 10101.515

101.1Tln 0k i E Fn E i

n

n

Tln 0k i E Fn E

=-=-∴=⨯==--=⨯-=--==⨯⨯=-+=∴

9. 把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命=n+p 。

10. 一块n 型硅内掺有1016cm -3的金原子 ，试求它在小注入时的寿命。若一块p 型硅内也掺有1016cm -3的金原子，它在小注入时的寿命又是多少

s N r r Au Si p s N r r A Si n cm N t n n n t p p p t 916

81016

173

16106.110

103.611106.810

1015.11

1u 10--+----⨯=⨯⨯==

⨯=⨯⨯==

=ττ决定了其寿命。

对少子电子的俘获系数中，型。

决定了少子空穴的寿命对空穴的俘获系数中，型

11. 在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生：

（1）在载流子完全耗尽（即n, p 都大大小于n i ）半导体区域。

（2）在只有少数载流子别耗尽（例如，p n <

>n i0

T k E E e n p p p p p pn r k E E e n n r pn r n T k E E e n r n n r n s n N o F

i i t

p o i t i t n t n t o i t i n t n t n t t -≈∆+=<<∆=--==001T ,.小注入：由题知，从价带俘获空穴向导带发射电子

被电子占据复合中心接复合理论：

解：根据复合中心的间不是有效的复合中心。

代入公式很小。,11,;

011t p t n o F i i t p n o F

i i p o i t i n N r N r p n p n E E E E r r T

k E E e n r T k E E e n r +==-=-∴≈-=-τT

k E E c T

k E E c T k E

E c T k E E c n p t p n i

T i

F V T T C o V

F F c e

N p e

N n e N p e N n p p n r r p p p r p n n r E E E

E Si 0001100001010;;)

(N )()(:

:--

------====∆++∆+++∆++===Θτ根据间接复合理论得复合中心的位置本征n

p n

t p t n p t p n p t n T i F r N r N p n n r r N p n n r p n n r r N p n n r p n p n E E E τττ+=+=

∆++∆+++

∆++∆++=

=====1

1)

()()()(000000001

100所以：因为：产生

复合率为负，表明有净载流子完全耗尽，0

0,0)1()()()(1

12112

<+-=

≈≈+++-=

p r n r n r r N U p n p p r n n r n np r r N U p n i p n t p n i

p n t 结，（反偏，只有少数载流子被耗尽0

)(),)2()

()()(1

1200112<++-=

≈<<+++-=

p r n n r n r r N U n n p p pn p p r n n r n np r r N U p n i p n t n n n n p n i p n t